JPH05226407A - 半導体装置の製造方法及び製造装置 - Google Patents

半導体装置の製造方法及び製造装置

Info

Publication number
JPH05226407A
JPH05226407A JP3295352A JP29535291A JPH05226407A JP H05226407 A JPH05226407 A JP H05226407A JP 3295352 A JP3295352 A JP 3295352A JP 29535291 A JP29535291 A JP 29535291A JP H05226407 A JPH05226407 A JP H05226407A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
ball
wire
wafer
stage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3295352A
Other languages
English (en)
Inventor
Fujio Nakano
藤生 中野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP3295352A priority Critical patent/JPH05226407A/ja
Priority to US07/972,991 priority patent/US5294038A/en
Publication of JPH05226407A publication Critical patent/JPH05226407A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/002—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
    • B23K20/004—Wire welding
    • B23K20/005—Capillary welding
    • B23K20/007—Ball bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits

Abstract

(57)【要約】 【目的】半導体チップ上の電極にボールバンプボンディ
ングによりボールバンプを形成する際、ワイヤー切れ等
が発生しても良品チップを使用することなくワイヤーへ
のボールアップを可能としたボールバンプ形成方法及び
装置を提供する。 【構成】自動ボールバンプボンディング時にワイヤ切れ
等のエラーで装置が停止すると、ボンディングヘッド１
３をウェハーステージ１１上から棄てボンディングステ
ージ１上へスイッチ操作にて移動させ、この棄てボンデ
ィングステージ１を用いてワイヤーの押圧、切断を行
い、放電によりワイヤー先端にボールを形成する。その
後自動ボンディングに復帰させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法及
び製造装置に関し、特に半導体チップの電極パッドに形
成するボールバンプの製造方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、フィルムキャリア半導体装置やフ
リップチップ等の半導体装置は、半導体チップ（以下Ｉ
Ｃチップという）の電極パッド上に金属突起物であるバ
ンプが形成されている。バンプの形成方法としては、通
常電極パッド上に選択的にＡｕや半田等の金属を拡散防
止層や接着層等からなるバリヤメタル層を介して電解め
っき法で形成するのが一般的であるが、従来から幾つか
のめっき法に変わる方法が提案されている。
【０００３】代替案の一つとして、特開昭４９−５２９
７３号で開示されているボールバンプ法がある。この方
法は、Ａｕ，半田等からなるワイヤーをワイヤーボンデ
ィング法を使用してボール形成し、ボールを電極パッド
上に接合後、ボールのみを残しワイヤーを切断すること
によってバンプ形成するものである。このようなボール
バンプ法は一般的には自動化されたボールバンプボンデ
ィング装置を使用して実施される。
【０００４】従来のボールバンプボンディング装置は、
図２の外観図に示すように、半導体ウェハー供給部１０
と、ウェハーセット部（以後ウェハーステージ１１と言
う）と、ウェハー収納部１２と、ボールバンプボンディ
ングヘッド１３と、認識用カメラ１４と、認識装置１５
と、ワイヤー供給部１６とボンディングヘッドをＸ・Ｙ
方向に動かすマニプレータ２４と、操作パネル２５を有
している。次にその機能について説明する。
【０００５】図２に示すように、ウェハー供給部１０よ
りＩＣチップの形成されたウェハーをウェハーステージ
１１へ搬送し、ボンディングステージ上でウェハーのオ
リエンテーションフラット面を基準にして爪等を押しあ
てて位置決めをし、真空吸着にてウェハーをウェハース
テージ１１に固定する。次に認識用カメラ１４にてウェ
ハーを写し出し、認識装置１５にてウェハー上のＩＣチ
ップの位置検出を行い、あらかじめ記憶させた座標デー
タに基づいてＩＣチップの電極パッド上に前述のボール
バンプボンディング技術を用いてボールボンディングを
行い、ワイヤーを切断して良品ＩＣチップにボールバン
プを付着する。このようにして、ウェハー上の全ての良
