JP2015188049A5 - - Google Patents
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Description
本発明の一観点によれば、入射された光を光電変換して第１の極性の信号電荷を生成する光電変換部と、前記光電変換部から転送される前記信号電荷を蓄積する電荷保持部と、前記電荷保持部の前記信号電荷が転送されるフローティングディフュージョン領域と、をそれぞれが含む複数の画素を有する固体撮像装置であって、前記光電変換部は、第２の極性のキャリアを多数キャリアとする第１導電型の第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域の底部に接して形成され、前記第１の極性のキャリアを多数キャリアとする第２導電型の第２の半導体領域とを有し、前記電荷保持部は、前記第１導電型の第３の半導体領域と、前記第３の半導体領域の底部に接して形成された前記第２導電型の第４の半導体領域とを有し、前記第３の半導体領域と前記第４の半導体領域との間のｐｎ接合部は、前記第１の半導体領域と前記第２の半導体領域との間のｐｎ接合部よりも深くに位置している固体撮像装置が提供される。
また、本発明の他の一観点によれば、入射された光を光電変換して第１の極性の信号電荷を生成する光電変換部と、前記光電変換部から転送される前記信号電荷を蓄積する電荷保持部と、前記電荷保持部の前記信号電荷が転送されるフローティングディフュージョン領域と、をそれぞれが含む複数の画素を有する固体撮像装置であって、前記光電変換部は、第２の極性のキャリアを多数キャリアとする第１導電型の第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域の底部に接して形成され、前記第１の極性のキャリアを多数キャリアとする第２導電型の第２の半導体領域とを有し、前記電荷保持部は、前記第１導電型の第３の半導体領域と、前記第３の半導体領域の底部に接して形成された前記第２導電型の第４の半導体領域とを有し、前記第３の半導体領域は、前記第１の半導体領域よりも不純物濃度が高い固体撮像装置が提供される。
Claims (15)
- 入射された光を光電変換して第１の極性の信号電荷を生成する光電変換部と、
前記光電変換部から転送される前記信号電荷を蓄積する電荷保持部と、
前記電荷保持部の前記信号電荷が転送されるフローティングディフュージョン領域と、
をそれぞれが含む複数の画素を有する固体撮像装置であって、
前記光電変換部は、第２の極性のキャリアを多数キャリアとする第１導電型の第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域の底部に接して形成され、前記第１の極性のキャリアを多数キャリアとする第２導電型の第２の半導体領域とを有し、
前記電荷保持部は、前記第１導電型の第３の半導体領域と、前記第３の半導体領域の底部に接して形成された前記第２導電型の第４の半導体領域とを有し、
前記第３の半導体領域と前記第４の半導体領域との間のｐｎ接合部は、前記第１の半導体領域と前記第２の半導体領域との間のｐｎ接合部よりも深くに位置している
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 入射された光を光電変換して第１の極性の信号電荷を生成する光電変換部と、
前記光電変換部から転送される前記信号電荷を蓄積する電荷保持部と、
前記電荷保持部の前記信号電荷が転送されるフローティングディフュージョン領域と、
をそれぞれが含む複数の画素を有する固体撮像装置であって、
前記光電変換部は、第２の極性のキャリアを多数キャリアとする第１導電型の第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域の底部に接して形成され、前記第１の極性のキャリアを多数キャリアとする第２導電型の第２の半導体領域とを有し、
前記電荷保持部は、前記第１導電型の第３の半導体領域と、前記第３の半導体領域の底部に接して形成された前記第２導電型の第４の半導体領域とを有し、
前記第３の半導体領域は、前記第１の半導体領域よりも不純物濃度が高い
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記第４の半導体領域は、前記第２の半導体領域よりも不純物濃度が高い
ことを特徴とする請求項１又は２記載の固体撮像装置。 - 前記電荷保持部の面積は、前記光電変換部の面積よりも大きい
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。 - 前記電荷保持部は、前記第４の半導体領域の底部に接して形成された前記第１導電型の第５の半導体領域を更に有する
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換部は、前記第１の半導体領域の前記電荷保持部側の端部に接して形成され、前記第１の半導体領域よりも不純物濃度の低い第６の半導体領域を更に有する
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。 - 前記電荷保持部は、前記第３の半導体領域の前記フローティングディフュージョン領域の側の端部に接して形成され、前記第３の半導体領域よりも不純物濃度の低い前記第１導電型の第７の半導体領域を更に有する
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像装置。 - 前記電荷保持部は、前記第３の半導体領域の前記光電変換部側の端部に接して形成され、前記第３の半導体領域よりも不純物濃度の低い前記第１導電型の第８の半導体領域を更に有する
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の固体撮像装置。 - 前記電荷保持部は、前記第３の半導体領域の前記フローティングディフュージョン領域の側の端部の近傍に配置された前記第２導電型の第９の半導体領域を更に有する
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像装置。 - 前記電荷保持部は、前記第３の半導体領域の前記光電変換部側の端部の近傍に配置された前記第２導電型の第１０の半導体領域を更に有する
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換部から前記電荷保持部への前記信号電荷の転送を制御するトランジスタを更に有し、
前記第６の半導体領域は、前記トランジスタのゲート電極の下の領域に延在している
ことを特徴とする請求項６記載の固体撮像装置。 - 前記電荷保持部から前記フローティングディフュージョン領域への前記信号電荷の転送を制御するトランジスタを更に有し、
前記第９の半導体領域は、前記トランジスタのゲート電極の下の領域に延在している
ことを特徴とする請求項９記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換部から前記電荷保持部への前記信号電荷の転送を制御するトランジスタを更に有し、
前記第１０の半導体領域は、前記トランジスタのゲート電極の下の領域に延在している
ことを特徴とする請求項１０記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換部から前記電荷保持部への前記信号電荷の転送を制御するトランジスタを更に有し、
前記トランジスタのゲート電極は、前記電荷保持部の上部に延伸している
ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の固体撮像装置。 - 請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置へ被写体像を結像する光学系と
を含むことを特徴とする撮像システム。
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