JP2769200B2

JP2769200B2 - ボンディング方法および装置

Info

Publication number: JP2769200B2
Application number: JP20847189A
Authority: JP
Inventors: 道夫岡本; 正樹中西; 昭雄板東
Original assignee: Shinkawa Ltd; Hitachi Ltd
Current assignee: Shinkawa Ltd; Hitachi Ltd
Priority date: 1989-08-11
Filing date: 1989-08-11
Publication date: 1998-06-25
Anticipated expiration: 2013-06-25
Also published as: JPH0372645A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、ボンディング技術に関し、特にインナーリ
ードボンダ、アウターリードーボンダあるいはバルプボ
ンダ等のボンディング装置に適用して有効な技術に関す
るものである。

〔従来の技術〕

半導体集積回路装置の組立工程で用いられるインナー
リードボンダやアウターリードボンダ等のボンディング
装置については、株式会社工業調査会、昭和60年11月20
日発行、「電子材料別冊、1986年版、超LSI製造・試験
装置ガイドブック」P154〜P159に記載がある。

インナーリードボンダのボンディング処理は、例えば
次のようにしていた。すなわち、まず、半導体チップを
バンプ電極が形成された面を上に向けてステージ上に載
置した後、リードの形成されたテープキャリヤを半導体
チップの上方に搬送する。そして、半導体チップの上方
に設けられたCCDカメラ等の検出器によってインナリー
ド部とバンプ電極との相対位置を検出し、その位置検出
情報に基づいてインナーリード部とバンプ電極とを位置
合わせした後、半導体チップの直上からボンディングツ
ールを下降してインナーリード部を押圧・加熱し、バン
プを溶融してインナーリード部とバンプ電極とを接合し
ていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところが、上記従来のボンディング技術においては、
以下の問題があることを本発明者は見出した。

すなわち、従来は、ボンディング処理に先だってイン
ナーリード部とバンプ電極との位置合わせを行う際、接
合前のインナーリード部とバンプ電極との位置検出情報
のみによって、それらの位置合わせを行っていたため、
ボンディングツールの押圧時に生じるテープキャリヤの
歪に起因するインナーリード部とバンプ電極との位置ず
れ等のボンディング処理の過程で生じる位置ずれ要因や
アライメント基準の初期位置合わせ設定の誤り、あるい
はアライメント機構の精度の劣化に起因するインナーリ
ード部とバンプ電極との位置ずれ等のアライメント機構
による位置ずれ要因に対処することができず、アライメ
ント処理の信頼性が充分に得られていなかった。

そして、テープキャリヤ方式のボンディング処理は、
ワイヤボンディング方式に比べて処理速度が速く、一度
位置ずれが発生すると不良品を大量に製造してしまうの
で、作業者は、しばしばボンディング処理を中止して、
接合後のインナーリード部とバンプ電極とが位置ずれせ
ずに設定通り接合されているか否かを確認しなければな
らなかった。このため、ボンディング処理の効率が非常
に低下する問題があった。

また、例えばボンディング処理とその後の封止処理と
を連続的に行う場合には、位置ずれ不良の確認や位置補
正等の作業は困難となり、ボンディング処理製品の歩留
りが低下する問題があった。

本発明は上記課題に着目してなされたものであり、そ
の目的は、リードと電極とのアライメント処理の信頼性
を向上させることのできる技術を提供することにある。

本発明の他の目的は、ボンディング処理の効率を向上
させることのできる技術を提供することにある。

本発明のさらに他の目的は、ボンディング処理製品の
歩留りを向上させることのできる技術を提供することに
ある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。

〔課題を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち、代表的なものの
概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。

すなわち、第１の発明は、テープキャリヤに形成され
たリードの端部に電極を接合した後、前記リードと前記
電極との相対位置関係を光学的に検出し、検出された前
記相対位置関係と予め記憶されたリードおよび電極の正
常な位置関係とを比較して接合後のリードと電極との位
置ずれ量を求め、その位置ずれ量に基づいて位置補正量
を算出し、その位置補正量に基づいて次に接合されるリ
ードと電極との位置補正を自動的に行うものである。

