JP2009147064A - 撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】画像表示における処理速度の高い撮像装置を提供する。
【解決手段】このCMOSイメージセンサ(撮像装置)は、電子を蓄積するとともに、転送するための電子蓄積部3bと、電子蓄積部3bに電子を蓄積させるための蓄積ゲート電極10と、電子を電圧に変換するためのフローティングディフュージョン領域5と、電子を電子蓄積部3bからフローティングディフュージョン領域5に転送させるための読出ゲート電極11と、電子を衝突電離させて増倍させるための電子増倍部3aと、電子を増倍させるための増倍ゲート電極8とを備え、電子蓄積部3bに電子を蓄積する際および電子をフローティングディフュージョン領域5に転送する際に、蓄積ゲート電極10にオフ電圧(0V)が印加されるように構成されている。
【選択図】図2
【解決手段】このCMOSイメージセンサ(撮像装置)は、電子を蓄積するとともに、転送するための電子蓄積部3bと、電子蓄積部3bに電子を蓄積させるための蓄積ゲート電極10と、電子を電圧に変換するためのフローティングディフュージョン領域5と、電子を電子蓄積部3bからフローティングディフュージョン領域5に転送させるための読出ゲート電極11と、電子を衝突電離させて増倍させるための電子増倍部3aと、電子を増倍させるための増倍ゲート電極8とを備え、電子蓄積部3bに電子を蓄積する際および電子をフローティングディフュージョン領域5に転送する際に、蓄積ゲート電極10にオフ電圧(0V)が印加されるように構成されている。
【選択図】図2
Description
本発明は、撮像装置に関し、特に、信号電荷を蓄積させるための電極を備えた撮像装置に関する。
従来、電子(信号電荷)を蓄積させるための電極を備えた撮像装置が知られている(たとえば、特許文献1参照)。
上記特許文献1には、光電変換により入射した光を電子に変換するためのフォトダイオードと、フォトダイオードに蓄積された電荷を転送するための電極と、フォトダイオードから転送された電荷を増加させるための電極と、増加された電荷を電気信号に変換するためのフローティングディフュージョン領域に転送するための電極とを備えたCMOSイメージセンサが開示されている。
上記特許文献1に記載の撮像装置にあっては、デジタルカメラなどの製品に適したものであるが、撮像装置については画像表示における更なる処理速度の向上が望まれている。
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の1つの目的は、画像表示における処理速度の高い撮像装置を提供することである。
上記目的を達成するために、この発明の一の局面における撮像装置は、信号電荷を蓄積するとともに、転送するための電荷蓄積部と、電荷蓄積部に信号電荷を蓄積させるための第1電極と、信号電荷を電圧に変換するための電圧変換部と、第1電極と電圧変換部との間に設けられ、電荷蓄積部に蓄積された信号電荷を電圧変換部に転送させるための第2電極と、電荷蓄積部に蓄積された信号電荷を衝突電離させて増加させるための電荷増加部と、衝突電離により信号電荷を増加させるための第3電極とを備え、電荷蓄積部に信号電荷を蓄積する際および信号電荷を電圧変換部に転送する際に、第1電極に第1の電圧が印加されるように構成されている。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態によるCMOSイメージセンサの全体構成を示した平面図である。また、図2および図3は、図1に示した第1実施形態によるCMOSイメージセンサの構造を示した断面図である。また、図4は、図1に示した第1実施形態によるCMOSイメージセンサの画素を示した平面図であり、図5は、図1に示した第1実施形態によるCMOSイメージセンサの回路構成を示した回路図である。まず、図1〜図5を参照して、第1実施形態によるCMOSイメージセンサの構造について説明する。なお、第1実施形態では、撮像装置の一例であるアクティブ(Active)型のCMOSイメージセンサに本発明を適用した場合について説明する。
図1は、本発明の第1実施形態によるCMOSイメージセンサの全体構成を示した平面図である。また、図2および図3は、図1に示した第1実施形態によるCMOSイメージセンサの構造を示した断面図である。また、図4は、図1に示した第1実施形態によるCMOSイメージセンサの画素を示した平面図であり、図5は、図1に示した第1実施形態によるCMOSイメージセンサの回路構成を示した回路図である。まず、図1〜図5を参照して、第1実施形態によるCMOSイメージセンサの構造について説明する。なお、第1実施形態では、撮像装置の一例であるアクティブ(Active)型のCMOSイメージセンサに本発明を適用した場合について説明する。
第1実施形態によるCMOSイメージセンサは、図1に示すように、マトリクス状(行列状)に配置された複数の画素50を含む撮像部51と、行選択レジスタ52と、列選択レジスタ53とを備えている。
