KR20210029820A - 접합 구조체의 제조 방법 - Google Patents

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KR20210029820A
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사토시 오오타니
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가부시키가이샤 코키
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    • H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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    • H01L2224/13309—Indium [In] as principal constituent
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    • H01L2224/13301—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/13311—Tin [Sn] as principal constituent
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    • H01L2224/133—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13301—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/13313—Bismuth [Bi] as principal constituent
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    • H01L2224/13301—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/13316—Lead [Pb] as principal constituent
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    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
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    • H01L2224/13198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/13298—Fillers
    • H01L2224/13299—Base material
    • H01L2224/133—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13317—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/13318—Zinc [Zn] as principal constituent
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    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/13198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/13298—Fillers
    • H01L2224/13299—Base material
    • H01L2224/133—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13317—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/1332—Antimony [Sb] as principal constituent
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    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/13198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/13298—Fillers
    • H01L2224/13299—Base material
    • H01L2224/133—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13339—Silver [Ag] as principal constituent
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    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/13198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/13298—Fillers
    • H01L2224/13299—Base material
    • H01L2224/133—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13347—Copper [Cu] as principal constituent
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    • H01L2224/16145—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
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    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
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    • H01L2224/81048—Thermal treatments, e.g. annealing, controlled pre-heating or pre-cooling
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Abstract

본 발명에 따른 접합 구조체의 제조 방법은, 리플로우 노 내에서, 땜납 재료와 제1 부재를 접촉시킨 상태에서 가열하고, 상기 땜납 재료를 구성하는 땜납 합금을 용융시키는 리플로우 공정을 포함하고, 상기 리플로우 공정은, 상기 리플로우 노 내의 분위기를 대기압보다 낮은 제1 압력 P1까지 감압한 상태에서 상기 땜납 합금을 용융시키는 제1 리플로우 공정과, 상기 제1 리플로우 공정 후, 상기 리플로우 노 내의 분위기를 상기 제1 압력 P1보다 낮은 제2 압력 P2까지 감압한 상태에서 상기 땜납 합금을 용융시키는 제2 리플로우 공정을 포함한다.

Description

접합 구조체의 제조 방법
본원은, 일본특허출원 제2018-186574호의 우선권을 주장하고, 인용에 의해 본원 명세서의 기재에 포함된다. 본 발명은, 접합 구조체의 제조 방법에 관한 것이다.
전자 부품 등의 접합 부품이 기판에 접합된 접합 구조체는, 예를 들면 땜납 합금과 플럭스를 포함하는 솔더 페이스트를 기판 표면의 전극부에 도포하고, 그 후, 전자 부품의 전극부를, 상기 솔더 페이스트를 통하여 상기 기판 표면의 전극부에 접촉시켜 가열(리플로우)하는 것에 의해, 제조할 수 있다. 이와 같은 접합 구조체는, 솔더 페이스트로 이루어지는 접합부를 통하여, 기판과 전자 부품이 접합된다.
종래, 이와 같은 접합 구조체에서는, 리플로우 시에 발생하는 가스가 접합부 중에 보이드(거품)로 되어 잔존하는 것이 문제가 되고 있었다. 특히, 접합 부품으로서 Si 칩을 이용한 접합 구조체에서는, 접합부 중에 다량의 보이드가 발생하는 것이 알려져 있다. 접합부 중에 보이드가 존재하면, 접합 부품과 기판의 접촉 면적이 저하되어 전기 저항이 증가하므로, 접합 구조체의 전기적인 신뢰성을 손상시킨다. 또한, 접합부 중의 보이드는 열전도를 방해하므로, 접합 구조체의 방열성을 저하시킨다.
최근, 리플로우 노(reflow furnace) 내의 분위기를 대기압보다 낮은 압력으로 감압하여 리플로우(이하, 진공 리플로우라고도 함)를 행하는 방법이 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 1). 해당 방법에서는, 리플로우 노 내의 분위기를 감압하는 것에 의해, 접합부 중에 형성된 보이드가 팽창하여 접합부의 밖으로 배출되기 쉬워지므로, 접합부 중의 보이드를 저감할 수 있다.
국제공개 제2017/057651호
진공 리플로우에서는, 리플로우 노 내에 있어서 감압하는 압력의 크기가 클수록, 보이드가 접합부의 밖으로 배출되기 쉬워지므로, 결과로서, 접합부 중의 보이드를 보다 저감할 수 있다. 그러나, 리플로우 노 내에 있어서 감압하는 압력의 크기를 크게 하면, 리플로우 시에 보이드가 다량으로 접합부의 밖으로 배출되므로, 땜납 재료(땜납 박(箔), 솔더 페이스트 등)가 비산하기 쉬워진다. 그 결과, 접합 부품의 전극 간의 쇼트, 기판의 오염 등을 발생시킨다는 문제가 있었다. 이와 같은 문제는, 접합 부품이 땜납 재료를 통하여 기판에 접합된 접합 구조체뿐만 아니라, 기판에 땜납 재료를 도포하는 것에 의해 형성된 접합 구조체(예를 들면, 땜납 범프 등)에서도 생기고 있었다.
