JP2001058259A

JP2001058259A - 半田付け方法及び半田付け装置

Info

Publication number: JP2001058259A
Application number: JP2000183553A
Authority: JP
Inventors: Yoshinobu Ono; 義暢小野; Kichiji Shinkai; 吉治新海; Takeshi Mori; 武史森; Takashi Hashimoto; 孝橋本; Hisao Iwasa; 久夫岩佐; Yoshimasa Nakano; 賀正中野; Joji Kagami; 丈二加々見; Koki Furumoto; 幸喜古本; Tatsuya Takeuchi; 達也竹内
Original assignee: Shinko Seiki Co Ltd
Current assignee: Shinko Seiki Co Ltd
Priority date: 1999-06-18
Filing date: 2000-06-19
Publication date: 2001-03-06

Abstract

(57)【要約】【課題】フラックスを使用しない半田付けを実現し、
かつボイドの発生を防止する。【解決手段】開閉可能な真空室２内にヒーター１４を
配置し、真空室２内に収容された半田を有する被処理物
１０を半田の溶融温度以上に加熱する。遊離基ガス供給
装置１６によって真空室２内に水素ラジカルを導入す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半田付け方法及び
装置に関し、特に半田付け後の洗浄工程を省略すること
ができるものに関する。

【０００２】

【従来の技術】シリコンウエハーまたはチップまたは基
板上に、電気的接続を容易にするために、半球状の半田
である半田バンプを形成することがある。この半田バン
プの形成は、例えば、次のようにして行われる。即ち、
（１）上述した基板等に電気メッキで半田層を形成し、
この半田層の上にフラックスを塗布するか、或いは
（２）球状に形成した半田を、上述した基板等の上にフ
ラックスの粘着性を利用して接着するか、或いは（３）
半田粒とフラックスとを練り合わせたクリーム半田を上
述した基板等の上に印刷するかした後、大気中または窒
素ガス雰囲気中で、半田の溶融温度以上に加熱し、半田
を溶融させた後、冷却する。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】このような半田バンプ
の形成では、フラックスは、半田内の酸化物の還元、除
去と、半田溶融後の半田表面を大気から遮断し、酸化を
防ぐ目的で使用されている。しかし、半田の溶融、冷却
後に基板等上に残ったフラックス残渣は、基板等の絶縁
性や耐食性の維持に悪影響を及ぼすので、洗浄、除去が
不可欠である。また、加熱時に、フラックスが変性し、
溶剤に溶けにくい物質に変化し、洗浄工程において容易
に洗浄することができないことがある。

【０００４】さらに、半田溶融時、半田板部の内部にフ
ラックスや半田内のガス成分に起因する気泡（ボイド）
が発生することがあり、この気泡は電気伝導性や伝熱性
を悪化させる。

【０００５】上記のような問題は、半田バンプの形成の
場合のみに発生するのではなく、上記の半導体素子等の
配線ピッチよりも実装基板の配線ピッチが広い場合に、
半導体素子等の配線ピッチを実装基板の配線ピッチに広
げるために使用するインターポーザーへの半田バンプの
形成の他、インターポーザーへの基板等の半田付け、イ
ンターポーザーの実装基板への半田付けの場合にも、生
じる。

【０００６】本発明は、洗浄工程が不要な半田付け方法
及び装置を提供することを目的とする。更に、本発明
は、洗浄工程が不要でかつボイドの発生を防止すること
ができる半田付け方法及び装置を提供することを目的と
する。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明による半田付け方
法は、半田を有する被処理物が配置される真空室を真空
状態に減圧する工程と、前記真空状態にある真空室の温
度を前記半田の溶融温度まで上昇させると共に、前記半
田の溶融温度に真空室の温度を維持する加熱工程と、こ
の加熱工程と並行して、前記真空室内に遊離基ガスを供
給する工程とを、具備するものである。

