JPH0689914A - 半導体装置の封止方法 - Google Patents
半導体装置の封止方法Info
- Publication number
- JPH0689914A JPH0689914A JP4240688A JP24068892A JPH0689914A JP H0689914 A JPH0689914 A JP H0689914A JP 4240688 A JP4240688 A JP 4240688A JP 24068892 A JP24068892 A JP 24068892A JP H0689914 A JPH0689914 A JP H0689914A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- circuit board
- thermoplastic resin
- chip
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/731—Location prior to the connecting process
- H01L2224/73101—Location prior to the connecting process on the same surface
- H01L2224/73103—Bump and layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/731—Location prior to the connecting process
- H01L2224/73101—Location prior to the connecting process on the same surface
- H01L2224/73103—Bump and layer connectors
- H01L2224/73104—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体チップに形成された電極と回路基板に
形成された電極をバンプにより接続し、さらに前記半導
体チップと前記回路基板により形成された間隙を熱可塑
性樹脂で封止するさい、気泡の発生しない封止方法を提
供する。 【構成】 半導体チップの中央部に熱可塑性樹脂を塗布
し仮硬化させ、その後半導体チップの電極と回路基板の
電極とを位置合わせしてチップ電極と基板電極とが接触
する方向に加圧し、熱可塑性樹脂を加熱溶融して周辺へ
一様に拡散させる。
形成された電極をバンプにより接続し、さらに前記半導
体チップと前記回路基板により形成された間隙を熱可塑
性樹脂で封止するさい、気泡の発生しない封止方法を提
供する。 【構成】 半導体チップの中央部に熱可塑性樹脂を塗布
し仮硬化させ、その後半導体チップの電極と回路基板の
電極とを位置合わせしてチップ電極と基板電極とが接触
する方向に加圧し、熱可塑性樹脂を加熱溶融して周辺へ
一様に拡散させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップを回路基
板に接続し、樹脂を用いて半導体装置を封止する方法に
関するものである。
板に接続し、樹脂を用いて半導体装置を封止する方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップを回路基板に接続する方法
として、ワイヤを用いずに、半導体チップと回路基板の
両方もしくはどちらか一方の電極にハンダもしくは金
（Ａｕ）のバンプを形成し、半導体チップをフェイスダ
ウンの形で直接回路基板に実装する方法がある。この方
法は一般にフェイスダウンボンディング法という。フェ
イスダウンボンディング法を用いて半導体チップを回路
基板表面にバンプを用いて電気的に接続し、その後半導
体チップと回路基板により形成される間隙を樹脂で封止
する従来の工程を図３（ａ）〜（ｃ）を用いて説明す
る。図３（ａ）に示すように、半導体チップ１の表面に
チップ電極２が設けられ、チップ電極２の上にバンプ３
が設けられている。バンプ３はハンダもしくは金（Ａ
ｕ）からできている。次に図３（ｂ）に示すように回路
基板４に設けられた基板電極５と半導体チップ１のチッ
プ電極２を位置合わせする回路基板４はホットプレート
６に上に載置されている。回路基板４はホットプレート
６により加熱され、チップ電極２と基板電極５がバンプ
３により電気的に接続される。次に図３（ｃ）に示すよ
うに半導体チップ１と回路基板４により形成される間隙
に、ノズル７を用いて熱可塑性樹脂を流し込み樹脂封止
を行う。
として、ワイヤを用いずに、半導体チップと回路基板の
両方もしくはどちらか一方の電極にハンダもしくは金
