JP3377934B2 - バンプボンディング方法およびバンプボンディング装置 - Google Patents

バンプボンディング方法およびバンプボンディング装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フリップチップ方
式の半導体集積回路（以下、ＩＣという）を構成する
際、ＩＣ側に凸部電極を形成するバンプボンディング方
法およびバンプボンディング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来からのＩＣ関連のワイヤボンディン
グ技術を応用して、金バンプをフリップチップＩＣの電
極形成箇所に超音波接合するスタッドバンプボンディン
グ技術が知られており、以下、これについて説明する。
【０００３】従来、一般的に用いられるバンプボンディ
ング装置としては、例えば図４に示すものがある。すな
わち、金線１はクランパー２で保持され、キャピラリー
３に挿通されている。上記キャピラリー３は超音波ホー
ン４の先端部に設けられており、この超音波ホーン４は
水平軸心を中心に回動自在な支持フレーム５に設けられ
ている。この支持フレーム５をヘッド上下駆動装置６に
より回動させることにより、超音波ホーン４を介して上
記キャピラリー３が上下動する。尚、上記ヘッド上下駆
動装置６としてはコイルモータが用いられている。ま
た、超音波ホーン４には超音波発振器７が設けられてい
る。
【０００４】上記支持フレーム５は互いに水平方向で直
交するＸ−Ｙ方向へ移動自在な移動テーブル８上に設け
られており、この移動テーブル８の移動により、上記キ
ャピラリー３が水平方向へ移動される。また、９は支持
フレーム５の上下の変位を検出する変位検出センサであ
り、この変位検出センサ９で検出された支持フレーム５
の変位に基づいて、キャピラリー３の上下方向の位置が
求められる。
【０００５】上記クランパー２の上方には、金線１を引
き上げるエアーテンショナー１０が設けられている。ま
た、上記キャピラリー３の下方には、ＩＣ１１を支持し
かつ加熱するヒートステージ１２が設けられている。こ
のヒートステージ１２には、ヒーター１３が設けられて
いる。また、キャピラリー３に挿通された金線１の先端
部近傍には、スパーク発生装置１４が設けられている。
また、上記ヒートステージ１２の上方には、ＩＣ１１の
位置を認識する位置認識用カメラ装置１５が設けられて
いる。
【０００６】これによると、先ず、位置認識用カメラ装
置１５によりヒートステージ１２上のＩＣ１１を認識し
て位置決めする。そして、図５の（ａ）で示すように、
キャピラリー３の下方に出た金線１の先端に、スパーク
発生装置１４からスパークを与えて、金ボール１６を形
成する。
【０００７】その後、図５の（ｂ）で示すように、ヘッ
ド上下駆動装置６によってキャピラリー３が下降する。
そして、金ボール１６がＩＣ１１の電極形成箇所に上方
から当接すると、変位検出センサ９で検出される支持フ
レーム５の上下の変位が一定値に停止することにより、
ＩＣ１１の電極形成箇所の位置が検出される。そして、
キャピラリー３に所定の加圧を加えて金ボール１６を下
向きに押圧し、さらに、超音波発振器７により超音波ホ
ーン４を介して超音波を発振し、金ボール１６をＩＣ１
１の電極形成箇所に接合する。これにより、ＩＣ１１の
電極形成箇所にバンプ台座１７が形成される。
【０００８】次に、図５の（ｃ）で示すように、キャピ
ラリー３が、ヘッド上下駆動装置６によって一定量上昇
し、さらに移動テーブル８の移動によって水平方向へ一
定量移動した後、再び下降する。
【０００９】そして、図５の（ｄ）で示すように、金線
１が上記バンプ台座１７に上方から当接すると、変位検
出センサ９で検出される支持フレーム５の上下の変位が
一定値に停止することにより、バンプ台座１７の位置が
検出される。そして、キャピラリー３に所定の加圧を加
えて金線１を下向きに押圧し、金線１をバンプ台座１７
に接合する。
【００１０】次に、図５の（ｅ）で示すように、キャピ
ラリー３が、ヘッド上下駆動装置６によって再び一定量
上昇し、その後、金線１をクランパー２によって保持す
