JP3426740B2

JP3426740B2 - 半導体集積回路装置の製造方法

Info

Publication number: JP3426740B2
Application number: JP26212994A
Authority: JP
Inventors: 義之谷川; 明彦成沢
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1994-10-26
Filing date: 1994-10-26
Publication date: 2003-07-14
Anticipated expiration: 2018-07-14
Also published as: JPH08124964A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ボンディング方法およ
び装置技術に関し、特に、テープキャリヤボンディング
方式において用いるインナーリードボンダに適用して有
効な技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路装置の組立工程で用いら
れるインナーリードボンダ等のようなボンディング装置
については、例えば株式会社工業調査会、昭和６０年１
１月２０日発行、「電子材料別冊１９８６年版超Ｌ
ＳＩ製造・試験装置ガイドブック」Ｐ１５４〜Ｐ１５９
に記載がある。

【０００３】インナーリードボンダは、半導体チップの
バンプ電極と、テープキャリヤのインナーリード部とを
接合するためのボンディング装置であり、このバンプ電
極とインナーリード部との接合工程に際しては、以下の
ようにしている。

【０００４】まず、半導体チップをボンディングステー
ジ上に載置する。この際、半導体チップのバンプ電極形
成面を上向きとする。続いて、半導体チップのバンプ電
極上に、テープキャリヤのインナーリード部の端部が配
置されるように位置合わせする。その後、半導体チップ
の直上からボンディングツールを下降してインナーリー
ド部を半導体チップのバンプ電極に押し付けるととも
に、それらの接合部に所定量の熱を加えてバンプを溶融
することにより、半導体チップとインナーリード部とを
接合する。

【０００５】ところで、本発明者は、インナーリードボ
ンディング工程時において、インナーリード部とバンプ
電極との接合部に加える熱の加熱技術について検討し
た。その検討されたボンディング工程における加熱技術
によれば、インナーリード部とバンプ電極との接合に際
してそれらの接合部に供給される熱は、ボンディングツ
ール側から、すなわち、半導体チップの主面側から供給
されるようになっている。

【０００６】この際、半導体チップを載置するボンディ
ングステージにもボンディングツールからの熱を逃げ難
くするために多少の熱を加えているが、ボンディングツ
ール側から供給される熱の温度、すなわち、半導体チッ
プの主面側からの加熱温度の方が、ボンディングステー
ジ側から供給される熱の温度、すなわち、半導体チップ
裏面側からの加熱温度よりも高く設定されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記ボンデ
ィング工程時における加熱方式においては、以下の問題
があることを本発明者は見い出した。

【０００８】すなわち、上記加熱方式の場合、半導体チ
ップ主面側の加熱温度の方が、半導体チップ裏面側の加
熱温度よりも高いために、インナーリード部に施されて
いるメッキが、加熱供給源であるボンディングツールの
押圧面に付着する問題がある。

【０００９】このボンディングツールの押圧面に付着し
たメッキ材は、通常、酸化物となるが、この酸化物は熱
伝導が悪いためにツール押圧面の温度を下げてしまう結
果、その接合の際の熱不足に起因してリードのメッキ材
料とバンプ電極のバンプ材料との化合状態が不充分とな
る（以下、メッキ材料−バンプ材料溜りという）現象や
インナーリード部が剥離する現象等のような接合不良が
発生する問題がある。

【００１０】そこで、このような問題の対策のためにボ
ンディングツールの押圧面を定期的にクリーニングして
いる。ところが、この酸化物は簡単には除去できないの
で、ボンディングツールのクリーニングに際しては、一
旦、ボンディング装置の駆動を止めて、ボンディングツ
ールの加重を下げ、そのツールの押圧面を耐熱性サンド
ペーパーもしくは荒い砥石等に接触させた状態で上下左
右方向に動かすことによってその酸化物を除去してい
る。このため、ボンディング処理効率が著しく低下する
という問題がある。

