JPH05335449A - 局部加熱装置及びこれを使用した実装部品取り外し方法及び残留はんだ除去方法 - Google Patents
局部加熱装置及びこれを使用した実装部品取り外し方法及び残留はんだ除去方法Info
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- JPH05335449A JPH05335449A JP13910392A JP13910392A JPH05335449A JP H05335449 A JPH05335449 A JP H05335449A JP 13910392 A JP13910392 A JP 13910392A JP 13910392 A JP13910392 A JP 13910392A JP H05335449 A JPH05335449 A JP H05335449A
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は局部加熱装置に関し、局部を安定に
加熱することを実装することを目的とする。 【構成】 底部が開口３とされ、開口の縁３ａにシール
部材４を設けた筐体２及びポンプ１０より構成する。筐
体２を回路基板上に設定し、ポンプ１０により、筐体２
内に、加熱されたパーフルオロカーボン液８を供給する
と共に循環させるよう構成する。
加熱することを実装することを目的とする。 【構成】 底部が開口３とされ、開口の縁３ａにシール
部材４を設けた筐体２及びポンプ１０より構成する。筐
体２を回路基板上に設定し、ポンプ１０により、筐体２
内に、加熱されたパーフルオロカーボン液８を供給する
と共に循環させるよう構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は局部加熱装置に係り、特
に回路基板上にはんだ接合されて実装されているＬＳＩ
モジュール等部品の取り外し又は残留はんだ除去に使用
しうる局部加熱装置に関する。
に回路基板上にはんだ接合されて実装されているＬＳＩ
モジュール等部品の取り外し又は残留はんだ除去に使用
しうる局部加熱装置に関する。
【０００２】業務用機器に組込まれており、回路基板上
に多数の部品がはんだ接合されて実装されている回路基
板モジュールにおいては、保守のために、定期的に点検
が行なわれる。この定期点検で故障が発見されると、回
路基板上の特定の部品を交換することが必要となること
がある。
に多数の部品がはんだ接合されて実装されている回路基
板モジュールにおいては、保守のために、定期的に点検
が行なわれる。この定期点検で故障が発見されると、回
路基板上の特定の部品を交換することが必要となること
がある。
【０００３】部品を取り外すには、加熱してはんだを溶
融させる必要がある。この加熱に当たっては、回路基板
モジュールを傷めないように、取り外そうとする部品だ
けを局部的に必要最小限の温度に加熱することが必要と
される。
融させる必要がある。この加熱に当たっては、回路基板
モジュールを傷めないように、取り外そうとする部品だ
けを局部的に必要最小限の温度に加熱することが必要と
される。
【０００４】
【従来の技術】従来は、赤外線集光させる方式又は熱風
を集中して吹き付ける方式によって、局部的に加熱して
いた。
を集中して吹き付ける方式によって、局部的に加熱して
いた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の方法では、加熱
すべき部位の温度を安定に制御することが困難であっ
た。この場合、加熱温度が必要以上に高くなり、加熱時
間が長くなり、加熱すべき部位に隣接する部品に対する
熱的悪影響が及ぶ場合もあった。
すべき部位の温度を安定に制御することが困難であっ
た。この場合、加熱温度が必要以上に高くなり、加熱時
間が長くなり、加熱すべき部位に隣接する部品に対する
熱的悪影響が及ぶ場合もあった。
【０００６】本発明は、局部を安定に加熱することを実
現した局部加熱装置及びこれを使用した実装部品取り外
し方法及び残留はんだ除去方法を提供することを目的と
する。
現した局部加熱装置及びこれを使用した実装部品取り外
し方法及び残留はんだ除去方法を提供することを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、底部
に、加熱すべき部分に対応する寸法形状を有する開口を
有し、且つ該開口の縁に沿ってシール部材が設けられた
筐体と、該筐体を、そのシール部材が回路基板のうち加