るとともにエアーテンショナー１０によって引き上げる
ことにより、図５の（ｆ）で示すように、金線１とバン
プ台座１７との接合部が断裂し、ＩＣ１１電極形成箇所
に突起状のスタッドバンプ１８が形成される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】図６は正規の形状のス
タッドバンプ１８を示しているが、これに対して、上記
の従来形式では、スタッドバンプ１８を形成する際、図
５の（ｄ）で示す段階で、バンプ台座１７の形成位置が
キャピラリー３から水平に離れる方向（すなわち図７の
仮想線イで示すように、正規の形成位置から左側）へ偏
芯した場合、バンプ台座１７と金線１との接合位置は正
規の位置よりも下位となり、また、バンプ台座１７の形
成位置がキャピラリー３へ水平に接近する方向（すなわ
ち図７の仮想線ロで示すように、正規の形成位置から右
側）へ偏芯した場合、バンプ台座１７と金線１との接合
位置は正規の位置よりも上位となってしまう。
【００１２】このように、バンプ台座１７の形成位置が
水平方向へ偏芯して、バンプ台座１７と金線１との接合
位置の高さにばらつきが生じると、図８に示すようにス
タッドバンプ１８側の金線１が立ち上がった状態で断裂
されたり、図９に示すようにスタッドバンプ１８側の金
線１がバンプ台座１７から剥がれた状態で断裂されてし
まうといった、スタッドバンプ１８の形状不良が発生し
た。このようなスタッドバンプ１８の形状不良は電極の
接続不良の原因となり、不良ＩＣ１１を生産してしまう
恐れがあった。
【００１３】また、ＩＣ１１の電極形成箇所の位置とバ
ンプ台座１７の位置とは、それぞれ、変位検出センサ９
で検出される変位が一定値に停止することにより検出さ
れるが、検出に要するサーチ時間が比較的長くなり、１
個のスタッドバンプ１８を形成するのに２回の検出（す
なわち図５の（ｂ）におけるＩＣ１１の電極形成箇所の
位置の検出と、図５の（ｄ）におけるバンプ台座１７の
位置の検出）を行う必要があるため、生産タクトが長く
なってしまうといった問題も生じた。
【００１４】本発明は、バンプボンディング方法および
バンプボンディング装置において、バンプの形状不良を
防止し、バンプの形成時間を短縮することを目的とす
る。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明のバンプボンディ
ング方法においては、変位検出装置で検出されたバンプ
台座の高さを基準にしてキャピラリーの停止位置高さを
設定し、キャピラリーを上記停止位置高さまで再度下降
させてワイヤをバンプ台座に接合するものである。
【００１６】この発明によれば、バンプの形状不良を防
止し、バンプの形成時間を短縮することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、キャピラリーに挿通されたワイヤの先端にボールを
形成し、上記キャピラリーを下降させるとともに、この
キャピラリーの上下方向の変位を変位検出装置で検出
し、上記ボールが半導体集積回路に当接した際に変位検
出装置で検出されたキャピラリーの変位に基づいて半導
体集積回路の電極形成箇所の位置を検出し、上記ボール
を上記電極形成箇所に押圧してバンプ台座を形成し、上
記キャピラリーを一定量上昇させるとともに水平方向に
一定量移動させ、上記変位検出装置で検出されたバンプ
台座の高さを基準にしてキャピラリーの停止位置高さを
設定し、キャピラリーを上記停止位置高さまで再度下降
させて上記ワイヤをバンプ台座に接合し、上記キャピラ
リーを再度一定量上昇させた後、上記ワイヤを引き上げ
て上記バンプ台座とワイヤとの接合部を断裂させ、半導
体集積回路の電極形成箇所にバンプを形成するものであ
る。
【００１８】これによると、検出されたバンプ台座の高
さを基準にしてキャピラリーの停止位置高さを設定して
いるため、ワイヤとバンプ台座とはバンプ台座の高さを
基準にして接合される。これにより、バンプ台座の形成
位置が水平方向へ偏芯しても、バンプ台座とワイヤとの
接合位置の高さがばらつくことはなく、したがって、バ
ンプの形成不良を防止することができる。