【０００８】真空状態において、被処理物を半田の溶融
温度まで昇温させ、かつ溶融温度を維持している間に、
半田が溶融し、半田付けが行われる。この間に、遊離基
ガスが真空室内に供給されているので、この遊離基ガス
の還元作用によって、半田内の酸化物を還元することが
できる。

【０００９】前記遊離基ガスを供給する工程は、前記加
熱工程が開始された時点から遅れて開始することができ
る。遊離基ガス供給工程の終期は、加熱工程の終期とほ
ぼ同時とすることもできる。遊離基ガスの供給工程の期
間は、加熱工程の期間よりも短くされている。このよう
に構成した場合、半田内に発生した気泡が、半田の表面
に自然に形成されている酸化膜の欠陥部分から抜けた
後、或いは自然酸化膜を破って抜けた後に、遊離基ガス
による還元が行われる。従って、還元が行われると共
に、半田内の気泡が除去される。

【００１０】前記減圧は、例えば約０．０１Ｔｏｒｒ
（約１．３３Ｐａ）まで行うことができる。さらに、前
記減圧制御は、真空室に接続された排気手段の排気速度
を制御することと、前記真空室内へのガスの供給量を制
御することによって行われ、例えば約０．１Ｔｏｒｒ乃
至１Ｔｏｒｒ（約１３．３３Ｐａ乃至１３３Ｐａ）の圧
力まで行うことができる。

【００１１】このように排気手段の排気速度やガスの供
給量を制御することによって予め定めた圧力まで真空室
を排気することができ、かつ保持することができる。し
かも、これらの制御は真空室内の圧力を計測し、帰還さ
せることによって、容易に自動化することができる。

【００１２】本発明による半田付け装置は、開閉可能な
真空室内に、加熱手段が配置されている。真空室は、例
えばチャンバーとこれに設けた排気手段とを備えたもの
とできる。加熱手段は、真空室内に収容された被処理物
を加熱するものである。被処理物は、例えば半田バンプ
形成用の半田を有している。複数個の半田を設けること
もできるし、単数の半田を設けることもできる。加熱手
段は、少なくとも前記半田の溶融温度に被処理物を加熱
可能なものである。

【００１３】この半田付け装置によれば、真空室内が開
閉可能であるので、その内部に被処理物を配置可能であ
る。真空室内に配置された被処理物は加熱手段によって
加熱され、被処理物が有する半田が溶融する。また、遊
離基ガスが供給されているので、この遊離基ガスの還元
作用によって、半田内及び接合界面の酸化物を還元する
ことができる。

【００１４】遊離基ガスを使用せずに、還元性のある例
えば水素ガスを利用して、半田内の酸化物を還元するこ
とも考えられる。しかし、水素ガスの還元力を有効に利
用するためには、被処理物の温度を高くし、かつこの高
い温度を長時間にわたって保持しなければならない。余
り被処理物の温度を高くし、かつ高温状態を保持する
と、被処理物に損傷を与える可能性がある。しかし、遊
離基ガスを使用した場合には、予め活性化されているの
で、被処理物の温度を高くかつ長時間保持する必要がな
く、被処理物に損傷を与えることがない。

【００１５】前記遊離基ガス供給手段としては、ガスの
供給手段と、このガスをプラズマ化するプラズマ発生手
段とを使用することができる。

【００１６】プラズマ発生手段としては、種々のものを
使用することができるが、プラズマ励起電源として、周
波数が高周波例えば１３．５６ＭＨｚやマイクロ波例え
ば２．４５ＧＨｚである電源を使用することができる。
また、プラズマ発生手段の放電手段として、容量結合
型、誘導結合型及びマイクロ波放電といったものを使用
することができる。

【００１７】加熱手段は、急速加熱及び急速冷却が可能
に構成されたものとできる。例えば、被処理物を支持す
る支持体を熱容量の小さい材質によって形成し、その内
部に加熱手段、例えばヒーターを埋設し、この支持体に
接触及び非接触が可能に冷却手段を設けることによっ
て、急速加熱及び冷却を可能にすることができる。

