JP2002016108A - 半導体装置及びその製造装置 - Google Patents
半導体装置及びその製造装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体チップと外囲器、または外囲器とソケ
ットの接続を容易かつ確実に行うための半導体装置及び
その製造装置を提供する。 【解決手段】 支持体１Ａと、この支持体に設けられ伸
縮性を有する空洞体１と、支持体内に設けられ空洞体に
流体５を出し入れする通路３と、空洞体内の圧力を調整
する圧力調整手段４とを具備する半導体装置の製造装置
を提供する。
ットの接続を容易かつ確実に行うための半導体装置及び
その製造装置を提供する。 【解決手段】 支持体１Ａと、この支持体に設けられ伸
縮性を有する空洞体１と、支持体内に設けられ空洞体に
流体５を出し入れする通路３と、空洞体内の圧力を調整
する圧力調整手段４とを具備する半導体装置の製造装置
を提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】 本発明は、半導体装置及び
その製造装置に係り、特に基板や外囲器に搭載あるいは
脱着する半導体装置及びその製造装置に関する。
その製造装置に係り、特に基板や外囲器に搭載あるいは
脱着する半導体装置及びその製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップを基板や外囲器に搭載する
場合、例えばフリップチップ実装のような半導体チップ
の基板への搭載には、図９のように金属やプラスチック
製の支持体（コレット）９１が使われる。図９（ａ）に
示されるように、このコレット９１を半導体チップ９２
まで導いて、コレット９１に設けられる通路９３から空
気を吸引して半導体チップ９２を吸着する。そして、コ
レット９１にて吸着された半導体チップ９２を外囲器９
５の所定の位置に移動した後、通路９３から空気の吸引
を止め常圧に戻すことにより、半導体チップ９２は着脱
されて外囲器９５に搭載される。
場合、例えばフリップチップ実装のような半導体チップ
の基板への搭載には、図９のように金属やプラスチック
製の支持体（コレット）９１が使われる。図９（ａ）に
示されるように、このコレット９１を半導体チップ９２
まで導いて、コレット９１に設けられる通路９３から空
気を吸引して半導体チップ９２を吸着する。そして、コ
レット９１にて吸着された半導体チップ９２を外囲器９
５の所定の位置に移動した後、通路９３から空気の吸引
を止め常圧に戻すことにより、半導体チップ９２は着脱
されて外囲器９５に搭載される。
【０００３】その際、図９（ｂ）に示されるように、半
導体チップ９２（もしくは外囲器９５）が傾いていると
コレット９１には傾きを調整する機能が無いため、半導
体チップ９２を正確に外囲器９５に搭載することができ
ないことがある。この結果、図９（ｃ）に示されるよう
に、半導体チップの電極９４と外囲器の電極９６とを安
定に接続できないという問題があった。
導体チップ９２（もしくは外囲器９５）が傾いていると
コレット９１には傾きを調整する機能が無いため、半導
体チップ９２を正確に外囲器９５に搭載することができ
ないことがある。この結果、図９（ｃ）に示されるよう
に、半導体チップの電極９４と外囲器の電極９６とを安
定に接続できないという問題があった。
【０００４】また従来、図１０（ａ）に示されるよう
に、外囲器の搭載される半導体チップの電極９４または
外囲器の電極９６には、予めフラックス９８が塗布され
ている。外囲器に搭載された半導体チップは、半導体チ
ップのＡｌ電極９４ａにバリアメタル９４ｂを介して設
けられる半田バンプ９４ｃがリフローにより融かされ、
外囲器の電極と半導体チップの電極が接続される。バリ
アメタル９４ｂは、半田バンプ９４ｃのＳｎが半導体チ
ップのＡｌ電極９４ａに拡散し接続の信頼性が劣化する
のを防ぐために設けられる。その後溶媒を使ってフラッ
クスを洗浄し、この洗浄に使った溶媒を乾燥させる。そ
して、半田バンプ接続部の熱サイクル耐久性を向上させ
るため、半導体チップと外囲器の隙間に樹脂の充填を行
い、樹脂を加熱硬化する。
に、外囲器の搭載される半導体チップの電極９４または
外囲器の電極９６には、予めフラックス９８が塗布され
