JP3455838B2 - 不活性ガス供給機構付ボンディングヘッド - Google Patents
不活性ガス供給機構付ボンディングヘッドInfo
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- JP3455838B2 JP3455838B2 JP02837897A JP2837897A JP3455838B2 JP 3455838 B2 JP3455838 B2 JP 3455838B2 JP 02837897 A JP02837897 A JP 02837897A JP 2837897 A JP2837897 A JP 2837897A JP 3455838 B2 JP3455838 B2 JP 3455838B2
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
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- H01L2224/757—Means for aligning
- H01L2224/75743—Suction holding means
- H01L2224/75745—Suction holding means in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップを回
路基板に電気的に加熱して接合するボンディング装置に
おけるボンディングヘッドの改良に関するものであり、
詳しくは加熱接合される部分の酸化を防止する機構を有
するボンディングヘッドに関するものである。 【０００２】 【従来の技術】従来より、半導体チップを回路基板上に
直接加熱して接合する方法の一例として半田による接合
がある。この接合では接合部の酸化による接合不良が発
生することが知られており、これを防止するため接合部
周辺を不活性ガスによりシールドする手段が採用されて
いる。 【０００３】この従来から知られている不活性ガスによ
る接合部のシールドは、図５に示すようにボンディング
ヘッド１の外部に設けられたガス配管２を使用し、不活
性ガスを供給するものであり、効果的に不活性ガスによ
るシールドを行なうため基板４の周囲の基板ステージ５
上に基板４を囲む囲い壁３を形成して半密閉構造とする
ことも行なわれている。 【０００４】ここで外部の不活性ガス供給部６よりシー
ルドのための不活性ガスを供給する際、ボンディングヘ
ッド１は加熱接合のため一定温度を保たなければならな
いが、不活性ガスが供給されることにより加熱部の温度
が均一とならないという問題を引き起こしていた。そこ
でボンディングヘッド１の加熱部２０と同様なガス温度
コントローラ２４をガス配管２の途中に設けることが必
要であった。 【０００５】又、ボンディングヘッド１と基板４の間は
通常０．３ミリメートル乃至３ミリメートル程度と非常
に小さな隙間であるため、効果的に不活性ガスによるシ
ールドをするためにはシールドガス配管ノズル位置の設
定や、その周囲に囲い壁３を形成して密閉状態とする必
要性があった。しかし、現実問題としては、従来利用さ
れていた図５のごとき構造では、接合部をシールドする
のに必要とされる酸素濃度に低減することのできるもの
ではなかった。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】本発明は、半導体チッ
プ７の接合部の不活性ガスによるシールドを確実に行な
えると同時にボンディングヘッド１のボンディングのた
めの加熱を利用して、供給される不活性ガスを加熱し、
特別に不活性ガスを加熱するためのガス温度コントロー
ラ２４を別途設ける必要もなく、且つ、接合後は半田硬
化スピードを向上させるため、ボンディングヘッド１や
接合部の冷却機能をも併せ持つ不活性ガス供給機構付ボ
ンディングヘッドを提供することを目的とする。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、加熱部を有するボンディングヘッドの下面
側の半導体保持領域外に所望数の不活性ガス供給穴を設
け、加熱部を貫通又はこれに接触し、不活性ガス供給穴
に不活性ガスを供給するガス通路を形成し、上記ガス通
路に不活性ガス供給量の切替可能な不活性ガス供給部を
接続し、加熱部の加熱停止指令に基づき不活性ガスの供
給量を変更することを特徴とする不活性ガス供給機構付
