JPH09102478A - 半田ボールの被搭載面のクリーニング方法、クリーニング機構及び半田ボール搭載装置 - Google Patents
半田ボールの被搭載面のクリーニング方法、クリーニング機構及び半田ボール搭載装置Info
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- JPH09102478A JPH09102478A JP7260422A JP26042295A JPH09102478A JP H09102478 A JPH09102478 A JP H09102478A JP 7260422 A JP7260422 A JP 7260422A JP 26042295 A JP26042295 A JP 26042295A JP H09102478 A JPH09102478 A JP H09102478A
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- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3478—Applying solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 例えば半導体パッケージにおける半田ボール
の搭載に際しての被搭載面のクリーニングを短時間且つ
確実に行えるようにする。 【解決手段】 半田ボールの被搭載面を有する基板32
の移送途上に配置され、被搭載面をクリーニングするた
めのクリーニング機構であって、基板32の面32aに
近接して配された吸気ダクト34と、吸気ダクト34内
に配され、被搭載面をブラッシングする導電ブラシ37
とを備えた構成とする。
の搭載に際しての被搭載面のクリーニングを短時間且つ
確実に行えるようにする。 【解決手段】 半田ボールの被搭載面を有する基板32
の移送途上に配置され、被搭載面をクリーニングするた
めのクリーニング機構であって、基板32の面32aに
近接して配された吸気ダクト34と、吸気ダクト34内
に配され、被搭載面をブラッシングする導電ブラシ37
とを備えた構成とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半田ボールの被搭
載面のクリーニング方法、クリーニング機構及び半田ボ
ール搭載装置に関する。例えば多ピン構造の半導体パッ
ケージにおける突起電極となる多数の半田ボールの接合
に際して適用することができる。
載面のクリーニング方法、クリーニング機構及び半田ボ
ール搭載装置に関する。例えば多ピン構造の半導体パッ
ケージにおける突起電極となる多数の半田ボールの接合
に際して適用することができる。
【0002】
【従来の技術】半導体チップに接続されて一面上に多数
の半田ボールによる突起電極を備えて成る、いわゆる多
ピン構造の半導体パッケージが提案されている。
の半田ボールによる突起電極を備えて成る、いわゆる多
ピン構造の半導体パッケージが提案されている。
【0003】図5は、半導体パッケージの一例を示す。
同図において、1は有機材料を用いた2層乃至6層程度
の多層有機配線基板であり、その表面に半導体チップ2
がマウントされている。この半導体チップ2の電極と多
層有機配線基板1の表面に形成された配線膜3とが例え
ば金線4等によるワイヤボンディングによって接続され
る。多層有機配線基板1の裏面にはスルーホール5を介
して表面の配線膜3と電気的に接続されている突起電極
となる半田ボール6が設けられており、この半田ボール
6はソルダーレジスト膜7の開口より外部に臨んでい
る。半導体チップ2は金線4と共に封止用樹脂8にて封
止されている。
同図において、1は有機材料を用いた2層乃至6層程度
の多層有機配線基板であり、その表面に半導体チップ2
がマウントされている。この半導体チップ2の電極と多
層有機配線基板1の表面に形成された配線膜3とが例え
ば金線4等によるワイヤボンディングによって接続され
る。多層有機配線基板1の裏面にはスルーホール5を介
して表面の配線膜3と電気的に接続されている突起電極
となる半田ボール6が設けられており、この半田ボール
6はソルダーレジスト膜7の開口より外部に臨んでい
る。半導体チップ2は金線4と共に封止用樹脂8にて封
止されている。
【0004】この半導体パッケージ9は、裏面に形成さ
れている半田ボール6を回路配線基板10に接続するよ
うにしている。上記の多層有機配線基板1は、半田ボー
ル6が多数格子状に配設されていることからボールグリ
ッドアレイ(BGA)と称されることが多く、この多層
有機配線基板1を用いた半導体パッケージ9をBGAパ
ッケージと称している。
