JP3400408B2 - フリップチップ実装方法 - Google Patents
フリップチップ実装方法Info
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- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも一方の
端子を鉛フリーはんだで形成した配線基板および集積回
路チップのフリップチップ実装方法に関する。
端子を鉛フリーはんだで形成した配線基板および集積回
路チップのフリップチップ実装方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の、集積回路チップ（以下、集積回
路を「ＩＣ」という）上の表面に形成されたはんだ端子
を、配線基板またはパッケージの配線電極に直接接続す
るフリップチップ実装方法（フェースダウンボンディン
グ）としては、Ｃ４（Controlled Collapse Chip Conne
ction）と呼ばれる技術が用いられてきた。
路を「ＩＣ」という）上の表面に形成されたはんだ端子
を、配線基板またはパッケージの配線電極に直接接続す
るフリップチップ実装方法（フェースダウンボンディン
グ）としては、Ｃ４（Controlled Collapse Chip Conne
ction）と呼ばれる技術が用いられてきた。
【０００３】通常、このＣ４では、鉛を含有する高融点
はんだ（Ｐｂ−５質量％Ｓｎ）と、錫鉛共晶はんだ（Ｓ
ｎ−３７質量％Ｐｂ）が使用されており、例えば、特開
平８−６４７１７号公報に記載されている。
はんだ（Ｐｂ−５質量％Ｓｎ）と、錫鉛共晶はんだ（Ｓ
ｎ−３７質量％Ｐｂ）が使用されており、例えば、特開
平８−６４７１７号公報に記載されている。
【０００４】しかし、昨今の環境問題への配慮から、従
来の鉛入りのはんだから、鉛が入っていない鉛フリーは
んだへの移行が進められている。
来の鉛入りのはんだから、鉛が入っていない鉛フリーは
んだへの移行が進められている。
【０００５】また、はんだを接合させる際には、フラッ
クスと呼ばれる融剤を用いる必要がある。鉛フリーはん
だは、一般的にはんだ濡れ性が悪く、相手金属に確実に
接合させるには、従来よりも活性力の強いフラックスを
用いる必要があり、特開平１０−１７５０９２号公報に
は、錫−亜鉛系はんだのフラックスについて記載されて
いる。
クスと呼ばれる融剤を用いる必要がある。鉛フリーはん
だは、一般的にはんだ濡れ性が悪く、相手金属に確実に
接合させるには、従来よりも活性力の強いフラックスを
用いる必要があり、特開平１０−１７５０９２号公報に
は、錫−亜鉛系はんだのフラックスについて記載されて
いる。
【０００６】このようなフラックスを用いた場合、接合
後にフラックス残渣を洗浄液により洗浄、除去してい
る。洗浄液として、有機溶剤や、表面活性剤水溶液など
を使用している。特開平１０−４６１９８号公報には、
フリップチップ実装品のフラックス除去後の乾燥性に優
れた洗浄剤が記載されている。
後にフラックス残渣を洗浄液により洗浄、除去してい
る。洗浄液として、有機溶剤や、表面活性剤水溶液など
を使用している。特開平１０−４６１９８号公報には、
フリップチップ実装品のフラックス除去後の乾燥性に優
れた洗浄剤が記載されている。
【０００７】一方、プラズマをはんだ付けに用いる技術
としては、特開平１１−３４０６１４号公報に、はんだ
表面の酸化膜をプラズマ処理により除去し、そのはんだ
表面を低酸素濃度の雰囲気下で、ごく薄くはんだ接合性
を阻害しない酸化膜を生成させることで、フラックスレ
スでのはんだ接合を行う方法が記載されている。
としては、特開平１１−３４０６１４号公報に、はんだ
表面の酸化膜をプラズマ処理により除去し、そのはんだ
表面を低酸素濃度の雰囲気下で、ごく薄くはんだ接合性
を阻害しない酸化膜を生成させることで、フラックスレ
スでのはんだ接合を行う方法が記載されている。
【０００８】しかし、従来の錫鉛はんだよりも酸化し易