第1実施形態によるCMOSイメージセンサの画素50の断面構造としては、図2および図3に示すように、n型シリコン基板(図示せず)の表面上に形成されたp型ウェル領域1の表面に、各画素50をそれぞれ分離するための素子分離領域2が形成されている。また、素子分離領域2によって囲まれる各画素50のp型ウェル領域1の表面には、n−型不純物領域からなる転送チャネル3を挟むように所定の間隔を隔てて、フォトダイオード部(PD)4およびn型不純物領域からなるフローティングディフュージョン領域5(FD)が形成されている。なお、転送チャネル3およびフローティングディフュージョン領域5は、それぞれ、本発明の「不純物領域」および「電圧変換部」の一例である。
フォトダイオード部4は、入射光量に応じて電子を生成するとともに、その生成された電子を蓄積する機能を有する。また、フォトダイオード部4は、素子分離領域2に隣接するとともに、転送チャネル3に隣接するように形成されている。また、フローティングディフュージョン領域5は、転送された電子による電荷信号を保持するとともに、この電荷信号を電圧に変換する機能を有する。また、フローティングディフュージョン領域5は、素子分離領域2に隣接するとともに、転送チャネル3に隣接するように形成されている。これにより、フローティングディフュージョン領域5は、転送チャネル3を介してフォトダイオード部4と対向するように形成されている。
また、転送チャネル3の上面上には、SiO2からなるゲート絶縁膜6が形成されている。また、ゲート絶縁膜6上には、転送ゲート電極7と、増倍ゲート電極8と、転送ゲート電極9、蓄積ゲート電極10および読出ゲート電極11とが、フォトダイオード部4側からフローティングディフュージョン領域5側に向かってこの順番に形成されている。また、フローティングディフュージョン領域5を読出ゲート電極11と挟むような位置に、ゲート絶縁膜6を介してリセットゲート電極12が形成されているとともに、リセットゲート電極12を挟んでフローティングディフュージョン領域5と対向する位置に、リセットドレイン領域13が形成されている。また、増倍ゲート電極8下の転送チャネル3には、電子増倍部3aが設けられているとともに、蓄積ゲート電極10下の転送チャネル3には、電子蓄積部3bが設けられている。なお、増倍ゲート電極8、転送ゲート電極9、蓄積ゲート電極10および読出ゲート電極11は、それぞれ、本発明の「第3電極」、「第4電極」、「第1電極」および「第2電極」の一例である。また、電子増倍部3aは、本発明の「電荷増加部」の一例であるとともに、電子蓄積部3bは、本発明の「電荷蓄積部」の一例である。
また、転送ゲート電極7は、フォトダイオード部4と増倍ゲート電極8との間に形成されている。また、読出ゲート電極11は、蓄積ゲート電極10とフローティングディフュージョン領域5との間に形成されている。また、読出ゲート電極11は、フローティングディフュージョン領域5と隣接するように形成されている。
また、転送チャネル3の蓄積ゲート電極10下の領域(電子蓄積部3b)における不純物濃度は、蓄積ゲート電極10以外の電極下の領域における不純物濃度よりも高くなるように構成されている。具体的には、たとえば、ゲート絶縁膜6が約50nmの厚みを有する条件下において、蓄積ゲート電極10以外の電極下の不純物領域(転送チャネル3)における不純物のピーク濃度が約8.5×1016cm-3であるのに対して、蓄積ゲート電極10下の不純物領域(電子蓄積部3b)における不純物のピーク濃度は、約2.5×1017cm-3になるように構成されている。また、不純物として、たとえば、As(砒素)などが注入されているとともに、ピーク濃度の深さが転送チャネル3の表面から約0.1μm程度の位置になるように構成されている。これにより、第1実施形態では、各電極にそれぞれ同じレベルの信号を供給した際(同じ電圧を印加した際)に、蓄積ゲート電極10下の転送チャネル3の電位が、蓄積ゲート電極10以外の電極下の転送チャネル3の電位よりも高くなるように構成されている。
また、図3〜図5に示すように、転送ゲート電極7、増倍ゲート電極8、転送ゲート電極9、蓄積ゲート電極10および読出ゲート電極11には、それぞれ、コンタクト部7a、8a、9a、10aおよび11aを介して、電圧制御のためのクロック信号Φ1、Φ2、Φ3、Φ4およびΦ5を供給する配線層20、21、22、23および24が電気的に接続されている。なお、この配線層20、21、22、23および24は、行毎に形成されているとともに、各行の複数の画素50の転送ゲート電極7、増倍ゲート電極8、転送ゲート電極9、蓄積ゲート電極10および読出ゲート電極11にそれぞれ電気的に接続されている。また、フローティングディフュージョン領域5には、コンタクト部5aを介して信号を取り出すための信号線25が電気的に接続されている。