れている半田ボール6を回路配線基板10に接続するよ
うにしている。上記の多層有機配線基板1は、半田ボー
ル6が多数格子状に配設されていることからボールグリ
ッドアレイ(BGA)と称されることが多く、この多層
有機配線基板1を用いた半導体パッケージ9をBGAパ
ッケージと称している。
【0005】BGAパッケージ9において、裏面の半田
ボール6の形成は、ソルダーレジスト膜7の開口に臨む
電極パッド部上に、予め形成して置いた半田ボール6を
載置し、リフローして形成するようにしている。
ボール6の形成は、ソルダーレジスト膜7の開口に臨む
電極パッド部上に、予め形成して置いた半田ボール6を
載置し、リフローして形成するようにしている。
【0006】図6は、その半田ボールの接合に係るの一
連の工程を示すフローチャートである。多層有機配線基
板1上に半田チップ2をマウントした後、樹脂モールド
工程11において、半導体チップ2を樹脂8で封止した
後、洗浄工程12において半田ボール6を搭載すべき被
搭載面、即ち電極パッド部を洗浄する。この洗浄は、特
に図7に示すように、モールド金型12による樹脂モー
ルド時に、基板面に付着した樹脂の残りかす(以下樹脂
かすという)20を除去するためのもので、例えば浴槽
に浸漬され薬液、或いは超音波にて洗浄が行われる。
連の工程を示すフローチャートである。多層有機配線基
板1上に半田チップ2をマウントした後、樹脂モールド
工程11において、半導体チップ2を樹脂8で封止した
後、洗浄工程12において半田ボール6を搭載すべき被
搭載面、即ち電極パッド部を洗浄する。この洗浄は、特
に図7に示すように、モールド金型12による樹脂モー
ルド時に、基板面に付着した樹脂の残りかす(以下樹脂
かすという)20を除去するためのもので、例えば浴槽
に浸漬され薬液、或いは超音波にて洗浄が行われる。
【0007】次に、検査工程13で洗浄が良好に行われ
たか否かを検査したのち、良好に洗浄された基板がフラ
ックス塗布工程14に送られ、ここにおいて、電極パッ
ド部にフラックスが塗布される。次に、半田ボール搭載
工程15において半田ボール6が電極パッド部上に載置
(即ち搭載)される。次に、検査工程16において半田
ボール6の搭載の有無、或いは良否が検査され、その
後、リフロー工程17において半田ボールがリフローさ
れて、電極パッド部上に半田ボール6が電気的、且つ機
械的に接合される。
たか否かを検査したのち、良好に洗浄された基板がフラ
ックス塗布工程14に送られ、ここにおいて、電極パッ
ド部にフラックスが塗布される。次に、半田ボール搭載
工程15において半田ボール6が電極パッド部上に載置
(即ち搭載)される。次に、検査工程16において半田
ボール6の搭載の有無、或いは良否が検査され、その
後、リフロー工程17において半田ボールがリフローさ
れて、電極パッド部上に半田ボール6が電気的、且つ機
械的に接合される。
【0008】図8は、基板1の裏面のソルダーレジスト
膜7の開口に臨む電極パッド部18上にフラックス19
を塗布し、半田ボール6を載置した状態を示す。一部電
極パッド部18上に樹脂かす20が付着されていると半
田ボール6が移動したり、載置できなかったりする。
膜7の開口に臨む電極パッド部18上にフラックス19
を塗布し、半田ボール6を載置した状態を示す。一部電
極パッド部18上に樹脂かす20が付着されていると半
田ボール6が移動したり、載置できなかったりする。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の半田ボールの電極パッド部上への搭載においては、そ
の半田ボールの搭載前の工程で薬品、或いは超音波洗浄
機によるウエット処理での洗浄工程がある。この洗浄工
程によって、リードタイムが長く、ラッキング・デラッ
ク等の作業が必要であった。
の半田ボールの電極パッド部上への搭載においては、そ
の半田ボールの搭載前の工程で薬品、或いは超音波洗浄
機によるウエット処理での洗浄工程がある。この洗浄工
程によって、リードタイムが長く、ラッキング・デラッ
ク等の作業が必要であった。
【0010】この洗浄工程は半田ボールの被搭載面への
樹脂の付着が生じなければ不要とすることができるが、
しかし、モールド金型のクリーニングの能力を上げても
樹脂付着をゼロにすることは困難であり、洗浄工程の省
略は現状では不可能である。
樹脂の付着が生じなければ不要とすることができるが、
しかし、モールド金型のクリーニングの能力を上げても
樹脂付着をゼロにすることは困難であり、洗浄工程の省
略は現状では不可能である。
【0011】従って、工程を増やさずに、確実に被搭載
面をクリーニングできる機能を有する半田ボール搭載機
