JP2013219082A5 - - Google Patents

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Claims (5)

  1. 半導体基体と、
    前記半導体基体に形成され、光電変換が行われるフォトダイオードと、
    前記フォトダイオードから構成される画素が配置された画素部と、
    前記画素部の前記半導体基体に、コンタクト部により電気的に接続されており、第１の方向に前記画素部外まで延びて形成された、第１の配線と、
    前記第１の配線とは異なる配線層から成り、前記第１の方向と異なる第２の方向に前記画素部外まで延びて形成された、第２の配線と、
    前記第１の配線及び前記第２の配線を電気的に接続するコンタクト部を含む
    固体撮像装置。
  2. 複数個の画素において、電荷蓄積部及びトランジスタ部を共有している、請求項１に記載の固体撮像装置。
  3. 前記電荷蓄積部と前記フォトダイオードとの間の転送ゲートと、前記転送ゲートに電気的に接続された制御線をさらに含み、前記複数個の画素の前記転送ゲートにそれぞれ接続された複数本の制御線の間に、同じ高さで前記第２の配線が配置されている、請求項２に記載の固体撮像装置。
  4. 前記第１の配線及び前記第２の配線には、前記画素部外から接地電位が供給される、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
  5. 光学系と、
    請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
    前記固体撮像装置の出力信号を処理する信号処理回路を備えた
    電子機器。
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