また、図4および5に示すように、各々の画素50は、転送ゲート電極7と、増倍ゲート電極8と、転送ゲート電極9と、蓄積ゲート電極10と、読出ゲート電極11と、リセットゲート電極12を含むリセットゲートトランジスタTr1と、増幅トランジスタTr2と、画素選択トランジスタTr3とを備えている。転送ゲート電極7には、フォトダイオード部4が接続されている。また、リセットゲートトランジスタTr1のリセットゲート電極12には、コンタクト部12aを介してリセットゲート線30が接続されており、リセット信号が供給される。リセットゲートトランジスタTr1のドレイン(リセットドレイン13)は、コンタクト部13aを介して電源電位(VDD)線31に接続される。また、リセットゲートトランジスタTr1のソースおよび読出ゲート電極11のソースを構成するフローティングディフュージョン領域5と増幅トランジスタTr2のゲート40とは、コンタクト部5aおよび40aを介して信号線25により接続されている。また、増幅トランジスタTr2のソースには、画素選択トランジスタTr3のドレインが接続されている。また、画素選択トランジスタTr3のゲート41には、コンタクト部41aを介して行選択線32が接続されるとともに、ソースには、コンタクト部42を介して出力線33が接続されている。
また、第1実施形態におけるCMOSイメージセンサは、上記の回路構成を行うことにより、配線数およびデコードのためのトランジスタ数を減らすように構成されている。これにより、CMOSイメージセンサの全体的な小型化が可能なように構成されている。なお、この回路構成を行うことにより、読出ゲート電極11のオンオフ制御は行毎に行われる一方で、読出ゲート電極11以外のゲート電極のオンオフ制御は、画素50全体に対して一斉に行われる。
また、図3に示すように、転送ゲート電極7、転送ゲート電極9、蓄積ゲート電極10および読出ゲート電極11に、それぞれ、配線層20、22、23および24を介してクロック信号Φ1、Φ3、Φ4およびΦ5のオン信号(Hレベルの信号)が供給されている場合には、転送ゲート電極7、転送ゲート電極9、蓄積ゲート電極10および読出ゲート電極11に約2.9Vの電圧が印加されるように構成されている。なお、転送ゲート電極7および読出しゲート電極11に、オン信号(Hレベルの信号)が供給される場合に印加される電圧は、それぞれ、本発明の「高電位側の第4の電圧」および「高電位側の第2の電圧」の一例である。
また、転送ゲート電極7、転送ゲート電極9、蓄積ゲート電極10および読出ゲート電極11に約2.9Vの電圧が印加される場合(Hレベルの信号が供給される場合)には、転送ゲート電極7下、転送ゲート電極9下および読出ゲート電極11下の転送チャネル3が約4Vの電位に調整された状態になるとともに、高濃度に構成された蓄積ゲート電極10下の転送チャネル3(電子蓄積部3b)が約6Vの電位に調整された状態になるように構成されている。
また、増倍ゲート電極8に配線層21からクロック信号Φ2のオン信号(Hレベルの信号)が供給されている場合には、増倍ゲート電極9に約24Vの電圧が印加されるように構成されている。これにより、増倍ゲート電極9にクロック信号Φ2のオン信号(Hレベルの信号)が供給されている場合には、増倍ゲート電極9下の転送チャネル3が約25Vの高い電位に調整された状態になるように構成されている。なお、増倍ゲート電極8にオン信号(Hレベルの信号)が供給される場合に印加される電圧は、本発明の「高電位側の第3の電圧」の一例である。
また、転送ゲート電極7、増倍ゲート電極8、転送ゲート電極9、蓄積ゲート電極10および読出ゲート電極11に、それぞれ、クロック信号Φ1、Φ2、Φ3、Φ4およびΦ5のオフ信号(Lレベルの信号)が供給されている場合には、転送ゲート電極7、増倍ゲート電極8、転送ゲート電極9、蓄積ゲート電極10および読出ゲート電極11に約0Vの電圧が印加されるように構成されている。このとき、第1実施形態では、転送チャネル3において、転送ゲート電極7下、増倍ゲート電極8下、転送ゲート電極9および読出ゲート電極11下の転送チャネル3が、約1.5Vの電位に調整された状態となるとともに、高濃度に構成された蓄積ゲート電極10下の転送チャネル3(電子蓄積部3b)の電位は、約3.5Vの電位に調整された状態となるように構成されている。なお、蓄積ゲート電極10にオフ信号(Lレベルの信号)が供給される場合に印加される電圧は、本発明の「低電位側の第1の電圧」の一例である。
以上により、第1実施形態では、オフ信号が供給された際の蓄積ゲート電極10の電位(約3.5V)は、オフ信号が供給された際の転送ゲート電極9下および読出ゲート電極11下の転送チャネル3の電位(約1.5V)よりも大きくなるように構成されている。また、オフ信号が供給された際の蓄積ゲート電極10の電位(約3.5V)は、オン信号が供給された際の転送ゲート電極9下および読出ゲート電極11下の転送チャネル3の電位(約4V)よりも小さくなるように構成されている。
また、フローティングディフュージョン領域5は、約5Vの電位になるように調整されている。また、リセットドレイン領域13は、約5Vの電位になるように調整されているとともに、フローティングディフュージョン領域5に保持された電子の排出部としての機能を有する。
また、転送ゲート電極7は、オン信号が供給されることにより、フォトダイオード部4により生成された電子を、転送ゲート電極7下の転送チャネル3を介して増倍ゲート電極8下の転送チャネル3に位置する電子増倍部3aに転送する機能を有している。また、転送ゲート電極7下の転送チャネル3は、転送ゲート電極7にオフ信号(Lレベルの信号)が供給されている場合には、フォトダイオード部4と、増倍ゲート電極8下の転送チャネル3(電子増倍部3a)とを区分する分離障壁として機能する。