ている。外囲器に搭載された半導体チップは、半導体チ
ップのＡｌ電極９４ａにバリアメタル９４ｂを介して設
けられる半田バンプ９４ｃがリフローにより融かされ、
外囲器の電極と半導体チップの電極が接続される。バリ
アメタル９４ｂは、半田バンプ９４ｃのＳｎが半導体チ
ップのＡｌ電極９４ａに拡散し接続の信頼性が劣化する
のを防ぐために設けられる。その後溶媒を使ってフラッ
クスを洗浄し、この洗浄に使った溶媒を乾燥させる。そ
して、半田バンプ接続部の熱サイクル耐久性を向上させ
るため、半導体チップと外囲器の隙間に樹脂の充填を行
い、樹脂を加熱硬化する。
【０００５】ところが、図１０（ｂ）に示されるよう
に、半導体チップ９２（もしくは外囲器９５）が傾いて
いたりすると、半導体チップ９２と外囲器９５の間が狭
い所では、例えば樹脂がうまく充填されずボイド９９ａ
が形成されたり、半導体チップ９２と外囲器９５の間が
広いところでは、例えばバンプと外囲器の電極が接触さ
れず、未接触の状態９９ｂで樹脂が充填されてしまうと
いった問題があった。また、半田バンプを使う方法は、
バリヤメタルの形成やフラックスの塗布／洗浄などが必
要で、ウエハ工程が多いという問題もあった。
に、半導体チップ９２（もしくは外囲器９５）が傾いて
いたりすると、半導体チップ９２と外囲器９５の間が狭
い所では、例えば樹脂がうまく充填されずボイド９９ａ
が形成されたり、半導体チップ９２と外囲器９５の間が
広いところでは、例えばバンプと外囲器の電極が接触さ
れず、未接触の状態９９ｂで樹脂が充填されてしまうと
いった問題があった。また、半田バンプを使う方法は、
バリヤメタルの形成やフラックスの塗布／洗浄などが必
要で、ウエハ工程が多いという問題もあった。
【０００６】図１１は、半導体チップが搭載される外囲
器をソケットに格納するのを示す図である。外囲器９５
をソケット１００の所定の位置に載せて蓋１０１で外囲
器９５を押し付けて、外囲器の電極９７とソケットの電
極１０２同士の電気的接続を取るものである。ここで、
図１１（ｂ）に示されるように、外囲器９５やソケット
の蓋１０１の表面形状に凹凸があったり、外囲器の厚さ
にばらつきがあったりすると、外囲器と蓋の接触面積が
少なくなり荷重が接触部に集中する。その結果、過重が
かからない部分では外囲器とソケットの電極同士の電気
的接続が取れなかったり、荷重のかかる部分では外囲器
に亀裂が入り破損が発生したりしてしまうという問題が
あった。
器をソケットに格納するのを示す図である。外囲器９５
をソケット１００の所定の位置に載せて蓋１０１で外囲
器９５を押し付けて、外囲器の電極９７とソケットの電
極１０２同士の電気的接続を取るものである。ここで、
図１１（ｂ）に示されるように、外囲器９５やソケット
の蓋１０１の表面形状に凹凸があったり、外囲器の厚さ
にばらつきがあったりすると、外囲器と蓋の接触面積が
少なくなり荷重が接触部に集中する。その結果、過重が
かからない部分では外囲器とソケットの電極同士の電気
的接続が取れなかったり、荷重のかかる部分では外囲器
に亀裂が入り破損が発生したりしてしまうという問題が
あった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来、半導体チップを
基板や外囲器に搭載する場合、半導体チップ（もしくは
外囲器）が傾いているとコレットには傾きを調整する機
能が無いため、半導体チップを正確に外囲器に搭載する
ことができないことがある。そのため、半導体チップの
電極と外囲器の電極とを安定に接続できないという問題
があった。
基板や外囲器に搭載する場合、半導体チップ（もしくは
外囲器）が傾いているとコレットには傾きを調整する機
能が無いため、半導体チップを正確に外囲器に搭載する
ことができないことがある。そのため、半導体チップの
電極と外囲器の電極とを安定に接続できないという問題
があった。
【０００８】また、半導体チップ（もしくは外囲器）が
傾いていたりすると、半導体チップと外囲器の間が狭い
所では、樹脂がうまく充填されずボイドが形成された
り、半導体チップと外囲器の間が広いところでは、例え
ばバンプと外囲器の電極が接触されず、未接触の状態で
樹脂が充填されてしまうといった問題があった。また、
半田バンプを使う方法は、バリヤメタルの形成やフラッ
クスの塗布／洗浄などが必要で、ウエハ工程が多いとい