본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어 것이며, 접합부에서의 보이드를 저감하고, 또한, 땜납 재료의 비산을 억제한 접합 구조체의 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
땜납 용융 직후는 가스가 다량으로 발생하고, 접합부 중에 형성된 보이드 내부의 압력이 높아진다. 이에 의해, 보이드는 팽창하고, 접합부의 밖으로 배출되기 쉬워진다. 한편, 땜납이 용융되고 어느 정도의 시간이 경과하면, 가스의 발생량이 적어지고, 접합부 중에 형성된 보이드 내부의 압력과 리플로우 노 내의 압력의 차가 작아진다. 이에 의해, 보이드는 접합부의 밖으로 배출되기 어려워지고, 결과로서, 접합부 중에 작은 보이드로서 잔존한다. 이와 같은 사정을 감안하여, 본 발명자들은, 리플로우 공정에 있어서, 리플로우 노 내의 분위기를 대기압보다 낮은 압력까지 감압한 상태에서 땜납 합금을 용융시킨 후, 더 낮은 압력까지 감압한 상태에서 땜납 합금을 용융시키는 것에 의해, 접합부에서의 보이드를 저감하고, 또한, 땜납 재료의 비산을 억제한 접합 구조체가 얻어지는 것을 찾아냈다. 본 발명의 요지는, 이하와 같다.
본 발명에 따른 접합 구조체의 제조 방법은, 리플로우 노 내에서, 땜납 재료와 제1 부재를 접촉시킨 상태에서 가열하고, 상기 땜납 재료를 구성하는 땜납 합금을 용융시키는 리플로우 공정을 포함하고, 상기 리플로우 공정은, 상기 리플로우 노 내의 분위기를 대기압보다 낮은 제1 압력 P1까지 감압한 상태에서 상기 땜납 합금을 용융시키는 제1 리플로우 공정과, 상기 제1 리플로우 공정 후, 상기 리플로우 노 내의 분위기를 상기 제1 압력 P1보다 낮은 제2 압력 P2까지 감압한 상태에서 상기 땜납 합금을 용융시키는 제2 리플로우 공정을 포함한다.
본 발명에 따른 접합 구조체의 제조 방법에 있어서, 상기 리플로우 공정은, 리플로우 노 내에서, 땜납 재료를 통하여 제1 부재와 제2 부재를 접촉시킨 상태에서 가열하고, 상기 땜납 재료를 구성하는 땜납 합금을 용융시켜도 된다.
본 발명에 따른 접합 구조체의 제조 방법에 있어서, 상기 제1 압력 P1에 대한 상기 제2 압력 P2의 비(P2/P1)는, 0.0017∼0.8인 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 접합 구조체의 제조 방법에 있어서, 상기 제1 리플로우 공정에서는, 피크 온도에서 제1 유지 시간 T1 유지하고, 상기 제2 리플로우 공정에서는, 피크 온도에서 제2 유지 시간 T2 유지하고, 상기 제1 유지 시간 T1에 대한 상기 제2 유지 시간 T2의 비(T2/T1)는, 0.017∼59인 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 접합 구조체의 제조 방법에 있어서, 상기 리플로우 공정은, 상기 제2 리플로우 공정 후, 상기 땜납 합금의 융점 이상의 온도에서, 상기 리플로우 노 내의 분위기를 대기압까지 가압하는 제3 리플로우 공정을 더 포함하는 것이 바람직하다.
[도 1] 도 1은, 본 실시형태에 관한 접합 구조체의 제조 방법에서의 리플로우 온도 프로파일 및 리플로우 노 내의 압력 변화의 일례를 나타내는 그래프이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 관한 접합 구조체의 제조 방법에 대하여 설명한다.
<접합 구조체의 제조 방법>
본 실시형태에 관한 접합 구조체의 제조 방법은, 리플로우 노 내에서, 땜납 재료를 통하여 기판(제1 부재)과 접합 부품(제2 부재)을 접촉시킨 상태에서 가열하고, 상기 땜납 재료를 구성하는 땜납 합금을 용융시키는 리플로우 공정을 포함하고, 상기 리플로우 공정은, 상기 리플로우 노 내의 분위기를 대기압보다 낮은 제1 압력 P1까지 감압한 상태에서 상기 땜납 합금을 용융시키는 제1 리플로우 공정과, 상기 제1 리플로우 공정 후, 상기 리플로우 노 내의 분위기를 상기 제1 압력 P1보다 낮은 제2 압력 P2까지 감압한 상태에서 상기 땜납 합금을 용융시키는 제2 리플로우 공정을 포함한다.
본 실시형태에 관한 접합 구조체의 제조 방법에 사용되는 땜납 재료로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 땜납 합금으로 이루어지는 땜납 박, 땜납 합금 분말과 플럭스로 이루어지는 솔더 페이스트 등을 사용할 수 있다. 상기 땜납 합금으로서는, 예를 들면 Sn-Ag계 합금, Sn-Ag-Cu계 합금(SAC계 합금), Sn-Ag-Cu-Sb계 합금, Sn-Ag-Cu-Bi계 합금, Sn-Ag-Sb계 합금, Sn-Cu계 합금, Sn-Bi계 합금, Sn-Zn계 합금, Sn-In계 합금, Pb-Sn계 합금 등의 공지의 땜납 합금을 사용할 수 있다. 상기 플럭스로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 베이스 수지, 활성제, 용제, 칙소제 등을 포함하는 공지의 플럭스를 사용할 수 있다.