第２の発明は、前記位置補正量を算出する際、ボンデ
ィング処理を複数回行って得た位置ずれ量の集合を統計
的に処理するものである。

第３の発明は、前記リードと電極との相対位置関係を
検出する部位が、前記リードと電極とを接合するボンデ
ィングステージの後段に設けられているものである。

第４の発明は、接合前のリードおよび電極の位置関係
を光学的に検出する第１の光学系と、接合後のリードお
よび電極の位置関係を光学的に検出する第２の光学系と
を一体化したボンディング装置構造とするものである。

〔作用〕

上記した第１の発明によれば、実際にボンディング処
理したリードと電極との相対位置関係に基づいてリード
と電極と位置補正を行うため、ボンディング処理の過程
で生ずる位置ずれ要因や、アライメント機構による位置
ずれ要因等に対処することができ、リードと電極とのア
ライメント処理の信頼性を大幅に向上させることが可能
となる。

また、従来、作業者が行わなければならなかったボン
ディング処理後のインナーリード部と電極との位置ずれ
不良の確認や位置補正等の作業を、ボンディング処理と
並行して自動的に行うため、ボンディング処理の効率を
大幅に向上させることが可能となる。

さらに、従来、作業者が行わなければならなかったボ
ンディング処理後のリードと電極との位置ずれ不良の確
認や、位置補正等の作業を自動的に行うため、例えばボ
ンディング処理とその後の封止処理とを連続的に行う場
合でも、歩留りを向上させることが可能となる。

上記した第２の発明によれば、ボンディング処理を複
数回行って得た位置ずれ量の集合を統計的に処理し、個
々の位置補正量を求めるため、位置補正量を正確に求め
ることができ、位置補正精度を向上させることが可能と
なる。

上記した第３の発明によれば、作業者が行わなければ
ならなかった接合後のリードと電極との位置ずれ不良の
確認や位置補正等の作業をボンディング処理と並行して
自動的に行うことができるので、ボンディング処理の効
率を大幅に向上させることが可能となる。

上記した第４の発明によれば、第１の光学系と第２の
光学系とを一体化したため、ボンディング装置の部品点
数を増加させることがない。

〔実施例〕

第１図は本発明の一実施例であるボンディング装置の
概略構成図、第２図はテープキャリヤおよびこれに実装
された半導体チップの部分拡大平面図、第３図は上記ボ
ンディング装置のボンディング位置における接合前の半
導体チップとテープキャリヤとの位置関係を示す斜視
図、第４図（ａ）はリードと電極とが良好に接合された
場合を示す半導体チップの平面図、第４図（ｂ）はリー
ドと電極との間に位置ずれが生じた場合を示す半導体チ
ップの平面図、第５図（ａ），（ｂ）は第４図（ａ），
（ｂ）のそれぞれの部分拡大平面図である。

以下、本実施例のボンディング装置を第１図を中心と
して、第２図および第３図により説明する。

第１図に示す本実施例のボンディング装置１は、例え
ばインナーリードボンダである。

架台２の上には、Ｘ−Ｙステージ3a、θステージ3b、
ボンディングステージ3cが下方から順に搭載されてい
る。そのうち、Ｘ−Ｙステージ3aおよびθステージ3B
は、XYθステージ制御回路（補正手段）3dによって、そ
の移動量が制御されるようになっている。ボンディング
ステージ3cの上には、チップ供給機構（図示せず）から
供給された半導体チップ４が、後述するバンプ電極の形
成面を上に向けて真空吸着によって保持されている。

また、架台２の上方には、供給リール5a、ローラ5b、
スプロケットホイール5c、巻取りリール5dが設けられて
いる。供給リール5aには、例えばポリイミド樹脂からな
るテープキャリヤ６が収納されている。巻取リール5dに
は、半導体チップ４が実装されたテープキャリヤ６が収
納されるようになっている。

第２図に半導体チップ４が実装されたテープキャリヤ
６を示す。テープキャリヤ６の中央部には、四角形状の
デバイス孔7aが、テープキャリヤ６の長手方向に沿って
一定の間隔をおいて複数穿孔されている。また、テープ
キャリヤ６の側縁部の近傍には、スプロケット孔7bが一
定の間隔をおいて複数穿孔されている。テープキャリヤ
６の主面上には、例えば銅からなるリード８がデバイス
孔7aの外周に沿って複数形成されている。そして、リー
ド８の一端のインナーリード部8aは、デバイス孔7a内に
突出され、デバイス孔7a内に配置された半導体チップ４
のバンプ電極９に電気的に接続されている。また、リー
ド８の他端には、例えばインナーリード部8aとバンプ電
極９との導通状態を検査する際に、プローブ（図示せ
ず）が当接されるテストパッド8bが形成されている。な
お、テープキャリヤ６は、そのスプロケット孔7b内に上
記したボンディング装置１のスプロケットホイール5cの
外周に突設された送り爪部（図示せず）が嵌合された状
態で、スプロケットホイール5cを回転させることによっ
て搬送されるようになっている。

