JPH10193166A

JPH10193166A - 半田付け装置及び半田付け方法

Info

Publication number: JPH10193166A
Application number: JP309297A
Authority: JP
Inventors: Yasuhiro Iwata; 泰宏岩田; Hideaki Sasaki; 秀昭佐々木; Mitsugi Shirai; 貢白井; Mitsunori Tamura; 光範田村
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1997-01-10
Filing date: 1997-01-10
Publication date: 1998-07-28

Abstract

(57)【要約】【課題】より信頼性の高い半田接合部を効率的に形成す
る。【解決手段】大気よりも酸素濃度が低く、且つ、大気よ
りも熱伝導率の高い気体を充満させたチャンバ１０中
で、２つの部品Ａ,Ｂとの間に介在させた半田Ｃを加熱
溶融させる。その後、その半田付け温度を維持したまま
で、真空ポンプ１３の排気によってチャンバ１０の圧力
を減少させ、加熱溶融された半田Ｃを脱泡する。その
後、チャンバ１０の内部を冷却する。そして、加熱溶融
された半田Ｃが凝固する寸前に、チャンバ１０の内部の
圧力を急激に上昇させ、加熱溶融された半田Ｃに僅かに
含まれている気泡を圧縮し、その体積を縮小させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子機器の製造に
不可欠とされるソルダリング技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】基板と電子部品(ＬＳＩ等)との接合、パ
ッケージの気密封止等に使用されるソルダリングは、エ
レクトロニクス分野における最も重要な接合技術として
位置付けられている。従って、当然に、ソルダリングの
信頼性の確立は、エレクトロニクス分野における非常に
重要な課題とされている。

【０００３】さて、ソルダリングの信頼性を低下させ、
ひいては電子機器自体の性能をも低下させる要因として
特に問題視されるのは、図５に示したような、半田接合
部６と母材Ａ₁,Ｂ₁(ここでは、基板Ａ上の部品搭載用パ
ターンＡ₁と、電子部品Ｂの端子パターンＢ₁)との界面
や、半田接合部６の内部に形成されたボイドである。

【０００４】そこで、ソルダリングによって電子部品等
を接合する際には、一般に、こうしたボイドの形成を抑
制するための種々の工夫が為されている。例えば、こう
した工夫の内の一つとして、一般に、迎え半田と呼ばれ
る前処理が実行されることが多い。この迎え半田とは、
図６(ａ)に示すように、基板１上の部品搭載用パタ−ン
Ａ₁上に半田Ｃを載置させた状態で、一旦、半田Ｃを加
熱溶融させることによって、事前に半田Ｃを十分に脱泡
しておく処理のことである。即ち、この処理の時点にお
いて、図６(ｂ)に示すように、加熱溶融された半田Ｃ
(以下、加熱溶融された半田を溶融半田と呼ぶ)に含まれ
ている気体３ａを外部に速やかに抜け出させてしまうの
である。従って、その後は、図６(ｃ)に示すように、基
板１上の部品搭載用パタ−ンＡ₁と電子部品Ｂの端子パ
ターン５ａとの間で半田Ｃを挟み込んだ後、通常の半田
付けと同様に半田Ｃを加熱溶融させるだけで、基板１上
の部品搭載用パタ−ンＡ₁と電子部品Ｂの端子パターン
５ａとの間に、図６(ｄ)に示すようなボイドのない半田
接合部６を形成することができる。尚、迎え半田に関す
る技術としては、特開平３−２０２７８７号公報記載の
技術が知られている。

【０００５】また、これ以外にも、ボイドの形成を抑制
する工夫が為されている半田付け方法として、真空熱処
理炉を利用して半田付けを行う特開平５−２９１３１４
号公報記載の半田付け方法(以下、真空加熱式の半田付
け方法と呼ぶ)が知られている。この半田付け方法は、
真空中で半田付けを行うことによって、半田付けの最中
に、溶融半田に含まれている気泡を強制的に除去してし
まう方法である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、事前に上記
迎え半田を実行すると、半田接合部の信頼性が向上する
一方で、この処理に要する時間の分だけ全体の効率が低
下するという新たな問題が発生する。また、真空加熱式
の半田付け方法にも、真空状態にある真空熱処理炉の内
部温度を常温から半田付け温度まで昇温させるために相
当な時間(通常、約２０分間から３０分間程度)を要する
という効率面における問題がある。このような効率面に
おける問題は、複数の半田付け装置を同時に稼働させる
ことによって容易に解決されるものではあるが、複数の
半田付け装置の導入に関連して新たに相当な設備投資の
発生が見込まれることを考慮すると、製造コストの抑制
の要求が一層強まりつつある現状においては、より実情
に適った他の妥当な解決策が望まれるであろうことは明
らかである。