（Ａｕ）のバンプを形成し、半導体チップをフェイスダ
ウンの形で直接回路基板に実装する方法がある。この方
法は一般にフェイスダウンボンディング法という。フェ
イスダウンボンディング法を用いて半導体チップを回路
基板表面にバンプを用いて電気的に接続し、その後半導
体チップと回路基板により形成される間隙を樹脂で封止
する従来の工程を図３（ａ）〜（ｃ）を用いて説明す
る。図３（ａ）に示すように、半導体チップ１の表面に
チップ電極２が設けられ、チップ電極２の上にバンプ３
が設けられている。バンプ３はハンダもしくは金（Ａ
ｕ）からできている。次に図３（ｂ）に示すように回路
基板４に設けられた基板電極５と半導体チップ１のチッ
プ電極２を位置合わせする回路基板４はホットプレート
６に上に載置されている。回路基板４はホットプレート
６により加熱され、チップ電極２と基板電極５がバンプ
３により電気的に接続される。次に図３（ｃ）に示すよ
うに半導体チップ１と回路基板４により形成される間隙
に、ノズル７を用いて熱可塑性樹脂を流し込み樹脂封止
を行う。
【０００３】しかしながら半導体チップ１と回路基板４
により形成される間隙は狭いため、熱可塑性樹脂８が一
様に流れ込まなかった場合、半導体チップ１と回路基板
４の間に気泡１０が発生することがある。気泡１０は外
部環境に高温になった場合、および半導体チップが発熱
した場合、半導体チップ１に機械的ストレスを与えるこ
とになる。また、チップ電極２や基板電極５の近くに発
生した気泡１０内に水が溜まった場合、電極を腐食して
しまう。
により形成される間隙は狭いため、熱可塑性樹脂８が一
様に流れ込まなかった場合、半導体チップ１と回路基板
４の間に気泡１０が発生することがある。気泡１０は外
部環境に高温になった場合、および半導体チップが発熱
した場合、半導体チップ１に機械的ストレスを与えるこ
とになる。また、チップ電極２や基板電極５の近くに発
生した気泡１０内に水が溜まった場合、電極を腐食して
しまう。
【０００４】この問題を解決する方法として、特開平３
−１２９４２号公報に開示されている方法を図２（ａ）
〜（ｃ）を用いて説明する。まず図２（ａ）に示すよう
に、ウェーハ状態の半導体チップ１のチップ電極２上に
バンプ３を形成する。バンプ３が設けられたウェーハ状
態の半導体チップ１の表面にスピンコートによって熱可
塑性樹脂８を塗布する。そして熱可塑性樹脂８を仮硬化
させる。このような状態のウェーハをダイシングし、図
２（ａ）に示すような半導体チップ１が得られる。次に
図２（ｂ）に示すように、金属製のボンディングツール
９で半導体チップ１を吸着し、ホットプレート６上に載
置された回路基板４の表面に形成された基板電極５と半
導体チップ１のチップ電極２とを位置合わせを行いボン
ディングツール９によってチップ電極２と基板電極５と
が接触する方向に加圧する。この状態でホットプレート
６により加熱されバンプ３と熱可塑性樹脂８が溶融す
る。これにより図２（ｃ）に示すようにチップ電極２と
基板電極５はバンプ３によって電気的に接続される。ま
た半導体チップ１と回路基板４とで形成される間隙には
気泡が発生することなく熱可塑性樹脂８で充填される。
そして冷却することによりバンプ３と熱可塑性樹脂８を
本硬化させる。
−１２９４２号公報に開示されている方法を図２（ａ）
〜（ｃ）を用いて説明する。まず図２（ａ）に示すよう
に、ウェーハ状態の半導体チップ１のチップ電極２上に
バンプ３を形成する。バンプ３が設けられたウェーハ状
態の半導体チップ１の表面にスピンコートによって熱可
塑性樹脂８を塗布する。そして熱可塑性樹脂８を仮硬化
させる。このような状態のウェーハをダイシングし、図
２（ａ）に示すような半導体チップ１が得られる。次に
図２（ｂ）に示すように、金属製のボンディングツール
９で半導体チップ１を吸着し、ホットプレート６上に載
置された回路基板４の表面に形成された基板電極５と半
導体チップ１のチップ電極２とを位置合わせを行いボン
ディングツール９によってチップ電極２と基板電極５と
が接触する方向に加圧する。この状態でホットプレート
６により加熱されバンプ３と熱可塑性樹脂８が溶融す
る。これにより図２（ｃ）に示すようにチップ電極２と
基板電極５はバンプ３によって電気的に接続される。ま
た半導体チップ１と回路基板４とで形成される間隙には
気泡が発生することなく熱可塑性樹脂８で充填される。
そして冷却することによりバンプ３と熱可塑性樹脂８を
本硬化させる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、熱可塑性樹脂
８をウェーハ状態で塗布し、ダイシングするためダイシ
ングブレードをいため、ブレードの寿命を短くするため
コスト高になる。また半導体チップ１が大きくなった場