い錫−亜鉛系はんだ合金には、この処理は適さない。
い錫−亜鉛系はんだ合金には、この処理は適さない。
【０００９】また、特開２０００−６１６２８号公報に
は、弗化水素により、はんだ表面の弗化処理を行い、は
んだ表面の融解性を向上させる方法が記載されている。
は、弗化水素により、はんだ表面の弗化処理を行い、は
んだ表面の融解性を向上させる方法が記載されている。
【００１０】しかし、弗化水素は腐食性の強いガスであ
り、取り扱いには細心の注意が必要とされる問題があ
る。
り、取り扱いには細心の注意が必要とされる問題があ
る。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の鉛
入りのはんだは使用できなくなるため、鉛フリーはんだ
への置き換えを進めていかなければならない。そして、
鉛フリーはんだとしての錫−亜鉛系はんだ合金は、共晶
組成（Ｓｎ−９質量％Ｚｎ）での融点が１９９℃であ
り、従来の錫鉛共晶はんだの融点１８３℃に近く、ま
た、錫−鉛はんだ合金より機械的強度に優れるなどの優
位性を有している。
入りのはんだは使用できなくなるため、鉛フリーはんだ
への置き換えを進めていかなければならない。そして、
鉛フリーはんだとしての錫−亜鉛系はんだ合金は、共晶
組成（Ｓｎ−９質量％Ｚｎ）での融点が１９９℃であ
り、従来の錫鉛共晶はんだの融点１８３℃に近く、ま
た、錫−鉛はんだ合金より機械的強度に優れるなどの優
位性を有している。
【００１２】しかし、錫−亜鉛系はんだ合金は酸化され
易く、はんだ付け性が非常に悪い。相手金属に確実に接
合するためには、従来よりも活性力の強いフラックスが
必要となり、大気中での接合も困難とされている。
易く、はんだ付け性が非常に悪い。相手金属に確実に接
合するためには、従来よりも活性力の強いフラックスが
必要となり、大気中での接合も困難とされている。
【００１３】そのフラックスを用いる場合は、はんだ付
け後もフラックスの固形部や活性剤が基板上にフラック
ス残渣として残留する。この残留したフラックス残渣
は、配線回路面の腐食の原因となり、信頼牲を低下させ
るため、はんだ付け後の洗浄が必要とされる。
け後もフラックスの固形部や活性剤が基板上にフラック
ス残渣として残留する。この残留したフラックス残渣
は、配線回路面の腐食の原因となり、信頼牲を低下させ
るため、はんだ付け後の洗浄が必要とされる。
【００１４】しかし、活性力の強いフラックス、耐熱性
を有するフラックスを使うと、フラックス残渣の焼付き
などにより洗浄が困難になり、さらに高密度配線化に伴
って、ますます洗浄が困難になる。そして、洗浄コスト
も高くなる。
を有するフラックスを使うと、フラックス残渣の焼付き
などにより洗浄が困難になり、さらに高密度配線化に伴
って、ますます洗浄が困難になる。そして、洗浄コスト
も高くなる。
【００１５】そこで、環境負荷を低減するために、フラ
ックスの無洗浄化、あるいはフラックスそのものを使わ
ないフラックスレスはんだ付けが必要とされているが、
それにはフラックス以外で前記酸化の問題を解決する必
要がある。
ックスの無洗浄化、あるいはフラックスそのものを使わ
ないフラックスレスはんだ付けが必要とされているが、
それにはフラックス以外で前記酸化の問題を解決する必
要がある。
【００１６】本発明は、このような点に鑑みなされたも
ので、少なくとも一方の端子を鉛フリーはんだで形成し
た配線基板および集積回路チップをフリップチップ実装
する場合に、大気中での接合および無洗浄化を実現する
ために有効的な実装方法を提供することを目的とするも
のである。
ので、少なくとも一方の端子を鉛フリーはんだで形成し
た配線基板および集積回路チップをフリップチップ実装
する場合に、大気中での接合および無洗浄化を実現する
ために有効的な実装方法を提供することを目的とするも
のである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載された発