【００１１】本発明の目的は、テープキャリヤボンディ
ング方式におけるリードとバンプ電極との接合不良を防
止することのできる技術を提供することにある。

【００１２】本発明の他の目的は、テープキャリヤボン
ディング方式におけるボンディング処理効率を向上させ
ることのできる技術を提供することにある。

【００１３】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、明細書の記述および添付図面から明らかにな
るであろう。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００１５】すなわち、本発明の半導体集積回路装置の
製造方法は、ボンディングツールを用いて、テープに形
成されたリードの一部を半導体チップ主面のバンプ電極
に接続するボンディング方法により半導体集積回路装置
を製造する製造方法であって、加熱手段を有するボンデ
ィングステージ上に前記半導体チップを載置して、前記
リードの一部と前記バンプ電極とを位置合わせする工程
と、前記半導体チップ裏面側の加熱温度が前記半導体チ
ップ主面側の加熱温度以上になるように前記ボンディン
グステージからの加熱及び前記ボンディングツールから
の加熱を行う工程と、前記半導体チップ裏面側の加熱温
度が前記半導体チップ主面側の加熱温度以上の状態で前
記リード上方から前記ボンディングツールを押し付けて
前記リードの一部と前記バンプ電極とを接合する工程と
を有するものである。

【００１６】

【作用】上記した本発明の半導体集積回路装置の製造方
法によれば、前記所定基板の裏面側から前記リードと前
記電極との接合部に熱を供給することにより、ボンディ
ングツールの押圧面にリード表面に施されたメッキ材料
が付着してしまう量を低減することが可能となる。

【００１７】また、仮に、そのメッキ材料が付着したと
しても接合に必要な熱を供給するのは所定基板の裏面側
からであり接合部には接合に必要な熱を充分に供給する
ことができるので、接合部への供給熱不足に起因するメ
ッキ材料−バンプ材料溜りやインナーリード部の剥離等
のような接合不良を防止することができる。

【００１８】また、リードとバンプ電極との接合に際し
て、その接合に必要な温度が不足することがないので、
ボンディングツールの押圧面を清浄化するためのクリー
ニング工程を低減あるいは廃止することが可能となる。
このため、ボンディング処理におけるスループットを向
上させることが可能となる。

【００１９】さらに、前記所定基板の裏面側から前記リ
ードと前記電極との接合部に熱を供給することにより、
ボンディングツールの加熱温度を低下させることができ
るとともに、クリーニング工程を低減あるいは廃止する
ことができるので、ボンディングツールの寿命を向上さ
せることが可能となる。

【００２０】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。

【００２１】（実施例１）図１および図２は本発明の一
実施例であるボンディング装置の説明図、図３はテープ
キャリヤの要部平面図、図４は図３のIV−IV線の断面
図、図５〜図７はボンディング方法を説明するための説
明図、図８および図９はボンディング工程時における作
用を説明するための説明図である。

【００２２】図１および図２に示す本実施例のボンディ
ング装置１は、例えばテープキャリヤボンディング方式
において用いられるインナーリードボンダである。

【００２３】架台２の上には、Ｘ−Ｙステージ３ａ、θ
ステージ３ｂおよびボンディングステージ３ｃが下方か
ら順に設置されている。そのうち、Ｘ−Ｙステージ３ａ
およびθステージ３ｂは、ＸＹθステージ制御回路３ｄ
によって、ステージ移動量が制御されるようになってい
る。

【００２４】ボンディングステージ３ｃの上には、半導
体チップ（所定基板）４が、その主面に形成されたバン
プ電極４ａを上に向けた状態で、ボンディングステージ
３ｃ上に載置され、ボンディングステージ３ｃの真空吸
引口３ｃ1 からの真空吸引力によって保持されている。
バンプ電極４ａは、例えば金（Ａｕ）等からなる。

【００２５】ところで、本実施例１においては、ボンデ
ィングステージ３ｃに、例えばヒータ（加熱手段）およ
び熱電対が設けられている。このヒータは、インナリー
ドボンディング工程に際して、半導体チップ４の裏面側
を加熱し、その裏面側から半導体チップ４の主面側のバ
ンプ接合部に対して、その接合に必要な熱を供給するた
めの構成部である。

【００２６】そして、ボンディング工程に際して、ボン
ディングステージ３ｃの温度Ｔ1 がボンディングツール
５の温度Ｔ2 以上に設定されるようになっており、これ
により、半導体チップ４の裏面側の加熱温度ｔ1 が半導
体チップ４の主面側の加熱温度ｔ2 以上に設定されるよ
うになっている。

【００２７】すなわち、本実施例１においては、バンプ
接合に必要な熱を半導体チップ４の裏面側から供給する
ので、ボンディングツール５の押圧面に多少汚れが生じ
熱伝導率が低下したとしても、バンプ接合部分での接合
不良が生じないようになっている。