ボンディングヘッドを提供する。 【０００８】 【発明の実施の形態】以下、図面に従って本発明の実施
の形態につき説明する。図１は、不活性ガス供給機構付
きボンディングヘッドの一実施例の説明図であり、本実
施例は、加熱部２０を有するボンディングヘッド１と不
活性ガス供給部６とガス供給量制御装置８、及び加熱停
止後のボンディングヘッド１の加熱部２０の必要冷却温
度を感知する熱電対９とからなる。尚、図１中５は基板
ステージで、４が基板ステージ５上に配置される基板
で、７が基板４に接合される半導体チップである。 【０００９】ボンディングヘッド１の下面側すなわち半
導体チップ７の保持面側の半導体保持領域１０の外側に
所望数（図２の実施例では４個）の不活性ガス供給穴１
１が設けられている。実施例では、不活性ガス供給穴１
１は、ボンディングヘッド１の加熱部２０の下面に交換
可能に装着されるボンディングツール２１に設けられて
いるが、該ボンディングツール２１が加熱部２０と別体
である必要はなく、加熱部２０の下端面にボンディング
ツール部が一体として形成されたもので、その加熱部２
０の下面に不活性ガス供給穴１１が開けられたものであ
ってよい。尚、図２において半導体保持領域１０の中心
部に設けられている穴は半導体チップ吸着穴１２であ
り、図示されていない真空吸引装置が吸気通路１４（図
１、図３及び図４で一点鎖線で示されている）に連結さ
れ、半導体チップ７をボンディングヘッド１に吸着保持
する役目を有する。 【００１０】加熱部２０を有するボンディングヘッド１
の内部にはボンディングヘッド１の加熱部２０を貫通す
るガス通路１３が形成されている。ガス通路１３は不活
性ガス供給装置８から不活性ガス供給穴１１に不活性ガ
スを供給する。図１、図３及び図４でガス通路１３は点
線で示されている。 【００１１】図１及び図３に示されるガス通路１３は、
ボンディングヘッド１の加熱部２０の内部を貫通するも
のであるが、加熱部２０の熱源を利用できるものであれ
ば、内部を貫通するものだけでなく、加熱部２０の外周
に巻付けたガス通路１３や、単に加熱部２０に沿って形
成されたガス通路１３で有っても良い。尚、ガス通路１
３が加熱部２０に接するのみで貫通しないものの場合、
不活性ガス供給穴１１の役割は、ボンディングヘッド１
の下端部付近のガス通路１３端部開口部が担当する。 【００１２】尚、図３に示すようにボンディングヘッド
１の下端部の周囲に密閉用枠１５を形成することで、不
活性ガスによるシールドを効果的に行なうこともでき
る。 【００１３】上記ガス通路１３には、不活性ガス供給量
の切替可能な不活性ガス供給部６が接続されている。不
活性ガス供給部６は、ガス供給ポンプ１８と、高圧ガス
供給用の電磁弁１７、レギュレータ１６及び低圧ガス供
給用の電磁弁２７、レギュレータ２６を有している。図
１中上部の電磁弁１７とレギュレータ１６が高圧ガス供
給用で下部の電磁弁２７とレギュレータ２６が低圧ガス
供給用である。 【００１４】不活性ガス供給部６は、ボンディングヘッ
ド１の加熱停止指令に基づき不活性ガスの供給量を変更
するガス供給量制御装置８が接続されている。ガス供給
量の変更は実施例によれば高圧ガスの供給（強）と低圧
ガスの供給（弱）の２種類が設定されている。 【００１５】実施例の設定では、不活性ガス供給部６か
ら供給される不活性ガスは、窒素ガスを用い、不活性ガ
スの供給量としては強弱二段階とし、低圧ガス供給経路
を利用する弱で毎分１リットル、高圧ガス供給経路を利
用する強で毎分３０リットルとする。他方、熱電対９が
感知する設定温度としては半田が硬化する摂氏１８０度
とする。 【００１６】第一実施例の動作に付いて説明する。ま
ず、第一に、ボンディングを開始する。この時、ボンデ
ィングヘッド１の加熱部２０の加熱も開始し、不活性ガ
スは弱にて供給される。弱で供給される不活性ガスは流
量が小さく流速も遅いのでガス通路１３を移動中にボン
ディングヘッド１の加熱部２０により充分加熱される。 【００１７】第二に、ボンディングための加熱に必要な
所定時間経過後、ボンディングヘッド１の加熱部２０の
加熱は停止する。第三に、ガス供給量制御装置８がボン
ディングヘッド１の加熱部２０の加熱停止指令を受け、
不活性ガスを強に切替え供給する。強で供給される不活
性ガスは、流量も多く流速も速いのでガス通路１３を移
動中に加熱停止となった加熱部２０及びボンディングヘ
ッド１を冷却させる。第四に、ボンディングヘッド１の
温度感知センサとなる熱電対９により所定温度（前記設