明は、配線基板および集積回路チップの一方の端子を 錫
−亜鉛系はんだ合金を材料とする鉛フリーはんだで形成
し、錫−亜鉛系はんだ合金の端子と接合される相手側の
端子が、下地の銅導体の上にニッケル層を設け、そのニ
ッケル層の上に、金層と、パラジウム層を介した金層と
のいずれか一方を設け、鉛フリーはんだの表面を改質す
る工程と、この改質後に配線基板の端子に集積回路チッ
プの端子を直接マウントする工程と、このマウント後に
端子間を接合する工程とを具備したフリップチップ実装
方法であり、はんだ端子表面の酸化膜層を改質すること
で、大気中での、配線基板および集積回路チップの端子
間のフラックスレス接合を可能とする。特に、錫−亜鉛
系はんだ合金は、安価で、他の鉛フリーはんだより融点
が低い利点を有する一方で、亜鉛はイオン化傾向が大き
く酸化されやすいため、はんだ端子表面に亜鉛酸化膜を
形成しやすいが、錫−亜鉛系はんだ合金のはんだ端子表
面を改質して、端子表面から錫酸化物とともに亜鉛酸化
膜を取除くことで、後洗浄を必要とするフラックスを用
いることなく、良好なはんだ接合が可能となる。その
際、錫−亜鉛系はんだ合金の端子と接合される相手側の
端子は、ニッケル層により、銅導体に対する亜鉛の拡散
を防止して、機械的強度の低い銅−亜鉛金属間化合物の
生成を防止し、また、パラジウム層により、金層の厚み
を薄く均一にし、さらに、金層により、はんだ濡れ性を
向上させる。
明は、配線基板および集積回路チップの一方の端子を 錫
−亜鉛系はんだ合金を材料とする鉛フリーはんだで形成
し、錫−亜鉛系はんだ合金の端子と接合される相手側の
端子が、下地の銅導体の上にニッケル層を設け、そのニ
ッケル層の上に、金層と、パラジウム層を介した金層と
のいずれか一方を設け、鉛フリーはんだの表面を改質す
る工程と、この改質後に配線基板の端子に集積回路チッ
プの端子を直接マウントする工程と、このマウント後に
端子間を接合する工程とを具備したフリップチップ実装
方法であり、はんだ端子表面の酸化膜層を改質すること
で、大気中での、配線基板および集積回路チップの端子
間のフラックスレス接合を可能とする。特に、錫−亜鉛
系はんだ合金は、安価で、他の鉛フリーはんだより融点
が低い利点を有する一方で、亜鉛はイオン化傾向が大き
く酸化されやすいため、はんだ端子表面に亜鉛酸化膜を
形成しやすいが、錫−亜鉛系はんだ合金のはんだ端子表
面を改質して、端子表面から錫酸化物とともに亜鉛酸化
膜を取除くことで、後洗浄を必要とするフラックスを用
いることなく、良好なはんだ接合が可能となる。その
際、錫−亜鉛系はんだ合金の端子と接合される相手側の
端子は、ニッケル層により、銅導体に対する亜鉛の拡散
を防止して、機械的強度の低い銅−亜鉛金属間化合物の
生成を防止し、また、パラジウム層により、金層の厚み
を薄く均一にし、さらに、金層により、はんだ濡れ性を
向上させる。
【００１８】請求項２に記載された発明は、請求項１記
載のフリップチップ実装方法において、ニッケル層、パ
ラジウム層および金層が、無電解メッキ法により形成さ
れ、燐やホウ素などの不純物を含むものであり、無電解
メッキ法は、燐やホウ素などの不純物が混入しても問題
がなく、むしろ、共通電極が不要で、配線引回しに有利
であるとともに、端子間のファインピッチに対応できる
など、多くの利点を有する。
載のフリップチップ実装方法において、ニッケル層、パ
ラジウム層および金層が、無電解メッキ法により形成さ
れ、燐やホウ素などの不純物を含むものであり、無電解
メッキ法は、燐やホウ素などの不純物が混入しても問題
がなく、むしろ、共通電極が不要で、配線引回しに有利
であるとともに、端子間のファインピッチに対応できる
など、多くの利点を有する。
【００１９】請求項３に記載された発明は、請求項１ま
たは２記載のフリップチップ実装方法において、金層の
厚みを、０．０２〜０．３μｍとしたものであり、この
範囲内において、適正なはんだ濡れ性と、適正なはんだ
接続強度とが得られる。０．０２μｍ未満では、はんだ