이와 같은 땜납 재료는 땜납 인쇄 장치에 의한 인쇄, 전사 인쇄, 디스펜서에 의한 도포, 마운터에 의한 탑재 등의 공지의 방법을 이용하여, 기판(제1 부재)의 표면에 배치할 수 있다. 상기 기판(제1 부재)으로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 프린트 기판, DBC 기판, 베이스 플레이트판, 리드 프레임, 실리콘 웨이퍼 등의 공지의 기판을 사용할 수 있다.
그리고, 상기 땜납 재료를 통하여 상기 기판(제1 부재)과 접촉하도록, 상기 접합 부품(제2 부재)을 배치한다. 상기 접합 부품(제2 부재)으로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 칩 부품(IC 칩 등), 저항기, 다이오드, 콘덴서, 트랜지스터, 반도체 칩(Si 칩 등), 히트 싱크 등의 공지의 접합 부품을 사용할 수 있다. 특히, 본 실시형태에 관한 접합 구조체의 제조 방법은, 상기 접합 부품으로서 Si 칩을 사용한 경우에도, 우수한 효과를 발휘한다.
여기에서, 본 실시형태에 관한 접합 구조체의 제조 방법은, 제1 부재가 기판인 것에 한정되는 것은 아니다. 기판 이외의 제1 부재로서는, 예를 들면 칩 부품(IC 칩 등), 저항기, 다이오드, 콘덴서, 트랜지스터, 반도체 칩(Si 칩 등), 히트 싱크 등을 들 수 있다. 또한, 본 실시형태에 관한 접합 구조체의 제조 방법은, 제2 부재가 접합 부품인 것에 한정되는 것은 아니다. 접합 부품 이외의 제2 부재로서는, 예를 들면 프린트 기판, DBC 기판, 베이스 플레이트, 리드 프레임, 히트 싱크 등을 들 수 있다.
그리고, 본 실시형태에 관한 접합 구조체의 제조 방법에서는, 제2 부재를 이용하지 않고, 땜납 재료와 제1 부재를 접촉시킨 상태에서 가열하고, 상기 땜납 재료를 구성하는 땜납 합금을 용융시켜도 된다. 이와 같이 하여 형성되는 접합 구조체로서는, 예를 들면 땜납 범프 등을 들 수 있다.
땜납 재료를 통하여 접촉된 기판(제1 부재)과 접합 부품(제2 부재)은, 리플로우 노 내에 배치된다. 해당 리플로우 노는 개폐 가능한 셔터를 가지고 있고, 해당 셔터를 닫는 것에 의해, 노 내를 밀폐할 수 있다. 또한, 상기 리플로우 노는, 진공 펌프를 이용하여 노 내의 기체(氣體)를 배기하는 것에 의해, 노 내의 분위기를 10Pa 정도까지 감압할 수 있다. 또한, 상기 리플로우 노 내에는, 질소 등의 불활성 가스, 포름산, 수소 등의 환원 가스 등을 도입할 수 있다.
그리고, 땜납 재료를 통하여 접촉된 기판(제1 부재)과 접합 부품(제2 부재)을 배치한 상기 리플로우 노는, 상기 리플로우 노 내의 기체를 배기한 후, 질소 등의 불활성 가스를 도입하는 공정을 반복하는 것에 의해, 상기 리플로우 노 내의 산소 농도를 저하시켜 놓는 것이 바람직하다.
다음으로, 리플로우 노 내에서, 상기 땜납 재료를 통하여 상기 기판(제1 부재)과 상기 접합 부품(제2 부재)을 접촉시킨 상태에서 가열하고, 상기 땜납 재료를 구성하는 땜납 합금을 용융시킨다(리플로우 공정). 도 1은, 본 실시형태에 관한 접합 구조체의 제조 방법에서의 리플로우 온도 프로파일 및 리플로우 노 내의 압력 변화의 일례를 나타내는 그래프이다.
상기 리플로우 공정에서는, 먼저, 상기 리플로우 노 내의 분위기를 대기압보다 낮은 제1 압력 P1까지 감압한 상태에서 상기 땜납 합금을 용융시킨다(제1 리플로우 공정). 이하, 상기 제1 리플로우 공정에 대하여, 상세하게 설명한다.
먼저, 리플로우 노 내를 가열하고, 땜납 합금이 용융되기 전, 즉 리플로우 온도가 땜납 합금의 융점에 도달하기 전에, 상기 리플로우 노 내의 분위기를 대기압보다 낮은 제1 압력 P1까지 감압한다. 땜납 합금이 용융되기 전에 상기 제1 압력 P1로의 감압을 행하는 것에 의해, 땜납 재료의 비산을 보다 억제할 수 있다. 그리고, 승온 속도는 특별히 한정되지 않고, 땜납 재료에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들면 0.5∼5.0℃/s의 범위로 할 수 있다. 또한, 상기 제1 압력 P1은 특별히 한정되지 않고, 땜납 재료에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들면 200Pa∼30000Pa의 범위로 할 수 있다.
계속해서, 리플로우 노 내를 더욱 가열하고, 리플로우 온도가 피크 온도에 도달한 후, 제1 유지 시간 T1 유지한다. 상기 피크 온도는 특별히 한정되지 않고, 땜납 재료에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들면 230∼400℃의 범위로 할 수 있다. 또한, 상기 제1 유지 시간 T1은 특별히 한정되지 않고, 땜납 재료에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들면 10∼300s의 범위로 할 수 있고, 바람직하게는 30∼120s의 범위로 할 수 있다.