が望まれる。
面をクリーニングできる機能を有する半田ボール搭載機
が望まれる。
【0012】一方、半田ボール搭載において、洗浄工程
12から半田ボール搭載工程15までの一連の工程の自
動化が望まれている。しかし、ウエット処理の洗浄工程
では半田ボール搭載の自動化が難しい。
12から半田ボール搭載工程15までの一連の工程の自
動化が望まれている。しかし、ウエット処理の洗浄工程
では半田ボール搭載の自動化が難しい。
【0013】本発明は、上述の点に鑑み、短時間且つ確
実にクリーニングできるようにし、自動化をも可能にし
た半田ボールの被搭載面のクリーニング方法及びそのク
リーニング機構を提供するものである。本発明は、自動
化を可能にし、ユニット化された半田ボール搭載装置を
提供するものである。
実にクリーニングできるようにし、自動化をも可能にし
た半田ボールの被搭載面のクリーニング方法及びそのク
リーニング機構を提供するものである。本発明は、自動
化を可能にし、ユニット化された半田ボール搭載装置を
提供するものである。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半田ボール
の被搭載面のクリーニング方法は、半田ボールの被搭載
面を導電ブラシにてブラッシングし、導電ブラシで除去
された異物を吸気ダクトを通じて吸引排除する。被搭載
面に付着された異物は、導電ブラシによって機械的に除
去され、吸気ダクトを通じて吸引排除されることから、
短時間、且つ確実にクリーニングされる。また、導電ブ
ラシを用いるので、ブラッシングによる静電気の発生を
防止できる。このクリーニング方法では、クリーニング
の自動化を可能にする。
の被搭載面のクリーニング方法は、半田ボールの被搭載
面を導電ブラシにてブラッシングし、導電ブラシで除去
された異物を吸気ダクトを通じて吸引排除する。被搭載
面に付着された異物は、導電ブラシによって機械的に除
去され、吸気ダクトを通じて吸引排除されることから、
短時間、且つ確実にクリーニングされる。また、導電ブ
ラシを用いるので、ブラッシングによる静電気の発生を
防止できる。このクリーニング方法では、クリーニング
の自動化を可能にする。
【0015】本発明に係る半田ボールの被搭載面のクリ
ーニング機構は、半田ボールの被搭載面を有する基板の
移送途上に配置され、被搭載面をクリーニングするため
のクリーニング機構であって、該基板の面に近接して配
された吸気ダクトと、吸気ダクト内に配され被搭載面を
ブラッシングする導電ブラシとを備えた構成とする。こ
のクリーニング機構では、被搭載面に付着された異物は
導電ブラシにより機械的に除去され、吸気ダクトを通じ
て外部に吸引排除される。従って、短時間且つ確実に被
搭載面のクリーニングができる。導電ブラシを用いるの
で、ブラッシングによる静電気の発生を防止できる。
ーニング機構は、半田ボールの被搭載面を有する基板の
移送途上に配置され、被搭載面をクリーニングするため
のクリーニング機構であって、該基板の面に近接して配
された吸気ダクトと、吸気ダクト内に配され被搭載面を
ブラッシングする導電ブラシとを備えた構成とする。こ
のクリーニング機構では、被搭載面に付着された異物は
導電ブラシにより機械的に除去され、吸気ダクトを通じ
て外部に吸引排除される。従って、短時間且つ確実に被
搭載面のクリーニングができる。導電ブラシを用いるの
で、ブラッシングによる静電気の発生を防止できる。
【0016】本発明に係る半田ボール搭載装置は、半田
ボールの被搭載面を有する基板の移送途上に、基板の被
搭載面に近接して配された吸気ダクトとこの吸気ダクト
内に配され被搭載面をブラッシングする導電ブラシを備
えてなるクリーニング機構が配設され、このクリーニン
グ機構の後段に、被搭載面にフラックスを塗布するフラ
ックス塗布機構と、被搭載面上に半田ボールを搭載する
ための半田ボール搭載機構が順次配設された構成とす
る。この半田ボール搭載装置では、被搭載面のクリーニ
ングから半田ボールの搭載までの処理の自動化が可能と
なり、ユニット化された自動半田ボール搭載装置を提供
できる。
ボールの被搭載面を有する基板の移送途上に、基板の被
搭載面に近接して配された吸気ダクトとこの吸気ダクト
内に配され被搭載面をブラッシングする導電ブラシを備
えてなるクリーニング機構が配設され、このクリーニン
グ機構の後段に、被搭載面にフラックスを塗布するフラ
ックス塗布機構と、被搭載面上に半田ボールを搭載する
ための半田ボール搭載機構が順次配設された構成とす
る。この半田ボール搭載装置では、被搭載面のクリーニ
ングから半田ボールの搭載までの処理の自動化が可能と
なり、ユニット化された自動半田ボール搭載装置を提供