合、半導体チップ１の中央部より外部の方が熱可塑性樹
脂８が厚く塗布されているため高くなって、半導体チッ
プ１を回路基板４に接続した場合半導体チップ中央から
気泡を完全に取り除くことは難しいという問題がある。
８をウェーハ状態で塗布し、ダイシングするためダイシ
ングブレードをいため、ブレードの寿命を短くするため
コスト高になる。また半導体チップ１が大きくなった場
合、半導体チップ１の中央部より外部の方が熱可塑性樹
脂８が厚く塗布されているため高くなって、半導体チッ
プ１を回路基板４に接続した場合半導体チップ中央から
気泡を完全に取り除くことは難しいという問題がある。
【０００６】本発明は、前記問題点を解決するもので、
半導体チップ１と回路基板５とで形成される間隙を気泡
を発生することなく樹脂封止する技術を提供することを
目的とする。
半導体チップ１と回路基板５とで形成される間隙を気泡
を発生することなく樹脂封止する技術を提供することを
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記問題点を
解決するために、ダイシング後の半導体チップの中央部
に熱可塑性樹脂を塗布し仮硬化させ、その後半導体チッ
プの電極と回路基板の電極を位置合わせし、チップ電極
と基板電極とが接触する方向に加圧し、熱可塑性樹脂を
加熱溶融し熱可塑性樹脂が半導体チップと回路基板の間
を一様に拡散して封止し、かつ半導体チップの電極と回
路基板の電極をバンプにより電気的に接続するものであ
る。
解決するために、ダイシング後の半導体チップの中央部
に熱可塑性樹脂を塗布し仮硬化させ、その後半導体チッ
プの電極と回路基板の電極を位置合わせし、チップ電極
と基板電極とが接触する方向に加圧し、熱可塑性樹脂を
加熱溶融し熱可塑性樹脂が半導体チップと回路基板の間
を一様に拡散して封止し、かつ半導体チップの電極と回
路基板の電極をバンプにより電気的に接続するものであ
る。
【０００８】すなわち本発明は、半導体チップに形成さ
れた電極と回路基板に形成された電極をバンプにより接
続し、さらに前記半導体チップと前記回路基板により形
成される間隙を熱可塑性樹脂によって封止する方法にお
いて、ダイシング後の前記半導体チップの中央部に前記
熱可塑性樹脂を塗布し仮硬化させ、その後前記半導体チ
ップの電極と前記回路基板の電極を位置合わせし、前記
熱可塑性樹脂を加熱溶融させながら前記半導体チップ電
極と前記回路基板電極とが接触する方向に加圧して前記
熱可塑性樹脂を前記半導体チップと前記回路基板の間の
中央部から周辺に拡散させて封止させ、かつ前記半導体
チップ電極と前記回路基板電極を前記バンプにより電気
的に接続することを特徴とする半導体装置の封止方法で
ある。
れた電極と回路基板に形成された電極をバンプにより接
続し、さらに前記半導体チップと前記回路基板により形
成される間隙を熱可塑性樹脂によって封止する方法にお
いて、ダイシング後の前記半導体チップの中央部に前記
熱可塑性樹脂を塗布し仮硬化させ、その後前記半導体チ
ップの電極と前記回路基板の電極を位置合わせし、前記
熱可塑性樹脂を加熱溶融させながら前記半導体チップ電
極と前記回路基板電極とが接触する方向に加圧して前記
熱可塑性樹脂を前記半導体チップと前記回路基板の間の
中央部から周辺に拡散させて封止させ、かつ前記半導体
チップ電極と前記回路基板電極を前記バンプにより電気
的に接続することを特徴とする半導体装置の封止方法で
ある。
【０００９】
【作用】本発明によれば、半導体チップに熱可塑性樹脂
をダイシング後に塗布するためダイシングブレードを劣
化させることがない。また半導体チップを回路基板に接
続するさい、熱可塑性樹脂が半導体チップと回路基板の
間を中央から周辺に向かって一様に拡散していくため、
半導体チップと回路基板の間隙を気泡を発生させること
なく樹脂封止することができる。
をダイシング後に塗布するためダイシングブレードを劣
化させることがない。また半導体チップを回路基板に接
続するさい、熱可塑性樹脂が半導体チップと回路基板の
間を中央から周辺に向かって一様に拡散していくため、
半導体チップと回路基板の間隙を気泡を発生させること
なく樹脂封止することができる。
【００１０】
【実施例】本発明にかかる半導体装置の封止方法の実施
例を図１（ａ）〜（ｆ）を用いて説明する。まず図１
（ａ）に示すように半導体チップの表面にチップ電極２
が設けられ、チップ電極２の上にはバンプ３が設けられ
る。バンプ３はハンダもしくは金（Ａｕ）からできてい
る。図１（ｂ）は図１（ａ）の斜視図である。次に図１
（ｃ）に示すように、ノズル７により熱可塑性樹脂８を
半導体チップの中央部に塗布し仮硬化を行う。図１
（ｄ）は図１（ｃ）の斜視図である。