品ＩＣチップにボールバンプ付けを行った後、ウェハー
収納部へウェハーを搬送する。
【０００６】従来、この装置により自動動作でボールバ
ンプボンディングを行っているときに、ワイヤー切れ等
のエラーで装置が停止した場合、自動動作を復帰させる
為に、図３（ａ）に示す様なワイヤー１７の先端がキャ
ピラリ１８に引き込まれたワイヤー切れの状態から図３
（ｂ）に示すようなボール２２が形成された状態にする
必要があり、以下に述べる様な作業を行っていた。ま
ず、図４（ａ）に示す様にキャピラリー１８にワイヤー
１７を通し、手動でマニプレータを操作し、前もって測
定されている不良ＩＣチップをモニター上で探し、不良
ＩＣチップ上にボンディングヘッドを移動させる。次
に、図４（ｂ）に示す様にウェハー２３上の不良ＩＣチ
ップ上の電極パッドにワイヤーをキャピラリーで押し付
け、キャピラリーを上方へ移動させながらワイヤークラ
ンプを閉じ、ウェハーとキャピラリーではさまれた個所
でワイヤーをカットし、次に図４（ｃ）に示す様にトー
チロッド２１からワイヤーに放電し、図４（ｄ）に示す
様にワイヤー先端にボール２を形成していた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】この従来のボールバン
プボンディング装置では、ワイヤー切れ等のエラーで装
置が停止したときに、ワイヤーをボールアップ状態にす
る為にウェハー上の不良ＩＣチップを探す必要が有り、
この不良ＩＣチップを探すことに手間がかかり、又ウェ
ハー上に不良ＩＣチップが無い場合には良品ＩＣチップ
を無駄にしてしまうという問題点があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造装置は、ワイヤー切れ等のエラーが生じ装置が停止し
た時に、ボールアップ状態に戻す為に必要な不良ＩＣチ
ップ上電極パッドに替わるステージ（以後棄てボンディ
ングステージという）を備えている。
【０００９】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
この棄てボンディングステージにキャピラリでワイヤー
を押圧し、この押圧部からワイヤーを切断し、ワイヤー
先端に放電によりボールを形成し、ウェハーステージ上
に載置されたウェハーに形成された半導体チップの電極
にボールバンプボンディングを行う方法である。
【００１０】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１（ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明の一実施例の
ボールバンプボンディング装置の部分上面図である。図
１（ａ）のようにウェハー供給部１０からウェハー２３
をウェハーステージ１１に搬送しウェハーステージ１１
上で自動ボンディングを行うが、ワイヤー切れ等のエラ
ーで装置が停止したときは、操作パネル上のスイッチ操
作にて図１（ｂ）に示す如くボンディングヘッド１３を
ウェハーステージ１１の近傍に設けたＡｌ板等からなる
棄てボンディングステージ１上に移動させ、この棄てボ
ンディングステージ１上にて図４で示した手順に従って
ボールアップ状態にする。その後は元のボンディング状
態に復帰し自動ボンディングを継続する。
【００１１】このような一連の作業は、ワイヤーの自動
供給機能、ワイヤー及びワイヤー先端のボール形成の検
知機能等と組み合わせることにより、自動的に実施する
こともできる。自動的にワイヤー切れ等のエラーからボ
ールアップ状態への復帰を実施する場合は、本実施例の
如く、棄てボンディングステージを固定された位置に設
けたことによって特に有効である。
【００１２】なお、棄てボンディングステージは、ワイ
ヤーボンディングが可能であれば特に材料上での制約は
無く、前記Ａｌ板等のほかＡｕめっきされた金属板等が
利用できる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ボールバ
ンプボンディング時にワイヤー切れ等のエラーが生じて
もボールアップ状態に戻すためのステージを設けたので
ウェハー上で不良ＩＣチップを探す必要がなくなり、ま
た、不良ＩＣチップが無い場合にも良品ＩＣチップの電
極パッドを使い良品ＩＣチップを不良にしてしまう事も
なくなり、装置の稼働率及び歩留りが向上するという効
果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を説明する図で、同図
（ａ），（ｂ）はそれぞれ装置の部分上面図である。
【図２】従来の装置外観図である。
【図３】従来のワイヤー状態を示す図で、同図（ａ）は
ボンディング部のワイヤー切れ状態を示す側面図、同図
（ｂ）はボールアップ状態を示す側面図である。
【図４】従来のワイヤー状態を示す図で、同図（ａ）〜
（ｄ）はワイヤー切れ状態からボールアップ状態にする
流れを順に示したボンディング部のそれぞれ側面図であ
る。
【符号の説明】
１ 棄てボンディングステージ １０ ウェハー供給部 １１ ウェハーステージ １２ ウェハー収納部 １３ ボンディングヘッド １４ 認識用カメラ １５ 認識装置 １６ ワイヤー供給部 １７ ワイヤー １８ キャピラリ １９ ワイヤークランパー ２０ ボンディングアーム ２１ トーチロッド ２２ ボール ２３ ウェハー ２４ ＸＹマニプレータ ２５ 操作パネル