【００１９】また、キャピラリーの２回目の下降時、従
来であれば変位検出センサでバンプ台座の位置を検出し
ていたが、本発明では検出しなくてもよい。したがっ
て、１個のスタッドバンプを形成するのに、従来では２
回の検出（すなわち半導体集積回路の電極形成箇所の位
置の検出と、バンプ台座の位置の検出）を行う必要があ
ったが、本発明では１回の検出（すなわち半導体集積回
路の電極形成箇所の位置の検出のみ）を行えばよいた
め、バンプの形成時間を短縮することができる。
【００２０】本発明の請求項２に記載の発明は、半導体
集積回路の表面高さ位置の変化を求め、キャピラリーに
挿通されたワイヤの先端にボールを形成し、上記キャピ
ラリーを下降させるとともに、このキャピラリーの上下
方向の変位を変位検出装置で検出し、上記ボールが半導
体集積回路に当接した際に変位検出装置で検出されたキ
ャピラリーの変位に基づいて、上記ボールから半導体集
積回路の電極形成箇所までの上下距離を予め測定し、そ
の後、この上下距離に上記半導体集積回路の表面高さの
変化を加えた距離だけ上記キャピラリーを下降させて、
上記ボールを上記電極形成箇所に押圧してバンプ台座を
形成し、この際、上記変位検出装置で検出されたキャピ
ラリーの変位に基づいて上記バンプ台座の高さを求め、
上記キャピラリーを一定量上昇させるとともに水平方向
に一定量移動させ、上記バンプ台座の高さを基準にして
キャピラリーの停止位置高さを設定し、キャピラリーを
上記停止位置高さまで再度下降させて上記ワイヤをバン
プ台座に接合し、上記キャピラリーを再度一定量上昇さ
せた後、上記ワイヤを引き上げて上記バンプ台座とワイ
ヤとの接合部を断裂させ、半導体集積回路の電極形成箇
所にバンプを形成するものである。
【００２１】これによると、バンプ台座の高さを基準に
してキャピラリーの停止位置高さを設定しているため、
ワイヤとバンプ台座とはバンプ台座の高さを基準にして
接合される。これにより、バンプ台座の形成位置が水平
方向へ偏芯しても、バンプ台座とワイヤとの接合位置の
高さがばらつくことはなく、したがって、バンプの形成
不良を防止することができる。
【００２２】本発明の請求項３に記載の発明は、ワイヤ
を挿通可能なキャピラリーと、このキャピラリーに挿通
されたワイヤの先端にボールを形成するボール形成手段
と、上記キャピラリーを昇降させる昇降装置と、上記キ
ャピラリーを水平方向へ移動させる移動装置と、キャピ
ラリーの下方で半導体集積回路を支持する支持部材と、
上記ボールと半導体集積回路の電極形成箇所とを接合す
る接合手段と、上記ワイヤを引き上げるワイヤ引上装置
と、支持部材上に支持された半導体集積回路の表面高さ
位置を検出する表面高さ位置検出装置と、上記キャピラ
リーの上下方向の変位を検出する変位検出装置とを備え
たものである。
【００２３】これによると、表面高さ位置検出装置によ
って半導体集積回路の表面高さ位置の変化を求め、ボー
ル形成手段によってワイヤの先端にボールを形成し、昇
降装置によってキャピラリーを下降させるとともに、こ
の時のキャピラリーの上下方向の変位を変位検出装置で
検出し、上記ボールが半導体集積回路に当接した際に変
位検出装置で検出されたキャピラリーの変位に基づい
て、上記ボールから半導体集積回路の電極形成箇所まで
の上下距離を予め測定する。
【００２４】その後、上記上下距離に上記半導体集積回
路の表面高さの変化を加えた距離だけ上記キャピラリー
を昇降装置によって下降させ、上記ボールを上記電極形
成箇所に押圧して接合手段により接合しバンプ台座を形
成する。この際、上記変位検出装置で検出されたキャピ
ラリーの変位に基づいて上記バンプ台座の高さを求め、
上記キャピラリーを昇降装置によって一定量上昇させる
とともに移動装置によって水平方向に一定量移動させ
る。そして、上記バンプ台座の高さを基準にしてキャピ
ラリーの停止位置高さを設定し、キャピラリーを昇降装
置によって上記停止位置高さまで再度下降させて上記ワ
イヤをバンプ台座に接合する。そして、昇降装置によっ
て上記キャピラリーを再度一定量上昇させた後、ワイヤ
引上装置によって上記ワイヤを引き上げて上記バンプ台
座とワイヤとの接合部を断裂させることにより、半導体