【００１８】急速加熱及び急速冷却可能な加熱手段を設
けた場合、被処理物を急速に加熱することができ、半田
の溶融を急速に行える上に、急速に半田を冷却すること
ができる。従って、被処理物に熱による損傷を与えるこ
とが少ない。さらに、冷却速度が遅いときに見られる半
田結晶粒子が大きく成長し、接合強度に悪影響を及ぼす
ことを防げる。

【００１９】

【発明の実施の形態】本発明の第１の実施の形態の半田
付け装置は、図１に示すように、真空室２を有してい
る。真空室２は、例えばチャンバー４を有し、チャンバ
ー４は、下部室４ａと上部室４ｂとからなる。下部室４
ａは、上縁に開口を有する箱形のもので、その開口を被
蓋可能に上部室４ｂが、例えば蝶番によって結合されて
いる。なお、下部室４ａを上部室４ｂが被蓋している状
態では、両者の内部は気密状態となる。下部室４ａの底
部には、排気手段、例えば真空ポンプ６が取り付けられ
ている。被蓋状態において、真空ポンプ６を作動させる
ことによって、真空室２の内部を真空状態とすることが
できる。なお、真空ポンプ６は、その排気速度を制御す
ることができるものである。

【００２０】この真空室２の内部、例えば下部室４ｂ側
には、加熱手段、例えば加熱装置８が設けられている。
この加熱装置８は、被処理物、例えば半田バンプを形成
するシリコンウエハー１０を、表面側で支持可能な平板
状の支持台１２を有している。この支持台１２は、熱容
量が小さい材質、例えばセラミックまたはカーボン製で
あり、その内部にヒーター１４が埋設されている。

【００２１】なお、このヒーター１４の加熱用電源は、
真空室２の外部に設けられており、ヒーター１４の導線
は、真空室２の気密状態を保ったまま、外部に導出さ
れ、加熱用電源に接続されている。

【００２２】図示していないが、支持台１２の裏面全面
に接触可能な大きさの冷却装置が、真空室２内に、支持
台１２の裏面側に接触及び非接触可能に設けられてい
る。この冷却装置は、流体、例えば水によって支持台１
２を冷却するものである。

【００２３】ヒーター１４が通電され、被処理物１０を
加熱している間には、冷却装置は、支持台１２と非接触
であるが、ヒーター１４への通電が絶たれたとき、支持
台１２の裏面に接触して、支持台１２を冷却する。支持
台１２が熱容量の小さいものであるので、急速な加熱が
行え、かつ急速な冷却が可能である。

【００２４】チャンバー４の上部室４ｂには、遊離基ガ
ス発生手段、例えば水素ラジカル発生装置１６が設けら
れている。この水素ラジカル発生装置１６は、プラズマ
発生手段によって、水素ガスをプラズマ化して、水素ラ
ジカルを発生させるものである。この水素ラジカル発生
装置１６は、マイクロ波発生器１８を上部室４ｂの外部
に有し、これにおいて発振されたマイクロ波を伝送する
導波管２０を、上部室４ｂの上壁上に有している。この
導波管２０は、マイクロ波導入窓２２を有している。こ
のマイクロ波導入窓２２は、支持台１２と対面するよう
に、かつ支持台１２の全面を覆う形状に形成されてい
る。従って、マイクロ波は、図１に矢印で示すように、
支持台１２の全面を覆う広い領域にわたって、上部室４
ｂ内に侵入する。