う問題もあった。
傾いていたりすると、半導体チップと外囲器の間が狭い
所では、樹脂がうまく充填されずボイドが形成された
り、半導体チップと外囲器の間が広いところでは、例え
ばバンプと外囲器の電極が接触されず、未接触の状態で
樹脂が充填されてしまうといった問題があった。また、
半田バンプを使う方法は、バリヤメタルの形成やフラッ
クスの塗布／洗浄などが必要で、ウエハ工程が多いとい
う問題もあった。
【０００９】さらに、半導体チップが搭載される外囲器
をソケットに格納する場合、外囲器やソケットの蓋の表
面形状に凹凸があったり、外囲器の厚さにばらつきがあ
ったりすると、外囲器と蓋の接触面積が少なくなり荷重
が接触部に集中する。そのため、過重がかからない部分
では外囲器とソケットの電極同士の電気的接続が取れな
かったり、荷重のかかる部分では外囲器に亀裂が入り破
損が発生したりしてしまうという問題があった。
をソケットに格納する場合、外囲器やソケットの蓋の表
面形状に凹凸があったり、外囲器の厚さにばらつきがあ
ったりすると、外囲器と蓋の接触面積が少なくなり荷重
が接触部に集中する。そのため、過重がかからない部分
では外囲器とソケットの電極同士の電気的接続が取れな
かったり、荷重のかかる部分では外囲器に亀裂が入り破
損が発生したりしてしまうという問題があった。
【００１０】本発明は、上記事情を鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、半導体チップと外囲
器、または外囲器とソケットの接続を容易かつ確実に行
うための半導体装置及びその製造装置を提供することに
ある。
であり、その目的とするところは、半導体チップと外囲
器、または外囲器とソケットの接続を容易かつ確実に行
うための半導体装置及びその製造装置を提供することに
ある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第１の特徴では、支持体と、この支持体に
設けられ伸縮性を有する空洞体と、前記支持体内に設け
られ前記空洞体に流体を出し入れする通路と、前記空洞
体内の圧力を調整する圧力調整手段とを具備する半導体
装置の製造装置を提供する。
に、本発明の第１の特徴では、支持体と、この支持体に
設けられ伸縮性を有する空洞体と、前記支持体内に設け
られ前記空洞体に流体を出し入れする通路と、前記空洞
体内の圧力を調整する圧力調整手段とを具備する半導体
装置の製造装置を提供する。
【００１２】また、本発明の第２の特徴では、第１の電
極を有する半導体素子と、第２の電極を有する基板と、
前記第１の電極及び前記第２の電極の少なくともどちら
か一方に設けられるバンプと、前記半導体素子の第一の
電極側表面もしくは前記基板の第２の電極側表面のどち
らか一方のみに設けられる絶縁物とを具備し、前記第１
の電極と前記第２の電極が前記バンプを介して電気的に
接続される半導体装置を提供する。
極を有する半導体素子と、第２の電極を有する基板と、
前記第１の電極及び前記第２の電極の少なくともどちら
か一方に設けられるバンプと、前記半導体素子の第一の
電極側表面もしくは前記基板の第２の電極側表面のどち
らか一方のみに設けられる絶縁物とを具備し、前記第１
の電極と前記第２の電極が前記バンプを介して電気的に
接続される半導体装置を提供する。
【００１３】また、本発明の第３の特徴では、第１の電
極を有する半導体素子と、第２の電極を有する外囲器と
を具備し、前記第１の電極と前記第２の電極が互いに電
気的に接続され、かつ前記外囲器には前記半導体素子を
均一の圧力で支持する空洞体が設けられる半導体装置を
提供する。
極を有する半導体素子と、第２の電極を有する外囲器と
を具備し、前記第１の電極と前記第２の電極が互いに電
気的に接続され、かつ前記外囲器には前記半導体素子を
均一の圧力で支持する空洞体が設けられる半導体装置を
提供する。
【００１４】さらに、本発明の第４の特徴では、第１の
電極を有する外囲器と、第２の電極を有するソケットと
を具備し、前記第１の電極と前記第２の電極が互いに電
気的に接続され、かつ前記ソケットには前記外囲器を均
一の圧力で支持する空洞体が設けられる半導体装置を提
供する。
電極を有する外囲器と、第２の電極を有するソケットと
を具備し、前記第１の電極と前記第２の電極が互いに電