例を図１（ａ）〜（ｆ）を用いて説明する。まず図１
（ａ）に示すように半導体チップの表面にチップ電極２
が設けられ、チップ電極２の上にはバンプ３が設けられ
る。バンプ３はハンダもしくは金（Ａｕ）からできてい
る。図１（ｂ）は図１（ａ）の斜視図である。次に図１
（ｃ）に示すように、ノズル７により熱可塑性樹脂８を
半導体チップの中央部に塗布し仮硬化を行う。図１
（ｄ）は図１（ｃ）の斜視図である。
【００１１】次に図１（ｅ）に示すように、金属製のボ
ンディングツール９で半導体チップ１を吸着する。そし
て、ホットプレート６上に載置された回路基板４の表面
に形成された基板電極５と半導体チップ１のチップ電極
２を位置合わせをする。そしてボンディングツールによ
ってチップ電極１と基板電極５が接触する方向に半導体
チップ１と回路基板４を加圧する。この時ホットプレー
ト６によってバンプ３と熱可塑性樹脂２８が加熱され溶
融する。このプロセスにより図１（ｆ）に示すようにチ
ップ電極１と基板電極５はバンプ３によって電気的に接
触する。また、ボンディングツール９により半導体チッ
プ１を回路基板４に加圧するさい、半導体チップ１の中
央部に塗布された熱可塑性樹脂８は、半導体チップ１と
回路基板４の間を一様に四方に拡散する。この時半導体
チップ１と回路基板４の間隙にある空気は熱可塑性樹脂
８に押し出され、間隙に気泡を発生させることなく熱可
塑性樹脂８で充填される。そして冷却することによりバ
ンプ３を凝固させるとともに熱可塑性樹脂８を本硬化さ
せる。以上の工程によりチップ電極２と基板電極５とを
バンプ３で電気的に接続し、さらに半導体チップ１と回
路基板４とで形成される間隙を樹脂で封止することがで
きた。
ンディングツール９で半導体チップ１を吸着する。そし
て、ホットプレート６上に載置された回路基板４の表面
に形成された基板電極５と半導体チップ１のチップ電極
２を位置合わせをする。そしてボンディングツールによ
ってチップ電極１と基板電極５が接触する方向に半導体
チップ１と回路基板４を加圧する。この時ホットプレー
ト６によってバンプ３と熱可塑性樹脂２８が加熱され溶
融する。このプロセスにより図１（ｆ）に示すようにチ
ップ電極１と基板電極５はバンプ３によって電気的に接
触する。また、ボンディングツール９により半導体チッ
プ１を回路基板４に加圧するさい、半導体チップ１の中
央部に塗布された熱可塑性樹脂８は、半導体チップ１と
回路基板４の間を一様に四方に拡散する。この時半導体
チップ１と回路基板４の間隙にある空気は熱可塑性樹脂
８に押し出され、間隙に気泡を発生させることなく熱可
塑性樹脂８で充填される。そして冷却することによりバ
ンプ３を凝固させるとともに熱可塑性樹脂８を本硬化さ
せる。以上の工程によりチップ電極２と基板電極５とを
バンプ３で電気的に接続し、さらに半導体チップ１と回
路基板４とで形成される間隙を樹脂で封止することがで
きた。
【００１２】
【発明の効果】本発明は、ダイシング後の半導体チップ
の中央部に熱可塑性樹脂を塗布することによって、半導
体チップと回路基板をボンディングツールにより加圧し
つつ熱可塑性樹脂を加熱すると、熱可塑性樹脂と回路基
板の間を熱可塑性樹脂が四方に拡散する。よって半導体
チップと回路基板とで形成される間隙に気泡の発生を防
止することができる。したがって気泡が原因となる半導
体装置の信頼性低下ということがなくなる。また従来法
のように熱可塑性樹脂を塗布後にダイシングするのでは
なく、ダイシング後に熱可塑性樹脂を塗布するのでダイ
シングブレードの劣化という問題も解消した。
の中央部に熱可塑性樹脂を塗布することによって、半導
体チップと回路基板をボンディングツールにより加圧し
つつ熱可塑性樹脂を加熱すると、熱可塑性樹脂と回路基
板の間を熱可塑性樹脂が四方に拡散する。よって半導体
チップと回路基板とで形成される間隙に気泡の発生を防
止することができる。したがって気泡が原因となる半導
体装置の信頼性低下ということがなくなる。また従来法
のように熱可塑性樹脂を塗布後にダイシングするのでは
なく、ダイシング後に熱可塑性樹脂を塗布するのでダイ
シングブレードの劣化という問題も解消した。
【図１】本発明の半導体装置の封止方法の１実施例を説
明するための工程図である。
明するための工程図である。
【図２】従来の半導体装置の封止方法を説明するための
工程図である。
工程図である。
【図３】従来の半導体装置の封止方法を説明するための
工程図である。
工程図である。
１ 半導体チップ ２ チップ電極 ３ バンプ ４ 回路基板 ５ 基板電極 ６ ホットプレート ７ ノズル ８ 熱可塑性樹脂 ９ ボンディングツール １０ 気泡