熱すべき部位を囲むように該回路基板上に設置した状態
で、上記筐体内に、加熱すべき温度より若干高い沸点を
有し、所定温度に加熱した不活性液体を供給して、循環
させる加熱不活性液体循環手段とよりなる構成としたも
のである。
に、加熱すべき部分に対応する寸法形状を有する開口を
有し、且つ該開口の縁に沿ってシール部材が設けられた
筐体と、該筐体を、そのシール部材が回路基板のうち加
熱すべき部位を囲むように該回路基板上に設置した状態
で、上記筐体内に、加熱すべき温度より若干高い沸点を
有し、所定温度に加熱した不活性液体を供給して、循環
させる加熱不活性液体循環手段とよりなる構成としたも
のである。
【０００８】請求項２の発明は、密閉構造の筐体と、加
熱すべき部分に対応する寸法形状を有し、上記筐体の底
板に取り付けられたブロックと、該筐体を、そのブロッ
クを加熱すべき部位に当接させて回路基板上に設置した
状態で、上記筐体内に、所定温度に加熱した不活性液体
を供給して、循環させる加熱不活性液体循環手段とより
なる構成としたものである。
熱すべき部分に対応する寸法形状を有し、上記筐体の底
板に取り付けられたブロックと、該筐体を、そのブロッ
クを加熱すべき部位に当接させて回路基板上に設置した
状態で、上記筐体内に、所定温度に加熱した不活性液体
を供給して、循環させる加熱不活性液体循環手段とより
なる構成としたものである。
【０００９】請求項３の発明は、請求項２の筐体は、ベ
ローズ構造の周側壁を有する構成としたものである。
ローズ構造の周側壁を有する構成としたものである。
【００１０】請求項４の発明は、請求項１乃至３項のう
ち、いずれか一項記載の局部加熱装置を使用して、回路
基板上にはんだ付けされて実装されている部品のはんだ
を加熱して溶融させ、上記部品を上記回路基板より取り
外す構成としたものである。請求項５の発明は、請求項
１乃至３のうちいずれか一項記載の局部加熱装置を使用
して、回路基板上に残留しているはんだを加熱して溶融
させ、はんだ吸着体によって溶融した残留はんだを吸着
して除去する構成としたものである。
ち、いずれか一項記載の局部加熱装置を使用して、回路
基板上にはんだ付けされて実装されている部品のはんだ
を加熱して溶融させ、上記部品を上記回路基板より取り
外す構成としたものである。請求項５の発明は、請求項
１乃至３のうちいずれか一項記載の局部加熱装置を使用
して、回路基板上に残留しているはんだを加熱して溶融
させ、はんだ吸着体によって溶融した残留はんだを吸着
して除去する構成としたものである。
【００１１】
【作用】請求項１の筐体及びシール部材は、加熱する部
分を定めるよう作用する。
分を定めるよう作用する。
【００１２】シール部材は、不活性液体の漏洩を制限す
るように作用する。
るように作用する。
【００１３】加熱不活性液体は、熱容量が大きいことに
より、加熱温度を安定化させるように作用すると共に、
酸化させないように作用する。
より、加熱温度を安定化させるように作用すると共に、
酸化させないように作用する。
【００１４】請求項２のブロックは、加熱する部分を定
め、且つ加熱すべき部分の周りを囲むことを不要とする
ように作用する。
め、且つ加熱すべき部分の周りを囲むことを不要とする
ように作用する。
【００１５】加熱すべき温度より若干高い沸点を有する
不活性液体を使用する構成は、加熱温度が高くなり過ぎ
ないように作用する。
不活性液体を使用する構成は、加熱温度が高くなり過ぎ
ないように作用する。
【００１６】密閉構造の筐体は、液もれの危険を無く
し、装置の取扱いを容易とするように作用する。
し、装置の取扱いを容易とするように作用する。
【００１７】請求項３のベローズ構造の周側壁は、押し
付けるときの衝撃を緩げるように作用する。
付けるときの衝撃を緩げるように作用する。
【００１８】請求項４において、請求項１乃至３のうち
いずれか一項記載の局部加熱装置を使用することは、実
装部品のはんだを限定して溶融させることを容易とする
ように作用する。
いずれか一項記載の局部加熱装置を使用することは、実
装部品のはんだを限定して溶融させることを容易とする
ように作用する。
【００１９】請求項５において、請求項１乃至３項のう
ちいずれか一項記載の局部加熱装置を使用することは、
残留はんだを限定して溶融させることを容易とするよう
に作用する。
ちいずれか一項記載の局部加熱装置を使用することは、
残留はんだを限定して溶融させることを容易とするよう
に作用する。
【００２０】
【実施例】本発明の一実施例になる局部加熱装置１につ