気的に接続され、かつ前記ソケットには前記外囲器を均
一の圧力で支持する空洞体が設けられる半導体装置を提
供する。
【００１５】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第一の実施の形
態を示したものであり、半導体チップを基板に搭載する
機構（以下「コレット」と言う）の断面図である。
態を示したものであり、半導体チップを基板に搭載する
機構（以下「コレット」と言う）の断面図である。
【００１６】コレットは、支持体１Ａとこの支持体に設
けられ流体の入った伸縮性を有する空洞体１、空洞体内
の流体を出し入れできる通路３、空洞体内の流体の圧力
を調整できる弁４から構成される。このコレットによる
半導体チップの基板への搭載は図１のように行われる。
けられ流体の入った伸縮性を有する空洞体１、空洞体内
の流体を出し入れできる通路３、空洞体内の流体の圧力
を調整できる弁４から構成される。このコレットによる
半導体チップの基板への搭載は図１のように行われる。
【００１７】まず、図１（ａ）に示すのように、コレッ
トの空洞体１の下面部分を半導体チップ２に接触させ
て、コレットの通路３を通して空洞体１内の流体５を吸
引することで弁４が開き、半導体チップ２が空洞体１に
吸着される。その後、半導体チップ２を吸着した状態で
コレットを外囲器（基板）７の所定の位置まで移動す
る。吸引を止めて空洞体１内に流体を注入し、半導体チ
ップに荷重を加えて電極同士の接続を行う。その際、図
１（ｂ）に示すのように、半導体チップ２または外囲器
７が傾いたり表面形状に凹凸があったりすると、従来の
コレットでは安定した接続ができなかったが、本実施の
形態のコレットでは、図1（ｃ）に示すように伸縮性空
洞体に均等な圧力がかかり、この空洞体が半導体チップ
２または外囲器６の傾きや表面形状の凹凸に合わせて変
形するので、安定した接続が可能となる。
トの空洞体１の下面部分を半導体チップ２に接触させ
て、コレットの通路３を通して空洞体１内の流体５を吸
引することで弁４が開き、半導体チップ２が空洞体１に
吸着される。その後、半導体チップ２を吸着した状態で
コレットを外囲器（基板）７の所定の位置まで移動す
る。吸引を止めて空洞体１内に流体を注入し、半導体チ
ップに荷重を加えて電極同士の接続を行う。その際、図
１（ｂ）に示すのように、半導体チップ２または外囲器
７が傾いたり表面形状に凹凸があったりすると、従来の
コレットでは安定した接続ができなかったが、本実施の
形態のコレットでは、図1（ｃ）に示すように伸縮性空
洞体に均等な圧力がかかり、この空洞体が半導体チップ
２または外囲器６の傾きや表面形状の凹凸に合わせて変
形するので、安定した接続が可能となる。
【００１８】図２は、本発明の第二の実施の形態を示し
たものであり、上記半導体チップ及び外囲器の電極の一
部を拡大した断面図である。
たものであり、上記半導体チップ及び外囲器の電極の一
部を拡大した断面図である。
【００１９】図２（ａ）に示すように、半導体チップ２
には予め絶縁物１０、例えば絶縁シートや絶縁性のある
樹脂等を塗布した絶縁物（絶縁膜）が電極１６表面に形
成され、外囲器７には半導体チップとの接続側にバンプ
１８、その反対側に外部電極９が形成される。そして、
図２（ｂ）に示すように、外囲器７に形成されたバンプ
１８が絶縁物１０を突き破ることで、電極同士の接続を
行う。半導体チップの電極がＡｌのように酸化しやすい
材質の場合は、予め電極上に酸化しにくい物質、例えば
Ａｕのようなものを付けておくとよい。
には予め絶縁物１０、例えば絶縁シートや絶縁性のある
樹脂等を塗布した絶縁物（絶縁膜）が電極１６表面に形
成され、外囲器７には半導体チップとの接続側にバンプ
１８、その反対側に外部電極９が形成される。そして、
図２（ｂ）に示すように、外囲器７に形成されたバンプ
１８が絶縁物１０を突き破ることで、電極同士の接続を
行う。半導体チップの電極がＡｌのように酸化しやすい
材質の場合は、予め電極上に酸化しにくい物質、例えば
Ａｕのようなものを付けておくとよい。
【００２０】このような構成により、従来バンプ電極を
有する半導体チップと外囲器との接続の際、半田バンプ
などはリフローによる接続方法を取り、接続後に絶縁性
樹脂を塗布していたが、本実施の形態では、接続と封止