上記ボンディング装置１のボンディングステージ3cの
上方には、テープキャリヤ６のインナーリード部8aと半
導体チップ４のバンプ電極９とを接合するボンディング
ツール10が配置されるようになっている。ボンディング
ツール10は、例えば被ボンディング面に対するボンディ
ングツール10の押圧面（本実施例ではボンディングツー
ル10の下面）の平坦度を調製する際や、リード８とバン
プ電極９とのアライメント処理の際に、ボンディング位
置から移動できるように水平面内で移動可能な図示しな
いＸ−Ｙテーブルに固定されている。なお、図示はしな
いが、ボンディングツール10には、ヒータおよび熱電対
が付設されており、ボンディング処理の際のツール温度
を調節できるようになっている。

また、ボンディングステージ3cの上方には、接合前の
インナーリード部8aとバンプ電極９との位置関係を検出
する第１の光学系11が設けられている。

第１の光学系11は、レンズ11aと、レンズ11aの上方に
配置されたハーフミラー11bと、検出光を放射する照明
ランプ11cと、ハーフミラー11bの上方に設けられたカメ
ラ11dとから構成されている。そして、第１の光学系11
は、照明ランプ11cから放射された光が、ハーフミラー1
1bによりレンズ11aに向けられ、レンズ11aを介してアラ
イメント対象部である接合前のリード８およびバンプ電
極９に照射された後、その反射光がレンズ11aを介して
カメラ11dに入射されるように設定されている。

カメラ11dは、例えばCCD等の撮像素子からなる光電変
換器であり、モニタ12、位置検出用画像処理部13および
マーカ発生回路14に電気的に接続されている。

モニタ12には、カメラ11dによって検出された光学画
像が表示できるようになっている。

位置検出用画像処理部13は、マイコン（補正量算出
部）15を介してXYθステージ制御回路3dに電気的に接続
されている。位置検出用画像処理部13は、例えばカメラ
11dから伝送された位置検出情報と、予め設定されてい
る基準となる電気信号とを比較し、接合前のインナーリ
ード部8aとバンプ電極９との位置ずれ量を求め、それを
位置ずれ情報としてマイコン15に伝送するようになって
いる。そして、マイコン15は、その位置ずれ情報に基づ
いて位置補正量を算出し、その結果を位置補正信号とし
てXYθステージ制御回路3dに伝送するようになってい
る。XYθステージ制御回路3dは、位置補正信号に基づい
て各ステージ3a,3bを駆動してテープキャリヤ６と半導
体チップとの位置合わせを行うようになっている。

第３図に上記方法によって位置合わせ処理を行ったテ
ープキャリヤ６と半導体チップ４との位置関係を示す。
ボンディングステージ3cに保持された半導体チップ４
は、テープキャリヤ６のデバイス孔7aの直下に位置され
ている。そして、半導体チップ４の各バンプ電極９は、
その各々に対応するテープキャリヤ６のインナーリード
部8aの直下に位置されている。

ところで、本実施例においては、ボンディング装置１
のボンディングステージ3cの後段に、ボンディング処理
した後のインナーリード部8aとバンプ電極９との位置を
検出する第２の光学系16が配置されている。

第２の光学系16は、レンズ16aと、レンズ16aの上方に
配置されたハーフミラー16bと、検出光を放射する照明
ランプ16cと、ハーフミラー16bの上方に設けられたカメ
ラ16dとから構成されている。そして、第２の光学系16
は、照明ランプ16cから放射された光が、ハーフミラー1
6bによりレンズ16aに向けられ、レンズ16aを介してアラ
イメント対象部である接合後のリード８およびバンプ電
極９に照射された後、その反射光がレンズ16aを介して
カメラ16dに入射されるように設定されている。

カメラ16dは、上記した第１の光学系11のカメラ11dと
同じく、例えばCCD等の撮像素子からなる光電変換器で
ある。カメラ16dは、それによって検出された光学画像
を目視できるように、モニタ17に電気的に接続されてい
る。また、カメラ16dは、位置検出用画像処理部13を介
して位置ずれ検出用画像処理部（位置ずれ検出処理部）
18に電気的に接続されている。