【００２８】また、ボンディングツール５の押圧面が多
少汚れていても接合不良が生じないので、ボンディング
ツール５の押圧面のクリーニングの頻度を大幅に低減あ
るいは廃止できる。

【００２９】このため、従来は、ボンディングツール５
の押圧面に付着したＳｎ酸化物等は簡単に除去できない
ので、ボンディングツール５をクリーニングする際に、
ボンディング装置１の駆動を一旦止めてボンディングツ
ール５をボンディング位置から外した後、そのボンディ
ングツール５の押圧面を耐熱性サンドペーパや荒い砥石
等に接触させた状態で上下左右に移動させることによっ
てボンディングツール５の押圧面の汚れを除去するよう
にしていたが、本実施例１においては、そのような手間
のかかるクリーニング処理工程を低減あるいは廃止でき
るので、ボンディング工程時におけるスループットを大
幅に向上させることが可能となっている。

【００３０】さらに、従来は、ボンディングツール５を
クリーニングする際に、ボンディングツール５の押圧面
に耐熱性サンドペーパや荒い砥石等を擦り付けるように
していたが、本実施例１においては、そのようなボンデ
ィングツール５の劣化の主要因となっていたツールクリ
ーニング処理を低減あるいは廃止できるので、ボンディ
ングツール５の寿命を延ばすことが可能となる。

【００３１】なお、半導体チップ４は、チップ供給機構
（図示せず）によってボンディングステージ３ｃ上に載
置されるようになっている。

【００３２】ボンディング装置１においてボンディング
ステージ３ｃの上方には、ボンディングツール５が配置
されている。ボンディングツール５は、テープキャリヤ
６に設けられたリード７の先端のインナーリード部７ａ
と、半導体チップ４の主面に形成されたバンプ電極４ａ
とを接合するための構成部である。

【００３３】ボンディングツール５には、ヒータおよび
熱電対が設けられており、ボンディング処理の際のツー
ル温度を調節できるようになっている。ただし、本実施
例１においては、上記したようにインナーリード部７ａ
とバンプ電極４ａとの接合に必要な熱を供給するのは、
半導体チップ４の裏面側のボンディングステージ３ｃか
らである。

【００３４】なお、このボンディングツール５は、例え
ばボンディングツール５の押圧面の平坦度を調整する際
やリード７とバンプ電極４ａとのアライメント工程の際
に、ボンディング位置から移動できるように、水平面内
で移動可能なＸ−Ｙテーブル（図示せず）に固定されて
いる。また、図示はしないが、ボンディングステージ３
ｃの上方には、接合前のインナーリード部７ａとバンプ
電極４ａとの位置関係を検出する光学系が設けられてい
る。

【００３５】また、ボンディング装置１には、オープン
ショートチェッカ８が設置されている。これは、テープ
キャリヤ６上に搭載された半導体チップ４の電気的特性
を検査するための回路部である。

【００３６】オープンショートチェッカ８は、プローブ
８ａと電気的に接続されている。プローブ８ａには、複
数の検査用の針が設けられており、これをテープキャリ
ヤ６のインナーリード部７ａの後述するテストパッドに
接触させることにより半導体チップ４の良否および電気
的特性等を検査することが可能となっている。

【００３７】また、オープンショートチェッカ８は、マ
イコン９と電気的に接続されている。マイコン９は、ボ
ンディング装置１の全体を制御するための主制御部であ
り、種々の制御があるが、例えば以下のような制御が可
能となっている。

【００３８】第１に、ボンディング工程時におけるボン
ディングツール５とボンディングステージ３ｃとの温度
設定を行うことが可能となっている。

【００３９】第２に、接合前のインナーリード部７ａと
バンプ電極４ａとの位置関係を検出する光学系からの位
置合わせ情報に基づいて位置補正量を算出し、その結果
を位置補正信号としてＸＹθステージ制御回路３ｄに伝
送することにより各ステージ３ａ，３ｂを駆動させて、
テープキャリヤ６のインナーリード部７ａと、ボンディ
ングステージ３ｃ上の半導体チップ４のバンプ電極４ａ
とを位置合わせすることが可能となっている。

【００４０】第３に、オープンショートチェッカ８から
伝送された検査信号に基づいて半導体集積回路装置の電
気的特性等を測定し、操作者に理解できる状態にして出
力することが可能となっている。