また、増倍ゲート電極8は、オン信号が供給されることにより、増倍ゲート電極8下の転送チャネル3に位置する電子増倍部3aに高電界が印加されるように構成されている。そして、フォトダイオード部4から転送ゲート電極7下の転送チャネル3を介して転送された電子が、電子増倍部3aに発生した高電界により加速するとともに、不純物領域における格子原子との衝突電離によって増倍されるように構成されている。
また、転送ゲート電極9は、オン信号が供給されることにより、増倍ゲート電極8下の転送チャネル3(電子増倍部3a)と、蓄積ゲート電極10下の転送チャネル3に設けられた電子蓄積部3bとの間において、電子を転送する機能を有する。また、転送ゲート電極9は、オフ信号が供給されることにより、増倍ゲート電極8下の電子増倍部3aと蓄積ゲート電極10下の電子蓄積部3bとの間を電子が転送するのを抑制するための電荷転送障壁として機能する。
また、読出ゲート電極は、オン信号(Hレベルの信号)が供給されることにより、蓄積ゲート電極10下の転送チャネル3(電子蓄積部3b)に蓄積された電子をフローティングディフュージョン領域5に転送する機能を有する。また、読出ゲート電極11にオフ信号(Lレベルの信号)が供給されている場合には、蓄積ゲート電極10下の転送チャネル3(電子蓄積部3b)とフローティングディフュージョン領域5とを区分する機能を有する。
図6および図8は、本発明の第1実施形態によるCMOSイメージセンサの電子の転送および増倍動作を説明するための信号波形図である。図7および図9は、本発明の第1実施形態によるCMOSイメージセンサの電子の転送動作および増倍動作を説明するためのポテンシャル図である。次に、図6〜図9を参照して、第1実施形態によるCMOSイメージセンサの電子の転送動作および増倍動作について説明する。
まず、フォトダイオード部4に光が入射されると、光電変換により、フォトダイオード部4に電子が生成される。そして、図6および図7に示す期間Aにおいて、増倍ゲート電極8に約24Vの電圧が印加された後に、転送ゲート電極7に約2.9Vの電圧が印加される。これにより、増倍ゲート電極8下の転送チャネル3の電位が約25Vの高い電位に調整された状態で、転送ゲート電極7下の転送チャネル3の電位が約4Vに調整される。このとき、フォトダイオード部4(約3V)により生成された電子は、転送ゲート電極7下の転送チャネル3(約4V)を介して、より高電位(約25V)である増倍ゲート電極8下の転送チャネル3(電子増倍部3a)に転送されるとともに、電子は、電子増倍部3aにおいて衝突電離することにより増倍される。
次に、期間Bにおいて、転送ゲート電極9に約2.9Vの電圧が印加された後に、増倍ゲート電極8に約0Vの電圧を印加する。これにより、電子は、増倍ゲート電極8下の電子増倍部3a(約1.5V)から、より高電位(約4V)である転送ゲート電極9下の転送チャネル3に転送される。そして、期間Cにおいて、転送ゲート電極9に約0Vの電圧が印加される。これにより、電子は、転送ゲート電極9下の転送チャネル3から、より高電位(約3.5V)である蓄積ゲート電極10下の転送チャネル3(電子蓄積部3b)に転送される。このとき、第1実施形態では、各電極にオフ電圧を印加するように制御された状態で、電子蓄積部3bに電子が蓄積された状態が維持される。
そして、期間Dにおいて、読出ゲート電極11に約2.9Vの電圧が印加されることにより、読出ゲート電極11下の転送チャネル3の電位が約4Vの状態に調整される。このとき、蓄積ゲート電極10下の転送チャネル3(電子蓄積部3b)は約3.5Vの電位に調整されているので、電子は、読出ゲート電極11下の転送チャネル3(約4V)を介して、より高電位に調整されているフローティングディフュージョン領域5に転送される。以上により、電子の転送動作は完了する。
また、電子の増倍動作においては、蓄積ゲート電極10下の転送チャネル3(電子蓄積部3b)に電子が蓄積された状態(上記の期間A〜期間Cの動作を行った状態)で、図8および図9に示す期間Eにおいて、増倍ゲート電極8をオン状態にするとともに、期間Fにおいて、転送ゲート電極9をオン状態にする。これにより、増倍ゲート電極8下の転送チャネル3(電子増倍部3a)が約25Vの電位に調整された後に、転送ゲート電極9下の転送チャネル3が約4Vの電位に調整される状態になる。このとき、第1実施形態では、蓄積ゲート電極10は、オフ状態が維持されていることにより、蓄積ゲート電極10下の転送チャネル3(電子蓄積部3b)の電位は約3.5Vに維持されている。したがって、電子蓄積部3bに蓄積された電子は、転送ゲート電極9下の転送チャネル3(約4V)を介して、より高電位である増倍ゲート電極8下の転送チャネル3(電子増倍部3a)(約25V)に転送される。このように、第1実施形態では、蓄積ゲート電極10にオフ信号が供給された状態のまま、蓄積ゲート電極10下の転送チャネル3(電子蓄積部3b)に蓄積された電子の転送動作および増倍動作が行われる。