いて、図１を参照して説明する。２はアルミニウム製の
筐体であり、中空の略立方体状をなし、底部が開口３と
されている。
いて、図１を参照して説明する。２はアルミニウム製の
筐体であり、中空の略立方体状をなし、底部が開口３と
されている。
【００２１】開口３は加熱すべき部分の大きさに対応す
るａ×ｂの寸法形状を有する。
るａ×ｂの寸法形状を有する。
【００２２】また、筐体２には、開口３の縁３ａに沿っ
て耐熱ゴム製のシール部材４が接着して取付けてある。
て耐熱ゴム製のシール部材４が接着して取付けてある。
【００２３】また筐体２には、側面のうち、底部付近に
流入口５、頂部付近に吐出口６が設けてある。
流入口５、頂部付近に吐出口６が設けてある。
【００２４】７はタンクであり、パーフルオロカーボン
液８が貯溜してある。この液８は、不活性であり、沸点
が２１５℃である。この沸点は、通常のＳｎ−３７％Ｐ
ｂはんだの融点１８３℃より若干高い温度である。
液８が貯溜してある。この液８は、不活性であり、沸点
が２１５℃である。この沸点は、通常のＳｎ−３７％Ｐ
ｂはんだの融点１８３℃より若干高い温度である。
【００２５】タンク７の周囲には、ヒータ９が設けてあ
る。このヒータ９によって、パーフルオロカーボン液８
が例えば２１０℃に加熱される。
る。このヒータ９によって、パーフルオロカーボン液８
が例えば２１０℃に加熱される。
【００２６】１０はポンプであり、この液を給送する。
【００２７】ポンプ１０は、配管１１によって流入口５
と接続してある。
と接続してある。
【００２８】吐出口６は、配管１２を介してタンク７と
接続してある。
接続してある。
【００２９】また、上記の筐体２内には、吸着具１３が
組込まれている。
組込まれている。
【００３０】この吸着具１３は、筐体２の天板１４の中
央を上下動可能に貫通しているパイプ１５の下端に設け
てあり、パイプ１５を操作することにより上下動する。
央を上下動可能に貫通しているパイプ１５の下端に設け
てあり、パイプ１５を操作することにより上下動する。
【００３１】また、パイプ１５は、真空ポンプ１６と接
続してある。
続してある。
【００３２】また、筐体２には、内部の様子を覗くため
のガラス窓１８が設けてある。
のガラス窓１８が設けてある。
【００３３】タンク７、ヒータ９、ポンプ１０、及び配
管１１，１２が加熱不活性液体循環手段を構成する。
管１１，１２が加熱不活性液体循環手段を構成する。
【００３４】次に、上記構成の局部加熱装置１の使用方
法について説明する。
法について説明する。
【００３５】まず、回路基板モジュールについて説明す
る。
る。
【００３６】回路基板モジュール２０は、図２（Ａ）に
示すように、アルミナ製回路基板２１上に、複数のＬＳ
Ｉ素子２２-1，２２-2，２２-3（実際には、他に多くの
素子が実装してある）が、例えば通常のＳｎ−３７％Ｐ
ｂはんだ２３-1，２３-2，２３-3（融点：１８３℃）を
用いてフリップチップ接合して、表面実装された構造で
ある。
示すように、アルミナ製回路基板２１上に、複数のＬＳ
Ｉ素子２２-1，２２-2，２２-3（実際には、他に多くの
素子が実装してある）が、例えば通常のＳｎ−３７％Ｐ
ｂはんだ２３-1，２３-2，２３-3（融点：１８３℃）を
用いてフリップチップ接合して、表面実装された構造で
ある。
【００３７】 ＬＳＩ素子２２-2の取り外し（図２
（Ａ）乃至（Ｃ）参照） 前記のａ×ｂはＬＳＩ素子２２-2のサイズよりひとまわ
り大きいサイズである。
（Ａ）乃至（Ｃ）参照） 前記のａ×ｂはＬＳＩ素子２２-2のサイズよりひとまわ
り大きいサイズである。
【００３８】まず、図２（Ａ）に示すように、筐体２
を、取り外そうとするＬＳＩ素子２２ -2にかぶせて、回
路基板モジュール２０上に載置する。この際回路基板モ
ジュール２０全体は約１００℃に予備加熱してある。
を、取り外そうとするＬＳＩ素子２２ -2にかぶせて、回
路基板モジュール２０上に載置する。この際回路基板モ
ジュール２０全体は約１００℃に予備加熱してある。
【００３９】次いで、パーフルオロカーボン液８をヒー
タ９により２１０℃に加熱し、ポンプ１０を駆動させ
て、２１０℃に加熱された液８を筐体２内に供給し、筐
体２内を加熱された液８で満たすと共に、加熱された液
８を循環させる。
タ９により２１０℃に加熱し、ポンプ１０を駆動させ
て、２１０℃に加熱された液８を筐体２内に供給し、筐
体２内を加熱された液８で満たすと共に、加熱された液
８を循環させる。
【００４０】シール部材４が回路基板２１の上面２１ａ