그리고, 본 실시형태에 관한 접합 구조체의 제조 방법은, 땜납 합금이 용융되기 전에 상기 제1 압력 P1로의 감압을 행하였으나, 이에 한정되지 않고, 땜납 합금이 용융하기 시작하고부터, 즉 리플로우 온도가 땜납 합금의 융점 이상이 되고 나서 상기 제1 압력 P1로의 감압을 개시해도 된다.
또한, 본 실시형태에 관한 접합 구조체의 제조 방법은, 피크 온도에서 제1 유지 시간 T1 유지하였으나, 이에 한정되지 않고, 피크 온도에서의 유지를 행하지 않아도 된다.
상기 리플로우 공정에서는, 상기 제1 리플로우 공정 후, 상기 리플로우 노 내의 분위기를 상기 제1 압력 P1보다 낮은 제2 압력 P2까지 감압한 상태에서 상기 땜납 합금을 용융시킨다(제2 리플로우 공정). 이하, 상기 제2 리플로우 공정에 대하여, 상세하게 설명한다.
먼저, 상기 제1 리플로우 공정에 있어서 제1 유지 시간 T1에서의 유지가 종료된 후, 리플로우 온도를 피크 온도로 유지하고, 또한 상기 리플로우 노 내의 분위기를 상기 제1 압력 P1보다 낮은 제2 압력 P2까지 감압한다. 상기 제2 압력 P2는 특별히 한정되지 않고, 땜납 재료에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들면 50Pa∼5000Pa의 범위로 할 수 있다.
상기 리플로우 노 내의 분위기를 제2 압력 P2까지 감압한 후, 리플로우 온도를 피크 온도로 유지하고, 또한 제2 유지 시간 T2 유지한다. 상기 피크 온도는, 상기 제1 리플로우 공정에서의 피크 온도와 마찬가지의 범위로 할 수 있다. 또한, 상기 제2 유지 시간 T2는 특별히 한정되지 않고, 땜납 재료에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들면 10∼300s의 범위로 할 수 있고, 바람직하게는, 30∼120s의 범위로 할 수 있다.
그리고, 본 실시형태에 관한 접합 구조체의 제조 방법은, 피크 온도에서 제2 유지 시간 T2 유지하였으나, 이에 한정되지 않고, 피크 온도에서의 유지를 행하지 않아도 된다.
상기 제1 압력 P1에 대한 상기 제2 압력 P2의 비(P2/P1)는 0.0017 이상인 것이 바람직하고, 0.8 이하인 것이 바람직하다. 또한, 상기 P2/P1은 0.05 이상인 것이 보다 바람직하고, 0.1 이상인 것이 특히 바람직하고, 0.5 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.25 이하인 것이 특히 바람직하다.
상기 제1 유지 시간 T1에 대한 상기 제2 유지 시간 T2의 비(T2/T1)는 0.017 이상인 것이 바람직하고, 59 이하인 것이 바람직하다. 또한, 상기 T2/T1은 0.33 이상인 것이 보다 바람직하고, 3 이하인 것이 보다 바람직하다.
상기 리플로우 공정에서는, 상기 제2 리플로우 공정 후, 상기 땜납 합금의 융점 이상의 온도에서, 상기 리플로우 노 내의 분위기를 대기압까지 더 가압한다(제3 리플로우 공정). 구체적으로는, 리플로우 노 내에 질소 등의 불활성 가스를 도입함으로써 대기압까지 가압할 수 있다.
그리고, 본 실시형태에 관한 접합 구조체의 제조 방법에서는, 상기 땜납 합금의 융점 이상의 온도에서, 상기 리플로우 노 내의 분위기를 대기압까지 가압하였으나, 이에 한정되는 것이 아니며, 상기 땜납 합금의 융점 미만의 온도에서, 상기 리플로우 노 내의 분위기를 대기압까지 가압해도 된다.
본 실시형태에 관한 접합 구조체의 제조 방법은, 전술한 리플로우 공정 전에, 예열 공정을 행해도 된다. 상기 예열 공정은 예를 들면 상기 리플로우 노 내에서, 상기 땜납 재료를 통하여 접촉시킨 상기 기판과 상기 접합 부품을 예열 온도까지 가열하여 유지하는 것에 의해 행한다. 상기 예열 온도는 특별히 한정되지 않고, 땜납 재료에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들면 120∼310℃의 범위로 할 수 있다. 또한, 상기 예열 온도에서의 유지 시간은 특별히 한정되지 않고, 땜납 재료에 따라 적절히 선택할 수 있고, 예를 들면 0∼900s의 범위로 할 수 있다.
상기 예열 공정에서는, 상기 예열 온도에서의 유지 중에, 진공 펌프를 채용하여 상기 리플로우 노 내의 기체를 배기하고, 유지한 후, 상기 리플로우 노 내의 분위기를 대기압까지 가압해도 된다. 또한, 상기 리플로우 노 내의 분위기를 대기압까지 가압할 때, 포름산, 수소 등의 환원 가스를 도입해도 된다. 상기 예열 공정에 있어서, 상기 리플로우 노 내에게 환원 가스를 도입함으로써, 전술한 리플로우 공정에 있어서, 접합부에서의 보이드를 보다 저감할 수 있다. 그리고, 상기 환원 가스는, 상기 리플로우 노 내의 기체를 배기하기 전에 도입을 개시하고, 상기 예열 공정에 있어서 연속하여 계속해서 도입해도 된다. 또한, 상기 예열 공정을 개시하기 전에, 진공 펌프를 이용하여 상기 리플로우 노 내의 기체를 배기한 후, 포름산, 수소 등의 환원 가스를 도입해도 된다.