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ボールバンプボンディング技術を用いて
    半導体チップ上の電極にボールバンプを形成する半導体
    装置の製造方法において、ボールバンプ付けを実施する
    のに必要となるワイヤー先端のボール形成の際、ボンデ
    ィングアームを棄てボンディングステージ上に移動さ
    せ、この棄てボンディングステージ上面にワイヤーをキ
    ャピラリで押圧して押圧部から切断し、この切断したワ
    イヤー先端に放電によりボールを形成し、ウェハーステ
    ージ上に載置されたウェハーに形成された半導体チップ
    の電極にボールバンプボンディングを行うことを特徴と
    する半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 ボールバンプボンディング技術を用いて
    半導体チップ上の電極にボールバンプを形成する半導体
    装置の製造装置において、前記棄てボンディングステー
    ジをウェハーを載置するウェハーステージの近傍に設け
    たことを特徴とする半導体装置の製造装置。
  3. 【請求項３】 前記棄てボンディングステージ上面がボ
    ンディングワイヤーと接続可能な金属で形成されている
    請求項２記載の半導体装置の製造装置。
JP3295352A 1991-11-12 1991-11-12 半導体装置の製造方法及び製造装置 Pending JPH05226407A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3295352A JPH05226407A (ja) 1991-11-12 1991-11-12 半導体装置の製造方法及び製造装置
US07/972,991 US5294038A (en) 1991-11-12 1992-11-10 Method of and apparatus for manufacturing semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3295352A JPH05226407A (ja) 1991-11-12 1991-11-12 半導体装置の製造方法及び製造装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05226407A true JPH05226407A (ja) 1993-09-03

Family

ID=17819502

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3295352A Pending JPH05226407A (ja) 1991-11-12 1991-11-12 半導体装置の製造方法及び製造装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5294038A (ja)
JP (1) JPH05226407A (ja)