【００４１】なお、マイコン９は、例えばキーボード等
のような操作卓１０と電気的に接続されており、操作卓
１０から所定の情報を入力することが可能となってい
る。

【００４２】また、ボンディング装置１の架台２の上方
には、供給リール１１ａ、ローラ１１ｂ、スプロケット
ホイール１１ｃおよび巻取りリール１１ｄが設けられて
いる。供給リール１１ａには、例えばポリイミド樹脂か
らなるテープキャリヤ６が収納されている。巻取りリー
ル１１ｄには、半導体チップ４が実装されたテープキャ
リヤ６が収納されるようになっている。

【００４３】ここで、半導体チップ４が実装されたテー
プキャリヤ６の平面図および断面図をそれぞれ図３およ
び図４に示す。

【００４４】テープキャリヤ６の中央部には、四角形状
のデバイス孔６ａが、テープキャリヤ６の長手方向に沿
って一定の間隔をおいて複数穿孔されている。また、テ
ープキャリヤ６の側縁部の近傍には、スプロケット孔６
ｂが一定の間隔をおいて複数穿孔されている。

【００４５】テープキャリヤ６の主面上には、例えば銅
の表面にスズ（Ｓｎ）メッキ処理が施されてなるリード
７がデバイス孔６ａの外周に沿って複数形成されてい
る。そして、リード７の一端のインナーリード部７ａ
は、デバイス孔６ａ内に突出され、デバイス孔６ａ内に
配置された半導体チップ４のバンプ電極４ａと電気的に
接続されている。

【００４６】また、リード７の他端には、テストパッド
７ｂが形成されている。テストパッド７ｂは、例えばイ
ンナーリード部７ａとバンプ電極４ａとの導通状態を検
査する際に、プローブ８ａ（図１参照）のプローブ針が
当接される領域である。

【００４７】なお、テープキャリヤ６は、そのスプロケ
ット孔６ｂ内に上記したボンディング装置１のスプロケ
ットホイール１１ｄの外周に突設された送り爪部（図示
せず）が嵌合された状態で、スプロケットホイール１１
ｄを回転させることによって搬送されるようになってい
る。

【００４８】次に、本実施例１のボンディング方法を図
１および図５〜図７により説明する。

【００４９】まず、図５に示すように、半導体チップ４
をボンディングステージ３ｃ上に載置する。この際、半
導体チップ４の主面、すなわち、バンプ電極４ａが形成
された面を上に向けた状態とする。

【００５０】続いて、図６に示すように、ボンディング
装置１の光学系によってテープキャリヤ６の接合前のイ
ンナーリード部７ａと、半導体チップ４のバンプ電極４
ａとの位置関係を検出し、この検出された位置検出情報
に基づいてＸＹθステージ制御回路３ｄを制御してステ
ージ３ａ〜３ｃの位置設定を行うことによりインナーリ
ード部７ａとバンプ電極４ａとの位置合わせを行う。

【００５１】その後、図７に示すように、ボンディング
ツール５を半導体チップ４の直上に移動し、ボンディン
グツール５の温度およびボンディングステージ３ｃの温
度を所定値に設定した後、ボンディングツール１０を下
降し、インナーリード部７ａを押圧・加熱してバンプを
溶融することによりインナーリード部７ａとバンプ電極
４ａとを接合する。

【００５２】この際、本実施例１においては、ボンディ
ングステージ３ｃの温度Ｔ1 をボンディングツール５の
温度Ｔ2 以上に設定することにより、半導体チップ４の
裏面側の加熱温度ｔ1 を半導体チップ４の主面側の加熱
温度ｔ2 以上に設定する。

【００５３】そして、本実施例１においては、図８に示
すように、ボンディング工程に際して、バンプ接合に必
要な熱Ａを、半導体チップ４の裏面側から供給する。な
お、Ｂはボンディングツール５側からの熱を示してい
る。

【００５４】したがって、図９に示すように、ボンディ
ングツール５の押圧面が、Ｓｎ酸化物等からなる付着物
１２によって汚れてしまいボンディングツール５側から
の熱Ｂの伝導率が低下したとしても、熱の不足に起因す
るバンプ接合部分での接合不良が生じないようになって
いる。

【００５５】また、ボンディングツール５の押圧面が多
少汚れていても接合不良が生じないので、ボンディング
ツール５の押圧面のクリーニングの頻度を大幅に低減あ
るいは廃止できる。したがって、ボンディング工程時に
おけるスループットを大幅に向上させることが可能とな
っている。