定例では摂氏１８０度）が検出されたら不活性ガスの供
給を停止する。そして、第五に、ボンディングヘッド１
が上昇しボンディング動作は終了する。 【００１８】次に図４に示す第二実施例の動作に付いて
説明する。第一に、ボンディング開始する。この時、不
活性ガスは弱にて供給される。ボンディングための加熱
の必要な所定時間経過後、ボンディングヘッド１の加熱
部２０の加熱を停止する。第三に、不活性ガスを強に切
替え供給する。次に第二実施例では熱電対９がボンディ
ングヘッド１の加熱部２０に付設されていないので、タ
イマー１９により設定された所定時間（加熱部２０が摂
氏１８０度になるための時間）経過後、不活性ガスの供
給を停止する。そして、第五に、ボンディングヘッド１
が上昇しボンディング動作は終了する。 【００１９】尚、不活性ガスの弱から強への切り換えの
タイミングは、加熱部２０の加熱停止指令を受け直ちに
行われる場合と、加熱停止指令を受けた後一定時間の経
過を待って行われる場合とがある。一定時間の経過後の
切り換えは、第一実施例の場合であれば、熱電対９が所
定温度（摂氏１８０度以上の設定温度）を検出するまで
待機し、所定温度を検出した時点で切り換えが行われ
る。又、第二実施例では観測された前記温度に至る所定
時間をタイマー１９に設定し、所定時間が経過した後、
切り換えが行われる。 【００２０】 【発明の効果】本発明は、次のような効果を発揮する。
第一に本発明は、加熱部を有するボンディングヘッドの
下面側の半導体保持領域外に所望数の不活性ガス供給穴
を設けたため、ボンディングヘッドの周囲を密閉構造と
しなくとも接合部を有効に不活性ガスによりシールドで
き、半田の酸化を確実に防止できるものとなった。 【００２１】特に、現実問題としては、ボンディングヘ
ッドと基板の間は通常０．３ミリメートル及至３ミリメ
ートル程度であるため、シールドすべき範囲が狭く少量
の不活性ガスで効果的な接合部のシールドが行なえるも
のとなった。 【００２２】第二に本発明は、ボンディングヘッドの加
熱部を貫通又はこれに接触するガス通路を設け、不活性
ガス供給穴に不活性ガスを供給するもの、視点を変えれ
ば、基板上のボンディング部に不活性ガスを供給するも
のあるので、ボンディングヘッドにより不活性ガスが加
熱され、不活性ガスを半導体とほぼ同等の温度にコント
ロールすることが可能となり、特別に加熱制御しなくて
も接合部の温度の均一性が可能となった。すなわち、シ
ールドガス専用の温度コントロールが不要となったので
ある。 【００２３】第三に本発明は、ガス通路に不活性ガス供
給量の切替可能な不活性ガス供給部を接続し、ボンディ
ングヘッドの加熱部の加熱停止指令に基づき不活性ガス
の供給量を変更することを可能としため、加熱部の加熱
停止の後、不活性ガスの供給量を増加させることによ
り、ボンディングヘッド、ツールの蓄熱を放出でき、半
田の硬化を早めることができるものとなった。すなわ
ち、本発明は不活性ガスによる接合部のシールドだけで
なく、ガスの流量、流速を高くすることで加熱部やボン
ディングヘッド全体の冷却にも使用できるものとなっ
た。
路基板に電気的に加熱して接合するボンディング装置に
おけるボンディングヘッドの改良に関するものであり、
詳しくは加熱接合される部分の酸化を防止する機構を有
するボンディングヘッドに関するものである。 【０００２】 【従来の技術】従来より、半導体チップを回路基板上に
直接加熱して接合する方法の一例として半田による接合
がある。この接合では接合部の酸化による接合不良が発
生することが知られており、これを防止するため接合部
周辺を不活性ガスによりシールドする手段が採用されて
いる。 【０００３】この従来から知られている不活性ガスによ
る接合部のシールドは、図５に示すようにボンディング
ヘッド１の外部に設けられたガス配管２を使用し、不活
性ガスを供給するものであり、効果的に不活性ガスによ
るシールドを行なうため基板４の周囲の基板ステージ５
上に基板４を囲む囲い壁３を形成して半密閉構造とする
ことも行なわれている。 【０００４】ここで外部の不活性ガス供給部６よりシー
ルドのための不活性ガスを供給する際、ボンディングヘ
ッド１は加熱接合のため一定温度を保たなければならな
いが、不活性ガスが供給されることにより加熱部の温度
が均一とならないという問題を引き起こしていた。そこ
でボンディングヘッド１の加熱部２０と同様なガス温度
コントローラ２４をガス配管２の途中に設けることが必