に当接しているため、液８の漏洩は防止されている。
に当接しているため、液８の漏洩は防止されている。
【００４１】加熱された液８がじかに触れることによっ
て、ＬＳＩ素子２２-2及びはんだ２３-2が加熱される。
て、ＬＳＩ素子２２-2及びはんだ２３-2が加熱される。
【００４２】液８はヒータ５によって２１０℃に安定に
加熱されており、液８の熱容量は大きく、しかも液８が
循環しているため、上記のＬＳＩ素子２２-2及びはんだ
２３ -2の加熱温度に変動は殆ど無く、ＬＳＩ素子２２-2
及びはんだ２３-2は、はんだ２３-2の融点１８３℃より
若干高い温度である２１０℃に安定に加熱される。
加熱されており、液８の熱容量は大きく、しかも液８が
循環しているため、上記のＬＳＩ素子２２-2及びはんだ
２３ -2の加熱温度に変動は殆ど無く、ＬＳＩ素子２２-2
及びはんだ２３-2は、はんだ２３-2の融点１８３℃より
若干高い温度である２１０℃に安定に加熱される。
【００４３】これにより、ＬＳＩ素子２２-2を無用に必
要以上の温度に加熱することなく、はんだ２３-2が溶融
される。
要以上の温度に加熱することなく、はんだ２３-2が溶融
される。
【００４４】はんだ２３-2が溶融された後、図２（Ｂ）
に示すように、吸着具１３を降ろしてＬＳＩ素子２２-2
に突き当て、図１中の真空ポンプ１６を始動させて、Ｌ
ＳＩ素子２２-2を真空引きする。
に示すように、吸着具１３を降ろしてＬＳＩ素子２２-2
に突き当て、図１中の真空ポンプ１６を始動させて、Ｌ
ＳＩ素子２２-2を真空引きする。
【００４５】続いて、吸着具１３を上動させる。これに
より、図２（Ｃ）に示すように、ＬＳＩ素子２２-2が回
路基板２１から取り外される。尚、吸着具１３は機械的
手法としてもよい。
より、図２（Ｃ）に示すように、ＬＳＩ素子２２-2が回
路基板２１から取り外される。尚、吸着具１３は機械的
手法としてもよい。
【００４６】この状態で、液８の循環を止め、筐体２内
の液８をタンク７に回収し、筐体２内を空とする。
の液８をタンク７に回収し、筐体２内を空とする。
【００４７】図２（Ｃ）は、このときの状態を示す。
【００４８】この後、筐体２を回路基板２１から取り除
く。
く。
【００４９】上記のＬＳＩ素子２２-2の取り外し作業に
おいて、ＬＳＩ素子２２-2は加熱されるけれども、その
加熱温度は、例えばはんだ２３-2の融点１８３℃より若
干高い２１０℃であり、熱による影響は最小にとどま
る。このことは、ＬＳＩ素子２２-2自体には故障が無い
ことが分かって、取り外したＬＳＩ素子２２-2を再び実
装する場合に有利となる。
おいて、ＬＳＩ素子２２-2は加熱されるけれども、その
加熱温度は、例えばはんだ２３-2の融点１８３℃より若
干高い２１０℃であり、熱による影響は最小にとどま
る。このことは、ＬＳＩ素子２２-2自体には故障が無い
ことが分かって、取り外したＬＳＩ素子２２-2を再び実
装する場合に有利となる。
【００５０】また、回路基板モジュール２０のうち加熱
される部分は、当接したシール部材４により囲まれた領
域に限定され、シール部材４の外側の分は加熱されな
い。
される部分は、当接したシール部材４により囲まれた領
域に限定され、シール部材４の外側の分は加熱されな
い。
【００５１】ＬＳＩ素子２２-1，２２-3の温度を測定し
たところ１００℃であった。これは、予備加熱温度と同
じである。
たところ１００℃であった。これは、予備加熱温度と同
じである。
【００５２】従って、ＬＳＩ素子２２-2の取り外しは、
これに隣接するＬＳＩ素子２２-1，２２-3に対して熱の
影響を及ぼすことなく行われる。
これに隣接するＬＳＩ素子２２-1，２２-3に対して熱の
影響を及ぼすことなく行われる。
【００５３】また、パープルオロカーボン液８は不活性
であるため、ＬＳＩ素子２２-2の電極等が酸化すること
も防止される。
であるため、ＬＳＩ素子２２-2の電極等が酸化すること
も防止される。
【００５４】残留はんだの除去 図２（Ｃ）に示すように、ＬＳＩ素子２２-2を取り外し
た後、回路基板２１の電極２４上には符号２５で示すよ
うにはんだ２３-2の一部が残留する。
た後、回路基板２１の電極２４上には符号２５で示すよ
うにはんだ２３-2の一部が残留する。
【００５５】ＬＳＩ素子２２-2に代えて別のＬＳＩ素子
を実装するためには、上記の残留はんだ２５を除去する
必要がある。
を実装するためには、上記の残留はんだ２５を除去する
必要がある。
【００５６】残留はんだ２５の除去のためには、図１
中、吸着具１３に代えて銅ウィック３０を設ける。ま