が一括でできボイドが発生することがなく、また、半田
バンプを使わないのでバリヤメタルの形成やフラックス
の塗布／洗浄などがなくなり、工程数の大幅な削減にも
なる。さらに、外囲器のバンプの先端形状を鋭利にする
ことで酸化膜のような絶縁膜も突き破ることが可能であ
り、電極同士が未接触のまま残らずに安定した接続が得
られる。なお、本実施の形態では、絶縁膜を半導体チッ
プ上に形成したが、図３に示すように、バンプ電極１８
が形成された外囲器７に絶縁膜１０を形成し、半導体チ
ップ２と外囲器７の接続を行うようにしてもよい。
有する半導体チップと外囲器との接続の際、半田バンプ
などはリフローによる接続方法を取り、接続後に絶縁性
樹脂を塗布していたが、本実施の形態では、接続と封止
が一括でできボイドが発生することがなく、また、半田
バンプを使わないのでバリヤメタルの形成やフラックス
の塗布／洗浄などがなくなり、工程数の大幅な削減にも
なる。さらに、外囲器のバンプの先端形状を鋭利にする
ことで酸化膜のような絶縁膜も突き破ることが可能であ
り、電極同士が未接触のまま残らずに安定した接続が得
られる。なお、本実施の形態では、絶縁膜を半導体チッ
プ上に形成したが、図３に示すように、バンプ電極１８
が形成された外囲器７に絶縁膜１０を形成し、半導体チ
ップ２と外囲器７の接続を行うようにしてもよい。
【００２１】また、図４に示すように、外囲器７に予め
絶縁物１０、例えば絶縁シートや絶縁性のある樹脂等を
塗布したものを電極１９表面に形成し、半導体チップ２
には外囲器７との接続側にバンプ１７を形成し、半導体
チップと外囲器の接続を行うようにしてもよい。
絶縁物１０、例えば絶縁シートや絶縁性のある樹脂等を
塗布したものを電極１９表面に形成し、半導体チップ２
には外囲器７との接続側にバンプ１７を形成し、半導体
チップと外囲器の接続を行うようにしてもよい。
【００２２】さらに、図５に示すように、バンプ１７が
形成された半導体チップ２に予め絶縁物１０を表面に形
成し、外囲器７には半導体チップ２との接続側にバンプ
１８、その反対側に外部電極９を形成し、半導体チップ
と外囲器の接続を行うようにしてもよい。
形成された半導体チップ２に予め絶縁物１０を表面に形
成し、外囲器７には半導体チップ２との接続側にバンプ
１８、その反対側に外部電極９を形成し、半導体チップ
と外囲器の接続を行うようにしてもよい。
【００２３】図６は、本発明の第三の実施の形態を示し
たものであり、半導体チップを搭載する外囲器の他の構
成の断面図である。
たものであり、半導体チップを搭載する外囲器の他の構
成の断面図である。
【００２４】図６に示すように、まず、半導体チップ２
を外囲器７の所定の位置に載せる。更に半導体チップ２
に流体２２を備えた空洞体２１を載せてふたをする。こ
れにより、空洞体を介して空洞体２１と半導体チップ２
の接触面全体に荷重が均一にかかり、半導体チップの電
極６と外囲器の電極８同士を良好に接続することができ
る。また、図７に示すように、空洞体２１に流体を出し
入れできる通路２３を設けることにより、空洞体内の流
体量を調整することができるので、外囲器に加える荷重
を調整することができより効果的な接続を行うことがで
きる。流体の出入り口には蓋２４を設けて機密性を保つ
ような構成にしても良い。
を外囲器７の所定の位置に載せる。更に半導体チップ２
に流体２２を備えた空洞体２１を載せてふたをする。こ
れにより、空洞体を介して空洞体２１と半導体チップ２
の接触面全体に荷重が均一にかかり、半導体チップの電
極６と外囲器の電極８同士を良好に接続することができ
る。また、図７に示すように、空洞体２１に流体を出し
入れできる通路２３を設けることにより、空洞体内の流
体量を調整することができるので、外囲器に加える荷重
を調整することができより効果的な接続を行うことがで
きる。流体の出入り口には蓋２４を設けて機密性を保つ
ような構成にしても良い。
【００２５】従来の外囲器と半導体チップの電極同士の
接続は、半田バンプなどのリフローが一般的であり、樹
脂充填後は半導体チップのリペアができない。本実施の
形態の外囲器への半導体チップの搭載は、チップマウン
ト工程、空洞体封止工程の２工程で完了するので、従来
に比べ大幅な工程削減ができる。また、半田バンプを使
わずに電極同士の接触が可能となるので、樹脂充填が不