要であった。 【０００５】又、ボンディングヘッド１と基板４の間は
通常０．３ミリメートル乃至３ミリメートル程度と非常
に小さな隙間であるため、効果的に不活性ガスによるシ
ールドをするためにはシールドガス配管ノズル位置の設
定や、その周囲に囲い壁３を形成して密閉状態とする必
要性があった。しかし、現実問題としては、従来利用さ
れていた図５のごとき構造では、接合部をシールドする
のに必要とされる酸素濃度に低減することのできるもの
ではなかった。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】本発明は、半導体チッ
プ７の接合部の不活性ガスによるシールドを確実に行な
えると同時にボンディングヘッド１のボンディングのた
めの加熱を利用して、供給される不活性ガスを加熱し、
特別に不活性ガスを加熱するためのガス温度コントロー
ラ２４を別途設ける必要もなく、且つ、接合後は半田硬
化スピードを向上させるため、ボンディングヘッド１や
接合部の冷却機能をも併せ持つ不活性ガス供給機構付ボ
ンディングヘッドを提供することを目的とする。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、加熱部を有するボンディングヘッドの下面
側の半導体保持領域外に所望数の不活性ガス供給穴を設
け、加熱部を貫通又はこれに接触し、不活性ガス供給穴
に不活性ガスを供給するガス通路を形成し、上記ガス通
路に不活性ガス供給量の切替可能な不活性ガス供給部を
接続し、加熱部の加熱停止指令に基づき不活性ガスの供
給量を変更することを特徴とする不活性ガス供給機構付
ボンディングヘッドを提供する。 【０００８】 【発明の実施の形態】以下、図面に従って本発明の実施
の形態につき説明する。図１は、不活性ガス供給機構付
きボンディングヘッドの一実施例の説明図であり、本実
施例は、加熱部２０を有するボンディングヘッド１と不
活性ガス供給部６とガス供給量制御装置８、及び加熱停
止後のボンディングヘッド１の加熱部２０の必要冷却温
度を感知する熱電対９とからなる。尚、図１中５は基板
ステージで、４が基板ステージ５上に配置される基板
で、７が基板４に接合される半導体チップである。 【０００９】ボンディングヘッド１の下面側すなわち半
導体チップ７の保持面側の半導体保持領域１０の外側に
所望数（図２の実施例では４個）の不活性ガス供給穴１
１が設けられている。実施例では、不活性ガス供給穴１
１は、ボンディングヘッド１の加熱部２０の下面に交換
可能に装着されるボンディングツール２１に設けられて
いるが、該ボンディングツール２１が加熱部２０と別体
である必要はなく、加熱部２０の下端面にボンディング
ツール部が一体として形成されたもので、その加熱部２
０の下面に不活性ガス供給穴１１が開けられたものであ
ってよい。尚、図２において半導体保持領域１０の中心
部に設けられている穴は半導体チップ吸着穴１２であ
り、図示されていない真空吸引装置が吸気通路１４（図
１、図３及び図４で一点鎖線で示されている）に連結さ
れ、半導体チップ７をボンディングヘッド１に吸着保持
する役目を有する。 【００１０】加熱部２０を有するボンディングヘッド１
の内部にはボンディングヘッド１の加熱部２０を貫通す
るガス通路１３が形成されている。ガス通路１３は不活
性ガス供給装置８から不活性ガス供給穴１１に不活性ガ
スを供給する。図１、図３及び図４でガス通路１３は点
線で示されている。 【００１１】図１及び図３に示されるガス通路１３は、
ボンディングヘッド１の加熱部２０の内部を貫通するも
のであるが、加熱部２０の熱源を利用できるものであれ
ば、内部を貫通するものだけでなく、加熱部２０の外周
に巻付けたガス通路１３や、単に加熱部２０に沿って形
成されたガス通路１３で有っても良い。尚、ガス通路１
３が加熱部２０に接するのみで貫通しないものの場合、
不活性ガス供給穴１１の役割は、ボンディングヘッド１
の下端部付近のガス通路１３端部開口部が担当する。 【００１２】尚、図３に示すようにボンディングヘッド
１の下端部の周囲に密閉用枠１５を形成することで、不
活性ガスによるシールドを効果的に行なうこともでき
る。 【００１３】上記ガス通路１３には、不活性ガス供給量
の切替可能な不活性ガス供給部６が接続されている。不
活性ガス供給部６は、ガス供給ポンプ１８と、高圧ガス
供給用の電磁弁１７、レギュレータ１６及び低圧ガス供
給用の電磁弁２７、レギュレータ２６を有している。図
１中上部の電磁弁１７とレギュレータ１６が高圧ガス供