できる。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。
施例を説明する。
【0018】図1は、本発明に係る半田ボールの被搭載
面のクリーニング機構の一例を示す。本例は、前述した
図5のBGAパッケージにおける半田ボールの被搭載面
のクリーニングに適用したものである。本実施例に係る
クリーニング機構31は、BGAパッケージの製造過程
での多層有機配線基板上に半導体チップ2がマウントさ
れ、樹脂封止された後の未だ半田ボール6が搭載されず
被搭載面、従って裏面に電極パッド部18(図8参照)
が臨んでいる状態の基板32の移送途上に配設される。
面のクリーニング機構の一例を示す。本例は、前述した
図5のBGAパッケージにおける半田ボールの被搭載面
のクリーニングに適用したものである。本実施例に係る
クリーニング機構31は、BGAパッケージの製造過程
での多層有機配線基板上に半導体チップ2がマウントさ
れ、樹脂封止された後の未だ半田ボール6が搭載されず
被搭載面、従って裏面に電極パッド部18(図8参照)
が臨んでいる状態の基板32の移送途上に配設される。
【0019】即ち、この基板32は、各チップに分割さ
れる前の複数チップ分に対応する多層有機配線基板10
1に所定間隔を置いて複数の半導体チップ2がマウント
され、各半導体チップ2が樹脂8にて封止された状態で
移送される。このとき、基板32は、半田ボールの被搭
載面である電極パッド部18が臨む裏面32aが上向き
となるように移送される。
れる前の複数チップ分に対応する多層有機配線基板10
1に所定間隔を置いて複数の半導体チップ2がマウント
され、各半導体チップ2が樹脂8にて封止された状態で
移送される。このとき、基板32は、半田ボールの被搭
載面である電極パッド部18が臨む裏面32aが上向き
となるように移送される。
【0020】クリーニング機構31は、基板32の裏面
32aに近接するように配した上部吸気ダクト34と、
この上部吸気ダクト34に対向するように基板32の反
対面に近接するように配した下部吸気ダクト35を有
し、上部吸気ダクト34内に、軸36を中心に回転駆動
する導電ブラシ37を配し、更に上部吸気ダクト34内
に空気を吹き付ける空気吹付け手段、例えばエアブロウ
38を配して構成される。
32aに近接するように配した上部吸気ダクト34と、
この上部吸気ダクト34に対向するように基板32の反
対面に近接するように配した下部吸気ダクト35を有
し、上部吸気ダクト34内に、軸36を中心に回転駆動
する導電ブラシ37を配し、更に上部吸気ダクト34内
に空気を吹き付ける空気吹付け手段、例えばエアブロウ
38を配して構成される。
【0021】上部吸気ダクト34は、上端の排気口34
Aが真空吸引手段に連結され、上部吸気ダクト34内で
の異物39(いわゆる飛散ダスト)を空気と共に吸引排
除するように構成される。下部吸気ダクト35も同様
に、下端の排気口35Aが真空吸引手段に連結され、下
部吸気ダクト35内に回り込んだ異物39を空気と共に
吸引排除するように構成される。
Aが真空吸引手段に連結され、上部吸気ダクト34内で
の異物39(いわゆる飛散ダスト)を空気と共に吸引排
除するように構成される。下部吸気ダクト35も同様
に、下端の排気口35Aが真空吸引手段に連結され、下
部吸気ダクト35内に回り込んだ異物39を空気と共に
吸引排除するように構成される。
【0022】導電ブラシ37は、軸36を中心に回動す
ることによって、そのブラシ先端で基板裏面32aのパ
ッド部18の表面をブラッシングできるように形成され
ている。ブラシ37の材質は、カーボン等の混入により
電気抵抗の低いもの、例えば抵抗値が106 Ω以下のも
のが使用される。この導電ブラシ37は例えば接地され
ている。エアブロ38は、そのノズル先端が上記吸気ダ
クト34内に導入されて基板裏面の電極パッド部に向く
ように配される。
ることによって、そのブラシ先端で基板裏面32aのパ
ッド部18の表面をブラッシングできるように形成され
ている。ブラシ37の材質は、カーボン等の混入により
電気抵抗の低いもの、例えば抵抗値が106 Ω以下のも
のが使用される。この導電ブラシ37は例えば接地され
ている。エアブロ38は、そのノズル先端が上記吸気ダ
クト34内に導入されて基板裏面の電極パッド部に向く
ように配される。
【0023】次に、このクリーニング機構31の動作を
説明する。例えば駆動ローラ等で基板32がクリーニン
グ機構31に移送されてくると、回動する導電ブラシ3
7によって、基板裏面32aの半田ボールを搭載する電
極パッド部の表面がブラッシングされる。このブラッシ
ングで、樹脂モールド時に電極パッド部の表面に付着さ