集積回路の電極形成箇所にバンプが形成される。
【００２５】このように、バンプ台座の高さを基準にし
てキャピラリーの停止位置高さを設定しているため、ワ
イヤとバンプ台座とはバンプ台座の高さを基準にして接
合される。これにより、バンプ台座の形成位置が水平方
向へ偏芯しても、バンプ台座とワイヤとの接合位置の高
さがばらつくことはなく、したがって、バンプの形成不
良を防止することができる。
【００２６】以下、本発明の実施の形態について、図１
から図３を用いて説明する。 （実施の形態１）実施の形態１のバンプボンディング装
置は先述した従来のものと同一の構成であり、同一の符
号を用いて、以下にバンプボンディング方法を説明す
る。
【００２７】すなわち、先ず、位置認識用カメラ装置１
５によりヒートステージ１２上のＩＣ１１を認識して位
置決めする。そして、図１の（ａ）で示すように、キャ
ピラリー３の下方に出た金線１（ワイヤの一例）の先端
に、スパーク発生装置１４からスパークを与えて、金ボ
ール１６を形成する。
【００２８】その後、図１の（ｂ）で示すように、ヘッ
ド上下駆動装置６によってキャピラリー３が待機位置Ｐ
から下降する。そして、金ボール１６がＩＣ１１の電極
形成箇所に上方から当接すると、変位検出センサ９で検
出される支持フレーム５の上下の変位が一定値に停止す
ることにより、ＩＣ１１の電極形成箇所の位置が検出さ
れ、この時のキャピラリー３の高さが変位検出センサ９
により読み取られ、この高さが台座高さＨ１として制御
部（図示せず）にメモリされる。そして、キャピラリー
３に所定の加圧を加えて金ボール１６を下向きに押圧
し、さらに、超音波発振器７により超音波ホーン４を介
して超音波を発振し、金ボール１６をＩＣ１１の電極形
成箇所に接合する。これにより、ＩＣ１１の電極形成箇
所上にバンプ台座１７が形成される。
【００２９】次に、図１の（ｃ）で示すように、キャピ
ラリー３が、ヘッド上下駆動装置６によって一定量上昇
し、さらに移動テーブル８の移動によって水平方向へ一
定量移動する。
【００３０】その後、図１の（ｄ）で示すように、キャ
ピラリー３は、上記台座高さＨ１を基準にした相対位置
であるセカンド停止位置高さＳまで下降される。ここ
で、上記セカンド停止位置高さＳは、セカンド停止位置
高さＳ＝台座高さＨ１ ±オフセット高さＨ２で定義さ
れる。その後、キャピラリー３に所定の加圧を加えて金
線１を下向きに押圧し、金線１をバンプ台座１７に接合
する。
【００３１】次に、図１の（ｅ）で示すように、キャピ
ラリー３が、ヘッド上下駆動装置６によって再び一定量
上昇し、その後、金線１をクランパー２によって保持す
るとともにエアーテンショナー１０によって引き上げる
ことにより、図１の（ｆ）で示すように、金線１とバン
プ台座１７との接合部が断裂し、ＩＣ１１の電極形成箇
所に突起状のスタッドバンプ１８が形成される。
【００３２】このように、台座高さＨ１を基準にしてセ
カンド停止位置高さＳを設定しているため、金線１とバ
ンプ台座１７とは台座高さＨ１を基準にして接合され、
これにより、バンプ台座１７の形成位置が水平方向へ偏
芯しても、バンプ台座１７と金線１との接合位置の高さ
がばらつくことはなく、したがって、バンプ１８の形成
不良を防止することができる。
【００３３】また、キャピラリー３の２回目の下降時、
従来であれば変位検出センサ９でバンプ台座１７の位置
を検出していたが、本実施の形態１では検出しなくても
よい。したがって、１個のスタッドバンプ１８を形成す
るのに、従来では２回の検出（すなわち図５の（ｂ）に
おけるＩＣ１１の電極形成箇所の位置の検出と、図５の
（ｄ）におけるバンプ台座１７の位置の検出）を行う必
要があったが、本実施の形態１では１回の検出（すなわ
ち図１の（ｂ）におけるＩＣ１１の電極形成箇所の位置
の検出のみ）を行えばよいため、バンプ１８の形成時間
を短縮することができる。
【００３４】（実施の形態２）図２に示すように、３０
は実施の形態２におけるバンプボンディング装置であ
り、金線３１（ワイヤの一例）はクランパー３２で保持
され、キャピラリー３３に挿通されている。上記キャピ
ラリー３３は超音波ホーン３４の先端部に設けられてお