位置ずれ検出用画像処理部18は、マイコン15および記
憶部19に電気的に接続されている。記憶部19には、接合
後のインナーリード部8aとバンプ電極９との正常な位置
関係が予め登録されている。

位置ずれ検出用画像処理部18は、例えばカメラ16dか
ら伝送された接合後のインナーリード部8aとバンプ電極
９との相対位置関係を検出した位置検出情報と、記憶部
19に予め登録されたインナーリード部8aおよびバンプ電
極９の正常な位置関係の情報とを比較し、インナーリー
ド部8aとバンプ電極９との位置ずれ量を求め、それを位
置ずれ情報としてマイコン15に伝送するようになってい
る。そして、マイコン15は、その位置ずれ情報に基づい
て位置補正量を算出し、その結果を位置補正信号として
XYθステージ制御回路3dに伝送するようになっている。

なお、カメラ16dは、上記した第１の光学系11のカメ
ラ11dと同様にマーカ発生回路14に電気的に接続されて
いる。

次に、本実施例のボンディング方法を第１図〜第３
図、第４図（ａ），（ｂ）および第５図（ａ），（ｂ）
により説明する。

まず、ボンディングステージ3cに保持された半導体チ
ップ４を、Ｘ−Ｙステージ3aによってテープキャリヤ６
のインナーリード部8aの下方に移送する。

続いて、ボンディング装置１の第１の光学系11によっ
て接合前のインナーリード部8aとバンプ電極９との位置
関係を検出し、この検出された位置検出情報に基づいて
XYθステージ制御回路3dを制御してインナーリード部8a
とバンプ電極９との位置合わせを行う。

その後、ボンディングツール10を半導体チップ４の直
上に移動する。そして、ボンディングツール10を下降
し、これによってインナーリード部8aを押圧・加熱し、
バンプを溶融してインナーリード部8aとバンプ電極９と
を接合する。

その際の接合部の状態を、例えば第４図（ａ），
（ｂ）および第５図（ａ），（ｂ）に示す。

第４図（ａ）は、インナーリード部8aとバンプ電極９
とが良好に接合された状態を示す。この場合、第５図
（ａ）に示すように、インナーリード部8aのリードセン
タ線CL₁とバンプ電極９のバンプセンタ線CL₂との間隔Δ
Ｘは非常に狭く、例えばΔＸ＜1/2Lbである。なお、Lb
はバンプ幅、Liはリード幅を示す。

また、第４図（ｂ）は、例えば接合に際してインナー
リード部8aとバンプ電極９との間に位置ずれが生じた状
態を示す。この場合、第５図（ｂ）に示すように、例え
ばΔＸ≧1/2Lbである。

次いで、テープキャリヤ６に半導体チップ４を実装し
たまま、テープキャリヤ６をスプロケットホイール5cに
よって搬送する。

テープキャリヤ６の搬送によって、それに実装された
半導体チップ４が、ボンディングツール10の後段に設け
られたカメラ16dの下方に位置すると、カメラ16dは、接
合後のインナーリード部8aとバンプ電極９との相対位置
関係を光学的に検出し、その位置検出情報を位置ずれ検
出用画像処理部18に伝送する。

位置ずれ検出用画像処理部18は、その位置検出情報
と、記憶部19に予め設定されたインナーリード部8aおよ
びバンプ電極９の正常な位置関係の情報とを比較する。

この際、例えばカメラ16dによって検出され情報が第
４図（ｂ）に示すような場合には、位置ずれ検出用画像
処理部18は、記憶部19に予め設定された正常な位置関係
の情報との比較により位置ずれ量を求める。

本実施例においては、位置ずれ量として、例えば第５
図（ａ），（ｂ）に示した間隔ΔＸを目安にしている。

そして、位置ずれ検出用画像処理部18は、求めた位置
ずれ量を、位置ずれ情報としてマイコン15に伝送する。

マイコン15は、その位置ずれ情報に基づいて位置補正
量を算出し、その結果を接合前のインナーリード部8aと
バンプ電極９との位置合わせ処理の位置補正信号として
XYθステージ制御回路3dへ伝送する。XYθステージ制御
回路3dは、その位置補正信号に基づいて各ステージ3a,3
bを駆動して位置補正を自動的に行う。

