JP2000183114A - ボンディング装置 - Google Patents

ボンディング装置

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JP2000183114A
JP2000183114A JP10354363A JP35436398A JP2000183114A JP 2000183114 A JP2000183114 A JP 2000183114A JP 10354363 A JP10354363 A JP 10354363A JP 35436398 A JP35436398 A JP 35436398A JP 2000183114 A JP2000183114 A JP 2000183114A
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bonding
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bonding tool
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Daisuke Kobayashi
大介 小林
Takao Watanabe
隆夫 渡辺
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Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ボンディングヘッドが下降する際にロードセ
ルの出力を正確に検出することができ、かつ、半導体チ
ップと基板が接触する時の荷重を低減したボンディング
装置を提供すること。 【解決手段】 ヘッドユニット13の先端部に設けられ
たボンディングツール12の下降時に、常にロードセル
19の出力の変化を監視し、半導体チップ5と基板21
との接触を検出するに際して、ロードセル19を搭載し
たベース16はZ軸ステージ26とは非接触な構造にし
て、下降時にZ軸ステージ26との間での摩擦を生じな
くする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体デバイスの実
装に用いるボンディング装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体チップ等のデバイスの電極とプリ
ント基板の電極とをバンプを介して接合するフリップチ
ップボンディングは、実装面積が小さく、回路の配線長
さが短いという特長が有り、高密度実装や高速デバイス
の実装に適している。特に、形成プロセスが比較的容易
である金ボールバンプを用いたものが広く実用化されて
いる。
【0003】それらの一般的なプロセスの概要について
説明すると、予め半導体チップの電極上にボールバンプ
方式等で金バンプを形成する。この金バンプの形成され
た半導体チップをバンプ形成面を下向きにしてボンディ
ングツールで吸着する。
【0004】一方、100℃程度に加熱されているボン
ディングステージ上には電極用金めっきが施されたセラ
ミック基板等の基板を配置する。半導体チップと基板と
はカメラ等により位置合わせが行われた後に、ボンディ
ングツールが下降して半導体チップを基板へ加圧し接合
する。この加圧は通常2段階に分けられて行われる。つ
まり、第1段階では専用のレべリングステージでバンプ
の高さを揃え、その後、第2段階で接合する。
【0005】以下、第2段階を行うボンディング装置の
構成を図面を参照して説明する。図5は、フリップチッ
プボンディングを行うボンディング装置のボンディング
ヘッドの概略を示す概略構成図である。
【0006】ボンディングヘッド50は大別すると、半
導体チップ5を吸着して作動するボンディングツール5
2を備えたヘッドユニット53と、このヘッドユニット
53を駆動するユニット駆動部54と、ヘッドユニット
53の下方に対向して設けられ、基板51を載置するボ
ンディングステージ55とで構成されている。
【0007】ヘッドユニット53は先端には、半導体チ
ップ5を吸着するボンディングツール52がθ軸回転機
構62を介して設けたベース56が、スライド自在な平
行ベアリングであるリニアガイド57を介してユニット
駆動部54の保持板67に係合している。ベース56の
上部にはボンデイングツール52の加圧力を検出するた
めの加圧力検出センサとしてのロードセル59が設けら
れている。
【0008】また、ベース56は上部は第1スプリング
60によってL形のスライドプレート63の水平部63
