JP5573978B2 - 固体撮像素子およびその駆動方法 - Google Patents
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Description
画素(10)として、
第1導電型とされた半導体基板(20)の一面(20a)側の表層に形成され、一面側から入射した光を電荷に変換する第2導電型の光電変換部(21)と、該光電変換部で生じた電荷を蓄積するために、半導体基板(20)に形成され、第2導電型とされた電荷保持部(22)と、該電荷保持部(22)の形成された部分との間で容量結合するように、半導体基板(20)に絶縁膜(34)を介して形成された増倍ゲート電極(31)と、を有する固体撮像素子であって、電荷保持部(22)と絶縁膜(34)との間であって、増倍ゲート電極(31)と容量結合する位置に、半導体基板(20)よりも不純物濃度の高い第1導電型とされ、増倍ゲート電極(31)に電圧が印加される際に前記半導体基板(20)の深さ方向の電界が電荷のアバランシェ増倍が可能な電界に到達するまで前記電荷保持部(22)に電荷を保持させるとともに、前記増倍ゲート電極に所定の電圧が印加されると前記深さ方向に電荷のアバランシェ増倍を生じさせる電荷障壁部(26)を有することを特徴としている。
上記した構造を有し、増倍ゲート電極(31)に、HighバイアスとLowバイアスからなるクロックパルスを印加する固体撮像素子の駆動方法であって、
光電変換部(21)と電荷保持部(22)の少なくとも一方に電荷を蓄積させる蓄積期間において、増倍ゲート電極(31)にLowバイアスを印加し、
蓄積期間の後、電荷保持部(22)に蓄積された電荷を増倍させる増倍期間において、増倍ゲート電極(31)に、少なくともHighバイアスを印加することを特徴としている。
最初に、図1を参照して、本実施形態に係る固体撮像素子の概略構成について説明する。
なお、本実施形態では、半導体基板20のうち、転送ゲート電極30直下の領域は、P導電型(p−)とされている例を示したが、当該領域は、図15に示すように、光電変換部21よりも不純物濃度の低いN導電型(n−−)とされた低濃度領域50を有することが好ましい。このような構成とすることにより、転送ゲート電極30直下の領域のポテンシャルを深くすることができ、光電変換部21と電荷保持部22との間のフリンジ電界を大きくすることができる。これにより、光電変換部21から電荷保持部22へ電荷を転送する際の電荷の転送残し量を低減することができる。
第1実施形態では、光電変換部21と電荷保持部22とが互いに離間して形成された例を示した。しかしながら、上記例に限定されるものではない。例えば、図16に示すように、光電変換部21と電荷保持部22とが隣接して形成された構成とすることができる。
第1実施形態および第2実施形態では、光電変換部21と電荷保持部22とが独立して形成された例を示した。しかしながら、上記例に限定されるものではない。例えば、図17に示すように、光電変換部21と電荷保持部22とが同一の領域に形成されてもよい。換言すれば、光電変換部21が電荷保持部22を兼用する構成である。この構成では、光電変換部21上に絶縁膜34と増倍ゲート電極31が形成される。
上記した各実施形態では、増倍ゲート電極31が半導体基板20の一面20a上に、絶縁膜34を介して形成される例を示した。これに対して、本実施形態では、図18に示すように、増倍ゲート電極31が、半導体基板において、半導体基板20の厚さ方向にトレンチ状に形成される。
上記した各実施形態では、増倍ゲート電極31に印加されるクロックパルスVMGのLowバイアスを0Vとする例を示した。これに対して、本実施形態では、当該Lowバイアスを0Vよりも低い電位とする。例えば、Lowバイアスを−0.5Vとする例を示す。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。
20・・・半導体基板
21・・・光電変換部
22・・・電荷保持部
23・・・フローティングディフュージョン(FD)部
24・・・リセットドレイン(RD)部
26・・・電荷障壁部
27・・・ソースフォロワ回路
30・・・転送ゲート電極
31・・・増倍ゲート電極
32・・・読出し(ROG)電極
33・・・リセットゲート(RG)電極
39・・・遮光膜
Claims (15)
- 画素(10)として、
第1導電型とされた半導体基板(20)の一面(20a)側の表層に形成され、前記一面側から入射した光を電荷に変換する第2導電型の光電変換部(21)と、
該光電変換部で生じた電荷を蓄積するために、前記半導体基板に形成され、第2導電型とされた電荷保持部(22)と、
該電荷保持部の形成された部分との間で容量結合するように、前記半導体基板に絶縁膜(34)を介して形成された増倍ゲート電極(31)と、を有する固体撮像素子であって、
前記電荷保持部と前記絶縁膜との間であって、前記増倍ゲート電極と容量結合する位置に、前記半導体基板よりも不純物濃度の高い第1導電型とされ、前記増倍ゲート電極に電圧が印加される際に前記半導体基板の深さ方向の電界が電荷のアバランシェ増倍が可能な電界に到達するまで前記電荷保持部に電荷を保持させるとともに、前記増倍ゲート電極に所定の電圧が印加されると前記深さ方向に電荷のアバランシェ増倍を生じさせる電荷障壁部(26)を有することを特徴とする固体撮像素子。 - 前記増倍ゲート電極は、前記電荷保持部と少なくとも一部がオーバーラップするように、前記半導体基板の前記一面上に前記絶縁膜を介して形成され、
前記電荷障壁部は、前記半導体基板の一面側の表層において、前記増倍ゲート電極と少なくとも一部がオーバーラップするように形成されることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記増倍ゲート電極は、前記半導体基板において、前記半導体基板の一面に直交する厚さ方向にトレンチ状に形成され、
前記電荷障壁部は、前記一面に直交する面において、前記増倍ゲート電極と少なくとも一部がオーバーラップするように形成されることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記光電変換部と前記電荷保持部とが離間して形成され、