れた樹脂かす20が機械的に除去される。
説明する。例えば駆動ローラ等で基板32がクリーニン
グ機構31に移送されてくると、回動する導電ブラシ3
7によって、基板裏面32aの半田ボールを搭載する電
極パッド部の表面がブラッシングされる。このブラッシ
ングで、樹脂モールド時に電極パッド部の表面に付着さ
れた樹脂かす20が機械的に除去される。
【0024】除去された樹脂かす20は、上部吸気ダク
ト34を通じて外部に吸引排除される。同時に基板32
の下側面側に回り込んだ樹脂かす20は下部吸気ダクト
35を通じて外部に吸引排除される。この吸引排除では
粉状のダクト、つぶ状のダストまで排除できる。そし
て、ブラッシング後は、エアブロー38から噴射される
空気により、除去されて飛散した樹脂かす(いわゆる飛
散ダスト)39の再付着を防止する。
ト34を通じて外部に吸引排除される。同時に基板32
の下側面側に回り込んだ樹脂かす20は下部吸気ダクト
35を通じて外部に吸引排除される。この吸引排除では
粉状のダクト、つぶ状のダストまで排除できる。そし
て、ブラッシング後は、エアブロー38から噴射される
空気により、除去されて飛散した樹脂かす(いわゆる飛
散ダスト)39の再付着を防止する。
【0025】これによって、基板32の半田ボールが搭
載される電極パッド部表面は短時間で且つ確実にクリー
ニングされる。尚、ブラッシングにより電極パッド部表
面に静電気が発生せんとするも、導電ブラシは接地され
ているので、静電気は生じない。このクリーニング機構
31では、いわゆるドライ処理によるクリーニングであ
るため、自動処理が可能となる。
載される電極パッド部表面は短時間で且つ確実にクリー
ニングされる。尚、ブラッシングにより電極パッド部表
面に静電気が発生せんとするも、導電ブラシは接地され
ているので、静電気は生じない。このクリーニング機構
31では、いわゆるドライ処理によるクリーニングであ
るため、自動処理が可能となる。
【0026】図2は本発明に係るクリーニング機構の他
の例を示す。このクリーニング機構41は、基板32が
上部吸気ダクト34を通り抜けた直後の位置に除電機能
を有するいわゆるイオンブロア42を配した構成とす
る。その他の構成は図1と同様なので、図1と対応する
部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
の例を示す。このクリーニング機構41は、基板32が
上部吸気ダクト34を通り抜けた直後の位置に除電機能
を有するいわゆるイオンブロア42を配した構成とす
る。その他の構成は図1と同様なので、図1と対応する
部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
【0027】このクリーニング機構41によれば、イオ
ンブロア42からのイオンが電極パッド部上に注がれる
ので、基板32の面上に発生する静電気の除去をより確
実に行うことができる。
ンブロア42からのイオンが電極パッド部上に注がれる
ので、基板32の面上に発生する静電気の除去をより確
実に行うことができる。
【0028】さらに、クリーニング後の静電気の発生を
抑えるために、図3A及びBに示すように、基板32と
導電ブラシ37間に電極パッド部18の位置に開口45
を有するステンレス製の金属プレート46を配置するこ
とができる。この金属プレート46は接地される。金属
プレートの開口45は例えば多数の電極パッド部18に
対し、1列毎に長い開口とすることができる。
抑えるために、図3A及びBに示すように、基板32と
導電ブラシ37間に電極パッド部18の位置に開口45
を有するステンレス製の金属プレート46を配置するこ
とができる。この金属プレート46は接地される。金属
プレートの開口45は例えば多数の電極パッド部18に
対し、1列毎に長い開口とすることができる。
【0029】この金属プレート46の開口45を通じて
基板32の電極パッド部18を導電ブラシ37によりブ
ラッシングすることにより、このブラッシングで発生す
る静電気は金属プレート46を通じて接地され、半導体
チップ2に対する静電破壊をより確実に防止することが
できる。
基板32の電極パッド部18を導電ブラシ37によりブ
ラッシングすることにより、このブラッシングで発生す
る静電気は金属プレート46を通じて接地され、半導体
チップ2に対する静電破壊をより確実に防止することが
できる。
【0030】一方、本発明では、上述のクリーン機構3
1(又は41)を組入れて半田ボール搭載の自動化を可
能にした半田ボール搭載装置を構成することができる。
この半田ボール搭載装置51は、図4に示すように、基