給用で下部の電磁弁２７とレギュレータ２６が低圧ガス
供給用である。 【００１４】不活性ガス供給部６は、ボンディングヘッ
ド１の加熱停止指令に基づき不活性ガスの供給量を変更
するガス供給量制御装置８が接続されている。ガス供給
量の変更は実施例によれば高圧ガスの供給（強）と低圧
ガスの供給（弱）の２種類が設定されている。 【００１５】実施例の設定では、不活性ガス供給部６か
ら供給される不活性ガスは、窒素ガスを用い、不活性ガ
スの供給量としては強弱二段階とし、低圧ガス供給経路
を利用する弱で毎分１リットル、高圧ガス供給経路を利
用する強で毎分３０リットルとする。他方、熱電対９が
感知する設定温度としては半田が硬化する摂氏１８０度
とする。 【００１６】第一実施例の動作に付いて説明する。ま
ず、第一に、ボンディングを開始する。この時、ボンデ
ィングヘッド１の加熱部２０の加熱も開始し、不活性ガ
スは弱にて供給される。弱で供給される不活性ガスは流
量が小さく流速も遅いのでガス通路１３を移動中にボン
ディングヘッド１の加熱部２０により充分加熱される。 【００１７】第二に、ボンディングための加熱に必要な
所定時間経過後、ボンディングヘッド１の加熱部２０の
加熱は停止する。第三に、ガス供給量制御装置８がボン
ディングヘッド１の加熱部２０の加熱停止指令を受け、
不活性ガスを強に切替え供給する。強で供給される不活
性ガスは、流量も多く流速も速いのでガス通路１３を移
動中に加熱停止となった加熱部２０及びボンディングヘ
ッド１を冷却させる。第四に、ボンディングヘッド１の
温度感知センサとなる熱電対９により所定温度（前記設
定例では摂氏１８０度）が検出されたら不活性ガスの供
給を停止する。そして、第五に、ボンディングヘッド１
が上昇しボンディング動作は終了する。 【００１８】次に図４に示す第二実施例の動作に付いて
説明する。第一に、ボンディング開始する。この時、不
活性ガスは弱にて供給される。ボンディングための加熱
の必要な所定時間経過後、ボンディングヘッド１の加熱
部２０の加熱を停止する。第三に、不活性ガスを強に切
替え供給する。次に第二実施例では熱電対９がボンディ
ングヘッド１の加熱部２０に付設されていないので、タ
イマー１９により設定された所定時間（加熱部２０が摂
氏１８０度になるための時間）経過後、不活性ガスの供
給を停止する。そして、第五に、ボンディングヘッド１
が上昇しボンディング動作は終了する。 【００１９】尚、不活性ガスの弱から強への切り換えの
タイミングは、加熱部２０の加熱停止指令を受け直ちに
行われる場合と、加熱停止指令を受けた後一定時間の経
過を待って行われる場合とがある。一定時間の経過後の
切り換えは、第一実施例の場合であれば、熱電対９が所
定温度（摂氏１８０度以上の設定温度）を検出するまで
待機し、所定温度を検出した時点で切り換えが行われ
る。又、第二実施例では観測された前記温度に至る所定
時間をタイマー１９に設定し、所定時間が経過した後、
切り換えが行われる。 【００２０】 【発明の効果】本発明は、次のような効果を発揮する。
第一に本発明は、加熱部を有するボンディングヘッドの
下面側の半導体保持領域外に所望数の不活性ガス供給穴
を設けたため、ボンディングヘッドの周囲を密閉構造と
しなくとも接合部を有効に不活性ガスによりシールドで
き、半田の酸化を確実に防止できるものとなった。 【００２１】特に、現実問題としては、ボンディングヘ
ッドと基板の間は通常０．３ミリメートル及至３ミリメ
ートル程度であるため、シールドすべき範囲が狭く少量
の不活性ガスで効果的な接合部のシールドが行なえるも
のとなった。 【００２２】第二に本発明は、ボンディングヘッドの加
熱部を貫通又はこれに接触するガス通路を設け、不活性
ガス供給穴に不活性ガスを供給するもの、視点を変えれ
ば、基板上のボンディング部に不活性ガスを供給するも
のあるので、ボンディングヘッドにより不活性ガスが加
熱され、不活性ガスを半導体とほぼ同等の温度にコント
ロールすることが可能となり、特別に加熱制御しなくて
も接合部の温度の均一性が可能となった。すなわち、シ
ールドガス専用の温度コントロールが不要となったので
ある。 【００２３】第三に本発明は、ガス通路に不活性ガス供
給量の切替可能な不活性ガス供給部を接続し、ボンディ
ングヘッドの加熱部の加熱停止指令に基づき不活性ガス
の供給量を変更することを可能としため、加熱部の加熱
停止の後、不活性ガスの供給量を増加させることによ