【００５６】ボンディング処理の終了した半導体チップ
４は、テープキャリヤ６に実装されたまま搬送され、テ
ープキャリヤ６ごと巻取りリール１１ｄに巻取られる。

【００５７】このように、本実施例１によれば、以下の
効果を得ることが可能となる。

【００５８】(1).バンプ接合に必要な熱を半導体チップ
４の裏面側から供給することにより、ボンディングツー
ル５の押圧面に多少汚れが生じボンディングツール５側
からバンプ接合部への熱の伝導率が低下したとしても、
それに関係無くインナーリード部７ａとバンプ電極４ａ
とを良好に接合することが可能となる。

【００５９】(2).上記(1) により、テープキャリヤ６上
のインナーリード部７ａと半導体チップ４のバンプ電極
４ａとの接合状態を良好にすることができるので、本実
施例１のテープキャリヤボンディング方式によって製造
される半導体集積回路装置の信頼性および歩留りを向上
させることが可能となる。

【００６０】(3).バンプ接合に必要な熱を半導体チップ
４の裏面側から供給することにより、ボンディングツー
ル５の加熱温度を低下させることが可能となる。

【００６１】(4).上記(1) により、ボンディングツール
５の押圧面のクリーニングの頻度を大幅に低減あるいは
廃止できる。

【００６２】(5).上記(4) により、ボンディング工程時
におけるスループットを大幅に向上させることが可能と
なっている。

【００６３】(6).上記(3) および(4) により、ボンディ
ングツール５の寿命を延ばすことが可能となる。

【００６４】（実施例２）図１０は本発明の他の実施例
であるボンディング装置の説明図、図１１は図１０のボ
ンディング装置を用いたボンディング工程の説明図であ
る。

【００６５】本実施例２においては、図１０に示すよう
に、半導体チップ４が、その主面を下方に向けた状態
で、ボンディングツール５に取り付けられている。半導
体チップ４は、ボンディングツール５に設けられた真空
吸引口（基板取付手段）５ａからの真空吸引力によって
保持されている。

【００６６】ボンディング工程時における熱の条件は、
以下の通りである。すなわち、ボンディングツール５の
温度がボンディングステージ３ｃの温度Ｔ1 以上に設定
されるようになっており、これにより、半導体チップ４
の裏面側の加熱温度ｔ1 が半導体チップ４の主面側の加
熱温度ｔ2 以上に設定されるようになっている。

【００６７】したがって、本実施例２においても、バン
プ接合に必要な熱を半導体チップ４の裏面側から供給す
るようになっている。このため、バンプ接合部分での接
合不良が生じないようになっている。

【００６８】また、半導体チップ４をボンディングツー
ル５の押圧面に取付けるようになっているので、ボンデ
ィングツール５の押圧面がＳｎ酸化物等からなる付着物
によって汚されることがない。このため、ボンディング
ツール５の押圧面のクリーニングの頻度を大幅に低減あ
るいは廃止できる。したがって、ボンディング工程時に
おけるスループットを大幅に向上させることが可能とな
っている。また、ボンディングツールの寿命を延ばすこ
とが可能となっている。

【００６９】このようなボンディング装置１においてイ
ンナーリード部７ａとバンプ電極４ａとを接合するに
は、ボンディングツール５とボンディングステージ３ｃ
との温度を上記したように設定した後、図１１に示すよ
うに、ボンディングツール５を下降し、半導体チップ４
のバンプ電極をインナーリード部７ａに接触させ押圧す
ることによって行う。

【００７０】このように、本実施例２においても、前記
実施例１と同様の効果を得ることが可能となる。

【００７１】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
１，２に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

【００７２】例えば前記実施例１，２においては、ボン
ディングツールをステージ側に移動することによりイン
ナーリード部とバンプ電極とを接合するボンディング装
置構造とした場合について説明したが、これに限定され
るものではなく種々変更可能であり、例えばステージ側
をボンディングツール側に移動することによりインナー
リード部とバンプ電極とを接合するボンディング装置構
造としても良い。

【００７３】また、前記実施例１，２においては、イン
ナーリード部のメッキ材料をＳｎとした場合について説
明したが、これに限定されるものではなく種々変更可能
であり、そのメッキ材料を、例えばＡｕとしても良い。

【００７４】また、前記実施例１，２においては、半導
体チップ上にバンプを設けた場合に本発明を適用した
が、これに限定されるものではなく、例えばインナーリ
ード部にバンプを設けた場合にも本発明を適用すること
ができる。