본 실시형태에 관한 접합 구조체의 제조 방법에서는, 리플로우 노 내에서, 땜납 재료와 제1 부재를 접촉시킨 상태에서 가열하고, 상기 땜납 재료를 구성하는 땜납 합금을 용융시키는 리플로우 공정을 포함하고, 상기 리플로우 공정은, 리플로우 노 내의 분위기를 대기압보다 낮은 제1 압력 P1까지 감압한 상태에서 땜납 합금을 용융시키는 제1 리플로우 공정과, 상기 제1 리플로우 공정 후, 리플로우 노 내의 분위기를 상기 제1 압력 P1보다 낮은 제2 압력 P2까지 감압한 상태에서 땜납 합금을 용융시키는 제2 리플로우 공정을 포함한다. 이에 의해, 상기 제2 리플로우 공정에서는, 상기 제1 리플로우 공정에 있어서 접합부에 남은 작은 보이드를, 접합부의 밖으로 배출할 수 있다. 그 결과, 접합부에서의 보이드를 저감할 수 있다. 또한, 상기 제2 리플로우 공정에서는, 상기 제1 리플로우 공정에 비하여, 접합부의 밖으로 배출되는 보이드의 양이 적기 때문에, 상기 제1 압력 P1보다 낮은 상기 제2 압력 P2까지 감압하였다고 해도, 땜납 재료의 비산을 억제할 수 있다.
본 실시형태에 관한 접합 구조체의 제조 방법에 있어서, 상기 리플로우 공정은, 리플로우 노 내에서, 땜납 재료를 통하여 제1 부재와 제2 부재를 접촉시킨 상태에서 가열하고, 상기 땜납 재료를 구성하는 땜납 합금을 용융시켜도 된다. 이러한 구성에 있어서도, 접합부에서의 보이드를 저감하고, 또한, 땜납 재료의 비산을 억제할 수 있다.
본 실시형태에 관한 접합 구조체의 제조 방법에 있어서, 상기 제1 압력 P1에 대한 상기 제2 압력 P2의 비(P2/P1)는, 0.0017∼0.8인 것이 바람직하다. 이러한 구성에 의해, 접합부에서의 보이드를 보다 저감하고, 또한, 땜납 재료의 비산을 보다 억제한 접합 구조체를 얻을 수 있다.
본 실시형태에 관한 접합 구조체의 제조 방법에 있어서, 상기 제1 리플로우 공정에서는, 피크 온도에서 제1 유지 시간 T1 유지하고, 상기 제2 리플로우 공정에서는, 피크 온도에서 제2 유지 시간 T2 유지하고, 상기 제1 유지 시간 T1에 대한 상기 제2 유지 시간 T2의 비(T2/T1)는, 0.017∼59인 것이 바람직하다. 이러한 구성에 의해, 접합부에서의 보이드를 보다 저감하고, 또한, 땜납 재료의 비산을 보다 억제한 접합 구조체를 얻을 수 있다.
본 실시형태에 관한 접합 구조체의 제조 방법에 있어서, 상기 리플로우 공정은, 상기 제2 리플로우 공정 후, 상기 땜납 합금의 융점 이상의 온도에서, 상기 리플로우 노 내의 분위기를 대기압까지 가압하는 제3 리플로우 공정을 더 포함하는 것이 바람직하다. 이러한 구성에 의해, 접합부에서의 보이드를 보다 저감시킨 접합 구조체를 얻을 수 있다.
<실시예>
이하, 본 발명의 실시예에 대하여 설명하지만, 본 발명은, 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[시험 1]
<시험 기판의 제작>
(시험 No.1-1∼1-14)
합금 A(96.5Sn/3.0Ag/0.5Cu)로 이루어지는 땜납 박(사이즈: 10×10㎜, 두께: 100㎛)을 통하여, 무산소 Cu판(사이즈: 44×35㎜)의 기판과, Au/Ni 도금된 Si 칩(사이즈: 10×10㎜)이 접촉된 상태에서 리플로우 장치(상품명: VS1, 오리진 덴키사 제조)의 리플로우 노 내에 배치하였다. 그리고, 후술하는 예열 공정 및 리플로우 공정을 행하는 것에 의해, 시험 No. 1-1∼1-14의 시험 기판을 제작하였다.
예열 공정에서는, 먼저, 질소 분위기 하에 있어서, 승온 속도 1.7℃/s로 예열 온도 200℃까지 가열하였다. 그리고, 그 예열 온도에 있어서, 진공 펌프를 이용하여 리플로우 노 내의 기체를 배기하여 30s 유지한 후, 포름산(3%)을 도입하는 것에 의해 리플로우 노 내의 분위기를 대기압까지 가압하여 240s 유지하였다.
계속해서, 리플로우 공정에서는, 먼저, 리플로우 노 내의 분위기를 제1 압력 P1로 감압한 후, 승온 속도 2.6℃/s로 피크 온도 250℃까지 가열하고, 제1 유지 시간 T1 유지하였다(제1 리플로우 공정). 다음으로, 리플로우 노 내의 분위기를 제2 압력 P2까지 감압한 후, 제2 유지 시간 T2 유지하였다(제2 리플로우 공정). 마지막으로, 피크 온도 250℃에서, 리플로우 노 내에 질소를 도입하는 것에 의해 대기압까지 가압하였다. 상기 제1 리플로우 공정 및 상기 제2 리플로우 공정의 상세한 조건을 표 1에 나타낸다.