【００２５】この導入窓２２の近傍において、水素ガス
供給管２４が、上部室４ｂ内に設けられている。この水
素ガス供給管２４は、真空室４の外部に設けられた水素
ガス源２５から水素ガスを上部室４ｂ内に供給するため
のものである。水素ガス源２５は、チャンバー４内への
供給量を制御可能なものである。この供給された水素ガ
スが、マイクロ波導入窓２２を介して導入されたマイク
ロ波によってプラズマ化されて、水素ラジカルを発生す
る。この水素ラジカルは、上部室４ｂの内部にイオンの
ような不要な荷電粒子を捕集するために設けられた金網
２６を通って、被処理物１０の全域に向かう。なお、水
素ガス供給管２４は、複数本、設置することができる。

【００２６】水素ガス源２５、真空ポンプ６を制御する
ために制御装置２８が設けられている。この制御装置２
８における制御に利用するために、チャンバー４には圧
力計２７が設けられている。

【００２７】このように構成された半田付け装置での半
田付けは、例えば次のように行われる。先ず、上部室４
ｂを開いて、既に形成してあるウエハーを、被処理物１
０として、支持台１２上に配置する。その被処理物の上
に、半田バンプの元となる複数個の半田層またはボール
を間隔をおいて配置する。上部室４ｂを閉じた後、真空
ポンプ６を作動させて、チャンバー４内を、例えば図２
に示すように、約０．０１Ｔｏｒｒ（約１．３３Ｐａ）
まで排気し、チャンバー４内を真空状態とする。マイク
ロ波発生器１８を作動させて、マイクロ波を発生させる
と共に、水素ガスをチャンバー４内に供給し、チャンバ
ー４内に水素ラジカルを発生させる。このときのチャン
バー４内の圧力は、例えば約０．１乃至１Ｔｏｒｒ（約
１３．３Ｐａ乃至１３３．３Ｐａ）である。

【００２８】チャンバー４内の圧力が上記の圧力になる
と、ヒーター１４に通電し、被処理物１０を加熱する。
支持台１２の熱容量が小さいので、非常に短時間、例え
ば加熱開始後約２分で、半田の溶融温度となる。この溶
融温度を例えば約１分間にわたって保持する。これによ
って、被処理物１０上の半田が溶融し、半田バンプが形
成される。このとき、水素ラジカルが被処理物１０の全
面に供給されているので、半田に含まれている金属酸化
物も、水素ラジカルによって還元される。同時に、半田
内に気泡が形成されても、チャンバー４内が真空状態で
あるので、半田内から大きな気泡が抜け、半田ボイドの
形成が或る程度阻止される。半田が溶融し、半田バンプ
が形成されると、ヒーター１４への通電が絶たれ、冷却
装置が支持台１２に接触し、被処理物１０の冷却が行わ
れる。この冷却も急速に行われ、例えば約１分で室温に
戻される。なお、冷却の開始とほぼ同時に、チャンバー
４内は真空ポンプ６によって約０．０１Ｔｏｒｒ（約
１．３３Ｐａ）まで真空引きされ、その後に図示しない
窒素ガス源から窒素ガスが供給され、大気圧とされる。

【００２９】このように、還元力の強い遊離基ガス、例
えば水素ラジカルを被処理物１０に供給しているので、
フラックスを使用しないでも、半田酸化物を還元するこ
とができる。また、真空状態にあるチャンバー４内で、
半田の加熱・溶融を行っているので、大きな気泡も容易
に半田から抜くことができ、半田内のボイドの発生を防
止できる。

【００３０】また、ガスのプラズマ化によって得られる
還元力の強い遊離基ガスを利用しているので、半田や被
処理物の温度を、半田の溶融に必要な温度よりもかなり
高い温度にまで高める必要がなく、被処理物１０を損傷
することがない。しかも、被処理物１０に対して上述し
たように、急速加熱、急速冷却が行われているので、被
処理物１０自体が高温状態に保たれる時間が短く、熱に
よって被処理物１０が損傷することがない。