濡れ性が悪くなり、０．３μｍを超えると、コストがか
かるとともに、はんだ中の金濃度が高まり、脆い性質の
金−錫金属間化合物が生成されやすく、この部分から剥
離しやすくなる。
たは２記載のフリップチップ実装方法において、金層の
厚みを、０．０２〜０．３μｍとしたものであり、この
範囲内において、適正なはんだ濡れ性と、適正なはんだ
接続強度とが得られる。０．０２μｍ未満では、はんだ
濡れ性が悪くなり、０．３μｍを超えると、コストがか
かるとともに、はんだ中の金濃度が高まり、脆い性質の
金−錫金属間化合物が生成されやすく、この部分から剥
離しやすくなる。
【００２０】請求項４に記載された発明は、配線基板お
よび集積回路チップの少なくとも一方の端子を形成する
錫−亜鉛系はんだ合金を材料とする鉛フリーはんだの表
面を改質する工程と、この改質後に配線基板の端子に集
積回路チップの端子を直接マウントする工程と、このマ
ウント後に端子間を接合する工程とを具備し、はんだ端
子の表面を改質する工程は、はんだ端子の表面の錫酸化
膜と亜鉛酸化膜を除去する工程と、はんだ端子の表面に
弗素を含有する層を形成する工程とを具備したフリップ
チップ実装方法であり、はんだ端子表面の錫や亜鉛の酸
化膜を除去することで、フラックスレスでのはんだ接合
を可能とし、また、その酸化膜を除去したはんだ端子表
面に、弗素を含有する層を形成することで、はんだ端子
表面の錫および亜鉛の再酸化を防止して、フラックスレ
スでのはんだ接合を確実にする。
よび集積回路チップの少なくとも一方の端子を形成する
錫−亜鉛系はんだ合金を材料とする鉛フリーはんだの表
面を改質する工程と、この改質後に配線基板の端子に集
積回路チップの端子を直接マウントする工程と、このマ
ウント後に端子間を接合する工程とを具備し、はんだ端
子の表面を改質する工程は、はんだ端子の表面の錫酸化
膜と亜鉛酸化膜を除去する工程と、はんだ端子の表面に
弗素を含有する層を形成する工程とを具備したフリップ
チップ実装方法であり、はんだ端子表面の錫や亜鉛の酸
化膜を除去することで、フラックスレスでのはんだ接合
を可能とし、また、その酸化膜を除去したはんだ端子表
面に、弗素を含有する層を形成することで、はんだ端子
表面の錫および亜鉛の再酸化を防止して、フラックスレ
スでのはんだ接合を確実にする。
【００２１】請求項５に記載された発明は、請求項４記
載のフリップチップ実装方法において、酸化膜を除去す
る工程と、弗素を含有する層を形成する工程が、大気に
曝されずになされるものであり、大気中よりも、酸化膜
の除去および弗素含有層の形成が効率良くなされる。
載のフリップチップ実装方法において、酸化膜を除去す
る工程と、弗素を含有する層を形成する工程が、大気に
曝されずになされるものであり、大気中よりも、酸化膜
の除去および弗素含有層の形成が効率良くなされる。
【００２２】請求項６に記載された発明は、請求項４ま
たは５記載のフリップチップ実装方法において、はんだ
端子の表面の酸化膜を除去する工程が、水素含有プラズ
マによるものであり、水素含有プラズマの照射により錫
−亜鉛系はんだ合金のはんだ端子表面の錫酸化膜および
亜鉛酸化膜を除去することで、後洗浄を必要とするフラ
ックスを用いることなく、端子間どうしを接合すること
が可能となる。
たは５記載のフリップチップ実装方法において、はんだ
端子の表面の酸化膜を除去する工程が、水素含有プラズ
マによるものであり、水素含有プラズマの照射により錫
−亜鉛系はんだ合金のはんだ端子表面の錫酸化膜および
亜鉛酸化膜を除去することで、後洗浄を必要とするフラ
ックスを用いることなく、端子間どうしを接合すること
が可能となる。
【００２３】請求項７に記載された発明は、請求項４ま
たは５記載のフリップチップ実装方法において、はんだ
端子の表面に弗素を含有する層を形成する工程が、弗素
含有プラズマによるものであり、酸化膜を除去した錫−
亜鉛系はんだ合金のはんだ端子表面に、弗素含有プラズ
マにより弗素含有層を形成することで、はんだ端子表面
