JP2015159501A5 - - Google Patents

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Claims (10)

  1. 入射光を光電変換する光電変換部と、
    前記光電変換部に蓄積される電荷の転送を制御するトランジスタと
    が単位画素としてウェル上に形成される画素領域を備え、
    前記光電変換部は、前記画素領域のウェル電位に接続され、
    前記画素領域のウェル電位は、負電位に設定される
    撮像素子。
  2. 前記画素領域外に、前記単位画素から前記電荷が信号として伝送される回路が形成される周辺回路領域をさらに備え、
    前記画素領域のウェル電位は、前記周辺回路領域のウェル電位よりも低電位に設定される
    請求項１に記載の撮像素子。
  3. 前記光電変換部および前記トランジスタを含む回路の電源電位は、前記周辺回路領域の前記回路の電源電位と同電位に設定される
    請求項２に記載の撮像素子。
  4. 前記回路は、前記単位画素から伝送される前記信号をA/D変換するA/D変換部を有する
    請求項２または請求項３に記載の撮像素子。
  5. 互いに重畳される複数の半導体基板を有し、
    前記画素領域と前記周辺回路領域とは、互いに異なる前記半導体基板に形成される
    請求項２乃至請求項４のいずれかに記載の撮像素子。
  6. 前記周辺回路領域に、前記画素領域のウェル電位を生成する負電位生成部をさらに備える
    請求項２乃至請求項５のいずれかに記載の撮像素子。
  7. 前記光電変換部は、前記画素領域のウェル電位に接続されるフォトダイオードを有し、
    前記トランジスタは、
    前記フォトダイオードからの読み出しを制御する読み出しトランジスタと、
    前記フォトダイオードから読み出された電荷が転送されるフローティングディフュージョンをリセットするリセットトランジスタと、
    前記フローティングディフュージョンの電位を増幅する増幅トランジスタと、
    前記増幅トランジスタから出力される信号の転送を制御するセレクトトランジスタと
    を有する
    請求項２乃至請求項６のいずれかに記載の撮像素子。
  8. 前記読み出しトランジスタのオフ時のゲート電位は、前記画素領域のウェル電位よりも低電位に設定される
    請求項７に記載の撮像素子。
  9. 前記周辺回路領域に、前記読み出しトランジスタのオフ時の前記ゲート電位を生成する負電位生成部をさらに備える
    請求項８に記載の撮像素子。
  10. 入射光を光電変換する光電変換部と、前記光電変換部に蓄積される電荷の転送を制御するトランジスタとが単位画素としてウェル上に形成される画素領域を備え、前記光電変換部は、前記画素領域のウェル電位に接続され、前記画素領域のウェル電位は、負電位に設定される撮像素子と、
    前記撮像素子において光電変換された被写体の画像を画像処理する画像処理部と
    を備える撮像装置。
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