【００３１】また、マイクロ波の導入は、被処理物１０
の全面を覆う形状のマイクロ波導入窓２２によって行わ
れているので、水素ラジカルも、マイクロ波導入窓２２
の直下で、被処理物１０のほぼ全域を覆う形状、面積で
発生し、酸化半田の還元も、各酸化半田において万遍な
く行われている。

【００３２】なお、真空ポンプ６や水素ガス供給源２５
の制御は、チャンバー４に設けた圧力計２７からの圧力
信号に基づいて、制御部２８が行っている。

【００３３】また、この半田付け装置での半田付けは、
例えば次のようにして行うこともできる。先ず、上部室
４ｂを開いて、被処理物１０及び複数個の半田層または
ボールを支持台１２上に配置する。上部室４ｂを閉じ
て、チャンバー４内を例えば約０．０１Ｔｏｒｒ（約
１．３３Ｐａ）まで排気し、チャンバー４内に水素ガス
を供給し、水素雰囲気とする。このときのチャンバー４
内の圧力は、約０．１Ｔｏｒｒ乃至１Ｔｏｒｒ（約１
３．３乃至１３３．３Ｐａ）である。次にヒーター１４
に通電し、加熱し、半田の溶融温度とする。この溶融温
度を例えば約３乃至４分間継続する。この加熱の開始時
から所定の時間、例えば約１．５分乃至２分経過したと
き、即ち加熱時間の約１／２が経過したとき、マイクロ
波発生器１８を作動させて、チャンバー４内に水素ラジ
カルを発生させる。この水素ラジカルの発生状態を例え
ば約１．５乃至２分継続する。即ち、加熱工程の約１／
２の時間の経過後に、加熱工程の残りの約１／２に亘っ
て水素ラジカルを発生させる。以下、上述した半田付け
方法と同様に処理が行われる。この半田付け方法の温度
及び圧力プロファイルを図３に示す。なお、水素ラジカ
ルの発生は、加熱工程の約１／２の時間が経過後に開始
したが、その開始時期は、加熱工程の開始時よりも後で
あればよく、例えば加熱工程の開始時から約１／４乃至
３／４の時間の経過後に開始すればよい。この場合、水
素ラジカルの供給の停止は、加熱工程の終了とほぼ同時
にしてもよく、逆に、加熱工程の終了時期よりも速く、
水素ラジカルの供給を停止してもよい。

【００３４】図４は、上述の半田付け装置において、水
素ガス雰囲気中で半田の溶融温度まで温度を上昇させ
て、加熱のみを行ったときの被処理物１０のＸ線透過像
の写真、図５は、同半田バンプの走査電子顕微鏡写真で
ある。図４のＸ線透過像から、ボイドが各バンプから抜
けていることが分かる。抜け出た結果、図５に示すよう
に各バンプには窪みが形成される。これは、バンプの表
面に形成されている自然酸化膜の欠陥部分からボイドが
抜け出た、或いは自然酸化膜を破ってボイドが抜け出た
結果と考えられる。このようにボイドを抜くことだけを
考えた場合、加熱のみを行うことが望ましい。

【００３５】図６は、上述の半田付け装置において、水
素ガス雰囲気中で半田の溶融温度まで上昇させて加熱す
る加熱工程における温度上昇の開始時から加熱工程の終
了時まで、プラズマを照射したときの被処理物１０のＸ
線透過像の写真、図７は、同半田バンプの走査電子顕微
鏡写真である。図６に符号ａで示すように、細かいボイ
ドが抜けていないバンプが存在している。これは、バン
プの表面が融点に達したとき、半田がプラズマから供給
される水素ラジカルにより還元されていて、既に液体に
なっており、その表面張力が大きく働き、体積の小さい
ボイドが半田バンプから抜けられなかったものと考えら
れる。なお、体積の大きいボイドは、液面となっている
バンプの表面張力よりも強い力で半田ボイドから抜ける
が、そのとき同時に半田も吹き飛ばされ、半田の飛び散
りが生じる。しかし、図５では、半田バンプが良好に濡
れていないので、半田バンプの下方にあるバリアメタル
ｂが見えているが、図７では、半田バンプが良好に濡れ
ているので、半田バンプの下方にあるバリアメタルが見
えていない。従って、水素ラジカルによる還元によって
良好に濡れることが明らかである。よって、濡れを良好
にすることに重点を置く場合、加熱工程の最初から最後
まで水素ラジカルを供給することが望ましい。