要になり工程数の削減にもなる。
接続は、半田バンプなどのリフローが一般的であり、樹
脂充填後は半導体チップのリペアができない。本実施の
形態の外囲器への半導体チップの搭載は、チップマウン
ト工程、空洞体封止工程の２工程で完了するので、従来
に比べ大幅な工程削減ができる。また、半田バンプを使
わずに電極同士の接触が可能となるので、樹脂充填が不
要になり工程数の削減にもなる。
【００２６】図８は、本発明の第四の実施の形態を示し
たものであり、外囲器を実装するソケットの断面図であ
る。
たものであり、外囲器を実装するソケットの断面図であ
る。
【００２７】本実施の形態のソケットは、電極３２と外
部端子３３を有するソケット及び流体３５の入った伸縮
性を有する空洞体３４から構成されている。
部端子３３を有するソケット及び流体３５の入った伸縮
性を有する空洞体３４から構成されている。
【００２８】外囲器のソケットへの実装は図８のように
行われる。まず、外囲器７をソケットの所定の位置に載
せる。そして、外囲器上に流体３５が入った伸縮性空洞
体３４を載せて蓋をする。蓋をすることにより空洞体３
４は加圧されて外囲器７に荷重を加える。空洞体３４は
伸縮性を有しているので外囲器の傾きや表面形状に合わ
せて変形し、均一に外囲器に荷重を加えて電気的接続を
行う。
行われる。まず、外囲器７をソケットの所定の位置に載
せる。そして、外囲器上に流体３５が入った伸縮性空洞
体３４を載せて蓋をする。蓋をすることにより空洞体３
４は加圧されて外囲器７に荷重を加える。空洞体３４は
伸縮性を有しているので外囲器の傾きや表面形状に合わ
せて変形し、均一に外囲器に荷重を加えて電気的接続を
行う。
【００２９】本実施の形態のソケットには、伸縮性空洞
体を付加しているため、従来ソケットで問題となる荷重
集中による外囲器やソケットの破損を防ぐことができ
る。さらに、外囲器の傾きや表面形状はソケットの空洞
体が吸収してくれるので、外囲器の電極とソケットの電
極同士の安定した電気的接続が容易に行える。
体を付加しているため、従来ソケットで問題となる荷重
集中による外囲器やソケットの破損を防ぐことができ
る。さらに、外囲器の傾きや表面形状はソケットの空洞
体が吸収してくれるので、外囲器の電極とソケットの電
極同士の安定した電気的接続が容易に行える。
【００３０】また、流体に溶媒（例えば水）を用いれ
ば、外囲器の温度の調節も行える。さらに、空洞体の材
質に高熱伝導性を付加してやれば、外囲器の温度調節は
より効果的になる。
ば、外囲器の温度の調節も行える。さらに、空洞体の材
質に高熱伝導性を付加してやれば、外囲器の温度調節は
より効果的になる。
【００３１】図８（ｃ）に示すように、熱伝導性のよい
空洞体３４に通路３６，３７を設け、それらの通路に流
体の圧力をコントロールする弁３８，３９を付加してや
れば、各通路の弁を調節して適当な圧力を保つことがで
きる。さらに、流体の温度を調整することにより、外囲
器とソケットの温度調節を容易に行うことができる。
空洞体３４に通路３６，３７を設け、それらの通路に流
体の圧力をコントロールする弁３８，３９を付加してや
れば、各通路の弁を調節して適当な圧力を保つことがで
きる。さらに、流体の温度を調整することにより、外囲
器とソケットの温度調節を容易に行うことができる。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、半導体チップと外囲
器、または外囲器とソケットの接続を容易かつ確実に行
うことができる。
器、または外囲器とソケットの接続を容易かつ確実に行
うことができる。
【図１】 本発明の半導体製造装置の一実施例を示すコ
レットの断面図。
レットの断面図。
【図２】 本発明の半導体装置の一実施例を示すのチッ
プと外囲器の一部断面図。
プと外囲器の一部断面図。
【図３】 本発明の半導体装置の他の実施例を示すのチ
ップと外囲器の一部断面図。
ップと外囲器の一部断面図。
【図４】 本発明の半導体装置の他の実施例を示すのチ
ップと外囲器の一部断面図。
ップと外囲器の一部断面図。
【図５】 本発明の半導体装置の他の実施例を示すのチ
ップと外囲器の一部断面図。
ップと外囲器の一部断面図。
【図６】 本発明の半導体装置の一実施例を示すのチッ
プと外囲器の断面図。