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5709336A (en) * 1996-05-31 1998-01-20 International Business Machines Corporation Method of forming a solderless electrical connection with a wirebond chip
JP3377934B2 (ja) * 1997-07-22 2003-02-17 松下電器産業株式会社 バンプボンディング方法およびバンプボンディング装置
JP3400338B2 (ja) * 1998-02-12 2003-04-28 株式会社新川 バンプボンディング装置
TW412817B (en) * 1998-06-19 2000-11-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd A bump bonding apparatus and method
TW412816B (en) * 1998-06-19 2000-11-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Bump-forming apparatus and bump-forming method
US6511865B1 (en) 2000-09-20 2003-01-28 Charles W. C. Lin Method for forming a ball bond connection joint on a conductive trace and conductive pad in a semiconductor chip assembly
US6350632B1 (en) 2000-09-20 2002-02-26 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with ball bond connection joint
US6350386B1 (en) 2000-09-20 2002-02-26 Charles W. C. Lin Method of making a support circuit with a tapered through-hole for a semiconductor chip assembly
US6448108B1 (en) 2000-10-02 2002-09-10 Charles W. C. Lin Method of making a semiconductor chip assembly with a conductive trace subtractively formed before and after chip attachment
US6544813B1 (en) 2000-10-02 2003-04-08 Charles W. C. Lin Method of making a semiconductor chip assembly with a conductive trace subtractively formed before and after chip attachment
US6740576B1 (en) 2000-10-13 2004-05-25 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a contact terminal with a plated metal peripheral sidewall portion for a semiconductor chip assembly
US6699780B1 (en) 2000-10-13 2004-03-02 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace to a semiconductor chip using plasma undercut etching
US6673710B1 (en) 2000-10-13 2004-01-06 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace and an insulative base to a semiconductor chip
US6440835B1 (en) 2000-10-13 2002-08-27 Charles W. C. Lin Method of connecting a conductive trace to a semiconductor chip
US7071089B1 (en) 2000-10-13 2006-07-04 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor chip assembly with a carved bumped terminal
US7075186B1 (en) 2000-10-13 2006-07-11 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with interlocked contact terminal
US6576539B1 (en) 2000-10-13 2003-06-10 Charles W.C. Lin Semiconductor chip assembly with interlocked conductive trace
US6576493B1 (en) 2000-10-13 2003-06-10 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace and an insulative base to a semiconductor chip using multiple etch steps
US6492252B1 (en) 2000-10-13 2002-12-10 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a bumped conductive trace to a semiconductor chip
US6537851B1 (en) 2000-10-13 2003-03-25 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a bumped compliant conductive trace to a semiconductor chip
US6876072B1 (en) 2000-10-13 2005-04-05 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with chip in substrate cavity
US7132741B1 (en) 2000-10-13 2006-11-07 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with carved bumped terminal
US7264991B1 (en) 2000-10-13 2007-09-04 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace to a semiconductor chip using conductive adhesive
US6667229B1 (en) 2000-10-13 2003-12-23 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a bumped compliant conductive trace and an insulative base to a semiconductor chip
US7009297B1 (en) 2000-10-13 2006-03-07 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with embedded metal particle
US7414319B2 (en) * 2000-10-13 2008-08-19 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with metal containment wall and solder terminal
US7319265B1 (en) 2000-10-13 2008-01-15 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with precision-formed metal pillar
US7129575B1 (en) 2000-10-13 2006-10-31 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bumped metal pillar
US7190080B1 (en) 2000-10-13 2007-03-13 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with embedded metal pillar
US6908788B1 (en) 2000-10-13 2005-06-21 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace to a semiconductor chip using a metal base
US6984576B1 (en) 2000-10-13 2006-01-10 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting an additively and subtractively formed conductive trace and an insulative base to a semiconductor chip
US7094676B1 (en) 2000-10-13 2006-08-22 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with embedded metal pillar
US7262082B1 (en) 2000-10-13 2007-08-28 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a three-dimensional stacked semiconductor package with a metal pillar and a conductive interconnect in an encapsulant aperture
US7129113B1 (en) 2000-10-13 2006-10-31 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a three-dimensional stacked semiconductor package with a metal pillar in an encapsulant aperture
US6872591B1 (en) 2000-10-13 2005-03-29 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor chip assembly with a conductive trace and a substrate
US6949408B1 (en) 2000-10-13 2005-09-27 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace and an insulative base to a semiconductor chip using multiple etch steps
US6548393B1 (en) 2000-10-13 2003-04-15 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with hardened connection joint
JP4615117B2 (ja) * 2000-11-21 2011-01-19 パナソニック株式会社 半導体ウエハへのバンプ形成方法及びバンプ形成装置
US6444489B1 (en) 2000-12-15 2002-09-03 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with bumped molded substrate
US6653170B1 (en) 2001-02-06 2003-11-25 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with elongated wire ball bonded to chip and electrolessly plated to support circuit
US7993983B1 (en) 2003-11-17 2011-08-09 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor chip assembly with chip and encapsulant grinding
US7538415B1 (en) 2003-11-20 2009-05-26 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bumped terminal, filler and insulative base
US7425759B1 (en) 2003-11-20 2008-09-16 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bumped terminal and filler
US7750483B1 (en) 2004-11-10 2010-07-06 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with welded metal pillar and enlarged plated contact terminal
US7446419B1 (en) 2004-11-10 2008-11-04 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with welded metal pillar of stacked metal balls
US7268421B1 (en) 2004-11-10 2007-09-11 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with welded metal pillar that includes enlarged ball bond
US7494843B1 (en) 2006-12-26 2009-02-24 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor chip assembly with thermal conductor and encapsulant grinding
US7811863B1 (en) 2006-10-26 2010-10-12 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor chip assembly with metal pillar and encapsulant grinding and heat sink attachment
US10818514B1 (en) * 2017-07-14 2020-10-27 Triad National Security, Llc Fine wire manipulator