【０００７】また、(１)セラミックス等の多孔質材料で
基板が形成されていること、(２)半田付けに先立つ処理
(例えば、めっき処理)で液体に浸漬された基板が乾燥し
きっていないこと等の理由から、半田の加熱溶融中、気
体は、基板内部から常に発生し続けてくる。従って、上
記迎え半田、上記真空加熱式の半田付け方法の内の何れ
を採用したとしても、溶融半田の気体の巻き込みを完全
には抑制することができず、最終的に形成される半田接
合部には僅かにボイドが形成されていることが多かっ
た。

【０００８】そこで、本発明は、より信頼性の高い半田
接合部を効率的に形成することが出来る半田付け方法及
び半田付け装置を提供することを目的とする。併せて、
従来の半田付け方法により形成された不良な半田接合部
の信頼性を簡単に修正することができる半田付け方法及
び半田付け装置を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、雰囲気中で、２つの母材の間に介在する
半田を加熱溶融し、当該加熱溶融により前記２つの母材
の表面に濡れ広がった半田を凝固させて、前記２つの母
材の間に当該２つの母材の間を接合する半田接合部を形
成する半田付け方法であって、前記雰囲気として、大気
よりも熱伝導率の高い気体で形成された雰囲気を準備
し、前記加熱溶融された半田の凝固に先立ち前記雰囲気
の圧力を減少させ、前記加熱溶融された半田の凝固と共
に前記雰囲気の圧力を急激に増加させることを特徴とす
る半田付け方法を提供する。

【００１０】大気よりも熱伝導率の高い気体で形成され
た雰囲気は、外部から与えられる熱で速やかに常温から
半田付け温度まで昇温する。従って、非常に短い余熱時
間で、半田を加熱溶融させることができる。例えば、こ
の気体として、熱伝導率１．４×１０−１ｗ／ｍｋのＨ
ｅガスを使用すれば、従来技術の欄で説明した真空加熱
式の半田付け方法に使用されているヒータと同等な性能
のヒータを使用しても、この従来の方法の約１／１０以
下の予熱時間で半田を加熱溶融させることができる。

【００１１】また、加熱溶融された半田が凝固し始める
前に、雰囲気の圧力を減少させることによって、加熱溶
融された半田から強制的に気泡を除去することができ
る。更に、その後、加熱溶融された半田の凝固と共に
(好ましくは、加熱溶融された半田が完全に凝固する直
前のタイミングで)、雰囲気の圧力を急激に増加させる
ことによって、減圧の段階で除去しきれなかった気泡
が、その形跡を殆ど残さない程度に圧縮される。従っ
て、最終的に形成される半田接合部にはボイドが殆ど残
存しない。

【００１２】また、上記半田付け方法による半田付けを
実行する装置として、２つの母材の間に介在する半田を
加熱溶融し、当該加熱溶融により前記２つの母材の表面
に濡れ広がった半田を凝固させて、前記２つの母材の間
に当該２つの母材の間を接合する半田接合部を形成する
半田付け装置であって、前記２つの母材を収容するため
のチャンバと、前記チャンバの内部に、大気よりも熱伝
導率の高い気体を充填する気体供給手段と、前記チャン
バの内部の温度と圧力とを制御する制御手段とを備える
ことを特徴とする半田付け装置を提供する。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、添付の図面を参照しなが
ら、本発明に係る実施の一形態について説明する。