また、電子は、電子増倍部3aに転送されることにより、上述したように増倍される。そして、期間Gにおいて、増倍ゲート電極8をオフ状態にするとともに、期間Hにおいて、転送ゲート電極9をオフ状態にする。これにより、電子増倍部3aにおいて増倍された電子は、転送ゲート電極9下の転送チャネル3を介して電子蓄積部3bに転送されるとともに、電子蓄積部3bに保持された状態となる。以上により、増倍動作が完了する。また、この状態から上述した期間Dの動作を行うことによって増倍された電子をフローティングディフュージョン領域5に転送する。なお、上述の期間A〜Cおよび期間E〜Hの動作(電子増倍部3aおよび電子蓄積部3b間の電子の転送動作)が複数回(たとえば、約400回)行われるように制御されることにより、フォトダイオード部4から転送された電子は約2000倍に増倍される。また、このように増倍されて蓄積された電子による電荷信号は、上述した読出動作により、フローティングディフュージョン領域5および信号線25を介して、電圧信号として読み出される。
第1実施形態では、上記のように、蓄積ゲート電極10にオフ信号を供給した状態で増倍された電子を電子蓄積部3bに保持するとともに、蓄積ゲート電極10をオフ状態に保持したままで読出しゲート電極11にオン信号を供給することにより蓄積された電子をフローティングディフュージョン領域5に読み出すように構成することによって、電子の蓄積時毎または読出し時毎に、蓄積ゲート電極10に対してオフ電圧からオン信号に切り替えて供給する必要がないので、その分、制御が複雑化するのを抑制することができる。したがって、画像の表示における処理速度を高くすることができる。
また、上記第1実施形態では、蓄積ゲート電極10にオフ信号(0V)を印加した状態で、増倍された電子を電子蓄積部3bに蓄積することができるとともに、蓄積された電子をフローティングディフュージョン領域5に読み出すことができる。したがって、電子の蓄積時毎および電子の読出し時毎にオン信号を印加する場合に比べて、消費電力を低減することができる。
また、上記第1実施形態では、オフ信号が供給された際の蓄積ゲート電極10下の転送チャネル3(電子蓄積部3b)の電位(約3.5V)を、オン信号が供給された際の読出ゲート電極11下の転送チャネル3の電位(約4V)よりも低くなるように構成することによって、読出ゲート電極11のオン状態時に、オフ状態の電子蓄積部3bおよびフローティングディフュージョン領域5間の電位差を形成することができ、電子を容易に転送することができる。つまり、オフ状態の電子蓄積部3bおよびフローティングディフュージョン領域5間の電位差により、電子の転送効率を上げることができる。
また、上記第1実施形態では、オフ信号が供給された際の蓄積ゲート電極10下の転送チャネル3(電子蓄積部3b)の電位(約3.5V)を、オン信号が供給された際の転送ゲート電極9下の転送チャネル3の電位(約4V)よりも低くなるように構成することによって、蓄積ゲート電極10をオフ状態にしたままで、電子増倍部3aに電子を転送することができるので、電子蓄積部3bに蓄積された電子を容易に増倍させることができる。
また、上記第1実施形態では、蓄積ゲート電極10にオフ信号が供給された状態で、電子蓄積部3bから電子増倍部3aへの電子の転送による電子の増倍動作と、電子増倍部3aから電子蓄積部3bへの電子の転送動作とを交互に繰り返し行うように構成することによって、蓄積ゲート電極10をオフ状態にしたままで電子の転送動作および増倍動作のいずれの動作も行うことができる。したがって、その分、制御が複雑化するのをより抑制することができる。
また、上記第1実施形態では、各電極に印加されるLレベルの電圧をオフ電圧(0V)に構成することによって、装置本体の消費電力を低減することができる。
(第2実施形態)
図10は、本発明の第2実施形態によるCMOSイメージセンサの断面図である。図11および図13は、本発明の第2実施形態によるCMOSイメージセンサの電子の転送動作および増倍動作を説明するための信号波形図である。図12および図14は、本発明の第2実施形態によるCMOSイメージセンサの電子の転送動作および増倍動作を説明するためのポテンシャル図である。図10〜図14を参照して、この第2実施形態では、上記第1実施形態におけるCMOSイメージセンサの構成とは異なり、転送チャネル3の不純物濃度が一定である場合において、電子の転送動作および増倍動作を行う例について説明する。なお、第2実施形態のその他の構成は、第1実施形態と同様である。
図10は、本発明の第2実施形態によるCMOSイメージセンサの断面図である。図11および図13は、本発明の第2実施形態によるCMOSイメージセンサの電子の転送動作および増倍動作を説明するための信号波形図である。図12および図14は、本発明の第2実施形態によるCMOSイメージセンサの電子の転送動作および増倍動作を説明するためのポテンシャル図である。図10〜図14を参照して、この第2実施形態では、上記第1実施形態におけるCMOSイメージセンサの構成とは異なり、転送チャネル3の不純物濃度が一定である場合において、電子の転送動作および増倍動作を行う例について説明する。なお、第2実施形態のその他の構成は、第1実施形態と同様である。