(시험 No.2-1∼2-6)
상기 제2 리플로우 공정을 행하지 않은 것 이외는, 시험 No. 1-1∼1-14와 마찬가지로 시험 No. 2-1∼2-6의 시험 기판을 제작하였다. 리플로우 공정의 상세한 조건을 표 1에 나타낸다.
(시험 No.1-15)
합금 A(96.5Sn/3.0Ag/0.5Cu)로 이루어지는 땜납 박(사이즈: 15×15㎜, 두께: 100㎛)을 통하여, Ni 도금 Cu판(사이즈: 44×35㎜)의 기판과, Ni판(사이즈: 15×15㎜)이 접촉된 상태에서 리플로우 장치(상품명: VS1, 오리진 덴키사 제조)의 리플로우 노 내에 배치하였다. 리플로우 공정에서는, 피크 온도까지 대기압에서 승온하고, 피크 온도에 도달하고 나서 제1 압력 P1로 감압을 행한 것 이외는, 시험 No. 1-1∼1-14와 마찬가지로 시험 기판을 제작하였다. 리플로우 공정의 상세한 조건을 표 1에 나타낸다.
(시험 No.2-7)
상기 제2 리플로우 공정을 행하지 않은 것 이외는, 시험 No. 1-15와 마찬가지로 시험 기판을 제작하였다. 리플로우 공정의 상세한 조건을 표 1에 나타낸다.
<보이드 평가>
각 시험 기판의 Si 칩 탑재 개소에서의 X선 투과 사진을 촬영하였다. 촬영 장치는 TUX-3100(마스 도켄사 제조)을 이용하고, 촬영 조건은 관전압: 75.0V, 관전류: 80.0㎂, 필라멘트 전류: 3.130A로 하였다. 다음으로, 촬영한 사진을 2가화 처리하는 것에 의해, 접합부의 보이드율을 산출하였다. 그리고, 시험 No. 1-1∼1-14의 시험 기판은, 시험 No. 2-1∼6의 시험 기판 중, 제1 리플로우 공정에서의 제1 압력 P1의 값, 및 제1 리플로우 공정 및 제2 리플로우 공정에서의 피크 온도에서의 합계 유지 시간(T1+T2)이 동등한 시험 기판과 비교하는 것에 의해, 보이드율의 저감율을 산출하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
<비산 평가>
각 시험 기판을 상면으로부터 육안으로 관찰하고, 하기의 기준에 기초하여 평가하였다.
◎: 비산이 거의 없었음
○: 비산이 약간 확인됨
×: 비산이 많이 확인됨
[표 1]
Figure pct00001
표 1의 결과로 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 구성 요건을 모두 만족시키는 시험 No. 1-1∼15의 시험 기판은, 제2 리플로우 공정을 행하지 않는 시험 No. 2-1∼2-7의 시험 기판과 비교하여, 접합부에서의 보이드를 저감하고, 또한, 땜납 재료의 비산을 억제할 수 있다.
[시험 2]
<시험 기판의 제작>
(시험 No.3-1)
먼저, 합금 A(96.5Sn/3.0Ag/0.5Cu) 분말과 플럭스(2-에틸-1,3-헥산디올: 90 질량%, 스테아르산 아미드: 10 질량%)를 혼합하여, 솔더 페이스트를 제작하였다. 다음으로, 무산소 Cu판(사이즈: 44×35㎜)의 기판에 해당 솔더 페이스트를, 두께 200㎛의 메탈 마스크를 이용하여 개구율 100%로 되도록 도포하였다. 도포한 솔더 페이스트의 두께는 200㎛였다. 그 후, Au/Ni 도금된 Si 칩(사이즈: 10×10㎜)을 탑재하고, 해당 솔더 페이스트를 통하여, 무산소 Cu판(사이즈: 44×35㎜)의 기판과, Au/Ni 도금된 Si 칩(사이즈: 10×10㎜)이 접촉된 상태에서 리플로우 장치(상품명: VS1, 오리진 덴키사 제조)의 리플로우 노 내에 배치하였다. 그리고, 후술하는 예열 공정 및 리플로우 공정을 행하는 것에 의해, 시험 No. 3-1의 시험 기판을 제작하였다.
예열 공정에서는, 먼저, 포름산(3%) 분위기 하에 있어서, 승온 속도 1.7℃/s로 예열 온도 200℃까지 가열하고, 240s 유지하였다.
계속해서, 리플로우 공정에서는, 먼저, 리플로우 노 내의 분위기를 제1 압력 P1로 감압한 후, 승온 속도 2.6℃/s로 피크 온도 250℃까지 가열하고, 제1 유지 시간 T1 유지하였다(제1 리플로우 공정). 다음으로, 리플로우 노 내의 분위기를 제2 압력 P2까지 감압한 후, 제2 유지 시간 T2 유지하였다(제2 리플로우 공정). 마지막으로, 피크 온도 250℃에서, 리플로우 노 내에 질소를 도입하는 것에 의해 대기압까지 가압하였다. 리플로우 공정의 상세한 조건을 표 2에 나타낸다.
(시험 No.3-2)
예열 공정을 질소 분위기 하에서 행한 것 이외는, 시험 No. 3-1과 마찬가지로 시험 기판을 제작하였다.