bに懸架されている。また、L形のスライドプレート6
3の垂直部63aはベース56と同様にスライド自在な
平行ベアリングであるリニアガイド57を介してユニッ
ト駆動部54の保持板67に係合している。
【0009】ユニット駆動部54は、側面がロ字状に構
造部材で形成され、図示しない装置本体に一側が固着さ
れ、他側に保持板67を介してヘッドユニット53を保
持しているZ軸ステージの上部にモータ69が設けられ
ている。このモータ69の回転軸はロ字状のZ軸ステー
ジ66の内部に設けられたボールねじ70に結合してい
る。また、ボールねじ70に係合しているボールねじナ
ット71は延在部がスライドプレート63に固定されて
いる。
【0010】ボンディングステージ55は、ボンディン
グツール52が下降する位置に対向して基板51を水平
に載置するように設けられている。これらの加工工程の
制御は、ボンディングツール52の先端の高さ、および
荷重をモータ69で制御する場合、半導体チップ5と基
板51との接触を、ボンディングツール52の上部に組
み込んだロードセル59を使用して、ロードセル59の
出力の変化を監視することにより検出している。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
装置の構成による方法では、図6に示すようにボンディ
ングツール52が下降する際に、荷重を検出するロード
セル59にリニアガイド57の摩擦抵抗が加わり、ロー
ドセル59の出力のばらつき幅が大きいため、半導体チ
ップ5と基板51との接触は、ロードセル59の出力の
ばらつき幅以上に荷重が変化しないと検出することがで
きないため、半導体チップ5と基板51とが接触すると
きの荷重が大きくなっていた。
【0012】そのため、ボンディングツール52が降下
時のロードセル59の出力のばらつきによる誤差を防止
するため、半導体チップ5と基板51との接触面を検出
するための閾値は、ばらつき分を考慮して高めに設定し
ていた。従って、基板51の接触面の検出時に発生する
接触面検出荷重は1kgf程度となっていた。
【0013】その結果、半導体チップ5に基板51への
接触時の荷重によってクラックが入る等のダメージを与
えてしまったリ、また、例えば2個程度のバンプ数の少
ない半導体チッブ5をボンディングする場合には、半導
体チップ5と基板51とが接触するときの荷重が、適正
ボンディング荷重を超えてしまうことがあった。
【0014】半導体チップ5と基板51とが接触する時
の荷重を小さくするには、ボンディングツール52が下
降する間は、ロードセル59に外力が加わらない構造に
し、ロードセル59の出力のばらつきをなくして、半導
体チップ5と基板51とが接触する時の微少な接触荷重
の変化を検出することが要求されていた。
【0015】本発明は、ボンディングヘッドが下降する
際にロードセルの出力を正確に検出することができ、か
つ、半導体チップと基板が接触する時の荷重を低減した
ボンディング装置を提供することを目的としている。
【0016】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明による手
段によれば、基板を保持するボンディングステージと、
前記基板にボンディングされる電子部品を保持するボン
ディングツールと、このボンディングツールを支持する
へッドユニットと、前記ヘッドユニットを前記ボンディ
ングステージに保持された基板に対して駆動するユニッ
ト駆動部と、前記ボンディングッールに連結され前記ボ
ンディングツールの前記基板に対する加圧力を検出する
加圧力検出手段とを具備し、前記ボンディングツールは
前記へッドユニットに対して弾性的に懸吊されているこ
とを特徴とするボンディング装置である。
【0017】また請求項2の発明による手段によれば、
前記へッドユニットは、前記ユニット駆動部に摺動自在
に係合されていることを特徴とするボンディング装置で
ある。
【0018】また請求項3の発明による手段によれば、
前記ユニット駆動部は、ボールネジを有し、且つ、前記
ヘッドユニットは前記ボールねじに螺合されたナットを
介して駆動されることを特徴とするボンディング装置で
ある。
【0019】また請求項4の発明による手段によれば、
前記ユニット駆動部は、リニアガイドを有し、前記へッ
ドユニットは、前記リニアガイドを介して、前記ボンデ
ィングツールの加圧方向に案内されることを特徴とする
ボンディング装置である。
【0020】また請求項5の発明による手段によれば、
前記ヘッドユニットは下端部に支持部材を有し、且つ、