板32を供給するローダ部52と、上記クリーン機構3
1(又は41)と、フラックス塗布機構53と、半田ボ
ール搭載機構54と半田ボールの搭載の有無又は良否を
検査する検査機構55と、半田ボールを搭載した基板3
2を受取るアンローダ部56とを有し、ユニット化され
た構成である。フラックス塗布機構53及び半田ボール
搭載機構54は、図示せざるも自動化された構成を採る
ことができる。
1(又は41)を組入れて半田ボール搭載の自動化を可
能にした半田ボール搭載装置を構成することができる。
この半田ボール搭載装置51は、図4に示すように、基
板32を供給するローダ部52と、上記クリーン機構3
1(又は41)と、フラックス塗布機構53と、半田ボ
ール搭載機構54と半田ボールの搭載の有無又は良否を
検査する検査機構55と、半田ボールを搭載した基板3
2を受取るアンローダ部56とを有し、ユニット化され
た構成である。フラックス塗布機構53及び半田ボール
搭載機構54は、図示せざるも自動化された構成を採る
ことができる。
【0031】この半田ボール搭載装置51では、樹脂モ
ールド工程58で樹脂封止された基板32が装置51の
ローダ部52に搬送される。基板32は、このローダ部
52からクリーニング機構31(又は41)に移送さ
れ、ここにおいて、上述したように基板裏面の電極パッ
ド部18が自動的にクリーニングされる。次に、この基
板32はフラックス塗布機構53において、電極パッド
部18にフラックスが自動的に塗布された後、半田ボー
ル搭載機構54に移送され、ここにおいて電極パッド部
18上に半田ボール6が搭載される。
ールド工程58で樹脂封止された基板32が装置51の
ローダ部52に搬送される。基板32は、このローダ部
52からクリーニング機構31(又は41)に移送さ
れ、ここにおいて、上述したように基板裏面の電極パッ
ド部18が自動的にクリーニングされる。次に、この基
板32はフラックス塗布機構53において、電極パッド
部18にフラックスが自動的に塗布された後、半田ボー
ル搭載機構54に移送され、ここにおいて電極パッド部
18上に半田ボール6が搭載される。
【0032】次に、基板32は検査機構55に移送さ
れ、半田ボール6の有無又は搭載の良否が検査される。
検査で合格した基板32がアンローダ部56に送られ
る。そして、アンローダ部56から次のリフロー工程5
9に基板32が送られ、半田ボール6がリフロー処理さ
れて電極パッド部18上に半田ボールが接合される。
れ、半田ボール6の有無又は搭載の良否が検査される。
検査で合格した基板32がアンローダ部56に送られ
る。そして、アンローダ部56から次のリフロー工程5
9に基板32が送られ、半田ボール6がリフロー処理さ
れて電極パッド部18上に半田ボールが接合される。
【0033】本実施例に係る半田ボール搭載装置51に
よれば、前述したドライ処理によるクリーニング機構を
組入れることにより、クリーニング処理を短時間且つ確
実に行い、しかも基板32の半田ボールの被搭載面であ
る電極パッド部18の面のクリーニングから半田ボール
6の搭載までの一連の工程を自動化することができる。
よれば、前述したドライ処理によるクリーニング機構を
組入れることにより、クリーニング処理を短時間且つ確
実に行い、しかも基板32の半田ボールの被搭載面であ
る電極パッド部18の面のクリーニングから半田ボール
6の搭載までの一連の工程を自動化することができる。
【0034】尚、上例では、BGAパッケージ9の突起
電極となる半田ボール6の被搭載面のクリーニング及び
半田ボールの搭載に適用した場合であるが、その他、例
えば図9に示すように、半導体チップ61とほとんど変
わらない大きさで樹脂62で封止を行うとともに、半導
体チップ62の接続部をバンプ63を介して外部に導出
し、このバンプ63に半田ボール64を搭載してなるい
わゆるCSP(Chip Size Package )65の該半田ボー
ル64の搭載にも適用できる。
電極となる半田ボール6の被搭載面のクリーニング及び
半田ボールの搭載に適用した場合であるが、その他、例
えば図9に示すように、半導体チップ61とほとんど変
わらない大きさで樹脂62で封止を行うとともに、半導
体チップ62の接続部をバンプ63を介して外部に導出
し、このバンプ63に半田ボール64を搭載してなるい
わゆるCSP(Chip Size Package )65の該半田ボー
ル64の搭載にも適用できる。
【0035】
【発明の効果】本発明に係る半田ボールの被搭載面のク
リーニング方法によれば、導電ブラシにより機械的に付
着された異物を除去するので、クリーニング処理が静電
気の発生を抑えつつ短時間且つ確実に行える。また、ド
ライ処理によるクリーニング方法であるため、クリーニ