た、真空ポンプ１６は作動させない。
中、吸着具１３に代えて銅ウィック３０を設ける。ま
た、真空ポンプ１６は作動させない。
【００５７】まず、図３（Ａ）に示すように、図２
（Ａ）と同様に、筐体２を、残留はんだ２５を囲むよう
にセットし、銅ウィック３０を引き上げた状態で、２１
０℃に加熱されたパーフルオロカーボン液８を筐体２内
に供給し、循環させる。なお、回路基板２１は引き続い
て予備加熱されている。
（Ａ）と同様に、筐体２を、残留はんだ２５を囲むよう
にセットし、銅ウィック３０を引き上げた状態で、２１
０℃に加熱されたパーフルオロカーボン液８を筐体２内
に供給し、循環させる。なお、回路基板２１は引き続い
て予備加熱されている。
【００５８】これにより、残留はんだ２５が液８によっ
て加熱されて溶融する。
て加熱されて溶融する。
【００５９】残留はんだ２５が溶接した後、図３（Ｂ）
に示すように、銅ウィック３０を下げ、溶融した残留は
んだ２５に突き当て、拭き取るように適宜摺動させる。
に示すように、銅ウィック３０を下げ、溶融した残留は
んだ２５に突き当て、拭き取るように適宜摺動させる。
【００６０】これにより、残留はんだ２５が符号２６で
示すように銅ウィック３０に付着する。
示すように銅ウィック３０に付着する。
【００６１】この後、図３（Ｃ）に示すように、銅ウィ
ック３０を引き上げ、液８の循環を止め、液８をタンク
７に回収して筐体２内を空とし、筐体２を取り外す。
ック３０を引き上げ、液８の循環を止め、液８をタンク
７に回収して筐体２内を空とし、筐体２を取り外す。
【００６２】これにより、残留はんだ２５が除去され
て、回路基板２１の各電極２４はきれいにクリーニング
された状態となる。
て、回路基板２１の各電極２４はきれいにクリーニング
された状態となる。
【００６３】上記の残留はんだ除去も、隣接するＬＳＩ
素子２２-1，２２-3を無用に加熱することなく行われ
る。
素子２２-1，２２-3を無用に加熱することなく行われ
る。
【００６４】次に、本発明の別の実施例になる局部加熱
装置４０について、図４を参照して説明する。
装置４０について、図４を参照して説明する。
【００６５】図中、図に示す構成部分と対応する部分に
は同一符号を付す。
は同一符号を付す。
【００６６】４１は円筒形状を有し且つ密閉構造の筐体
であり、ベリリウム銅製のベローズ構造の周側壁４２を
有する。
であり、ベリリウム銅製のベローズ構造の周側壁４２を
有する。
【００６７】筐体４１の底板４３には、ａ1 ×ｂ1 の大
きさの銅ブロック４４が設けてある。ａ1 ×ｂ1 は、Ｌ
ＳＩ素子２２-2と同じ大きさである。
きさの銅ブロック４４が設けてある。ａ1 ×ｂ1 は、Ｌ
ＳＩ素子２２-2と同じ大きさである。
【００６８】銅ブロック４４には、真空吸引用の孔４５
が形成してある。この孔４５は、真空ポンプ１６と接続
してある。
が形成してある。この孔４５は、真空ポンプ１６と接続
してある。
【００６９】また、筐体４１の天板４６に、流入口５及
び吐出口６が形成してある。
び吐出口６が形成してある。
【００７０】次に、上記構成の装置４０の使用方法につ
いて説明する。
いて説明する。
【００７１】ＬＳＩ素子２２-2の取り外し まず、図５（Ａ）に示すように、銅ブロック４４をＬＳ
Ｉ素子２２-2上に押し当てて装置４０を、約１００℃に
予備加熱してある回路モジュール２０上にセットする。
Ｉ素子２２-2上に押し当てて装置４０を、約１００℃に
予備加熱してある回路モジュール２０上にセットする。
【００７２】この状態で、２１０℃に加熱されたパーフ
ルオロカーボン液８を筐体４１内に供給し、筐体４１内
を加熱された液８で満たすと共に、加熱された液８を循
環させる。
ルオロカーボン液８を筐体４１内に供給し、筐体４１内
を加熱された液８で満たすと共に、加熱された液８を循
環させる。
【００７３】加熱された液８の熱が、銅ブロック４４に
伝わりこれが加熱され、更にはＬＳＩ素子２２-2に伝わ
り、はんだ２３-2に伝わり、はんだ２３-2が加熱されて
溶融する。
伝わりこれが加熱され、更にはＬＳＩ素子２２-2に伝わ
り、はんだ２３-2に伝わり、はんだ２３-2が加熱されて
溶融する。
【００７４】はんだ２３-2が溶融した後、真空ポンプ１
６によって真空吸引し、筐体４１を引き上げる。
６によって真空吸引し、筐体４１を引き上げる。
【００７５】これにより、図５（Ｂ）に示すようにＬＳ
Ｉ素子２２-2が回路基板２１から取り外される。
Ｉ素子２２-2が回路基板２１から取り外される。
【００７６】こゝで、取り外そうとするＬＳＩ素子２２