(시험 No.3-3)
예열 공정을 행하지 않고, 포름산 분위기 하에 있어서, 리플로우 노 내의 분위기를 제1 압력 P1로 감압한 후, 피크 온도까지 가열한 것 이외는, 시험 No. 3-1과 마찬가지로 시험 기판을 제작하였다.
(시험 No.3-4)
땜납 분말로서 합금 B(89.0Sn/3.0Ag/8.0Sb)을 사용하고, 리플로우 공정에서의 피크 온도를 변경한 것 이외는, 시험 No. 3-1과 마찬가지로 시험 기판을 제작하였다.
(시험 No.3-5)
땜납 분말로서 합금 C(95.0Pb/5.0Sn)를 사용하고, 예열 유지 온도를 230℃로 하고, 또한, 리플로우 공정에서의 제1 압력 P1 및 피크 온도를 변경한 것 이외는, 시험 No. 3-1과 마찬가지로 시험 기판을 제작하였다. 리플로우 공정의 상세한 조건을 표 2에 나타낸다.
(시험 No.4-1∼4-5)
제2 리플로우 공정을 행하지 않은 것 이외는, 각각, 시험 No. 3-1∼3-5와 마찬가지로 시험 No. 4-1∼4-5의 시험 기판을 제작하였다. 리플로우 공정의 상세한 조건을 표 2에 나타낸다.
<보이드 평가>
시험 1과 마찬가지의 방법으로 보이드의 평가를 행하였다. 결과를 표 2에 나타낸다.
<비산 평가>
시험 1과 마찬가지의 방법으로 보이드의 평가를 행하였다. 결과를 표 2에 나타낸다.
[표 2]
Figure pct00002
표 2의 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 구성 요건을 모두 만족시키는 시험 No. 3-1∼3-5의 시험 기판은, 제2 리플로우 공정을 행하지 않는 시험 No. 4-1∼4-5의 시험 기판과 비교하여, 접합부에서의 보이드를 저감하고, 또한, 땜납 재료의 비산을 억제할 수 있다.
[시험 3]
<시험 기판의 제작>
(시험 No.5)
먼저, 합금 A(96.5Sn/3.0Ag/0.5Cu) 분말과 플럭스를 혼합하여, 솔더 페이스트를 제작하였다. 상기 플럭스는, 페이스트 플럭스(고키사 제조, 제품명: 페이스트 플럭스(RMA 타입))를 사용하였다. 다음으로, 유리 에폭시 기판(사이즈: 50×50㎜, 두께: 1.6㎜)을 준비하였다. 상기 기판 상에는 동박으로 φ0.2㎜의 패턴을 형성하고, 프리플럭스(상품명 「터프에이스」, 시코쿠 가세이사 제조)로 처리하였다. 상기 기판에 상기 솔더 페이스트를, 두께 150㎛의 메탈 마스크를 이용하여 개구율 400%로 되도록 도포하고, 리플로우 장치(상품명: VS1, 오리진 덴키사 제조)의 리플로우 노 내에 배치하였다. 도포한 솔더 페이스트의 두께는 150㎛였다. 그리고, 후술하는 예열 공정 및 리플로우 공정을 행하는 것에 의해, 시험 No. 5의 시험 기판을 제작하였다.
예열 공정에서는, 먼저, 질소 분위기 하에 있어서, 승온 속도 1.7℃/s로 예열 온도 200℃까지 가열하였다. 그리고, 상기 예열 온도에 있어서, 진공 펌프를 이용하여 리플로우 노 내의 기체를 배기하여 30s 유지한 후, 포름산(3%)을 도입하는 것에 의해 리플로우 노 내의 분위기를 대기압까지 가압하여 240s 유지하였다.
계속해서, 리플로우 공정에서는, 먼저, 리플로우 노 내의 분위기를 5000Pa(제1 압력 P1)로 감압한 후, 승온 속도 2.6℃/s로 피크 온도 250℃까지 가열하고, 60s(제1 유지 시간 T1) 유지하였다(제1 리플로우 공정). 다음으로, 리플로우 노 내의 분위기를 100Pa(제2 압력 P2)까지 감압한 후, 60s(제2 유지 시간 T2) 유지하였다(제2 리플로우 공정). 마지막으로, 피크 온도 250℃에서, 리플로우 노 내에 질소를 도입하는 것에 의해 대기압까지 가압하였다. 상기 제1 리플로우 공정 및 상기 제2 리플로우 공정의 조건을 표 3에 나타낸다.
(시험 No.6)
제2 리플로우 공정을 행하지 않은 것 이외는, 시험 No. 5와 마찬가지로 시험 No. 6의 시험 기판을 제작하였다. 리플로우 공정의 상세한 조건을 표 3에 나타낸다.
<보이드 평가>
시험 1과 마찬가지의 방법으로 보이드의 평가를 행하였다. 결과를 표 3에 나타낸다.
<비산 평가>
시험 1과 마찬가지의 방법으로 보이드의 평가를 행하였다. 결과를 표 3에 나타낸다.
[표 3]
Figure pct00003
표 3의 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 구성 요건을 모두 만족시키는 시험 No. 5의 시험 기판은, 제2 리플로우 공정을 행하지 않는 시험 No. 6의 시험 기판과 비교하여, 접합부에서의 보이드를 저감하고, 또한, 땜납 재료의 비산을 억제할 수 있다.