ングの自動化が可能となる。
リーニング方法によれば、導電ブラシにより機械的に付
着された異物を除去するので、クリーニング処理が静電
気の発生を抑えつつ短時間且つ確実に行える。また、ド
ライ処理によるクリーニング方法であるため、クリーニ
ングの自動化が可能となる。
【0036】本発明に係る半田ボールの被搭載面のクリ
ーニング機構によれば、被搭載面に付着された異物をブ
ラッシングにより機械的に除去する構成であるので、短
時間且つ確実に異物を除去することができる。そして、
導電ブラシを用いることにより、静電気の発生を回避す
ることができ、半導体デバイスの破壊を防止できる。い
わゆるドライ処理によるクリーニングであるため、クリ
ーニングの自動化が可能となる。
ーニング機構によれば、被搭載面に付着された異物をブ
ラッシングにより機械的に除去する構成であるので、短
時間且つ確実に異物を除去することができる。そして、
導電ブラシを用いることにより、静電気の発生を回避す
ることができ、半導体デバイスの破壊を防止できる。い
わゆるドライ処理によるクリーニングであるため、クリ
ーニングの自動化が可能となる。
【0037】クリーニング機構を構成する吸気ダクト内
に空気吹き付け手段を配置するときは、被搭載面より除
去された飛散異物が再び被搭載面に付着するを防止する
ことができ、クリーニング処理をより確実にする。
に空気吹き付け手段を配置するときは、被搭載面より除
去された飛散異物が再び被搭載面に付着するを防止する
ことができ、クリーニング処理をより確実にする。
【0038】更に、吸気ダクトを通過した位置に静電除
去手段を配置するときには、更に被搭載面に対する静電
気の発生を防止できる。
去手段を配置するときには、更に被搭載面に対する静電
気の発生を防止できる。
【0039】更に、導電ブラシと基板間に、被搭載面に
対応する位置に開口を有する接地された金属プレートを
配置するときには、この金属プレートによって、ブラシ
の摩擦による静電気の発生を回避できる。
対応する位置に開口を有する接地された金属プレートを
配置するときには、この金属プレートによって、ブラシ
の摩擦による静電気の発生を回避できる。
【0040】本発明に係る半田ボール搭載装置によれ
ば、前述したドライ処理によるクリーニング機構を組入
れることにより、ユニット構造化されて、被搭載面のク
リーニングから半田ボール搭載までの一連の工程の自動
処理ができる。そして、リードタイムを短くすることが
でき、ラッキング・デラック等の作業を不要とする。従
って、半導体パッケージの製造の作業性を向上できる。
ば、前述したドライ処理によるクリーニング機構を組入
れることにより、ユニット構造化されて、被搭載面のク
リーニングから半田ボール搭載までの一連の工程の自動
処理ができる。そして、リードタイムを短くすることが
でき、ラッキング・デラック等の作業を不要とする。従
って、半導体パッケージの製造の作業性を向上できる。
【図1】本発明に係るクリーニング機構の一例を示す構
成図である。
成図である。
【図2】本発明に係るクリーニング機構の他の例を示す
構成図である。
構成図である。
【図3】A 本発明に係るクリーニング機構に用いる金
属プレートの構成図である。 B 金属プレートの配置状態の断面図である。
属プレートの構成図である。 B 金属プレートの配置状態の断面図である。
【図4】本発明に係る半田ボール搭載装置の概略的構成
図を含む工程のフローチャートである。
図を含む工程のフローチャートである。
【図5】BGAパッケージの構成図である。
【図6】従来の半田ボール接合の工程を示すフローチャ
ートである。
ートである。
【図7】課題の説明に供する断面図である。
【図8】半田ボール搭載の説明に供する要部の断面図で
ある。
ある。
【図9】CSP(チップサイズパッケージ)の構成図で
ある。
ある。
1 有機積層配線基板 2 半導体チップ 6 半田ボール 7 ソルダーレジスト膜 9 BGAパッケージ 18 電極パッド部 31,41 クリーニング機構 32 基板 34,35 吸気ダクト 37 導電ブラシ 38 エアブロー 42 イオンブロー 46 金属プレート
Claims (6)
- 【請求項1】 半田ボールの被搭載面を導電ブラシにて
ブラッシングし、 該導電ブラシで除去された異物を吸気ダクトを通じて吸
引排除することを特徴とする半田ボールの被搭載面のク
リーニング方法。 - 【請求項2】 半田ボールの被搭載面を有する基板の移
送途上に配置され、前記被搭載面をクリーニングするた
めのクリーニング機構であって、 前記基板の面に近接して配された吸気ダクトと、 該吸気ダクト内に配され、前記被搭載面をブラッシング