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体チップに形成された電極と回路基
板に形成された電極をバンプにより接続し、さらに前記
半導体チップと前記回路基板により形成される間隙を熱
可塑性樹脂によって封止する方法において、ダイシング
後の前記半導体チップの中央部に前記熱可塑性樹脂を塗
布し仮硬化させ、その後前記半導体チップの電極と前記
回路基板の電極を位置合わせし、前記熱可塑性樹脂を加
熱溶融させながら前記半導体チップ電極と前記回路基板
電極とが接触する方向に加圧して前記熱可塑性樹脂を前
記半導体チップと前記回路基板の間の中央部から周辺に
拡散させて封止させ、かつ前記半導体チップ電極と前記
回路基板電極を前記バンプにより電気的に接続すること
を特徴とする半導体装置の封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4240688A JPH0689914A (ja) | 1992-09-09 | 1992-09-09 | 半導体装置の封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4240688A JPH0689914A (ja) | 1992-09-09 | 1992-09-09 | 半導体装置の封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0689914A true JPH0689914A (ja) | 1994-03-29 |
Family
ID=17063235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4240688A Pending JPH0689914A (ja) | 1992-09-09 | 1992-09-09 | 半導体装置の封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0689914A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000223602A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-08-11 | Motorola Japan Ltd | チップを基板に接合する構造およびその製造方法 |
| US6157080A (en) * | 1997-11-06 | 2000-12-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device using a chip scale package |
| WO2001052316A1 (fr) * | 2000-01-14 | 2001-07-19 | Toray Engineering Co., Ltd. | Procede de montage de puce |
| JP2007281392A (ja) * | 2006-04-12 | 2007-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 部品実装機 |
| JP2010016332A (ja) * | 2008-07-01 | 2010-01-21 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | チップ・レベルのアンダーフィル・プロセスおよびその構造 |
| JP2015060924A (ja) * | 2013-09-18 | 2015-03-30 | 株式会社日立ハイテクインスツルメンツ | フリップチップボンダ及びボンディング方法 |
-
1992
- 1992-09-09 JP JP4240688A patent/JPH0689914A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6157080A (en) * | 1997-11-06 | 2000-12-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device using a chip scale package |
| JP2000223602A (ja) * | 1999-01-29 | 2000-08-11 | Motorola Japan Ltd | チップを基板に接合する構造およびその製造方法 |
| JP4598905B2 (ja) * | 1999-01-29 | 2010-12-15 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | 半導体素子の製造方法 |