まず、第2実施形態によるCMOSイメージセンサの電子の転送動作について説明する。図11および図12の期間IおよびJに示すように、上記した第1実施形態の期間Aおよび期間Bの動作と同様の動作を行うことにより、フォトダイオード部4により生成された電子が転送ゲート電極9下の転送チャネル3にまで転送される。そして、期間Kにおいて、蓄積ゲート電極10をオン状態にするとともに、転送ゲート電極9をオフ状態にする。これにより、蓄積ゲート電極10下の転送チャネル3(電子蓄積部3b)が約3.5Vの電位に調整された後に、転送ゲート電極9下の転送チャネル3が約1.5Vの電位に調整される状態になる。そして、転送ゲート電極9下の転送チャネル3にまで転送されていた電子は、より高電位である電子蓄積部3bに転送される。このとき、電子は、蓄積ゲート電極10下の転送チャネル3(電子蓄積部3b)に保持された状態となる。次に、期間Lにおいて、蓄積ゲート電極10をオフ状態にしたまま、読出ゲート電極11をオン状態にする。これにより、蓄積ゲート電極10下の転送チャネル3が約3.5Vの電位に調整された状態で、読出ゲート電極11下の転送チャネル3が約4Vの電位に調整される。そして、電子蓄積部3bに蓄積された電子は、読出ゲート電極11下の転送チャネル3を介してフローティングディフュージョン領域5に転送される。以上により、電子の転送動作は完了する。
次に、第2実施形態によるCMOSイメージセンサの電子の増倍動作について説明する。図13および図14に示すように、上記した第2実施形態の期間I、期間Jおよび期間Kの動作を行うことにより、蓄積ゲート電極10がオン状態になるとともに、蓄積ゲート電極10下の電子蓄積部3bに電子が蓄積された状態となる。このとき、期間Mにおいて、増倍ゲート電極8をオン状態にすることにより、増倍ゲート電極8下の電子増倍部3aが約25Vの電位に調整される。そして、期間Nにおいて、転送ゲート電極9をオン状態にする。これにより、転送ゲート電極9下の転送チャネル3が約4Vの電位に調整され、電子は電子蓄積部3b(約3.5V)から転送ゲート電極9下の転送チャネル3を介してより高電位である電子増倍部3a(約25V)に転送されて増倍される。そして、期間Oにおいて、増倍ゲート電極8をオフ状態にすることにより、増倍された電子は転送ゲート電極9下の転送チャネル3に転送される。そして、期間Pにおいて、転送ゲート電極9をオフ状態にすることにより転送ゲート電極9下の転送チャネルが約1.5Vの電位に調整されることにより、電子は、転送ゲート電極9下の転送チャネル3を介して蓄積ゲート電極10下の転送チャネル3(約3.5V)に転送される。
このように、第2実施形態では、蓄積ゲート電極10をオン状態に維持することによって電子の転送動作および増倍動作を行う。なお、第1実施形態と同様に、期間A、期間Bおよび期間H〜期間Lの動作(電子増倍部3aおよび電子蓄積部3b間の転送動作)を複数回(たとえば、約400回)行われるように制御されることにより、フォトダイオード部4から転送された電子は約2000倍に増倍される。
第2実施形態では、上記のように、チャネル3の不純物濃度を部分的に高くするように構成することなく一定になるように構成した場合であっても、蓄積ゲート電極10をオン状態にして電子を蓄積するように構成することによって、電子を電子蓄積部3bにより保持することができるとともに、電子の転送動作および増倍動作も確実に行うことができる。
なお、第2実施形態のその他の効果は、上記第1実施形態における効果と同様である。
(第3実施形態)
図15は、本発明の第3実施形態によるCMOSイメージセンサの断面図である。また、図16および図18は、本発明の第3実施形態によるCMOSイメージセンサの電子の転送動作および増倍動作を説明するための信号波形図である。図17および図19は、本発明の第3実施形態によるCMOSイメージセンサの電子の転送動作および増倍動作を説明するためのポテンシャル図である。図15〜図19を参照して、第3実施形態では、上記第1実施形態におけるCMOSイメージセンサの構成において、蓄積ゲート電極10下の転送チャネル3のみならず、増倍ゲート電極8下の転送チャネル3における不純物濃度も高くなるように構成した例について説明する。
図15は、本発明の第3実施形態によるCMOSイメージセンサの断面図である。また、図16および図18は、本発明の第3実施形態によるCMOSイメージセンサの電子の転送動作および増倍動作を説明するための信号波形図である。図17および図19は、本発明の第3実施形態によるCMOSイメージセンサの電子の転送動作および増倍動作を説明するためのポテンシャル図である。図15〜図19を参照して、第3実施形態では、上記第1実施形態におけるCMOSイメージセンサの構成において、蓄積ゲート電極10下の転送チャネル3のみならず、増倍ゲート電極8下の転送チャネル3における不純物濃度も高くなるように構成した例について説明する。
第3実施形態では、図15に示すように、蓄積ゲート電極10下の領域(電子蓄積部3b)における不純物濃度と、増倍ゲート電極8下の領域(電子増倍部3a)における不純物濃度とは、それぞれ、転送チャネル3の他の領域よりも高くなるように構成されている。具体的には、第1実施形態と同様に、電子増倍部3aおよび電子蓄積部3bにおける不純物のピーク濃度が約2.5×1017cm-3である。そして、これに対して、転送チャネル3の他の領域における不純物のピーク濃度は、約8.5×1016cm-3である。これにより、各電極に同じレベルの信号を供給した際(同じ電圧を印加した際)に、増倍ゲート電極8下および蓄積ゲート電極10下の転送チャネル3の電位が、それぞれ、他の電極下の転送チャネル3の電位よりも高くなるように構成されている。