-2だけが加熱され、しかもＬＳＩ素子２２-2は必要以上
には加熱されない。
-2だけが加熱され、しかもＬＳＩ素子２２-2は必要以上
には加熱されない。
【００７７】これにより、ＬＳＩ素子２２-2に隣接する
ＬＳＩ素子２２-1，２２-3については全く加熱すること
なく、ＬＳＩ素子２２-2についても無用に温度に加熱す
ることなく、ＬＳＩ素子２２-2が取り外される。
ＬＳＩ素子２２-1，２２-3については全く加熱すること
なく、ＬＳＩ素子２２-2についても無用に温度に加熱す
ることなく、ＬＳＩ素子２２-2が取り外される。
【００７８】また、筐体４１は、ＬＳＩ素子２２-2から
外側にははみ出さないため、ＬＳＩ素子の実装密度が高
く、隣り合うＬＳＩ素子の間の隙間が狭い場合にも、支
障なく使用できる。
外側にははみ出さないため、ＬＳＩ素子の実装密度が高
く、隣り合うＬＳＩ素子の間の隙間が狭い場合にも、支
障なく使用できる。
【００７９】また、ベローズ構造の周側壁４２は、銅ブ
ロック４４をＬＳＩ素子２２-2上に押し当てたときの衝
撃を吸収し、ＬＳＩ素子２２-2に衝撃が作用しにくくす
る。 はんだの除去 図４中の銅ブロック４４に代えて、銅ウィック５０を取
り付ける。
ロック４４をＬＳＩ素子２２-2上に押し当てたときの衝
撃を吸収し、ＬＳＩ素子２２-2に衝撃が作用しにくくす
る。 はんだの除去 図４中の銅ブロック４４に代えて、銅ウィック５０を取
り付ける。
【００８０】まず、図５（Ａ）に示すように、銅ウィッ
ク５０を残留はんだ２５上に押し当てて、装置４０をセ
ットする。
ク５０を残留はんだ２５上に押し当てて、装置４０をセ
ットする。
【００８１】この状態で、２１０℃に加熱されたパーフ
ルオロカーボン液８を筐体４１内に供給し、筐体４１内
を加熱された液８で満たすと共に、加熱された液８を循
環させる。
ルオロカーボン液８を筐体４１内に供給し、筐体４１内
を加熱された液８で満たすと共に、加熱された液８を循
環させる。
【００８２】加熱された液８の熱が、まず銅ウィック５
０に伝わってこれが加熱され、続いて残留はんだ２５に
伝わり、残留はんだ２５が加熱されて溶融する。
０に伝わってこれが加熱され、続いて残留はんだ２５に
伝わり、残留はんだ２５が加熱されて溶融する。
【００８３】残留はんだ２５が溶融した後、銅ウィック
５０を、適宜摺動させる。
５０を、適宜摺動させる。
【００８４】これにより、残留はんだ２５は、符号２６
で示すように、銅ウィック５０に付着する。
で示すように、銅ウィック５０に付着する。
【００８５】この後、筐体４１を図６（Ｂ）に示すよう
に引き上げる。
に引き上げる。
【００８６】これにより、残留はんだ２５は、符号２６
で示すように、銅ウィック５０に付着されて除去され、
回路基板２１の各電極２４はきれいにクリーニングされ
た状態となる。
で示すように、銅ウィック５０に付着されて除去され、
回路基板２１の各電極２４はきれいにクリーニングされ
た状態となる。
【００８７】上記のはんだ除去も、隣接するＬＳＩ素子
２２-1，２２-3と干渉することなく、且つこれらに対す
る熱の影響を最小とされて行われる。
２２-1，２２-3と干渉することなく、且つこれらに対す
る熱の影響を最小とされて行われる。
【００８８】また、上記の銅ウィック３０又は５０に代
えて、多孔質の銅ブロック又は多孔質の銅メッキブロッ
クを使用することもできる。
えて、多孔質の銅ブロック又は多孔質の銅メッキブロッ
クを使用することもできる。
【００８９】多孔質銅ブロックは、銅粉末とパラフィン
粉末とを金型に詰めて約１トン／ｃｍ2 の圧力で加圧形
成形し、この後６００℃で焼結させて製造したものであ
る。多孔質となるのは、焼結時にパラフィンが溶け出す
からであり、また焼結温度も低いからである。
粉末とを金型に詰めて約１トン／ｃｍ2 の圧力で加圧形
成形し、この後６００℃で焼結させて製造したものであ
る。多孔質となるのは、焼結時にパラフィンが溶け出す
からであり、また焼結温度も低いからである。
【００９０】また、多孔質の銅メッキブロックは、電流
密度を通常より高く定めた条件の下で、銅板上に銅メッ
キを行って、製造したものである。多孔質となるのは、
メッキの際に発生する水素ガス量が多いことによる。
密度を通常より高く定めた条件の下で、銅板上に銅メッ
キを行って、製造したものである。多孔質となるのは、
メッキの際に発生する水素ガス量が多いことによる。
【００９１】こゝで、上記各実施例において、液８を加
熱し過ぎた場合を考えてみる。
熱し過ぎた場合を考えてみる。