プと外囲器の断面図。
【図７】 本発明の半導体装置の他の実施例を示すのチ
ップと外囲器の断面図。
ップと外囲器の断面図。
【図８】 本発明の半導体装置の一実施例を示すの外囲
器とソケットの断面図。
器とソケットの断面図。
【図９】 従来のコレットの断面図。
【図１０】 従来のチップと外囲器の一部断面図。
【図１１】 従来の外囲器とソケットの断面図。
１Ａ…支持体 １…空洞体 ２…チップ ３…通路 ４…弁 ５…流体 ６…チップ電極部 ７…外囲器 ８…外囲器電極部 ９…外囲器の外部電極部 １０…絶縁物 １６…チップ電極 １７、１８…バンプ １９…外囲器電極 ２１…空洞体 ２２…流体 ２３…通路 ２４…蓋 ３０…ソケット ３１…ソケットの蓋 ３２…ソケットの電極部 ３３…ソケットの外部電極 ３４…空洞体 ３５…流体 ３６、３７…通路 ３８、３９…弁 ９１…コレット ９２…半導体チップ ９３…通路 ９４…チップ電極部 ９５…外囲器 ９６…外囲器電極部 ９７…外囲器の外部電極 ９８…フラックス ９９…樹脂 １００…ソケット １０１…ソケットの蓋 １０２…ソケットの電極 １０３…ソケットの外部端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E024 CA18 CA30 5F044 KK01 KK17 LL01 LL15 PP16 PP17 RR16
Claims (5)
- 【請求項１】 支持体と、この支持体に設けられ伸縮性
を有する空洞体と、前記支持体内に設けられ前記空洞体
に流体を出し入れする通路と、前記空洞体内の圧力を調
整する圧力調整手段とを具備することを特徴とする半導
体装置の製造装置。 - 【請求項２】 第１の電極を有する半導体素子と、第２
の電極を有する基板と、前記第１の電極及び前記第２の
電極の少なくともどちらか一方に設けられるバンプと、
前記半導体素子の第一の電極側表面もしくは前記基板の
第２の電極側表面のどちらか一方のみに設けられる絶縁
物とを具備し、前記第１の電極と前記第２の電極が前記
バンプを介して電気的に接続されることを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項３】 第１の電極を有する半導体素子と、第２
の電極を有する外囲器とを具備し、前記第１の電極と前
記第２の電極が互いに電気的に接続され、かつ前記外囲
器には前記半導体素子を均一の圧力で支持する空洞体が
設けられることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項４】 第１の電極を有する外囲器と、第２の電
極を有するソケットとを具備し、前記第１の電極と前記
第２の電極が互いに電気的に接続され、かつ前記ソケッ
トには前記外囲器を均一の圧力で支持する空洞体が設け
られることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項５】 前記空洞体に流体を出し入れする導入口
と、前記空洞体内の圧力を調整する圧力調整手段とをさ
らに具備することを特徴とする請求項３または４記載の
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000197573A JP2002016108A (ja) | 2000-06-30 | 2000-06-30 | 半導体装置及びその製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000197573A JP2002016108A (ja) | 2000-06-30 | 2000-06-30 | 半導体装置及びその製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002016108A true JP2002016108A (ja) | 2002-01-18 |
Family
ID=18695881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000197573A Pending JP2002016108A (ja) | 2000-06-30 | 2000-06-30 | 半導体装置及びその製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002016108A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002359264A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Sony Corp | フリップチップ実装方法及び装置、半導体装置 |