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4952973A (ja) * 1972-09-22 1974-05-23
US4422568A (en) * 1981-01-12 1983-12-27 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Method of making constant bonding wire tail lengths
US4434347A (en) * 1981-08-19 1984-02-28 Fairchild Camera And Instrument Corporation Lead frame wire bonding by preheating
US4549059A (en) * 1982-11-24 1985-10-22 Nec Corporation Wire bonder with controlled atmosphere
US4594493A (en) * 1983-07-25 1986-06-10 Fairchild Camera & Instrument Corp. Method and apparatus for forming ball bonds
JPS6341037A (ja) * 1986-08-06 1988-02-22 Mitsubishi Electric Corp ワイヤボンデイング装置
US5193738A (en) * 1992-09-18 1993-03-16 Microfab Technologies, Inc. Methods and apparatus for soldering without using flux

Also Published As

Publication number Publication date
US5294038A (en) 1994-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH05226407A (ja) 半導体装置の製造方法及び製造装置
US8640943B2 (en) Fabrication method of semiconductor integrated circuit device
KR100536898B1 (ko) 반도체 소자의 와이어 본딩 방법
JP2002158257A (ja) フリップチップボンディング方法
US3840978A (en) Method for positioning and bonding
US20050092815A1 (en) Semiconductor device and wire bonding method
JPS59208844A (ja) フエイスダウンボンダ−
US6680221B2 (en) Bare chip mounting method and bare chip mounting system
JPH09199577A (ja) 半導体パッケージの吸着装置、半導体パッケージの搭載方法及びそのための装置
JP3425510B2 (ja) バンプボンダー形成方法
US5414919A (en) Apparatus for removing metallized leads bonded to metallized bond pads
JP2006032873A (ja) ストラップボンディング装置及びストラップボンディング方法
JP2976629B2 (ja) バンプ形成装置
KR100485590B1 (ko) 솔더 페이스트 프린트를 이용한 웨이퍼 범핑 방법
JP3673051B2 (ja) バンプ形成方法及びバンプボンダー
JP3550946B2 (ja) Ｔａｂ型半導体装置
JPH0810188Y2 (ja) ボンディング装置
JPH0697350A (ja) リ−ドフレ−ム
JP3754538B2 (ja) ボンディング方法及びバンプボンダー
JP2006013306A (ja) ボールボンディング方法およびボールボンディング装置
JPH07307343A (ja) 半田ボールのボンディング装置およびボンディング方法
JP2001176915A (ja) ワイヤボンディング装置および方法
KR19990016052A (ko) 칩 접착 장치 및 그를 이용한 칩 접착 방법
JPH01184840A (ja) ワイヤレスボンディング方法
JP2792285B2 (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19990615