| WO2001052316A1 (fr) * | 2000-01-14 | 2001-07-19 | Toray Engineering Co., Ltd. | Procede de montage de puce |
| US6796481B2 (en) | 2000-01-14 | 2004-09-28 | Toray Engineering Co., Ltd. | Chip mounting method |
| KR100745628B1 (ko) * | 2000-01-14 | 2007-08-03 | 토레이 엔지니어링 컴퍼니, 리미티드 | 칩 실장 방법 |
| JP2007281392A (ja) * | 2006-04-12 | 2007-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 部品実装機 |
| JP4537974B2 (ja) * | 2006-04-12 | 2010-09-08 | パナソニック株式会社 | 部品実装機 |
| JP2010016332A (ja) * | 2008-07-01 | 2010-01-21 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | チップ・レベルのアンダーフィル・プロセスおよびその構造 |
| JP2015060924A (ja) * | 2013-09-18 | 2015-03-30 | 株式会社日立ハイテクインスツルメンツ | フリップチップボンダ及びボンディング方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6169328B1 (en) | Semiconductor chip assembly | |
| US6245595B1 (en) | Techniques for wafer level molding of underfill encapsulant | |
| JP3648053B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2000188308A (ja) | フリップチップボンディングのためのアンダ―フィル処理方法、及び、半導体装置 | |
| JP2002510929A (ja) | 表面弾性波装置パッケージおよび方法 | |
| JP2943764B2 (ja) | フリップチップ実装型半導体素子の樹脂封止構造 | |
| KR20020044577A (ko) | 개선된 플립-칩 결합 패키지 | |
| JPH0689914A (ja) | 半導体装置の封止方法 | |
| JP2000124164A (ja) | 半導体装置の製造方法及び実装方法 | |
| JPH08139129A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP3520208B2 (ja) | 回路基板への半導体素子の装着方法、及び半導体装置 | |
| JPH0312942A (ja) | 半導体装置の封止方法および半導体チップ | |
| JPH1050770A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH08236578A (ja) | 半導体素子のフリップチップ実装方法およびこの実装方 法に用いられる接着剤 | |
| JP2004146577A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH10125734A (ja) | 半導体ユニットおよびその製造方法 | |
| JPH09306934A (ja) | チップ型半導体装置の製造方法 | |
| JP3014577B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08335593A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0888464A (ja) | フリップチップ実装方法 | |
| JP3918303B2 (ja) | 半導体パッケージ | |
| JPH1098077A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000228424A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| JPH08288293A (ja) | 半導体装置及びその製造方法並びにその実装構造 | |
| JP2002118208A (ja) | 半導体部品の封止構造および半導体部品の封止方法 |