の錫および亜鉛の再酸化を防止し、はんだ濡れ性を向上
させる。
たは５記載のフリップチップ実装方法において、はんだ
端子の表面に弗素を含有する層を形成する工程が、弗素
含有プラズマによるものであり、酸化膜を除去した錫−
亜鉛系はんだ合金のはんだ端子表面に、弗素含有プラズ
マにより弗素含有層を形成することで、はんだ端子表面
の錫および亜鉛の再酸化を防止し、はんだ濡れ性を向上
させる。
【００２４】請求項８に記載された発明は、請求項１乃
至７のいずれかに記載のフリップチップ実装方法におい
て、集積回路チップの端子を配線基板の端子上に直接マ
ウントする工程および接合する工程が、大気中でなされ
るものであり、表面を改質処理されたはんだ端子は、大
気中でマウントおよび接合されても再酸化のおそれがな
いので、マウント工程および接合工程が容易になる。
至７のいずれかに記載のフリップチップ実装方法におい
て、集積回路チップの端子を配線基板の端子上に直接マ
ウントする工程および接合する工程が、大気中でなされ
るものであり、表面を改質処理されたはんだ端子は、大
気中でマウントおよび接合されても再酸化のおそれがな
いので、マウント工程および接合工程が容易になる。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
１乃至図４を参照しながら説明する。
１乃至図４を参照しながら説明する。
【００２６】図１に示されるように、集積回路チップ
（以下、この集積回路チップを「ＩＣチップ」という）
11の上面には、端子としての多数の表面電極、すなわち
バンプ状に形成されたはんだ端子（以下、このはんだ端
子を「はんだバンプ」という）12が形成されている。
（以下、この集積回路チップを「ＩＣチップ」という）
11の上面には、端子としての多数の表面電極、すなわち
バンプ状に形成されたはんだ端子（以下、このはんだ端
子を「はんだバンプ」という）12が形成されている。
【００２７】このはんだバンプ12の材料は、鉛フリーは
んだである、錫−亜鉛系はんだ合金であり、共晶組成の
Ｓｎ−９質量％Ｚｎ、もしくは亜鉛量を調整して融点降
下のためにビスマス、インジウム、銅のうち少なくとも
１元素を１０質量％未満添加した合金組成のもの、例え
ば、Ｓｎ−８質量％Ｚｎ−３質量％Ｂｉなどを用いる。
んだである、錫−亜鉛系はんだ合金であり、共晶組成の
Ｓｎ−９質量％Ｚｎ、もしくは亜鉛量を調整して融点降
下のためにビスマス、インジウム、銅のうち少なくとも
１元素を１０質量％未満添加した合金組成のもの、例え
ば、Ｓｎ−８質量％Ｚｎ−３質量％Ｂｉなどを用いる。
【００２８】これらの添加元素は、はんだ濡れ性を改善
するとともに、融点を下げるように作用するが、これら
の添加元素が１０質量％以上であると、機械的強度が低
下し、硬くて脆くなるので、それぞれの添加元素が１０
質量％未満となるようにした。
するとともに、融点を下げるように作用するが、これら
の添加元素が１０質量％以上であると、機械的強度が低
下し、硬くて脆くなるので、それぞれの添加元素が１０
質量％未満となるようにした。
【００２９】先ず、このＩＣチップ11上に形成された錫
−亜鉛系はんだ合金のはんだバンプ12は、その表面が酸
化膜により覆われているから、その酸化膜を除去する必
要がある。ここでは、従来は、はんだ付け性を阻害する
と考えられてきた錫酸化膜を取除くのは勿論のこと、亜
鉛酸化膜を除去することが重要である。
−亜鉛系はんだ合金のはんだバンプ12は、その表面が酸
化膜により覆われているから、その酸化膜を除去する必
要がある。ここでは、従来は、はんだ付け性を阻害する
と考えられてきた錫酸化膜を取除くのは勿論のこと、亜
鉛酸化膜を除去することが重要である。
【００３０】錫−亜鉛系はんだ合金は、安価で、他の鉛
フリーはんだより融点が低い利点を有する（例えば、Ｓ
ｎ−4.7質量％Ａｇ−1.7質量％Ｃｕの融点は２１７℃で
あるが、共晶組成のＳｎ−９質量％Ｚｎの融点は１９９
℃である）が、従来の錫鉛はんだや、鉛フリーの錫−銀