前記半導体基板の一面のうち、前記光電変換部と前記電荷保持部とが形成された部分の間の領域に、前記絶縁膜を介して形成された転送ゲート電極(30)を有することを特徴とする請求項2または請求項3に記載の固体撮像素子。 - 前記半導体基板のうち、前記光電変換部と前記電荷保持部との間の表層に、前記光電変換部および前記電荷保持部よりも低濃度の第2導電型とされた低濃度領域50を有することを特徴とする請求項4に記載の固体撮像素子。
- 前記光電変換部と前記電荷保持部とが隣接して形成されることを特徴とする請求項2または請求項3に記載の固体撮像素子。
- 前記電荷保持部は、前記光電変換部よりも不純物濃度が高いことを特徴とする請求項4〜6のいずれか1項に記載の固体撮像素子。
- 前記電荷保持部は、前記光電変換部と同一の領域に形成され、前記光電変換部が前記電荷保持部を兼ねることを特徴とする請求項2または請求項3に記載の固体撮像素子。
- 前記電荷障壁部は、一部のみが前記増倍ゲート電極とオーバーラップするように形成されていることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の固体撮像素子。
- 前記半導体基板における前記一面側の表層において、
前記光電変換部、前記電荷保持部、および、前記電荷障壁部と離間して形成され、電荷を電圧に変換するためのソースフォロワ回路(27)が接続された第2導電型のフローティングディフュージョン部(23)と、
前記光電変換部、前記電荷保持部、前記電荷障壁部、および、前記フローティングディフュージョン部と離間して形成された、第2導電型のリセットドレイン部(24)と、を有し、
前記半導体基板の前記一面において、
前記電荷障壁部と前記フローティングディフュージョン部との間の領域に、前記絶縁膜を介して形成された読出しゲート電極(32)と、
前記フローティングディフュージョン部と前記リセットドレイン部との間の領域に、前記絶縁膜を介して形成されたリセットゲート電極(33)と、を有することを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の固体撮像素子。 - 前記電荷障壁部の不純物濃度が、1.5×1017cm−3以上、3.0×1018cm−3以下とされることを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の固体撮像素子。
- 複数の前記画素が、二次元マトリクス状に形成されることを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の固体撮像素子。
- 前記増倍ゲート電極に、HighバイアスとLowバイアスからなるクロックパルスを印加する請求項1〜12のいずれか1項に記載の固体撮像素子の駆動方法であって、
前記光電変換部と前記電荷保持部の少なくとも一方に電荷を蓄積させる蓄積期間において、前記増倍ゲート電極に前記Lowバイアスを印加し、
前記蓄積期間の後、前記電荷保持部に蓄積された電荷を増倍させる増倍期間において、前記増倍ゲート電極に、少なくとも前記Highバイアスを印加することを特徴とする固体撮像素子の駆動方法。 - 請求項13に記載の固体撮像素子の駆動方法であって、
前記増倍期間において、前記増倍ゲート電極に、前記Highバイアスを2回以上印加することを特徴とする固体撮像素子の駆動方法。 - 請求項13または請求項14に記載の固体撮像素子の駆動方法であって、
前記Lowバイアスは、前記半導体基板の電位よりも低いことを特徴とする固体撮像素子の駆動方法。
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DE112019003845T5 (de) * | 2018-07-31 | 2021-05-06 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Bildaufnahmevorrichtung und elektronisches gerät |
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KR20050106495A (ko) * | 2003-03-06 | 2005-11-09 | 소니 가부시끼 가이샤 | 고체촬상소자 및 그 제조방법과 고체촬상소자의 구동방법 |
US7522205B2 (en) * | 2004-09-10 | 2009-04-21 | Eastman Kodak Company | Image sensor with charge multiplication |
JP4524609B2 (ja) * | 2004-10-29 | 2010-08-18 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、固体撮像素子の駆動方法および撮像装置 |
JP4725095B2 (ja) * | 2004-12-15 | 2011-07-13 | ソニー株式会社 | 裏面入射型固体撮像装置及びその製造方法 |
JP4457961B2 (ja) * | 2005-04-28 | 2010-04-28 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子 |
JP4212623B2 (ja) * | 2006-01-31 | 2009-01-21 | 三洋電機株式会社 | 撮像装置 |
JP2008060550A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-03-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 撮像装置 |
CN101118917A (zh) * | 2006-07-31 | 2008-02-06 | 三洋电机株式会社 | 摄像装置 |
JP2008192648A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 撮像装置 |
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