【００１４】最初に、図１により、本実施の形態に係る
半田付け装置の基本構成について説明する。

【００１５】本半田付け装置は、互いに接合すべき部品
Ａ,Ｂを収容するためのチャンバ１０を備える。

【００１６】このチャンバ１０の内部には、部品Ａ,Ｂ
を載置するための載置台１１が配置されている。そし
て、この載置台１１の内部には、部品Ａ,Ｂの間に挟み
込まれた半田Ｃを加熱溶融させるためのヒータと、この
ヒータ等を冷却するための水冷装置とが内蔵されてい
る。そして、これらヒータと水冷装置は、それぞれ、温
度コントローラ１６によって制御されている。尚、この
ヒータは、必ずしも載置台１１の内部に内蔵されている
必要はない。例えば、遠赤外線ヒータを使用するのであ
れば、チャンバ１０の内壁等に取り付けても構わない。

【００１７】また、載置台１１の上面には、部品Ａの背
面ａとの間に形成される僅かな隙間から気体が抜け出る
ための貫通穴１１ａが１つ以上開けられている。従っ
て、部品Ａの裏面ａと載置台１１との間に形成される隙
間に気体が封じ込まれることがないため、半田の加熱溶
融中に、部品Ａ,Ｂが載置台１１上で突発的に移動する
ということはない。

【００１８】また、このチャンバ１０の内部は、圧力コ
ントローラ１５の弁開度制御によってバルブ１３ａが開
放されると、真空ポンプ１３によって真空引きされるよ
うになっている。尚、圧力コントローラ１５の弁開度制
御によって、チャンバ１０と外部とをつなぐ排気管(不
図示)に取り付けられているバルブ(不図示)が開放され
ると、真空ポンプ１３によって形成されたチャンバ１０
の内部の真空状態が開放されるようになっている。

【００１９】一方、タンク１４の内部には、チャンバ１
０の内部に供給すべき雰囲気ガスとして、大気よりも酸
素濃度が低く、且つ、大気よりも熱伝導率が高いガス
(即ち、１ａｔｍ、２０℃において熱伝導率１．６×１
０^-2ｗ／ｍ・Ｋ以上のガス、好ましくは、１ａｔｍ、２
０℃において熱伝導率１０^-1ｗ／ｍ・Ｋレベルのガス)
が貯蔵してある。尚、本実施の形態では、この雰囲気ガ
スとして、１ａｔｍ、２０℃において熱伝導率１．４×
１０^-1ｗ／ｍ・ＫのＨｅガスを使用することとしてい
る。仮にＨｅガス以外の混合ガス等を使用する場合に
は、少なくとも、加熱による爆発の危険性がないか否か
を十分検討しておく必要がある。例えば、作業上の安全
性の観点から、Ｈ₂ガス、Ｈ₂を４％以上の含む混合ガス
等の使用は避けるべきといえる。

【００２０】そして、ガスコントローラ(不図示)の弁開
度制御によって、タンク１４の内部とチャンバ１０の内
部とをつなぐ配管１４ａに取り付けられているバルブ１
４ｂが開放されると、このタンク１４の内部のガスは、
チャンバ１０の内部の圧力状態に応じてチャンバ１０の
内部に吸引される。

【００２１】尚、制御部１７は、温度センサ１８が検出
するチャンバ１０の内部温度と、圧力センサ(不図示)が
検出するチャンバ１０の内部圧力と、タイマ(不図示)が
測定する時間を監視しながら、予め定めたスケジュール
に従って、ガスコントローラ１９と温度コントローラ１
６と圧力コントローラ１５とを制御している。

【００２２】ところで、急激に半田Ｃを加熱溶融させる
と、その中の揮発分が急激に気化して溶融半田Ｃが破裂
し、周囲に半田ボールが飛び散ることがある。そこで、
本実施の形態では、この半田ボールの飛散を遮るための
遮蔽装置８が別途準備してある。この遮蔽装置８は、図
２に示すように、適当な高さの遮蔽板８ａを台座８ｂで
支えたものである。そして、この遮蔽装置８は、長時間
に渡って厳しい熱環境に曝されるため、全体として耐熱
性に優れた材料で形成されている必要がある。尚、その
使用方法については後述する。

【００２３】次に、図３及び図４により、この半田付け
装置による半田付け方法について説明する。但し、ここ
では、基板Ａ上の部品搭載用パターンＡ₁(表面積１．５
ｃｍ²程度)と、電子部品Ｂの端子パターンＢ₁(表面積
１．５ｃｍ²程度)との間を半田接合する場合を一例に挙
げることとする。尚、当然のことではあるが、基板Ａに
スル−ホ−ルが形成されているか否かは問わない。ま
た、載置台１１には、これに載置される基板Ａの大きさ
に応じた間隔(通常、約２５０ｍｍ程度の間隔)で、直径
数ｍｍ程度の貫通穴１１ａが複数開けてある。