系はんだ合金と比べて、はんだ付け性が劣る原因とされ
ているのが、亜鉛の含有である。
フリーはんだより融点が低い利点を有する（例えば、Ｓ
ｎ−4.7質量％Ａｇ−1.7質量％Ｃｕの融点は２１７℃で
あるが、共晶組成のＳｎ−９質量％Ｚｎの融点は１９９
℃である）が、従来の錫鉛はんだや、鉛フリーの錫−銀
系はんだ合金と比べて、はんだ付け性が劣る原因とされ
ているのが、亜鉛の含有である。
【００３１】亜鉛は、イオン化傾向が大きいために酸化
されやすく、はんだバンプ12の表面に亜鉛酸化膜を形成
しやすいが、この錫−亜鉛系はんだ合金のはんだバンプ
表面を改質してこの亜鉛酸化膜を取除くことで、後洗浄
を必要とするフラックスを用いることなく、良好なはん
だ付け性が得られる。
されやすく、はんだバンプ12の表面に亜鉛酸化膜を形成
しやすいが、この錫−亜鉛系はんだ合金のはんだバンプ
表面を改質してこの亜鉛酸化膜を取除くことで、後洗浄
を必要とするフラックスを用いることなく、良好なはん
だ付け性が得られる。
【００３２】前記錫−亜鉛系はんだ合金のはんだバンプ
12の表面に形成された酸化膜を除去する工程では、水素
含有の不活性ガスプラズマ、すなわち水素含有プラズマ
13を照射することにより、バンプ表面の錫酸化膜および
亜鉛酸化膜を水素含有プラズマ13の強力な還元作用およ
びエッチング作用により有効に除去することができる。
12の表面に形成された酸化膜を除去する工程では、水素
含有の不活性ガスプラズマ、すなわち水素含有プラズマ
13を照射することにより、バンプ表面の錫酸化膜および
亜鉛酸化膜を水素含有プラズマ13の強力な還元作用およ
びエッチング作用により有効に除去することができる。
【００３３】この水素含有プラズマ13の照射条件は、照
射温度を、室温を含む錫−亜鉛系はんだ合金の融点以下
とし、圧力を、１０〜６０Ｐａ程度の減圧下とし、照射
時間を２分以内とする。
射温度を、室温を含む錫−亜鉛系はんだ合金の融点以下
とし、圧力を、１０〜６０Ｐａ程度の減圧下とし、照射
時間を２分以内とする。
【００３４】前記水素含有プラズマ発生用のプロセスガ
スは、不活性ガスと、水素分子換算で３容量％以上８容
量％未満の水素含有率の水素ガスとを含む混合ガスとす
る。不活性ガスは、ヘリウムまたはアルゴンを用いる。
スは、不活性ガスと、水素分子換算で３容量％以上８容
量％未満の水素含有率の水素ガスとを含む混合ガスとす
る。不活性ガスは、ヘリウムまたはアルゴンを用いる。
【００３５】このようにして、錫−亜鉛系はんだ合金の
はんだバンプ12を、プラズマを用いたドライプロセスに
より、はんだバンプ12の表面の酸化膜層を除去すること
で、フラックスレスでの接合を可能とする。
はんだバンプ12を、プラズマを用いたドライプロセスに
より、はんだバンプ12の表面の酸化膜層を除去すること
で、フラックスレスでの接合を可能とする。
【００３６】次に、図２に示されるように、前記酸化膜
を除去した錫−亜鉛系はんだ合金のはんだバンプ12の表
面に、弗素を含有する層を形成する処理を施す。この弗
素を含有する層を形成することで、はんだバンプ12の表
面での錫および亜鉛の再酸化を防止し、はんだ濡れ性を
向上させることができる。
を除去した錫−亜鉛系はんだ合金のはんだバンプ12の表
面に、弗素を含有する層を形成する処理を施す。この弗
素を含有する層を形成することで、はんだバンプ12の表
面での錫および亜鉛の再酸化を防止し、はんだ濡れ性を
向上させることができる。
【００３７】前記はんだバンプ12の表面に弗素を含有す
る層を形成する工程は、はんだバンプ12の表面の酸化膜
を除去する工程の後に、弗素含有プラズマ14を照射す
る。
る層を形成する工程は、はんだバンプ12の表面の酸化膜
を除去する工程の後に、弗素含有プラズマ14を照射す
る。
【００３８】前記弗素含有プラズマ14の照射条件は、照
射温度を、室温を含む錫−亜鉛系はんだ合金の融点以下
とし、圧力を、１０〜６０Ｐａ程度の減圧下とし、照射
時間を６０秒以内とする。