【００９２】液８の温度は沸点である２１５℃以上には
上昇しない。この温度は、はんだ２３-1及び残留はんだ
２５の融点１８５℃より若干高いだけであり、回路基板
モジュール２０は、過剰には加熱されない。
上昇しない。この温度は、はんだ２３-1及び残留はんだ
２５の融点１８５℃より若干高いだけであり、回路基板
モジュール２０は、過剰には加熱されない。
【００９３】また、半田としてＳｎ−３７％Ｐｂ半田以
外の半田を用いてもよい。この場合には、この半田の融
点に合わせて、不活性液体の加熱温度を設定すればよ
い。
外の半田を用いてもよい。この場合には、この半田の融
点に合わせて、不活性液体の加熱温度を設定すればよ
い。
【００９４】
【発明の効果】以上説明した様に、請求項１の発明によ
れば、回路基板のうち加熱すべき部位の周囲の部分を加
熱することなく、上記の加熱すべき部位だけを限定し
て、安定に、しかも過剰に加熱することなく、更には酸
化させずに加熱することが出来る。
れば、回路基板のうち加熱すべき部位の周囲の部分を加
熱することなく、上記の加熱すべき部位だけを限定し
て、安定に、しかも過剰に加熱することなく、更には酸
化させずに加熱することが出来る。
【００９５】請求項２の発明によれば、加熱すべき部位
の周囲には全く空間を必要とせず、然して、高密度実装
されている部品の取り外しにも良好に使用できる。また
液もれの虞れがないため、安全で使い勝手が良い。請求
項３の発明によれば、加熱部へ襲撃を加えることなく局
部加熱ができる。請求項４の発明によれば、隣接する部
品へ熱の影響を及ぼすことなく、実装部品を取り外すこ
とができる。
の周囲には全く空間を必要とせず、然して、高密度実装
されている部品の取り外しにも良好に使用できる。また
液もれの虞れがないため、安全で使い勝手が良い。請求
項３の発明によれば、加熱部へ襲撃を加えることなく局
部加熱ができる。請求項４の発明によれば、隣接する部
品へ熱の影響を及ぼすことなく、実装部品を取り外すこ
とができる。
【００９６】請求項５の発明によれば、隣接する部品へ
熱の影響を及ぼすことなく、残留はんだを除去すること
ができる。
熱の影響を及ぼすことなく、残留はんだを除去すること
ができる。
【図１】本発明の一実施例になる局部加熱装置を示す図
である。
である。
【図２】図１の装置を使用して行うＬＳＩ素子の取り外
しを説明する図である。
しを説明する図である。
【図３】図１の装置を使用して行う残留はんだ除去を説
明する図である。
明する図である。
【図４】本発明の別の実施例になる局部加熱装置を示す
図である。
図である。
【図５】図４の装置を使用して行うＬＳＩ素子の取り外
しを説明する図である。
しを説明する図である。
【図６】図４の装置を使用して行う残留はんだ除去を説
明する図である。
明する図である。
１ 局部加熱装置 ２ 筐体 ３ 開口 ３ａ 縁 ４ シール部材 ５ 流入口 ６ 吐出口 ７ タンク ８ パーフルオロカーボン液 ９ ヒータ １０ ポンプ １１，１２ 配管 １３ 吸着具 １４ 天板 １５ パイプ １６ 真空ポンプ １８ ガラス窓 ２０ 回路基板モジュール ２１ アルミナ製回路基板 ２２-1，２２-2，２２-3 ＬＳＩ素子 ２３-1，２３-2，２３-3 Ｓｎ−３７％Ｐｂはんだ ２４ 電極 ２５ 残留はんだ ２６ 除去されたはんだ ３０ 銅ウィック ４０ 局部加熱装置 ４１ 筐体 ４２ ベリリウム銅製のベローズ構造の周側壁 ４６ 銅ブロック ４３ 底板 ４４ 銅ブロック ４５ 真空吸引孔 ４６ 天板 ５０ 銅ウィック
Claims (5)
- 【請求項１】 底部に、加熱すべき部分に対応する寸法
形状を有する開口（３）を有し、且つ該開口の縁（３
ａ）に沿ってシール部材（４）が設けられた筐体（２）
と、 該筐体を、そのシール部材が回路基板のうち加熱すべき
部位を囲むように該回路基板上に設置した状態で、上記
筐体内に、加熱すべき温度より若干高い沸点を有し、所
定温度に加熱した不活性液体（８）を供給して、循環さ
せる加熱不活性液体循環手段（７，９，１０，１１，１
２）とよりなることを特徴とする局部加熱装置。 - 【請求項２】 密閉構造の筐体（４１）と、 加熱すべき部分に対応する寸法形状を有し、上記筐体の
底板（４３）に取り付けられたブロック（４４）と、 該筐体を、そのブロックを加熱すべき部位に当接させて
回路基板上に設置した状態で、上記筐体内に、所定温度
に加熱した不活性液体（８）を供給して、循環させる加
熱不活性液体循環手段（７，９，１０）とよりなること