【００３６】図８は、上述の半田付け装置において、水
素ガス雰囲気とし、半田融点に達してから一定時間経過
後にプラズマ照射を行ったときのＸ線透過像の写真で、
図９は、同半田バンプの走査電子顕微鏡写真である。図
８から明らかなように、各バンプにはボイドは存在して
いない。これは、プラズマ照射を行う前に、ボイドを予
め抜いておき、その後にバンプ内の酸化物を水素ラジカ
ルによって還元しているからである。また、還元開始前
のまだ完全に液化していない状態においてボイドが自然
酸化膜の欠陥部分等から抜けているので、半田が飛び散
ることもない。従って、ボイドの発生を防止し、かつ濡
れを良好にする場合には、加熱工程の中途から水素ラジ
カルの供給を行うことが望ましい。

【００３７】本発明の半田付け装置の第２の実施の形態
を図１０に示す。この半田付け装置は、図１の半田付け
装置とは、金網２６が設けられていない点で相違する。
金網２６を設けていないので、水素ラジカルの他にイオ
ン等の荷電粒子も被処理物１０に到達し、還元力を高め
るので、もっと酸化度の高い半田の還元も可能になる。
図示は省略したが、水素ガス源２５、圧力計２７、制御
部２８も、設けられている。

【００３８】本発明の半田付け装置の第３の実施の形態
を図１１に示す。この半田付け装置は、高周波発生器３
２からの高周波によって水素ガスをプラズマ化すること
によって、遊離基ガスを発生しているものである。図４
において、３４はチャンバー、３６は水素ガス供給通
路、３７は金網、３８は支持台、４０は支持台３８内に
配置された加熱用ヒーター、４２が被処理物、４４が真
空ポンプである。無論、支持台３８には、裏面側に接触
及び非接触可能な冷却装置が設けられている。高周波発
生器３２は、金網３７と支持台３８との間に高周波を印
加し、これらの間にプラズマを発生させる。このとき、
イオン等の荷電粒子と共に水素ラジカルが発生する。図
示は省略したが、水素ガス源が水素ガス供給通路３６に
接続され、チャンバー３４には、圧力計が設けられ、こ
の圧力計で測定された圧力信号に基づいて真空ポンプと
水素ガス源とを制御する制御部も設けられている。第２
及び第３の実施形態の反動付け装置いずれにおいても、
第１の実施形態に関連して説明した２つの半田付け方法
のいずれも実施することができる。

【００３９】上記の３つの実施の形態では、被処理物と
してウエハーを使用したが、これに限ったものではな
く、例えばチップや基板への半田バンプの形成に使用す
ることもできるし、インターポーザーへの半田バンプの
形成にも使用することができるし、ウエハー等のインタ
ーポーザーへの半田付け或いはインターポーザーの実装
基板への半田付けにも使用することができる。さらに、
１０ｍｍＸ１０ｍｍ程度以上の大型シリコンチップを基
板に半田付けするような場合や、シリコンチップ等を搭
載した基板を、放熱板に半田付けするような場合にも使
用することができる。

【００４０】また、遊離基ガスとして水素ラジカルを使
用したが、これに限ったものではなく、例えばプラズマ
によって遊離基を発生するガスなら他のものを使用する
こともできる。なお、第１及び第２の実施の形態では、
チャンバー４を下部室４ａ、上部室４ｂに分割形成した
ものを示したが、例えば直方体状にチャンバーを形成
し、その一側面を開口させ、この開口を蓋または弁によ
って開閉する構成とすることもできる。