【００２４】本半田付け方法による半田接合は、図３に
示した手順に従って実行される。即ち、まず、ステップ
３００において、作業者は、図４(Ａ)に示すように、基
板Ａの部品搭載用パターンＡ₁上に成形半田Ｃを載置す
る。或るいは、基板Ａの部品搭載用パターンＡ₁上に半
田ペーストを塗布してもよい。その後、その上に重ねて
電子部品Ｂを載置することによって、基板１の部品搭載
用パターンＡ₁と電子部品Ｂの端子パターンＢ₁との間に
半田Ｃを挟み込む。その後、図４(Ｂ)に示すように、電
子部品Ｂと他の電子部品Ｄ等の間が仕切られるように、
基板Ａ上に遮蔽装置８を配置する。そして、この状態
で、チャンバ１０内部の載置台１１上に基板Ａを配置す
る。尚、この際、載置台１１の貫通穴１１ａが基板Ａで
覆われるように留意することが必要である。基板Ａの熱
変形によって基板Ａと載置台１１との間に僅かな空隙が
形成されても、この空隙に気体が封じ込まれないように
するためである。

【００２５】以上のセッティングが終了したら、制御部
１７は、温度センサ１８が検出するチャンバ１０の内部
温度と、圧力センサ(不図示)が検出するチャンバ１０の
内部圧力と、タイマ(不図示)が測定する時間を監視しな
がら、予め定めたスケジュールに従って、ガスコントロ
ーラ１９と温度コントローラ１６と圧力コントローラ１
５とを制御して、ステップ３０１以下に続く処理を実行
させる。即ち、まず、ステップ３０１において、圧力コ
ントローラ１５が、真空ポンプ１３のバルブ１３ａを開
放し、やや遅れてガスコントローラが、タンク１４のバ
ルブ１４ｂを開放する。そして、タンク１４に貯蔵され
ていた雰囲気ガスでチャンバ１０の内部が充満したら、
圧力コントローラ１５は真空ポンプ１３のバルブ１３ａ
を閉め、ガスコントローラもタンク１４のバルブ１４ｂ
を閉める。

【００２６】その後、ステップ３０２において、温度コ
ントローラ１６は、ヒータを作動あせてチャンバ１０の
内部を一気に加熱する。尚、チャンバ１０の内部が、大
気よりも熱伝導率の高い雰囲気ガスで充満されているた
め、従来技術の欄で説明した真空加熱式の半田付け方法
に使用されているヒータと同等な性能のヒータを使用し
ていても、この方法の約１／１０以下の予熱時間で、チ
ャンバ１０の内部温度を常温から半田付け温度まで速や
かに昇温させることできる。尚、ここでいう半田付け温
度とは、使用している半田Ｃの種類に応じて設定される
温度のことであり、例えば、半田ＣとしてＳｎ３７Ｐｂ
(融点１８３℃)を使用する場合には、融点よりもやや高
めの約２００℃〜２１０℃程度の温度に設定すのが通常
である。

【００２７】そして、チャンバ１０の内部温度が半田付
け温度となったら、ステップ３０３において、予め定め
た半田付け時間が経過する迄の間、チャンバ１０の内部
温度が維持される程度にヒータを作動させ続ける。この
間に、基板１の部品搭載用パターンＡ₁と電子部品Ｂの
端子パターンＢ₁との間に挟み込まれた半田Ｃは、加熱
溶融して、図４(Ｃ)に示すように、基板Ａ上の部品搭載
用パターンＡ₁と電子部品Ｂの端子パターンＢ₁とに十分
に濡れ広がる。尚、大気よりも酸素濃度の低い雰囲気ガ
ス中では、溶融半田Ｃの表面に、溶融半田Ｃの濡れ広が
りを妨げる酸化皮膜が形成されることは殆ど無いため、
予め半田Ｃの表面にフラックスを塗布しておく必要はな
い。