前記ボンディングッールは、前記支持部材にスプリング
を介して懸吊されていることを特徴とするボンディング
装置である。
【0021】また請求項6の発明による手段によれば、
前記加圧力検出手段は、前記ボンディングツールに連結
されたロードセルであって、前記スプリングにより前記
支持部材に接離自在に付勢されていることを特徴とする
ボンディング装置である。
【0022】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
面を参照して説明する。図1は、フリップチップボンデ
ィングを行うボンディング装置のユニットの概略を示す
ユニット概略説明図である。
【0023】基板1が搬送される搬送路にはフィーダ2
が設けられ、搬送路の両端部には一方にローダ3が他方
にアンローダ4が設けられている。フィーダ2で搬送路
の所定位置(ボンディングステージ15)まで搬送され
た基板1に対して半導体チップ5をボンディングするた
めに、搬送路の上方に延在可能にXYテーブル6aに設
置されたボンディングヘッド7が設けられている。
【0024】また、搬送路の所定位置(ボンディングス
テージ15)の反対側には、XYテーブル6bに設置さ
れたウエハステージ8が設けられている。このウエハス
テージ8の上方には、ウエハステージ8の上に載置され
た半導体チップ5を吸引して、反転アーム9により反転
させてボンディングヘッド7に供給するIC反転ユニッ
ト10が設置されている。
【0025】図2は、フリップチップボンディングを行
うボンディング装置のボンディングヘッド7の概略を示
す概略構成図である。
【0026】ボンディングヘッド7は大別すると、半導
体チップ5を吸着して作動するボンディングツール12
を備えたヘッドユニット13と、このヘッドユニット1
3を駆動するユニット駆動部14と、ヘッドユニット1
3の下方にヘッドユニット13に対向して設けられ、基
板1を載置するボンディングステージ15とで構成され
ている。
【0027】ヘッドユニット13は先端に半導体チップ
5を吸着するボンディングツール12が設けられたベー
ス16が、スライド自在な平行ベアリングである第1の
リニアガイド17を介してL形のブラケット18の垂直
部18aに係合している。
【0028】ベース16の上部にはボンディングツール
12の加圧力を検出するための加圧力検出センサとして
ロードセル19が設けられている。このロードセル19
はその上端部に半球状の当接子19aを有する。
【0029】また、ベース16は第1スプリング20に
よって、ロードセル19とボンディングツール12との
中心軸が一致するように、L形のブラケット18の水平
部18bに懸架されている。その結果、ロードセル19は
第1スプリング20により、ブラケット18に対して接
離自在に付勢されている。従って、ボンディングツール
12に吸着されている半導体チップ5が基板1に接合す
る際にも第1のスプリング20によって衝撃が吸収され
適切な押圧力で接触することができる。
【0030】ボンディングツール12は、通電加熱式
(例えばセラミックヒータなど)のものが用いられてい
る。図示しない給電用端子を介して通電がなされること
により、抵抗発熱するようになっている。また、中心部
には、図示しない吸着ノズルが挿通され、この吸着ノズ
ルは同様に図示しない真空発生装置に接続されている。
したがって、このボンディングツール12は、真空発生
装置を作動させることで、半導体チップ5を能動端子面
5a(はんだバンプが形成された面)を下方に向けた状
態(フェースダウン状態)で吸着保持できるようになっ
ている。
【0031】L形のブラケット18の水平部18bに
は、その上部にθ軸回転機構22を介してL形のスライ
ドプレート23が設けてらている。このL形のスライド
プレート23とL形のブラケット18とは、相互に水平
部同士と垂直部同士とが共に鏡対象の関係で対向するよ
うに配置されている。L形のスライドプレート23の水
平部23bは、その上部にθ軸モータ24が載置され、
このθ軸モータ24は回転軸がθ軸回転機構22に中心
軸を一致させて係合している。
【0032】L形のスライドプレート23の垂直部23
aは、スライド自在な平行ベアリングである第2のリニ
アガイド25を介してユニット駆動部14のZ軸ステー
ジ26の保持板27に保持されている。また、スライド
プレート23の垂直部23aは第2のスプリング28に
よって保持板27に懸架されている。
【0033】ユニット駆動部14は、側面がロ字状に構