射温度を、室温を含む錫−亜鉛系はんだ合金の融点以下
とし、圧力を、１０〜６０Ｐａ程度の減圧下とし、照射
時間を６０秒以内とする。
【００３９】前記弗素含有プラズマ発生用のプロセスガ
スは、四弗化炭素（ＣＦ４）やＣ５Ｆ８などの弗化炭素
系化合物、三弗化窒素（ＮＦ３）および六弗化硫黄（Ｓ
Ｆ６）のいずれか少なくとも一つと、酸素および不活性
ガス（ヘリウムまたはアルゴン）の少なくとも一方とを
含む混合ガスとする。
スは、四弗化炭素（ＣＦ４）やＣ５Ｆ８などの弗化炭素
系化合物、三弗化窒素（ＮＦ３）および六弗化硫黄（Ｓ
Ｆ６）のいずれか少なくとも一つと、酸素および不活性
ガス（ヘリウムまたはアルゴン）の少なくとも一方とを
含む混合ガスとする。
【００４０】このように、水素含有プラズマ13および弗
素含有プラズマ14の照射により、錫−亜鉛系はんだ合金
のはんだバンプ12の表面を改質処理することで、後洗浄
を必要とするフラックスを用いることなく、次の配線基
板の金属電極と接合させることが可能となる。
素含有プラズマ14の照射により、錫−亜鉛系はんだ合金
のはんだバンプ12の表面を改質処理することで、後洗浄
を必要とするフラックスを用いることなく、次の配線基
板の金属電極と接合させることが可能となる。
【００４１】次に、図３に示されるように、配線基板15
上に、反転したＩＣチップ11をマウントする。その際、
ＩＣチップ11の錫−亜鉛系はんだ合金のはんだバンプ12
と、配線基板15の端子としての金属電極16とを突き合わ
せるように位置決めする。
上に、反転したＩＣチップ11をマウントする。その際、
ＩＣチップ11の錫−亜鉛系はんだ合金のはんだバンプ12
と、配線基板15の端子としての金属電極16とを突き合わ
せるように位置決めする。
【００４２】前記錫−亜鉛系はんだ合金のはんだバンプ
12の下地部分、およびこのはんだバンプ12と接合される
相手側の金属電極16は、下地の銅導体の上にニッケル層
を形成し、このニッケル層の上に、金層を直接設ける
か、またはパラジウム層を介して金層を設けた構造であ
る。
12の下地部分、およびこのはんだバンプ12と接合される
相手側の金属電極16は、下地の銅導体の上にニッケル層
を形成し、このニッケル層の上に、金層を直接設ける
か、またはパラジウム層を介して金層を設けた構造であ
る。
【００４３】ニッケル層、パラジウム層および金層は、
無電解メッキ法により形成され、燐やホウ素などの不純
物を含むものであるが、無電解メッキ法によりニッケル
層などを形成する段階で、燐やホウ素などの不純物が混
入しても、特に問題はない。
無電解メッキ法により形成され、燐やホウ素などの不純
物を含むものであるが、無電解メッキ法によりニッケル
層などを形成する段階で、燐やホウ素などの不純物が混
入しても、特に問題はない。
【００４４】むしろ、無電解メッキ法は、共通電極が不
要で、配線引回しに有利であるとともに、端子間のファ
インピッチに対応できるなど、多くの利点を有する。
要で、配線引回しに有利であるとともに、端子間のファ
インピッチに対応できるなど、多くの利点を有する。
【００４５】ニッケル層は、銅導体に対する亜鉛の拡散
を防止して、機械的強度の低い銅−亜鉛金属間化合物の
生成を防止し、また、パラジウム層は、金層の厚みを薄
く均一にする働きがあり、さらに、金層は、はんだ濡れ
性を向上させる。
を防止して、機械的強度の低い銅−亜鉛金属間化合物の
生成を防止し、また、パラジウム層は、金層の厚みを薄
く均一にする働きがあり、さらに、金層は、はんだ濡れ
性を向上させる。
【００４６】金層の厚みは、０．０２〜０．３μｍの範
囲内に収める。この範囲内において、適正なはんだ濡れ
性と、適正なはんだ接続強度とが得られる。０．０２μ
ｍ未満では、はんだ濡れ性が悪くなり、０．３μｍを超
えると、コストがかかるとともに、はんだ中の金濃度が
高まり、脆い性質の金−錫金属間化合物が生成されやす
く、この部分から剥離しやすくなる。
囲内に収める。この範囲内において、適正なはんだ濡れ