次に、第3実施形態によるCMOSイメージセンサの電子の転送動作について説明する。図16および図17の期間Qにおいて、上述した第1実施形態の期間Aと同様に、増倍ゲート電極8をオン状態にした後に、転送ゲート電極7をオン状態にする。これにより、電子は、フォトダイオード部4から、転送ゲート電極7下の転送チャネル3を介して増倍ゲート電極8下の転送チャネル3に転送される。次に、期間Rにおいて、蓄積ゲート電極10をオン状態にした後に、転送ゲート電極9をオン状態にする。そして、増倍ゲート電極8をオフ状態にする。これにより、蓄積ゲート電極10下の転送チャネル3が約6Vの電位に調整されるとともに、転送ゲート電極9下の転送チャネル3が約4Vの電位に調整される。そして、この状態で、増倍ゲート電極8下の転送チャネル3が約3.5Vの電位に調整されることにより、電子は、より高電位(約6V)である蓄積ゲート電極10下の転送チャネル3に転送される。そして、期間Sにおいて、転送ゲート電極9および蓄積ゲート電極10をオフ状態にすることにより、蓄積ゲート電極10下の転送チャネル3(電子蓄積部3b)が約3.5Vの電位に調整されるとともに、転送ゲート電極9下の転送チャネル3が約1.5Vの電位に調整される状態になる。つまり、電子は、蓄積ゲート電極10下の転送チャネル3(電子蓄積部3b)に保持された状態となる。次に、期間Tにおいて、蓄積ゲート電極10をオフ状態に維持したまま、読出ゲート電極11をオン状態にする。これにより、蓄積ゲート電極10下の転送チャネル3が約3.5Vの電位に調整された状態で、読出ゲート電極11下の転送チャネル3が約4Vの電位に調整される。そして、電子蓄積部3bに蓄積された電子は、読出ゲート電極11下の転送チャネル3を介してフローティングディフュージョン領域5に転送される。以上により、電子の転送動作は完了する。
次に、第3実施形態によるCMOSイメージセンサの電子の増倍動作について説明する。図18および図19に示すように、上記した第3実施形態の期間Q、期間Rおよび期間Sの動作を行うことにより、蓄積ゲート電極10がオフ状態において蓄積ゲート電極10下の電子蓄積部3bに電子が蓄積された状態となる。このとき、期間Uにおいて、増倍ゲート電極8をオン状態にすることにより、増倍ゲート電極8下の電子増倍部3aが約25Vの電位に調整される。そして、期間Vにおいて、転送ゲート電極9をオン状態にする。これにより、転送ゲート電極9下の転送チャネル3が約4Vの電位に調整されるとともに、電子は、電子蓄積部3bから転送ゲート電極9下の転送チャネル3を介してより高電位である電子増倍部3aに転送されて増倍される。そして、期間Wにおいて、転送ゲート電極9をオン状態に維持したまま、増倍ゲート電極8をオフ状態にするとともに、蓄積ゲート電極10をオン状態にする。これにより、増倍ゲート電極8下の転送チャネル3は、約3.5Vの電位に調整されるとともに、転送ゲート電極9下の転送チャネル3が約4.0Vの電位に調整される。また、蓄積ゲート電極10下の転送チャネル3は、約6Vの電位に調整される。したがって、電子は、転送ゲート電極9下の転送チャネル3を介して、より高電位である蓄積ゲート電極10下の転送チャネル3に転送される。そして、期間Xにおいて、蓄積ゲート電極10をオフ状態にすることにより、増倍された電子は、オフ状態における蓄積ゲート電極10下の転送チャネル3に保持される。なお、第1実施形態と同様に、期間A、および期間U〜期間Wの動作(電子増倍部3aおよび電子蓄積部3b間の転送動作)を複数回(たとえば、約400回)行われるように制御されることにより、フォトダイオード部4から転送された電子は約2000倍に増倍される。
第3実施形態では、上記のように、蓄積ゲート電極10下の転送チャネル3同様、増倍ゲート電極8下の転送チャネル3の不純物濃度も高濃度に構成することによって、電子の増倍動作を行う際に、増倍ゲート電極8により大きい電圧を印加することにより電子増倍部3bの電位がより高い電位になるので、その分、電子をより増倍させることができる。
なお、第3実施形態のその他の効果は、第1実施形態の効果と同様である。
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
たとえば、上記第1、第2および第3実施形態では、撮像装置の一例として各画素50において電荷信号を増幅するアクティブ(Active)型のCMOSイメージセンサを示したが、本発明はこれに限らず、各画素において電荷信号を増幅しないパッシブ(Passive)型のCMOSイメージセンサにも適用可能である。
また、上記第1、第2および第3実施形態では、転送ゲート電極7、転送ゲート電極9および読出ゲート電極11がオン状態の場合に、転送ゲート電極7、転送ゲート電極9および読出ゲート電極11下の転送チャネル3が約4Vの電位に調整された状態になる例を示したが、本発明はこれに限らず、転送ゲート電極7、転送ゲート電極9および読出ゲート電極11がオン状態の場合に、転送ゲート電極7、転送ゲート電極9および読出ゲート電極11下の転送チャネル3がそれぞれ異なる電位に調整された状態になるようにしてもよい。なお、この場合、転送ゲート電極9下および読出ゲート電極11下の転送チャネル3のオン状態における電位は、蓄積ゲート電極10下の転送チャネル3のオフ状態における電位よりも高くなるように制御する必要がある。
