JP2021114628A5 - 撮像装置及び電子機器 - Google Patents
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- シリコン基板に活性領域を有する第１のトランジスタを有する信号処理回路と、
前記第１のトランジスタよりも受光面側に配置された、アノード配線、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、プラグ、フォトダイオード、絶縁層、遮光層、カラーフィルタ及びマイクロレンズアレイと、を有し、
前記マイクロレンズアレイは、前記カラーフィルタよりも受光面側に配置され、
前記絶縁層は、前記プラグよりも受光面側に設けられ、且つフォトダイオードの側面の少なくとも一部を覆い、
前記フォトダイオードは、受光面側にアノードを有し、
前記フォトダイオードのアノードは、前記第２のトランジスタ、前記第３のトランジスタ、及び前記プラグよりも受光面側に配置され、
前記フォトダイオードのアノードは、前記プラグを介して前記アノード配線と電気的に接続され、
前記遮光層は、前記フォトダイオードのアノードよりも受光面側に配置され、且つ前記プラグと重なり、
前記第２のトランジスタは、転送トランジスタであり、
前記第３のトランジスタは、増幅トランジスタであり、
前記第２のトランジスタのゲート絶縁膜の膜厚は、前記第３のトランジスタのゲート絶縁膜の膜厚より大きく、
前記絶縁層は、シリコンを有する、撮像装置。 - シリコン基板に活性領域を有する第１のトランジスタを有する信号処理回路と、
前記第１のトランジスタよりも受光面側に配置された、アノード配線、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、プラグ、フォトダイオード、絶縁層、遮光層、カラーフィルタ及びマイクロレンズアレイと、を有し、
前記マイクロレンズアレイは、前記カラーフィルタよりも受光面側に配置され、
前記絶縁層は、前記プラグよりも受光面側に設けられ、且つフォトダイオードの側面の少なくとも一部を覆い、
前記フォトダイオードは、受光面側にアノードを有し、
前記フォトダイオードのアノードは、前記第２のトランジスタ、前記第３のトランジスタ、及び前記プラグよりも受光面側に配置され、
前記フォトダイオードのアノードは、前記プラグを介して前記アノード配線と電気的に接続され、
前記遮光層は、前記フォトダイオードのアノードよりも受光面側に配置され、且つ前記プラグと重なり、
前記第２のトランジスタは、転送トランジスタであり、
前記第３のトランジスタは、増幅トランジスタであり、
前記第２のトランジスタのゲート絶縁膜の膜厚は、前記第３のトランジスタのゲート絶縁膜の膜厚より大きく、
前記絶縁層は、シリコンを有し、
前記遮光層は、タングステンを有する、撮像装置。 - シリコン基板に活性領域を有する第１のトランジスタを有する信号処理回路と、
前記第１のトランジスタよりも受光面側に配置された、アノード配線、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、プラグ、フォトダイオード、絶縁層、遮光層、カラーフィルタ及びマイクロレンズアレイと、を有し、
前記マイクロレンズアレイは、前記カラーフィルタよりも受光面側に配置され、
前記絶縁層は、前記プラグよりも受光面側に設けられ、且つフォトダイオードの側面の少なくとも一部を覆い、
前記フォトダイオードは、受光面側にアノードを有し、
前記フォトダイオードのアノードは、前記第２のトランジスタ、前記第３のトランジスタ、及び前記プラグよりも受光面側に配置され、
前記フォトダイオードのアノードは、前記プラグを介して前記アノード配線と電気的に接続され、
前記遮光層は、前記フォトダイオードのアノードよりも受光面側に配置され、且つ前記プラグと重なり、
前記第２のトランジスタは、リセットトランジスタであり、
前記第３のトランジスタは、増幅トランジスタであり、
前記第２のトランジスタのゲート絶縁膜の膜厚は、前記第３のトランジスタのゲート絶縁膜の膜厚より大きく、
前記絶縁層は、シリコンを有する、撮像装置。 - シリコン基板に活性領域を有する第１のトランジスタを有する信号処理回路と、
前記第１のトランジスタよりも受光面側に配置された、アノード配線、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、プラグ、フォトダイオード、絶縁層、遮光層、カラーフィルタ及びマイクロレンズアレイと、を有し、
前記マイクロレンズアレイは、前記カラーフィルタよりも受光面側に配置され、
前記絶縁層は、前記プラグよりも受光面側に設けられ、且つフォトダイオードの側面の少なくとも一部を覆い、
前記フォトダイオードは、受光面側にアノードを有し、
前記フォトダイオードのアノードは、前記第２のトランジスタ、前記第３のトランジスタ、及び前記プラグよりも受光面側に配置され、
前記フォトダイオードのアノードは、前記プラグを介して前記アノード配線と電気的に接続され、
前記遮光層は、前記フォトダイオードのアノードよりも受光面側に配置され、且つ前記プラグと重なり、
前記第２のトランジスタは、リセットトランジスタであり、
前記第３のトランジスタは、増幅トランジスタであり、
前記第２のトランジスタのゲート絶縁膜の膜厚は、前記第３のトランジスタのゲート絶縁膜の膜厚より大きく、
前記絶縁層は、シリコンを有し、
前記遮光層は、タングステンを有する、撮像装置。 - 請求項１乃至４のいずれか一項において、
容量素子を有し、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記容量素子の一方の電極と電気的に接続される、撮像装置。 - 請求項１乃至５のいずれか一項に記載の撮像装置と、
表示部を有する電子機器。
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2024
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