ところで、位置補正は、位置ずれ検出用画像処理部18
によって位置ずれが検出される度に、マイコン15によっ
て位置補正信号をXYθステージ制御回路3dに伝送して行
っても良いが、例えば、次のようにしても良い。すなわ
ち、まず、ボンディング処理を複数回行って、それぞれ
の接合部の状態をカメラ16によって検出し、それぞれの
接合部の位置ずれ量を位置ずれ検出用画像処理部18によ
って求める。そして、マイコン15は、このようにして求
めた位置ずれ量の集合を統計的に処理して個々の位置ず
れ補正量を算出し、その結果を位置補正信号としてXYθ
ステージ制御回路3Dに伝送して位置補正を行う。

このように本実施例によれば、以下の効果を得ること
が可能となる。

（１）．実際にボンディング処理したインナーリード部
8aとバンプ電極９との相対位置関係をカメラ16dによっ
て検出し、この位置検出情報に基づいてボンディング処
理前に行うインナーリード部8aとバンプ電極９との位置
補正を自動的に行うため、ボンディング処理の過程で生
ずる位置ずれ要因やアライメント機構による位置ずれ要
因等に対処することができ、インナーリード部8aとバン
プ電極９とのアライメント処理の信頼性を大幅に向上さ
せることが可能となる。

（２）．また、ボンディング処理を複数回行って得た位
置ずれ量の集合を統計的に処理し、個々の位置補正量を
求めるため、位置補正量を正確に検出することができ、
位置補正精度をさらに向上させることが可能となる。

（３）．従来、作業者が行わなければならなかったボン
ディング処理後のインナーリード部8aとバンプ電極９と
の位置ずれ不良の確認や位置補正等の作業、すなわちボ
ンディング処理の過程や第１の光学系11の精度の劣化等
で生じる位置ずれ要因等に対処するための位置ずれ不良
の確認や位置補正等の作業を自動的に行うため、例えば
ボンディング処理と封止処理とを連続的に行う場合で
も、歩留りを向上させることが可能となる。

（４）．また、従来、作業者が行わなければならなかっ
たボンディング処理後のインナーリード部8aとバンプ電
極９との位置ずれ不良の確認や位置補正等の作業を、ボ
ンディング処理と並行して自動的に行うため、ボンディ
ング処理の効率を大幅に向上させることが可能となる。

（５）．上記（１）〜（３）によって、信頼性の高い半
導体集積回路装置を得ることが可能となる。

（６）．上記（１）〜（３）によって、半導体集積回路
装置の歩留りを大幅に向上させることが可能となる。

（７）．上記（４）により、半導体集積回路装置の生産
性を大幅に向上させることが可能となる。

以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づ
き具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。

例えば前記実施例においては、ボンディング装置に接
合後のリードと電極との位置関係を光学的に検出する第
２の光学系を新たに設けた場合について説明したが、例
えば接合前のリードと電極との位置を光学的に検出する
第１の光学系に、第２の光学系の機能を兼用させること
も可能である。この場合には、ボンディング装置の部品
点数を増加させることなく、前記実施例で説明した効果
を得ることが可能となる。なお、この場合も、接合前の
リードと電極との位置ずれ量は、位置検出用画像処理部
によって求め、接合後のリードと電極との位置ずれ量
は、位置ずれ検出用画像処理部によって求めるようにす
る。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発
明をその背景となった利用分野であるインナーリードボ
ンダに適用した場合について説明したが、これに限定さ
れず種々適用可能であり、例えばアウターリードボンダ
やバンプボンダ等のボンディング装置に適用可能であ
る。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち、代表的なものに
よって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおり
である。

（１）．すなわち、第１の発明によれば、アライメント
処理の信頼性を大幅に向上させることが可能となる。そ
して、この結果、ボンディング製品の歩留りを向上させ
ることが可能となる。

また、ボンディング処理の効率を大幅に向上させるこ
とが可能となる。

さらに、例えばボンディング処理とその後の封止処理
とを連続的に行う場合でも、歩留りを向上させることが
可能となる。

（２）．第２の発明によれば、上記した（１）よりも位
置補正の精度をさらに向上させることができる。

（３）．第３の発明によれば、作業者が行わなければな
らなかった接合後のリードと電極との位置ずれ不良の確
認や位置補正等の作業をボンディング処理と並行して自
動的に行うことができるので、ボンディング処理の効率
を大幅に向上させることが可能となる。