り、ボンディングヘッド、ツールの蓄熱を放出でき、半
田の硬化を早めることができるものとなった。すなわ
ち、本発明は不活性ガスによる接合部のシールドだけで
なく、ガスの流量、流速を高くすることで加熱部やボン
ディングヘッド全体の冷却にも使用できるものとなっ
た。
【図面の簡単な説明】
【図１】不活性ガス供給機構付きボンディングヘッドの
一実施例の説明図 【図２】ボンディングヘッドの底面図 【図３】密閉用枠付きボンディングヘッドの側面図 【図４】不活性ガス供給機構付きボンディングヘッドの
他実施例の説明図 【図５】従来のボンディングヘッドと不活性ガス供給装
置の関係を示す説明図 【符号の説明】 １．．．．．．ボンディングヘッド ２．．．．．．ガス配管 ３．．．．．．囲い壁 ４．．．．．．基板 ５．．．．．．基板ステージ ６．．．．．．不活性ガス供給部 ７．．．．．．半導体チップ ８．．．．．．ガス供給量制御装置 ９．．．．．．熱電対 １０．．．．．半導体保持領域 １１．．．．．不活性ガス供給穴 １２．．．．．半導体チップ吸着穴 １３．．．．．ガス通路 １４．．．．．吸気通路 １５．．．．．密閉用枠 １６、２６．．レギュレータ １７、２７．．電磁弁 １８．．．．．ガス供給ポンプ １９．．．．．タイマー ２０．．．．．加熱部 ２１．．．．．ボンディングツール ２４．．．．．ガス温度コントローラ
一実施例の説明図 【図２】ボンディングヘッドの底面図 【図３】密閉用枠付きボンディングヘッドの側面図 【図４】不活性ガス供給機構付きボンディングヘッドの
他実施例の説明図 【図５】従来のボンディングヘッドと不活性ガス供給装
置の関係を示す説明図 【符号の説明】 １．．．．．．ボンディングヘッド ２．．．．．．ガス配管 ３．．．．．．囲い壁 ４．．．．．．基板 ５．．．．．．基板ステージ ６．．．．．．不活性ガス供給部 ７．．．．．．半導体チップ ８．．．．．．ガス供給量制御装置 ９．．．．．．熱電対 １０．．．．．半導体保持領域 １１．．．．．不活性ガス供給穴 １２．．．．．半導体チップ吸着穴 １３．．．．．ガス通路 １４．．．．．吸気通路 １５．．．．．密閉用枠 １６、２６．．レギュレータ １７、２７．．電磁弁 １８．．．．．ガス供給ポンプ １９．．．．．タイマー ２０．．．．．加熱部 ２１．．．．．ボンディングツール ２４．．．．．ガス温度コントローラ
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(56)参考文献 特開 平９−312314（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−124980（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−236298（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−162501（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−17973（ＪＰ，Ａ)
特開 昭57−126143（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−47846（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−47824（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−302446（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/60
H01L 21/603
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】加熱部を有するボンディングヘッドの下面
側の半導体保持領域外に所望数の不活性ガス供給穴を設
け、加熱部を貫通又はこれに接触し、不活性ガス供給穴
に不活性ガスを供給するガス通路を形成し、上記ガス通
路に不活性ガス供給量の切替可能な不活性ガス供給部を
接続し、加熱部の加熱停止指令に基づき不活性ガスの供
給量を変更することを特徴とする不活性ガス供給機構付
ボンディングヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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