JP2007294486A5 - - Google Patents

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  1. 複数の画素セルを具備する固体撮像装置であって、
    各画素セルは、
    半導体基板中に設けられ、入射光を光電変換して信号電荷を蓄積する光電変換素子と、
    前記光電変換素子に蓄積された前記信号電荷をフローティングジャンクションに転送する転送トランジスタと
    を含み、
    少なくとも１個の前記転送トランジスタは、前記光電変換素子の上方を完全に覆って設けられたゲート電極を具備し、残りの前記転送トランジスタは、前記光電変換素子の上方を覆わないゲート電極を具備することを特徴とする固体撮像装置。
  2. 複数の画素セルを具備する固体撮像装置であって、
    各画素セルは、
    半導体基板中に設けられ、入射光を光電変換して信号電荷を蓄積する光電変換素子と、
    前記光電変換素子に蓄積された前記信号電荷をフローティングジャンクションに転送する転送トランジスタと
    を含み、
    前記フローティングジャンクションは、複数の前記転送トランジスタを介して複数の前記光電変換素子に共有されるように電気的に接続され、
    少なくとも１個の前記転送トランジスタは、前記光電変換素子の上方を完全に覆って設けられたゲート電極を具備し、残りの前記転送トランジスタは、前記光電変換素子の上方を覆わないゲート電極を具備することを特徴とする固体撮像装置。
  3. 前記光電変換素子の上方を覆って設けられた前記ゲート電極は、該光電変換素子に入射する選択的に制限された入射光の波長に応じて膜厚が異なることを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像装置。
  4. 前記画素セルは、Ｇｒ画素、Ｇｂ画素、Ｂ画素、Ｒ画素のセルからなり、これらのうちＲ画素のセルの前記光電変換素子の上方にのみ、前記ゲート電極が覆って設けられることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１に記載の固体撮像装置。
  5. 前記光電変換素子の上方を覆って設けられた前記ゲート電極は、該光電変換素子に入射する選択的に制限された入射光の波長に応じて選択的に設けられることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１に記載の固体撮像装置。
  6. 前記光電変換素子の上方を覆って設けられた前記ゲート電極は、該光電変換素子を挟んで前記フローティングジャンクションと反対側に隣接する光電変換素子との間の素子間領域上に延伸されることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１に記載の固体撮像装置。
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