造部材で形成され、図示しない装置本体に一側が固着さ
れ、他側に保持板27を介してヘッドユニット13を保
持しているZ軸ステージ26の上部にZ軸用モータ29
が設けられている。このZ軸用モータ29の回転軸はロ
字状のZ軸ステージ26の内部に設けられたボールねじ
30に結合している。また、ボールねじ30に係合して
いるボールねじナット31は延在部がスライドプレート
23に固定されている。
【0034】ボンディングステージ15は、搬送路上の
所定位置に基板1を水平に載置するように設けられてい
る。この基板1には、半導体チップ5に設けられた各バ
ンプに対応する電極パッド(配線回路)が形成されてい
る。
【0035】これらの構成による作用を説明すると、図
示しないボンダ装置本体の制御部からの指令により、ロ
ーダ3の内部に積載されている基板1はフィーダ2によ
って搬送路を所定位置まで搬送される。一方、IC反転
ユニット10はウエハステージ8に載置されている半導
体チップ5を1個吸引し、反転アーム9によって反転さ
せて、その状態で、移動してきたボンディングヘッド7
のボンディングツール12へ供給する。
【0036】この状態で、画像認識装置(図示せず)に
よって、ボンディングツール12に吸着された半導体チ
ップ5とボンディングステージ15に載置された基板1
の位置認識を行い、X軸(図示せず)、Y軸(図示せ
ず)、θ軸方向の位置合わせを行う。
【0037】次に、図示しないボンディング装置本体の
制御部からの指令を受けて、Z軸用モータ29が作動し
ボールねじ30が回転する。この回転によりボールねじ
30に噛合しているボールねじナット31が下降する。
このボールねじナット31の下降によりボールねじナッ
ト31の先端部に固定されているスライドプレート23
が第2のリニアガイド25に案内されて下降し、スライ
ドプレート23に固定されているヘッドユニット13全
体がボンディングステージ15に向かって下降する。
【0038】フリツプチツプボンディングの動作は図3
に示すように5つのステップで行われている。すなわ
ち、ボンディングツール12を高速に下降させる高速下
降S1、半導体チップ5と基板が接触するときの衝撃を
低減する為にボンディングツール12を低速で下降させ
るサーチS2、半導体チップ5と基板1の接触を検出す
る面検出S3、半導体チップ5と基板1の接合を行うボ
ンディング動作S4とボンディングツール12の原点位
置への復帰動作である上昇S5からなっている。
【0039】下降動作が、高速下降S1とサーチS2や
面検出S3の低速下降に別れているのは、移動時間を短
かくし、なおかつ半導体チップ5と基板1が接触すると
きの衝撃荷重を小さくする為で、サーチS2の動作は半
導体チップ5と基板1とが接触する手前0.5〜5mm
から開始し、速度は1〜5m/secである。
【0040】半導体チップ5と基板1とが接触すると、
ボンディングツール12の上部に組み込んだロードセル
19の出力が増加するため、半導体チップ5と基板1と
の接触を検出する面検出は、ロードセル19の出力が設
定値を超えた点としている。図4に示すように、ロード
セル19の出力波形はリップルの少ない線状の波形であ
るので、閾値を超える境界点を正確に検出することがで
きる。
【0041】上述のように本実施の形態では、ヘッドユ
ニット13の先端部に設けられたボンディングツール1
2の下降時には、常にロードセル19の出力の変化を監
視し、半導体チップ5と基板21との接触を検出する。
ロードセル19を搭載したベース16はZ軸ステージ2
6とは非接触な構造であるので、下降時にZ軸ステージ
26との間での摩擦は生じず、ロードセル19の出力へ
の悪影響は存在しないので、ボンディングツール12下
降中の、ロードセル19の出力のばらつきは抑制され
る。また、半導体チップ5と基板1とが接触する際の接
触荷重を低減することができる。したがって、バンプの
数が2個程度の少バンプ数の半導体チップ5にも対応す
ることができる。
【0042】なお、この発明は、上記一実施形態に限定
されるものではなく、発明の要旨を変更しない範囲で種
々変形可能である。
【0043】例えば、上記一実施形態では、ボンディン
グ装置として、フリップチップボンデイング装置を挙げ
たが、これに限定されるものではなく、リードフレーム
のダイパンド上に半導体チップをボンディングするダイ
ボンディング装置であっても良い。
【0044】また、フリップチップやダイボンデイング
に限定されるものではなく、はんだ材を用い、部品の高
さ制御を高精度に行う必要がある場合には、この発明を