また、上記第1、第2および第3実施形態では、n型シリコン基板(図示せず)の表面に形成されたp型ウェル領域1の表面に転送チャネル3、フォトダイオード部4およびフローティングディフュージョン領域5を形成する例を示したが、本発明はこれに限らず、p型シリコン基板の表面に転送チャネル3、フォトダイオード部4およびフローティングディフュージョン領域5を形成するようにしてもよい。
また、上記第1、第2および第3実施形態では、信号電荷として電子を用いた例を示したが、本発明はこれに限らず、基板不純物の導電型および印加する電圧の極性を全て反対にすることにより、信号電荷として正孔を用いるようにしてもよい。
また、上記第1および第3実施形態では、蓄積ゲート電極10下の転送チャネル3または増倍ゲート電極8下の転送チャネル3を高濃度にするためにAs(砒素)を注入する例を示したが、本発明はこれに限らず、As(砒素)以外のドーパメントを注入してもよい。
3 転送チャネル(不純物領域)
3a 電子増倍部(電荷増加部)
3b 電子蓄積部(電荷蓄積部)
5 フローティングディフュージョン領域(電圧変換部)
8 増倍ゲート電極(第3電極)
9 転送ゲート電極(第4電極)
10 蓄積ゲート電極(第1電極)
11 読出ゲート電極(第2電極)
3a 電子増倍部(電荷増加部)
3b 電子蓄積部(電荷蓄積部)
5 フローティングディフュージョン領域(電圧変換部)
8 増倍ゲート電極(第3電極)
9 転送ゲート電極(第4電極)
10 蓄積ゲート電極(第1電極)
11 読出ゲート電極(第2電極)
Claims (6)
- 信号電荷を蓄積するとともに、転送するための電荷蓄積部と、
前記電荷蓄積部に信号電荷を蓄積させるための第1電極と、
信号電荷を電圧に変換するための電圧変換部と、
前記第1電極と前記電圧変換部との間に設けられ、前記電荷蓄積部に蓄積された信号電荷を前記電圧変換部に転送させるための第2電極と、
前記電荷蓄積部に蓄積された信号電荷を衝突電離させて増加させるための電荷増加部と、
衝突電離により信号電荷を増加させるための第3電極とを備え、
前記電荷蓄積部に信号電荷を蓄積する際および信号電荷を前記電圧変換部に転送する際に、前記第1電極に第1の電圧が印加されるように構成されている、撮像装置。 - 前記第1電極に印加される前記第1の電圧は、低電位側の電圧である、請求項1に記載の撮像装置。
- 少なくとも前記第1電極、前記第2電極および前記第3電極の下方に設けられ、信号電荷を転送する経路を形成するための不純物領域をさらに備え、
前記電荷蓄積部に信号電荷を蓄積する際および信号電荷を前記電圧変換部に転送する際に、前記第1電極に前記低電位側の第1の電圧が印加されるとともに、前記第2電極に高電位側の第2の電圧が印加されるように構成され、
前記第1電極に前記低電位側の第1の電圧を印加した際の前記第1電極の下方に対応する不純物領域の電位は、前記第2電極に前記高電位側の第2の電圧を印加した際の前記第2電極の下方に対応する不純物領域の電位よりも低くなるように構成されている、請求項2に記載の撮像装置。 - 信号電荷を増加する際に前記第3電極に高電位側の第3の電圧を印加するように構成され、
前記第1電極と前記第3電極との間に設けられ、信号電荷を転送するための第4電極をさらに備え、
前記電荷蓄積部と前記電荷増加部との間で信号電荷を転送する際に、前記第4電極に高電位側の第4の電圧を印加するように構成され、
前記第1電極に前記低電位側の第1の電圧を印加した際の前記第1電極の下方に対応する不純物領域の電位は、前記第4電極に前記高電位側の第4の電圧を印加した際の前記第4電極の下方に対応する不純物領域の電位よりも低くなるように構成され、
前記第1電極に前記低電位側の第1の電圧を印加した状態で、前記第3電極に前記高電位側の第3の電圧を印加するとともに、前記第4電極に前記高電位側の第4の電圧を印加することにより、前記電荷蓄積部に蓄積された信号電荷を前記電子増加部に転送するとともに、増加するように構成されている、請求項4に記載の撮像装置。 - 前記第1電極に前記低電位側の第1の電圧を印加した状態で、前記電荷蓄積部から前記電荷増加部への信号電荷の転送による信号電荷の増加動作と、前記電荷増加部から前記電荷蓄積部への信号電荷の転送動作とを交互に繰り返し行うように構成されている、請求項4に記載の撮像装置。
- 前記第1電極と前記第3電極との間に設けられ、信号電荷を転送するための第4電極をさらに備え、
信号電荷を増加する際に前記第3電極に高電位側の第3の電圧を印加するように構成され、
前記電荷蓄積部と前記電荷増加部との間で信号電荷を転送する際に、前記第4電極に高電位側の第4の電圧を印加するように構成され、
前記高電位側の第2の電圧、第3の電圧および第4の電圧はオン電圧であるとともに、前記低電位側の第1の電圧はオフ電圧である、請求項3〜5のいずれか1項に記載の撮像装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2007
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