Claims (5)

  1. 리플로우 노(reflow furnace) 내에서, 땜납 재료와 제1 부재를 접촉시킨 상태에서 가열하고, 상기 땜납 재료를 구성하는 땜납 합금을 용융시키는 리플로우 공정을 포함하고,
    상기 리플로우 공정은,
    상기 리플로우 노 내의 분위기를 대기압보다 낮은 제1 압력 P1까지 감압한 상태에서 상기 땜납 합금을 용융시키는 제1 리플로우 공정; 및
    상기 제1 리플로우 공정 후, 상기 리플로우 노 내의 분위기를 상기 제1 압력 P1보다 낮은 제2 압력 P2까지 감압한 상태에서 상기 땜납 합금을 용융시키는 제2 리플로우 공정
    을 포함하는, 접합 구조체의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 리플로우 공정은, 리플로우 노 내에서, 땜납 재료를 통하여 제1 부재와 제2 부재를 접촉시킨 상태에서 가열하고, 상기 땜납 재료를 구성하는 땜납 합금을 용융시키는, 접합 구조체의 제조 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 압력 P1에 대한 상기 제2 압력 P2의 비(P2/P1)는, 0.0017∼0.8인, 접합 구조체의 제조 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 리플로우 공정에서는, 피크 온도에서 제1 유지 시간 T1 유지하고,
    상기 제2 리플로우 공정에서는, 피크 온도에서 제2 유지 시간 T2 유지하고,
    상기 제1 유지 시간 T1에 대한 상기 제2 유지 시간 T2의 비(T2/T1)는, 0.017∼59인, 접합 구조체의 제조 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 리플로우 공정은, 상기 제2 리플로우 공정 후, 상기 땜납 합금의 융점 이상의 온도에서, 상기 리플로우 노 내의 분위기를 대기압까지 가압하는 제3 리플로우 공정을 더 포함하는, 접합 구조체의 제조 방법.
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000353773A (ja) * 1999-06-14 2000-12-19 Hitachi Ltd 冷却部品取付方法及びモジュール封止方法
JP2001058259A (ja) * 1999-06-18 2001-03-06 Shinko Seiki Co Ltd 半田付け方法及び半田付け装置
JP2005205418A (ja) * 2004-01-20 2005-08-04 Denso Corp 接合構造体の製造方法
JP2010000513A (ja) * 2008-06-18 2010-01-07 Sharp Corp 接合構造体の製造方法
JP4404000B2 (ja) * 2005-04-05 2010-01-27 トヨタ自動車株式会社 接合構造体の製造方法
JP2012129482A (ja) * 2010-12-17 2012-07-05 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
WO2017057651A1 (ja) 2015-09-30 2017-04-06 オリジン電気株式会社 還元ガス用ソルダペースト、半田付け製品の製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5440101A (en) * 1993-04-19 1995-08-08 Research, Incorporated Continuous oven with a plurality of heating zones
JP2001077524A (ja) * 1999-09-03 2001-03-23 Fujitsu Ltd リフロー半田付け装置及びリフロー半田付け方法
JP4956963B2 (ja) * 2005-11-02 2012-06-20 富士通セミコンダクター株式会社 リフロー装置、リフロー方法、および半導体装置の製造方法
JP2007180447A (ja) 2005-12-28 2007-07-12 Toyota Industries Corp 半田付け方法、半田付け装置、及び半導体装置の製造方法
DE102007005345B4 (de) * 2007-02-02 2014-06-18 Seho Systemtechnik Gmbh Verfahren zum Reflow-Löten sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
JP5378078B2 (ja) * 2009-06-19 2013-12-25 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US8061578B2 (en) * 2010-02-03 2011-11-22 Indium Corporation Solder preform
JP5540916B2 (ja) * 2010-06-15 2014-07-02 デクセリアルズ株式会社 接続構造体の製造方法
WO2012070264A1 (ja) 2010-11-23 2012-05-31 三菱電機株式会社 リフローはんだ付け装置およびリフローはんだ付け方法
JP5835533B2 (ja) * 2013-07-23 2015-12-24 千住金属工業株式会社 はんだ付け装置及び真空はんだ付け方法
JP6506047B2 (ja) 2015-02-24 2019-04-24 株式会社タムラ製作所 はんだ接合構造体の製造方法
MY176643A (en) * 2016-11-22 2020-08-19 Senju Metal Industry Co Soldering method
CN107222982B (zh) 2017-05-25 2019-09-03 杭州晶志康电子科技有限公司 一种smt贴片工艺

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000353773A (ja) * 1999-06-14 2000-12-19 Hitachi Ltd 冷却部品取付方法及びモジュール封止方法
JP2001058259A (ja) * 1999-06-18 2001-03-06 Shinko Seiki Co Ltd 半田付け方法及び半田付け装置
JP2005205418A (ja) * 2004-01-20 2005-08-04 Denso Corp 接合構造体の製造方法
JP4404000B2 (ja) * 2005-04-05 2010-01-27 トヨタ自動車株式会社 接合構造体の製造方法
JP2010000513A (ja) * 2008-06-18 2010-01-07 Sharp Corp 接合構造体の製造方法
JP2012129482A (ja) * 2010-12-17 2012-07-05 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
WO2017057651A1 (ja) 2015-09-30 2017-04-06 オリジン電気株式会社 還元ガス用ソルダペースト、半田付け製品の製造方法

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