【００２８】その後、ステップ３０４において、圧力コ
ントローラ１５は、真空ポンプ１３のバルブ１３ａを開
放することによって、チャンバ１０の内部圧力を適当な
圧力(通常、約０．２Ｔｏｒｒ程度)にまで減少させる。
そして、チャンバ１０の内部の圧力状態を維持したま
ま、適当な時間(通常、約５分程度)だけ放置しておくこ
とによって、溶融半田Ｃに含まれている気泡７を強制的
に抜け出させてしまう。尚、このときのチャンバ１０の
内部圧力と放置時間は、一意に定まるものではないた
め、使用する半田Ｃの体積等に応じて適宜調節すること
が望ましい。

【００２９】尚、この間に、溶融半田Ｃが破裂して半田
ボールＣ₁が周囲に飛び散ることがあるが、この半田ボ
ールＣ₁の殆どが、他の電子部品Ｄ等に到達する前に、
遮蔽装置８の遮蔽板８ａの表面に付着する。従って、他
の電子部品Ｄ等が半田ボールＣ₁を浴びることは殆どな
い。

【００３０】その後、温度コントローラ１６は、ヒータ
の駆動を停止し、今度は水冷装置を駆動する。これによ
り、チャンバ１０の内部が冷却され、溶融半田Ｃは、徐
々に凝固し始める。

【００３１】そして、その後のステップ３０５において
は、溶融半田Ｃが完全に凝固する直前のタイミング(チ
ャンバ１０の内部温度が、約１８５℃から１９０℃程度
となったタイミング)で、圧力コントローラ１５は、真
空ポンプ１３のバルブ１３ａを閉め、今度は、排気管の
バルブを開放する。これにより、急激に、チャンバ１０
の内部圧力は大気圧まで増加する。その結果、溶融半田
Ｃが、基板Ａから発生し続けてくる気体を巻き込み気泡
を含んでいても、この気泡は、急激な圧力上昇によって
圧縮され、その形跡を殆ど残さない程度に縮小されるた
め、図４(Ｄ)に示すように、最終的に形成される半田接
合部にはボイドが殆ど残存しない。即ち、従来、除去し
きれなかったボイドをほぼ完全に除去することができ
る。

【００３２】その後、ステップ３０６において、冷却装
置でチャンバ１０の内部を常温まで冷却して、溶融半田
Ｃが完全に凝固するまで放置する。そして、最終的に、
基板Ａ自体の温度が常温まで冷却されたら、ステップ３
０７において、チャンバ１０の内部から基板Ａを取り出
し、更に、基板Ａ上から遮蔽装置８を取り外す。

【００３３】このように、本実施の形態に係る半田付け
方法によれば、迎え半田等の前処理を全く実行せずに、
且つ、予熱時間を全く延長させずに、より良好な半田接
合部を効率的に形成することが出来る。

【００３４】以上、基板Ａ上の部品搭載用パターンＡ₁
と、電子部品Ｂの端子パターンＢ₁とを半田接合する場
合を一例に挙げて説明したが、これ以外の他の部品同士
を半田接合する場合、例えば、基板上に放熱板を半田接
合する場合、パッケージを半田封止する場合であって
も、操作上に何ら特別な変更を要しないことは言うまで
もない。また、本実施の形態では、チャンバ１０の内部
温度等をセンサでインプロセス計測し、この計測結果に
基づいて、制御部１７が圧力コントローラ等を制御する
ようにしているが、必ずしも、このようにする必要はな
い。例えば、過去の経験に基づいて半田付け処理の時間
管理スケジュールを予め作成しておき、タイマで測定し
た半田付け処理開始時間からの経過時間だけに基づい
て、制御部１７が圧力コントローラ等を制御するように
しても構わない。

【００３５】ところで、本半田付け装置を使用すれば、
従来の半田付け方法により形成された不良な半田接合部
を修正することもできる。この場合には、チャンバ１０
内部の載置台１１上に不良な半田接合部で接合されてい
る部品等をそのまま載置して、図３のステップ３０１以
下に続く処理を実行すれるだけでよい。その結果、半田
接合部が加熱溶融され、その後に前述の場合と同様な効
果、即ち、チャンバ１０の内部の減圧力による脱泡効果
(ステップ３０４)と、チャンバ１０の内部の急激な圧力
上昇による気泡潰し効果(ステップ３０５)とが達成され
るため、不良な半田接合部の信頼性を簡単に回復させる
ことができる。尚、それが、半田ボールの飛散を防止す
る必要のあるような精密部品である場合には、前述の場
合と同様に遮蔽装置８を使用する必要がある。