【００４１】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、フラッ
クスを使用しなくても半田の酸化を防止することができ
る。また、半田内のボイドの発生を防止することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態の半田付け装置の概
略図である。

【図２】図１の半田付け装置の温度及び圧力の変化状態
の一例を示す概略図である。

【図３】図１の半田付け装置における別の温度及び圧力
の変化状態の他の例を示す概略図である。

【図４】図１の半田付け装置において水素ガス雰囲気中
で半田の溶融温度まで温度を上昇させて、加熱のみを行
ったときの被処理物１０のＸ線透過像の写真である。

【図５】同半田バンプの走査電子顕微鏡写真である。

【図６】図６は、図１の半田付け装置において水素ガス
雰囲気中でプラズマを加熱工程の開始時から終了まで照
射したときの被処理物１０のＸ線透過像の写真である。

【図７】同半田バンプの走査電子顕微鏡写真である。

【図８】図１の半田付け装置において水素ガス雰囲気と
し半田融点に達してから一定時間経過後にプラズマ照射
を行ったときのＸ線透過像の写真である。

【図９】同半田バンプの走査電子顕微鏡写真である。

【図１０】本発明の第２の実施の形態の半田付け装置の
概略図である。

【図１１】本発明の第３の実施の形態の半田付け装置の
概略構成図である。

【符号の説明】

２真空室１０被処理物１６遊離基ガス発生装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/60 Ｈ０５Ｋ 3/34 ５０７ＪＨ０５Ｋ 3/34 ５０７Ｈ０１Ｌ 21/92 ６０４Ｅ // Ｂ２３Ｋ 101:40 ６０４Ｈ (72)発明者森武史兵庫県神戸市西区高塚台３丁目１番35号神港精機株式会社内 (72)発明者橋本孝兵庫県神戸市西区高塚台３丁目１番35号神港精機株式会社内 (72)発明者岩佐久夫兵庫県神戸市西区高塚台３丁目１番35号神港精機株式会社内 (72)発明者中野賀正兵庫県神戸市西区高塚台３丁目１番35号神港精機株式会社内 (72)発明者加々見丈二兵庫県神戸市西区高塚台３丁目１番35号神港精機株式会社内 (72)発明者古本幸喜兵庫県神戸市西区高塚台３丁目１番35号神港精機株式会社内 (72)発明者竹内達也兵庫県神戸市西区高塚台３丁目１番35号神港精機株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半田を有する被処理物が配置された真空
室を真空状態に減圧する工程と、前記真空状態にある真空室の温度を、前記半田の溶融温
度まで上昇させると共に前記半田の溶融温度に維持する
加熱工程と、この加熱工程と並行して、前記真空室内に遊離基ガスを
供給する工程とを、具備する半田付け方法。
【請求項２】請求項１記載の半田付け方法において、
前記遊離基ガスを供給する工程は、前記加熱工程の開始
時よりも遅れた時点から開始される半田付け方法。
【請求項３】請求項１記載の半田付け方法において、
前記減圧は、前記真空室に接続された排気手段の排気速
度を制御することと、前記真空室内へのガスの供給量を
制御することによって所定の圧力で行われる半田付け方
法。
【請求項４】開閉可能な真空室と、前記真空室内に配置されており、前記真空室内に収容さ
れた半田を有する被処理物を前記半田の溶融温度以上に
加熱可能な加熱手段と、前記真空室内に遊離基ガスを供給する遊離基ガス供給手
段とを、具備する半田付け装置。
【請求項５】請求項４記載の半田付け装置において、
前記遊離基ガス供給手段は、ガスの供給手段と、このガ
スを遊離基化するプラズマ発生手段とを、有する半田付
け装置。
【請求項６】請求項４記載の半田付け装置において、
前記加熱手段は、急速加熱及び冷却が可能に構成されて
いる半田付け装置。