| JP2003077953A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-14 | Sony Corp | フリップチップ実装方法及び装置、半導体装置 |
| JP2007189100A (ja) * | 2006-01-13 | 2007-07-26 | Sony Chemical & Information Device Corp | 圧着装置及び実装方法 |
| JP2010016070A (ja) * | 2008-07-02 | 2010-01-21 | Nec Engineering Ltd | 半導体チップの実装装置 |
| CN106922087A (zh) * | 2015-12-28 | 2017-07-04 | 富士通株式会社 | 半导体安装设备及其头部以及用于制造叠层芯片的方法 |
-
2000
- 2000-06-30 JP JP2000197573A patent/JP2002016108A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2002359264A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Sony Corp | フリップチップ実装方法及び装置、半導体装置 |
| JP4513235B2 (ja) * | 2001-05-31 | 2010-07-28 | ソニー株式会社 | フリップチップ実装装置 |
| JP2003077953A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-14 | Sony Corp | フリップチップ実装方法及び装置、半導体装置 |
| JP4710205B2 (ja) * | 2001-09-06 | 2011-06-29 | ソニー株式会社 | フリップチップ実装方法 |
| JP2007189100A (ja) * | 2006-01-13 | 2007-07-26 | Sony Chemical & Information Device Corp | 圧着装置及び実装方法 |
| JP2010016070A (ja) * | 2008-07-02 | 2010-01-21 | Nec Engineering Ltd | 半導体チップの実装装置 |
| CN106922087A (zh) * | 2015-12-28 | 2017-07-04 | 富士通株式会社 | 半导体安装设备及其头部以及用于制造叠层芯片的方法 |
| JP2017120835A (ja) * | 2015-12-28 | 2017-07-06 | 富士通株式会社 | 半導体実装装置、半導体実装装置のヘッド及び積層チップの製造方法 |
| US9905528B2 (en) | 2015-12-28 | 2018-02-27 | Fujitsu Limited | Semiconductor mounting apparatus, head thereof, and method for manufacturing laminated chip |
| KR101877135B1 (ko) * | 2015-12-28 | 2018-07-10 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 반도체 실장 장치, 반도체 실장 장치의 헤드 및 적층 칩의 제조 방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20050414 |
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| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20050606 |