【００３６】

【発明の効果】本発明に係る半田付け方法及び半田付け
装置によれば、より信頼性の高い半田接合部を効率的に
形成することが出来る。併せて、従来の半田付け方法に
よって形成された不良な半田接合部の信頼性をも容易に
回復させることができる。

【００３７】尚、フラックスを使用していないため、環
境に悪影響を与えることがないという効果もある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係る半田付け装置の基本
構成を説明するための図である。

【図２】図１の半田付け装置に使用される遮蔽装置の斜
視図である。

【図３】本発明の実施の形態に係る半田付け方法の手順
を示したフローチャートである。

【図４】本発明の実施の形態に係る半田付け方法を説明
するための図である。

【図５】従来の半田付け方法により形成されがちな不良
な半田接合部の断面図である。

【図６】前処理として迎え半田を実行する半田付け方法
を説明するための図である。

【符号の説明】

８…遮蔽装置１０…チャンバ１１…載置台１３…真空ポンプ１３ａ…バルブ１４…タンク１４ａ…配管１４ｂ…バルブ１５…圧力コントローラ１６…温度コントローラ１７…制御部

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【手続補正書】

【提出日】平成９年２月６日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】特許請求の範囲

【補正方法】変更

【補正内容】

【特許請求の範囲】

フロントページの続き (72)発明者田村光範神奈川県秦野市堀山下１番地株式会社日立製作所汎用コンピュータ事業部内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】雰囲気中で、２つの母材の間に介在する半
田を加熱溶融し、当該加熱溶融により前記２つの母材の
表面に濡れ広がった半田を凝固させて、前記２つの母材
の間に当該２つの母材の間を接合する半田接合部を形成
する半田付け方法であって、前記雰囲気として、大気よりも熱伝導率の高い気体で形
成された雰囲気を準備し、前記加熱溶融された半田の凝固に先立ち前記雰囲気の圧
力を減少させ、前記加熱溶融された半田の凝固と共に前
記雰囲気の圧力を急激に増加させることを特徴とする半
田付け方法。
【請求項２】請求項１記載の半田付け方法であって、前記気体は、大気よりも酸素濃度の低い気体であること
を特徴とする半田付け方法。
【請求項３】請求項１記載の半田付け方法であって、前記半田の近傍に当該半田の加熱溶融中に当該半田から
発生する半田ボールの飛散を遮るための部材を配置させ
た状態で、前記２つの母材の間を接合する半田接合部を
形成することを特徴とする半田付け方法。
【請求項４】載置台上で加熱処理される物体の位置ずれ
を防止するズレ防止方法であって、前記載置台と前記物体との間に通気性を保持した状態
で、前記物体を加熱処理することを特徴とするズレ防止
方法。
【請求項５】２つの母材の間に介在する半田を加熱溶融
し、当該加熱溶融により前記２つの母材の表面に濡れ広
がった半田を凝固させて、前記２つの母材の間に当該２
つの母材の間を接合する半田接合部を形成する半田付け
装置であって、前記２つの母材を収容するためのチャンバと、前記チャンバの内部に、大気よりも熱伝導率の高い気体
を充填する気体供給手段と、前記チャンバの内部の温度と圧力とを制御する制御手段
とを備えることを特徴とする半田付け装置。
【請求項６】請求項５記載の半田付け装置であって、前記気体は、大気よりも酸素濃度の低い気体であること
を特徴とする半田付け装置。
【請求項７】請求項５または６記載の半田付け装置であ
って、前記２つの母材を載置させるための載置台が前記チャン
バの内部に配置され、前記載置台には、前記２つの母材の内の一の母材と接触
すべき接触面から、当該接触面を除く他の面につながる
流体路が形成されていることを特徴とする半田付け装
置。
【請求項８】請求項５、６、７記載の半田付け装置であ
って、更に、前記半田の近傍の位置に配置するための部材を備
え、前記半田の加熱溶融中に、前記半田の近傍の位置に配置
された部材は、当該部材が配置された位置で前記半田か
ら発生する半田ボールの飛散を遮ること特徴とする半田
付け装置。