JP2011135515A5 - - Google Patents
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本発明に係る固体撮像装置は、入射光が光電変換される光電変換部と、前記光電変換部で発生した電荷に基づく信号を出力する増幅ＭＯＳトランジスタと、前記増幅ＭＯＳトランジスタのゲート電位をリセットするリセットＭＯＳトランジスタと、を含む複数の画素を有する固体撮像装置において、前記増幅ＭＯＳトランジスタがＮチャネルの埋め込みチャネル型トランジスタであり、前記増幅トランジスタのゲート電位は、前記リセットＭＯＳトランジスタのゲートに印加される電圧に基づく電圧にリセットされ、前記リセットＭＯＳトランジスタの導通時に前記ゲートに印加される電圧が、前記リセットＭＯＳトランジスタのドレインに印加される電圧よりも低いことを特徴とする。
Claims (13)
- 入射光が光電変換される光電変換部と、
前記光電変換部で発生した電荷に基づく信号を出力する増幅ＭＯＳトランジスタと、
前記増幅ＭＯＳトランジスタのゲート電位をリセットするリセットＭＯＳトランジスタと、
を含む複数の画素を有する固体撮像装置において、
前記増幅ＭＯＳトランジスタがＮチャネルの埋め込みチャネル型ＭＯＳトランジスタであり、
前記増幅トランジスタのゲート電位は、前記リセットＭＯＳトランジスタのゲートに印加される電圧に基づく電圧にリセットされ、
前記リセットＭＯＳトランジスタの導通時に前記ゲートに印加される電圧が、前記リセットＭＯＳトランジスタのドレインに印加される電圧よりも低い
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記リセットＭＯＳトランジスタの導通時に前記ゲートに印加される電圧ＶｒｅｓＨと、前記増幅ＭＯＳトランジスタのドレイン電圧ＳＶＤＤと、前記増幅ＭＯＳトランジスタの閾値電圧Ｖｔｈ＿ｓｆと、前記リセットＭＯＳトランジスタの閾値電圧Ｖｔｈ＿ｒｅｓとが、次の二つの式を満足することを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置：
- 入射光が光電変換される光電変換部と、
前記光電変換部で発生した電荷に基づく信号を出力する増幅ＭＯＳトランジスタと、
前記増幅ＭＯＳトランジスタのゲート電位をリセットするリセットＭＯＳトランジスタと、
を含む複数の画素を有する固体撮像装置において、
前記増幅ＭＯＳトランジスタがＰチャネルの埋め込みチャネル型ＭＯＳトランジスタであり、
前記増幅トランジスタのゲート電位は、前記リセットＭＯＳトランジスタのゲートに印加される電圧に基づく電圧にリセットされ、
前記リセットＭＯＳトランジスタの導通時に前記ゲートに印加される電圧が、前記リセットＭＯＳトランジスタのドレインに印加される電圧よりも高い
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記リセットＭＯＳトランジスタの導通時に前記ゲートに印加される電圧ＶｒｅｓＨと、前記増幅ＭＯＳトランジスタのドレイン電圧ＳＶＳＳと、前記増幅ＭＯＳトランジスタの閾値電圧Ｖｔｈ＿ｓｆと、前記リセットＭＯＳトランジスタの閾値電圧Ｖｔｈ＿ｒｅｓとが、次の二つの式を満足することを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置：
- 入射光が光電変換される光電変換部と、
前記光電変換部で発生した電荷に基づく信号を出力する増幅ＭＯＳトランジスタと、
前記増幅ＭＯＳトランジスタのゲート電位をリセットするリセットＭＯＳトランジスタと、
を含む複数の画素を有する固体撮像装置において、
前記増幅ＭＯＳトランジスタがＮチャネルの埋め込みチャネル型ＭＯＳトランジスタであり、
前記増幅トランジスタのゲート電位は、前記リセットＭＯＳトランジスタのゲートに印加される電圧に基づく電圧にリセットされ、
前記リセットＭＯＳトランジスタの閾値電圧Ｖｔｈ＿ｒｅｓと、前記リセットＭＯＳトランジスタの導通時に前記ゲートに印加される電圧ＶＤＤと、前記増幅ＭＯＳトランジスタのドレインに印加される電圧ＳＶＤＤと、前記増幅ＭＯＳトランジスタの閾値電圧Ｖｔｈ＿ｓｆとが、次の式を満足することを特徴とする固体撮像装置：
- 入射光が光電変換される光電変換部と、
前記光電変換部で発生した電荷に基づく信号を出力する増幅ＭＯＳトランジスタと、
前記増幅ＭＯＳトランジスタのゲート電位をリセットするリセットＭＯＳトランジスタと、
を含む複数の画素を有する固体撮像装置において、
前記増幅ＭＯＳトランジスタがＰチャネルの埋め込みチャネル型ＭＯＳトランジスタであり、
前記増幅トランジスタのゲート電位は、前記リセットＭＯＳトランジスタのゲートに印加される電圧に基づく電圧にリセットされ、
前記リセットＭＯＳトランジスタの閾値電圧Ｖｔｈ＿ｒｅｓと、前記リセットＭＯＳトランジスタの導通時に前記ゲートに印加される電圧ＶＳＳと、前記増幅ＭＯＳトランジスタのドレインに印加される電圧ＳＶＳＳと、前記増幅ＭＯＳトランジスタの閾値電圧Ｖｔｈ＿ｓｆとが、次の式を満足することを特徴とする固体撮像装置：
- 前記リセットＭＯＳトランジスタが埋め込みチャネル型ＭＯＳトランジスタであり、前記リセットＭＯＳトランジスタの閾値電圧が負電圧であることを特徴とする請求項１、請求項２、または請求項５のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
- 前記リセットＭＯＳトランジスタが埋め込みチャネル型ＭＯＳトランジスタであり、前記リセットＭＯＳトランジスタの閾値電圧が正電圧であることを特徴とする請求項３、請求項４、または請求項６のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
- 前記増幅ＭＯＳトランジスタの閾値電圧が負電圧であることを特徴とする請求項１、請求項２、請求項５、請求項７のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
- 前記増幅ＭＯＳトランジスタの閾値電圧が正電圧であることを特徴とする請求項３、請求項４、請求項６、請求項８のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
- 前記画素にさらに転送ＭＯＳトランジスタと、フローディングディフュージョンとが含まれ、
前記転送ＭＯＳトランジスタは前記光電変換部で発生した電荷を前記フローティングディフュージョンに転送することを特徴とする請求項１乃至請求項１０のいずれか一項に記載の固体撮像装置。 - 前記増幅ＭＯＳトランジスタのドレインと、前記リセットＭＯＳトランジスタのドレインとが、画素領域内に配された１本の電源配線に接続されたことを特徴とする請求項１乃至請求項１１のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
- 請求項１乃至請求項１２のいずれか一項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力された撮像信号を処理する信号処理部と、を有したことを特徴とする撮像システム。
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