り、この超音波ホーン３４は水平軸心を中心に回動自在
な支持フレーム３５に設けられている。この支持フレー
ム３５をヘッド上下駆動装置３６（昇降装置の一例）に
より回動させることにより、超音波ホーン３４を介して
上記キャピラリー３３が上下動する。尚、上記ヘッド上
下駆動装置３６としてはコイルモータが用いられてい
る。また、超音波ホーン３４には超音波発振器３７が設
けられており、これら超音波ホーン３４と超音波発振器
３７とは、金ボール１６とＩＣ４１の電極形成箇所とを
接合する接合手段の一例である。
【００３５】上記支持フレーム３５は互いに水平方向で
直交するＸ−Ｙ方向へ移動自在な移動テーブル３８（移
動装置の一例）上に設けられており、この移動テーブル
３８の移動によりキャピラリー３３が水平方向へ移動す
る。３９は支持フレーム３５の上下の変位を検出する変
位検出センサであり、この変位検出センサ３９で検出さ
れた支持フレーム３５の変位に基づいて、キャピラリー
３３の上下方向の位置が求められる。
【００３６】上記クランパー３２の上方には、金線３１
を引き上げるエアーテンショナー４０（ワイヤ引上装置
の一例）が設けられている。また、上記キャピラリー３
３の下方には、ＩＣ４１を支持しかつ加熱するヒートス
テージ４２（支持部材の一例）が設けられている。この
ヒートステージ４２には、ヒーター４３が設けられてい
る。また、キャピラリー３３に挿通された金線３１の先
端部近傍には、スパーク発生装置４４（ボール形成手段
の一例）が設けられている。また、上記ヒートステージ
４２の上方には、 ＩＣ４１の位置を認識する位置認識
用カメラ装置４５と、ＩＣ４１の表面高さ位置を測定す
る位置変位計４６（表面高さ位置検出装置）とが設けら
れている。
【００３７】以下に、上記バンプボンディング装置３０
を用いたバンプボンディング方法を説明する。すなわ
ち、先ず、位置認識用カメラ装置４５によりヒートステ
ージ４２上のＩＣ４１を認識して位置決めし、さらに、
図３の（ａ）で示すように、位置変位計４６によりヒー
トステージ４２上のＩＣ４１の表面高さを測定し、測定
された表面高さはＨ０(ｎ)として制御部（図示せず）に
メモリされる。この際、ＩＣ４１の表面高さＨ０(ｎ)は
複数のＩＣ４１ごとに若干のばらつきがあるため、上記
制御部において、これ以前にメモリされた既にバンプ形
成済みの１つ前のＩＣ４１の表面高さＨ０(ｎ−１)と上
記Ｈ０(ｎ)とが比較され、ＩＣ４１の表面高さの変化△
Ｈ０が求められる。次に、キャピラリー３３の下方に出
た金線３１の先端に、スパーク発生装置４４からスパー
クを与えて、金ボール４７を形成する。
【００３８】その後、図３の（ａ）における仮想線で示
すように、ヘッド上下駆動装置３６によってキャピラリ
ー３３を待機位置Ｐから下降させ、上記金ボール４７が
ＩＣ４１の電極形成箇所に当接した際に変位検出センサ
３９で検出されたキャピラリー３３の変位に基づいて、
キャピラリー３３が待機位置Ｐで待機している際の金ボ
ール４７からＩＣ４１の電極形成箇所までの上下距離Ｂ
Ｌ（ボンディングレベル）を予め測定する。
【００３９】そして、図３の（ｂ）で示すように、ヘッ
ド上下駆動装置３６によってキャピラリー３３が上下距
離ＢＬ＋△Ｈ０だけ下降する。これにより、金ボール４
７がＩＣ４１の電極形成箇所に上方から当接し、キャピ
ラリー３３に所定の加圧を加えて金ボール４７を下向き
に押圧し、さらに、超音波発振器３７により超音波ホー
ン３４を介して超音波を発振し、金ボール４７をＩＣ４
１の電極形成箇所に接合する。これにより、ＩＣ４１の
電極形成箇所上にバンプ台座４８が形成される。この
際、上記したように上下距離ＢＬ＋△Ｈ０だけ下降した
キャピラリー３３の位置は変位検出センサ３９により検
出され、これに基づいてバンプ台座４８の高さＨ１が求
められる。
【００４０】次に、図３の（ｃ）で示すように、キャピ
ラリー３３が、ヘッド上下駆動装置３６によって一定量
上昇し、さらに移動テーブル３８の移動によって水平方
向へ一定量移動する。
【００４１】その後、図３の（ｄ）で示すように、キャ
ピラリー３３は、上記台座高さＨ１を基準にした相対位