を特徴とする局部加熱装置。 - 【請求項３】 請求項２の筐体は、ベローズ構造の周側
壁（４２）を有することを特徴とする局部加熱装置。 - 【請求項４】 請求項１乃至３項のうち、いずれか一項
記載の局部加熱装置を使用して、回路基板（２１）上に
はんだ付けされて実装されている部品（２２ -2）のはん
だ（２３）を加熱して溶融させ、上記部品を上記回路基
板より取り外すことを特徴とする実装部品取り外し方
法。 - 【請求項５】 請求項１乃至３のうちいずれか一項記載
の局部加熱装置を使用して、回路基板上に残留している
はんだ（２５）を加熱して溶融させ、はんだ吸着体（３
０，５０）によって溶融した残留はんだを吸着して除去
することを特徴とする残留はんだ除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13910392A JPH05335449A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 局部加熱装置及びこれを使用した実装部品取り外し方法及び残留はんだ除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13910392A JPH05335449A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 局部加熱装置及びこれを使用した実装部品取り外し方法及び残留はんだ除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335449A true JPH05335449A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=15237556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13910392A Pending JPH05335449A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 局部加熱装置及びこれを使用した実装部品取り外し方法及び残留はんだ除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05335449A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9653514B2 (en) | 2012-02-09 | 2017-05-16 | Denso Corporation | Solid-state imaging device and method for driving the same |
| JP2017123454A (ja) * | 2016-01-07 | 2017-07-13 | 白光株式会社 | 加熱機器及び電子部品の取り外し方法 |
| US10618127B2 (en) | 2016-12-13 | 2020-04-14 | Hakko Corp. | Vacuum pick-up confirmation system |
-
1992
- 1992-05-29 JP JP13910392A patent/JPH05335449A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9653514B2 (en) | 2012-02-09 | 2017-05-16 | Denso Corporation | Solid-state imaging device and method for driving the same |
| JP2017123454A (ja) * | 2016-01-07 | 2017-07-13 | 白光株式会社 | 加熱機器及び電子部品の取り外し方法 |
| CN107027283A (zh) * | 2016-01-07 | 2017-08-08 | 白光株式会社 | 加热设备以及电子元件的拆卸方法 |
| CN107027283B (zh) * | 2016-01-07 | 2019-09-20 | 白光株式会社 | 加热设备以及电子元件的拆卸方法 |
| US10618127B2 (en) | 2016-12-13 | 2020-04-14 | Hakko Corp. | Vacuum pick-up confirmation system |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010828 |