する導電ブラシとを備えて成ることを特徴とする半田ボ
ール被搭載面のクリーニング機構。 - 【請求項3】 前記吸気ダクト内の前記被搭載面に空気
を吹き付けるための空気吹き付け手段が配されて成るこ
とを特徴とする請求項1に記載の半田ボールの被搭載面
のクリーニング機構。 - 【請求項4】 前記吸気ダクトを通過した前記基板に対
して静電気除去手段が配されて成ることを特徴とする請
求項2に記載の半田ボールの被搭載面のクリーニング機
構。 - 【請求項5】 前記導電ブラシと前記基板間に、被搭載
面に対応する位置に開口を有する接地された金属プレー
トを配し、 前記金属プレートの開口を通じて前記導電ブラシにて前
記被搭載面をブラッシングするようにして成ることを特
徴とする請求項1に記載の半田ボールの被搭載面のクリ
ーニング機構。 - 【請求項6】 半田ボールの被搭載面を有する基板の移
送途上に、 前記基板の被搭載面に近接して配された吸気ダクトと、
該吸気ダクト内に配され前記被搭載面をブラッシングす
る導電ブラシを備えてなるクリーニング機構が配設さ
れ、 該クリーニング機構の後段に、前記被搭載面にフラック
スを塗布するフラックス塗布機構と、 前記被搭載面上に半田ボールを搭載するための半田ボー
ル搭載機構が順次配設されて成ることを特徴とする半田
ボール搭載装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7260422A JPH09102478A (ja) | 1995-10-06 | 1995-10-06 | 半田ボールの被搭載面のクリーニング方法、クリーニング機構及び半田ボール搭載装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7260422A JPH09102478A (ja) | 1995-10-06 | 1995-10-06 | 半田ボールの被搭載面のクリーニング方法、クリーニング機構及び半田ボール搭載装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09102478A true JPH09102478A (ja) | 1997-04-15 |
Family
ID=17347721
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7260422A Pending JPH09102478A (ja) | 1995-10-06 | 1995-10-06 | 半田ボールの被搭載面のクリーニング方法、クリーニング機構及び半田ボール搭載装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09102478A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005049238A1 (ja) * | 2003-11-21 | 2005-06-02 | Nix, Inc. | ダスト除去装置及びダスト除去方法 |
JP2007142314A (ja) * | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Mitsubishi Electric Corp | はんだ接合用前処理装置、その前処理方法およびそれを適用した電子部品実装装置、電子部品 |
JP2011249409A (ja) * | 2010-05-24 | 2011-12-08 | Hitachi Plant Technologies Ltd | マイクロバンプ形成装置 |
-
1995
- 1995-10-06 JP JP7260422A patent/JPH09102478A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005049238A1 (ja) * | 2003-11-21 | 2005-06-02 | Nix, Inc. | ダスト除去装置及びダスト除去方法 |
JP2007142314A (ja) * | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Mitsubishi Electric Corp | はんだ接合用前処理装置、その前処理方法およびそれを適用した電子部品実装装置、電子部品 |
JP2011249409A (ja) * | 2010-05-24 | 2011-12-08 | Hitachi Plant Technologies Ltd | マイクロバンプ形成装置 |
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