置であるセカンド停止位置高さＳまで下降される。ここ
で、上記セカンド停止位置高さＳは、セカンド停止位置
高さＳ＝台座高さＨ１ ±オフセット高さＨ２で定義さ
れる。その後、キャピラリー３３に所定の加圧を加えて
金線３１を下向きに押圧し、金線３１をバンプ台座４８
に接合する。
【００４２】次に、図３の（ｅ）で示すように、キャピ
ラリー３３が、ヘッド上下駆動装置３６によって再び一
定量上昇し、その後、金線３１をクランパー３２によっ
て保持するとともにエアーテンショナー４０によって引
き上げることにより、図３の（ｆ）で示すように、金線
３１とバンプ台座４８との接合部が断裂し、ＩＣ４１の
電極形成箇所に突起状のスタッドバンプ４９が形成され
る。
【００４３】このように、台座高さＨ１を基準にしてセ
カンド停止位置高さＳを設定しているため、金線３１と
バンプ台座４８とは台座高さＨ１を基準にして接合さ
れ、これにより、バンプ台座４８の位置が水平方向へ偏
芯しても、バンプ台座４８と金線３１との接合位置の高
さがばらつくことはなく、したがって、バンプ４９の形
成不良を防止することができる。
【００４４】また、キャピラリー３３の２回目の下降
時、従来であれば変位検出センサ３９でバンプ台座４８
の位置を検出していたが、本実施の形態２では検出しな
くてもよい。したがって、１個のスタッドバンプ４９を
形成するのに、従来では２回の検出（すなわち図５の
（ｂ）におけるＩＣ１１の電極形成箇所の位置の検出
と、図５の（ｄ）におけるバンプ台座１７の位置の検
出）を行う必要があったが、本実施の形態２では、図３
の（ａ）に示す上下距離ＢＬを最初のＩＣ４１で検出し
ておき、この上下距離ＢＬを２番目以降のＩＣ４１に対
して適応することによって、２番目以降のＩＣ４１にバ
ンプ４９を形成する場合、１回の検出（すなわち図３の
（ｂ）におけるバンプ台座４８の台座高さＨ１の検出の
み）を行えばよいため、バンプ４９の形成時間を短縮す
ることができる。
【００４５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、バンプの
形状不良を防止し、バンプの形成時間を短縮することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１におけるバンプボンディ
ング方法の手順を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態２におけるバンプボンディ
ング装置の図である。
【図３】同、バンプボンディング装置を用いたバンプボ
ンディング方法の手順を示す図である。
【図４】従来のバンプボンディング装置の図である。
【図５】従来のバンプボンディング方法の手順を示す図
である。
【図６】正規の形状を有するバンプの図である。
【図７】従来のバンプボンディング方法における問題点
を説明するための図である。
【図８】従来のバンプボンディング方法で形成された形
状不良のバンプの図である。
【図９】従来のバンプボンディング方法で形成された形
状不良のバンプの図である。
【符号の説明】
１ 金線（ワイヤ） ３ キャピラリー ９ 変位検出センサ １１ ＩＣ（半導体集積回路） １６ 金ボール １７ バンプ台座 １８ スタッドバンプ ３０ バンプボンディング装置 ３１ 金線（ワイヤ） ３３ キャピラリー ３４ 超音波ホーン（接合手段） ３６ ヘッド上下駆動装置（昇降装置） ３７ 超音波発振器（接合手段） ３８ 移動テーブル（移動装置） ３９ 変位検出センサ ４０ エアーテンショナー（ワイヤ引上装置） ４１ ＩＣ（半導体集積回路） ４２ ヒートステージ（支持部材） ４４ スパーク発生装置（ボール形成手段） ４６ 位置変位計（表面高さ位置検出装置） ４７ 金ボール ４８ バンプ台座 ４９ スタッドバンプ Ｈ１ 台座高さ Ｓ セカンド停止位置高さ Ｈ０(ｎ) 表面高さ ＢＬ 上下距離