【００７５】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００７６】(1).前記した本発明のボンディング方法に
よれば、所定基板の裏面側からリードとバンプ電極との
接合部に熱を供給することにより、ボンディングツール
の押圧面にリード表面に施されたメッキ材料が付着して
しまう量を低減することが可能となる。

【００７７】また、仮に、そのメッキ材料が付着したと
しても接合に必要な熱を供給するのは所定基板の裏面側
からであり接合部には接合に必要な熱を充分に供給する
ことができるので、接合部への供給熱不足に起因するメ
ッキ材料−バンプ材料溜りやインナーリード部の剥離等
のような接合不良を防止することが可能となる。

【００７８】(2).上記(1) により、このボンディング方
法によって半導体集積回路装置を製造することにより、
半導体集積回路装置の信頼性および歩留りを向上させる
ことが可能となる。

【００７９】(3).リードとバンプ電極との接合に際し
て、その接合に必要な温度が不足することがないので、
ボンディングツールの押圧面を清浄化するためのクリー
ニング工程を低減あるいは廃止することが可能となる。
このため、ボンディング処理におけるスループットを向
上させることが可能となる。

【００８０】(4).所定基板の裏面側からリードとバンプ
電極との接合部に熱を供給することにより、ボンディン
グツールの加熱温度を低下させることができるととも
に、クリーニング工程を低減あるいは廃止することがで
きるので、ボンディングツールの寿命を向上させること
が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例であるボンディング装置の説
明図である。

【図２】本発明の一実施例であるボンディング装置の説
明図である。

【図３】テープキャリヤの要部平面図である。

【図４】図３のIV−IV線の断面図である。

【図５】ボンディング方法を説明するための説明図であ
る。

【図６】ボンディング方法を説明するための説明図であ
る。

【図７】ボンディング方法を説明するための説明図であ
る。

【図８】ボンディング工程時における作用を説明するた
めの説明図である。

【図９】ボンディング工程時における作用を説明するた
めの説明図である。

【図１０】本発明の他の実施例であるボンディング装置
の説明図である。

【図１１】図１０のボンディング装置を用いたボンディ
ング工程の説明図である。

【符号の説明】

１ボンディング装置２架台３ａＸ−Ｙステージ３ｂ θステージ３ｃボンディングステージ３ｃ1 真空吸着口３ｄＸＹθステージ制御回路４半導体チップ（所定基板）４ａバンプ電極５ボンディングツール５ａ真空吸着口（基板取付手段）６テープキャリヤ６ａデバイス孔６ｂスプロケット孔７リード７ａインナーリード部７ｂテストパッド８オープンショートチェッカ８ａプローブ９マイコン１０操作卓１１ａ供給リール１１ｂローラ１１ｃスプロケットホイール１１ｄ巻取りリール１２付着物Ａ，Ｂ熱

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開昭62−97342（ＪＰ，Ａ) 特開昭62−97341（ＪＰ，Ａ) 特開昭53−38262（ＪＰ，Ａ) 特開平３−60139（ＪＰ，Ａ) 特開平６−61310（ＪＰ，Ａ) 実開平３−96041（ＪＰ，Ｕ) 実開昭63−112339（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/60

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】ボンディングツールを用いて、テープに
形成されたリードの一部を半導体チップ主面のバンプ電
極に接続するボンディング方法により半導体集積回路装
置を製造する製造方法であって、加熱手段を有するボン
ディングステージ上に前記半導体チップを載置して、前
記リードの一部と前記バンプ電極とを位置合わせする工
程と、前記半導体チップ裏面側の加熱温度が前記半導体
チップ主面側の加熱温度以上になるように前記ボンディ
ングステージからの加熱及び前記ボンディングツールか
らの加熱を行う工程と、前記半導体チップ裏面側の加熱
温度が前記半導体チップ主面側の加熱温度以上の状態で
前記リード上方から前記ボンディングツールを押し付け
て前記リードの一部と前記バンプ電極とを接合する工程
とを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造
方法。
【請求項２】前記半導体チップ裏面側の加熱温度が前
記半導体チップ主面側の加熱温度以上の状態で前記リー
ド上方から前記ボンディングツールを押し付けて前記リ
ードの一部と前記バンプ電極とを接合する工程は、前記
ボンディングツールの押し付けにより前記バンプを押し
潰すことによって行われることを特徴とする請求項１記
載の半導体集積回路装置の製造方法。