適用することが可能である。
【0045】例えば、TAB(Tape Autom
ated Bonding)部品(TCP等)等を実装
基板上にはんだ付けする場合には、実装基板の電極パッ
ド上にあらかじめはんだ材を供給しておき、これにTA
B部品のアウタリードを当接させ加圧・加熱することで
はんだ付けすることができる。
【0046】ただ、TAB部品のリードのピッチは非常
に狭く、はんだ材が溶融して流出すると隣り合う電極パ
ッドとの間で容易にショートが生じる恐れがある場合に
は、リードと実装基板の電極パッドの距離を高精度に制
御する必要がある。
【0047】また、ボンダに限らず各種のチップマウン
ターに適用することもできる。
【0048】
【発明の効果】以上に説明したように本発明では、ボン
ディング動作時にロードセルに外力が加わらないように
なり正確に基板と半導体チップの接触を検出できる。
【0049】また、基板と半導体チップが接触するとき
の荷重を低減でき、小荷重を精度よく制御できるため、
少バンプの半導体チップにも対応することができる。
【0050】従って、半導体チップにダメージを与える
ことがなく、チツプ毎のボンディング特性のばらつきが
少ない、信頼性の高いボンディングを得ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態を示すフリップチップボン
ディング装置のユニットの概略を示す概略図。
【図2】本発明の実施の形態を示すフリップチップボン
ディング装置のボンディングヘッドの概略を示す概略構
成図。
【図3】本発明の実施の形態を示すフリツプチツプボン
ディングの動作の説明図。
【図4】本発明の実施の形態を示すフリツプチツプボン
ディングの動作によるロードセルの出力波形図。
【図5】従来のフリップチップボンディング装置のボン
ディングヘッドの概略図。
【図6】従来のフリツプチツプボンディングの動作によ
るロードセルの出力波形図。
【符号の説明】
1…基板、5…半導体チップ、7…ボンディングヘッ
ド、12…ボンディングツール、13…ヘッドユニッ
ト、14…ユニット駆動部、15…ボンディングステー
ジ、16…ベース、19…ロードセル、22…θ軸回転
機構、23…スライドプレート、26…Z軸ステージ、
30…ボールねじ、31…ボールねじナット

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板を保持するボンディングステージ
    と、前記基板にボンディングされる電子部品を保持する
    ボンディングツールと、このボンディングツールを支持
    するへッドユニットと、前記ヘッドユニットを前記ボン
    ディングステージに保持された基板に対して駆動するユ
    ニット駆動部と、前記ボンディングッールに連結され前
    記ボンディングツールの前記基板に対する加圧力を検出
    する加圧力検出手段とを具備し、前記ボンディングツー
    ルは前記へッドユニットに対して弾性的に懸吊されてい
    ることを特徴とするボンディング装置。
  2. 【請求項2】 前記へッドユニットは、前記ユニット駆
    動部に摺動自在に係合されていることを特徴とする請求
    項1記載のボンディング装置。
  3. 【請求項3】 前記ユニット駆動部は、ボールネジを有
    し、且つ、前記ヘッドユニットは前記ボールねじに螺合
    されたナットを介して駆動されることを特徴とする請求
    項1記載のボンディング装置。
  4. 【請求項4】 前記ユニット駆動部は、リニアガイドを
    有し、前記へッドユニットは、前記リニアガイドを介し
    て、前記ボンディングツールの加圧方向に案内されるこ
    とを特徴とする請求項2記載のボンディング装置。
  5. 【請求項5】 前記ヘッドユニットは下端部に支持部材
    を有し、且つ、前記ボンディングッールは、前記支持部
    材にスプリングを介して懸吊されていることを特徴とす
    る請求項1記載のボンディング装置。
  6. 【請求項6】 前記加圧力検出手段は、前記ボンディン
    グツールに連結されたロードセルであって、前記スプリ
    ングにより前記支持部材に接離自在に付勢されているこ
    とを特徴とする請求項5記載のボンディング装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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