JP2010067774A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. 光電変換素子と、前記光電変換素子にて生じた電荷を転送する転送用トランジスタと、前記転送用トランジスタによって前記電荷が転送される半導体領域及び前記半導体領域に接続されたコンタクトプラグとを含むフローティングディフュージョン部と、を有する、複数の基本セルと、
   前記コンタクトプラグに最も近接した第１配線層と前記第１配線層の上部配された第２配線層とを含む複数の配線層と、を有する光電変換装置において、
   前記複数の基本セルは、それぞれ前記フローティングディフュージョン部の上部に配置された遮光部を有し、
   前記複数の基本セルの遮光部は互いに分離して設けられ、前記フローティングディフュージョン部と導通しておらず、各遮光部の電位はフローティングであり、
   前記複数の基本セルの遮光部は、少なくとも、前記第２配線層と同一層に配されることを特徴とする光電変換装置。
2. 前記遮光部は前記複数の配線層を構成する材料と同一材料によって形成されていることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
3. 前記基本セルは、複数の光電変換素子を有することを特徴とする請求項１あるいは２に記載の光電変換装置。
4. 前記基本セルに、各基本セルに含まれる複数の光電変換素子の各々に対応して前記半導体領域が設けられており、各基本セルの複数の半導体領域は互いに電気的に接続されていることを特徴とする請求項３に記載の光電変換装置。
5. 前記基本セルは、増幅用トランジスタを有し、
   前記増幅用トランジスタのゲート電極が前記半導体領域と前記コンタクトプラグを介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
6. 前記フローティングディフュージョン部は、前記半導体領域と前記増幅用トランジスタのゲート電極とを含むことを特徴とする請求項５に記載の光電変換装置。
7. 前記複数の光電変換素子のそれぞれに対応して、前記複数の光電変換素子の上部に配されたカラーフィルタを有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光電変換装置。
8. 各基本セル内の前記複数の半導体領域に対応して遮光部が設けられており、各基本セル内の遮光部どうしが互いに分離されていることを特徴とする請求項４に記載の光電変換装置。
9. 前記遮光部は、アルミニウムもしくは銅を含んで構成されることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の光電変換装置。
10. 前記コンタクトプラグがシェアードコンタクトであることを特徴とする請求項５に記載の光電変換装置。
11. 前記遮光部は、更に、前記第１配線層と同一層に配された部材を含むことを特徴とする請求項１０に記載の光電変換装置。
12. 請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の光電変換装置と、
    前記光電変換装置から出力される信号を処理する信号処理回路とを有する撮像システム。