（４）．第４の発明によれば、ボンディング装置の部品
点数を増加させることなく、上記した（１），（２）の
効果を得ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例であるボンディング装置の概
略構成図、第２図はテープキャリヤおよびこれに実装された半導体
チップの部分拡大平面図、第３図は上記ボンディング装置のボンディング位置にお
ける接合前の半導体チップとテープキャリヤとの位置関
係を示す斜視図、第４図（ａ）はリードと電極とが良好に接合された場合
を示す半導体チップの平面図、第４図（ｂ）はリードと電極との間に位置ずれが生じた
場合を示す半導体チップの平面図、第５図（ａ），（ｂ）は第４図（ａ），（ｂ）のそれぞ
れの部分拡大平面図である。１……ボンディング装置、２……架台、3a……Ｘ−Ｙス
テージ、3b……θステージ、3c……ボンディングステー
ジ、3d……XYθステージ制御回路（補正手段）、４……
半導体チップ、5a……供給リール、5b……ローラ、5c…
…スプロケットホイール、5d……巻取リール、６……テ
ープキャリヤ、7a……デバイス孔、7b……スプロケット
孔、８……リード、8a……インナーリード部、8b……テ
ストパッド、９……バンプ電極、10……ボンディングツ
ール、11……第１の光学系、11a……レンズ、11b……ハ
ーフミラー、11c……照明ランプ、11d……カメラ、12,1
7……モニタ、13……位置検出用画像処理部、14……マ
ーカ発生回路、15……マイコン（補正量算出部）、16…
…第２の光学系、16a……レンズ、16b……ハーフミラ
ー、16c……照明ランプ、16d……カメラ、18……位置ず
れ検出用画像処理部（位置検出処理部）、19……記憶
部、Lb……バンプ幅、Li……リード幅、CL₁……リード
センタ線、CL₂……バンプセンタ線。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者板東昭雄東京都武蔵村山市伊奈平２丁目51番地の１ (56)参考文献特開平２−250343（ＪＰ，Ａ) 特開昭60−132334（ＪＰ，Ａ) 特開昭58−141（ＪＰ，Ａ) 特開平１−230240（ＪＰ，Ａ) 特開平２−299247（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H01L 21/60 311

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】テープキャリヤに形成されたリードの端部
に電極を接合した後、前記リードと前記電極との相対位
置関係を光学的に検出し、検出された前記相対位置関係
と予め記憶されたリードおよび電極の正常な位置関係と
を比較して接合後のリードと電極との位置ずれ量を求
め、その位置ずれ量に基づいて位置補正量を算出し、そ
の位置補正量に基づいて、次に接合されるリードと電極
との位置補正を自動的に行うことを特徴とするボンディ
ング方法。
【請求項２】請求項１記載のボンディング方法におい
て、前記位置補正量を算出する際、ボンディング処理を
複数回行って得た位置ずれ量の集合を統計的に処理する
ことを特徴とするボンディング方法。
【請求項３】請求項１または２記載のボンディング方法
において、前記リードと電極との相対位置関係を検出す
る部位は、前記リードと電極とを接合するボンディング
ステージの後段に設けられていることを特徴とするボン
ディング方法。
【請求項４】テープキャリヤに形成されたリードの端部
と電極との接合前の相対位置関係を光学的に検出する第
１の光学系と、前記リードと電極との接合後の相対位置
関係を光学的に検出する第２の光学系と、前記リードお
よび電極の正常な相対位置関係を記憶する記憶部と、前
記第２の光学系によって検出されたリードおよび電極の
相対位置関係を前記記憶部に記憶されたリードおよび電
極の正常な相対位置関係と比較することにより前記リー
ドと電極との相対的な位置ずれ量を求める位置ずれ検出
処理部と、前記位置ずれ検出処理部によって求められた
位置ずれ量に基づいて位置補正量を算出する補正量算出
部と、前記補正量算出部によって求められた位置補正量
に基づいて、次に接合される接合前のリードと電極との
相対的な位置補正を自動的に行う補正手段とを設けたこ
とを特徴とするボンディング装置。
【請求項５】請求項４記載のボンディング装置におい
て、前記第１の光学系と前記第２の光学系とを一体化し
たことを特徴とするボンディング装置。