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 章博 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 今西 誠 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 吉田 幸一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭57−163919（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−130634（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−183303（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/60

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 キャピラリーに挿通されたワイヤの先
    端にボールを形成し、上記キャピラリーを下降させると
    ともに、このキャピラリーの上下方向の変位を変位検出
    装置で検出し、上記ボールが半導体集積回路に当接した
    際に変位検出装置で検出されたキャピラリーの変位に基
    づいて半導体集積回路の電極形成箇所の位置を検出し、
    上記ボールを上記電極形成箇所に押圧してバンプ台座を
    形成し、上記キャピラリーを一定量上昇させるとともに
    水平方向に一定量移動させ、上記変位検出装置で検出さ
    れたバンプ台座の高さを基準にしてキャピラリーの停止
    位置高さを設定し、キャピラリーを上記停止位置高さま
    で再度下降させて上記ワイヤをバンプ台座に接合し、上
    記キャピラリーを再度一定量上昇させた後、上記ワイヤ
    を引き上げて上記バンプ台座とワイヤとの接合部を断裂
    させ、半導体集積回路の電極形成箇所にバンプを形成す
    ることを特徴とするバンプボンディング方法。
  2. 【請求項２】 半導体集積回路の表面高さ位置の変化
    を求め、キャピラリーに挿通されたワイヤの先端にボー
    ルを形成し、上記キャピラリーを下降させるとともに、
    このキャピラリーの上下方向の変位を変位検出装置で検
    出し、上記ボールが半導体集積回路に当接した際に変位
    検出装置で検出されたキャピラリーの変位に基づいて、
    上記ボールから半導体集積回路の電極形成箇所までの上
    下距離を予め測定し、その後、この上下距離に上記半導
    体集積回路の表面高さの変化を加えた距離だけ上記キャ
    ピラリーを下降させて、上記ボールを上記電極形成箇所
    に押圧してバンプ台座を形成し、この際、上記変位検出
    装置で検出されたキャピラリーの変位に基づいて上記バ
    ンプ台座の高さを求め、上記キャピラリーを一定量上昇
    させるとともに水平方向に一定量移動させ、上記バンプ
    台座の高さを基準にしてキャピラリーの停止位置高さを
    設定し、キャピラリーを上記停止位置高さまで再度下降
    させて上記ワイヤをバンプ台座に接合し、上記キャピラ
    リーを再度一定量上昇させた後、上記ワイヤを引き上げ
    て上記バンプ台座とワイヤとの接合部を断裂させ、半導
    体集積回路の電極形成箇所にバンプを形成することを特
    徴とするバンプボンディング方法。
  3. 【請求項３】 ワイヤを挿通可能なキャピラリーと、
    このキャピラリーに挿通されたワイヤの先端にボールを
    形成するボール形成手段と、上記キャピラリーを昇降さ
    せる昇降装置と、上記キャピラリーを水平方向へ移動さ
    せる移動装置と、キャピラリーの下方で半導体集積回路
    を支持する支持部材と、上記ボールと半導体集積回路の
    電極形成箇所とを接合する接合手段と、上記ワイヤを引
    き上げるワイヤ引上装置と、支持部材上に支持された半
    導体集積回路の表面高さ位置を検出する表面高さ位置検
    出装置と、上記キャピラリーの上下方向の変位を検出す
    る変位検出装置とを備えたことを特徴とするバンプボン
    ディング装置。
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