性と、適正なはんだ接続強度とが得られる。０．０２μ
ｍ未満では、はんだ濡れ性が悪くなり、０．３μｍを超
えると、コストがかかるとともに、はんだ中の金濃度が
高まり、脆い性質の金−錫金属間化合物が生成されやす
く、この部分から剥離しやすくなる。
【００４７】また、前記錫−亜鉛系はんだ合金のはんだ
バンプ12と接合される相手側の金属電極16は、下地の銅
導体の上に鉛フリーはんだ層を形成したものでも良い。
この鉛フリーはんだ層は、錫−亜鉛系はんだ合金、錫−
銀系はんだ合金などにより形成する。この鉛フリーはん
だ層は、はんだ濡れ性を向上できるとともに、ニッケル
層の上に金層を設ける場合よりも、安価に形成できるコ
ストメリットがある。
バンプ12と接合される相手側の金属電極16は、下地の銅
導体の上に鉛フリーはんだ層を形成したものでも良い。
この鉛フリーはんだ層は、錫−亜鉛系はんだ合金、錫−
銀系はんだ合金などにより形成する。この鉛フリーはん
だ層は、はんだ濡れ性を向上できるとともに、ニッケル
層の上に金層を設ける場合よりも、安価に形成できるコ
ストメリットがある。
【００４８】次に、図４に示されるように、錫−亜鉛系
はんだ合金のはんだバンプ12を、配線基板15の金属電極
16に接合する。12aは、はんだ接合部である。
はんだ合金のはんだバンプ12を、配線基板15の金属電極
16に接合する。12aは、はんだ接合部である。
【００４９】このはんだ接合部12aの接合形態は、はん
だバンプ12の融点以上の加熱による溶融接合、または融
点以下の加熱および加圧による拡散接合のいずれでも可
能である。
だバンプ12の融点以上の加熱による溶融接合、または融
点以下の加熱および加圧による拡散接合のいずれでも可
能である。
【００５０】前記接合工程に当たって、処理対象物を１
００℃以下で予加熱することにより、ＩＣチップ11など
のヒートショックを防止するとともに、溶融接合または
拡散接合を円滑に開始する。
００℃以下で予加熱することにより、ＩＣチップ11など
のヒートショックを防止するとともに、溶融接合または
拡散接合を円滑に開始する。
【００５１】ＩＣチップ11のはんだバンプ12を配線基板
15の金属電極16上に直接マウントする工程および接合す
る工程は、大気中でなされるが、表面を改質処理された
はんだバンプ12は、大気中でマウントおよび接合されて
も再酸化のおそれがないので、マウント工程および接合
工程が容易になる。
15の金属電極16上に直接マウントする工程および接合す
る工程は、大気中でなされるが、表面を改質処理された
はんだバンプ12は、大気中でマウントおよび接合されて
も再酸化のおそれがないので、マウント工程および接合
工程が容易になる。
【００５２】上記マウント工程および接合工程は、１台
の装置、または複数台の装置で実施する。例えば、１台
のフリップチップボンダでマウントおよびリフローの両
方を実施しても良いし、マウンタでＩＣチップ11を配線
基板15上にマウントしてリフロー装置で接合するという
ように分けて実施しても良い。
の装置、または複数台の装置で実施する。例えば、１台
のフリップチップボンダでマウントおよびリフローの両
方を実施しても良いし、マウンタでＩＣチップ11を配線
基板15上にマウントしてリフロー装置で接合するという
ように分けて実施しても良い。
【００５３】本実装方法によれば、錫−亜鉛系はんだ合
金のはんだバンプ12の表面を改質することで、後洗浄を
必要とするフラックスを用いることなく、錫−亜鉛系は
んだ合金のはんだバンプ12を配線基板15の金属電極16に
直接はんだ付けできる。
金のはんだバンプ12の表面を改質することで、後洗浄を
必要とするフラックスを用いることなく、錫−亜鉛系は
んだ合金のはんだバンプ12を配線基板15の金属電極16に
直接はんだ付けできる。
【００５４】なお、以上の実施の形態は、ＩＣチップ11
の端子を鉛フリーはんだで形成して、その鉛フリーはん
だの端子表面をプラズマで改質するフリップチップ実装
方法であるが、逆に、配線基板15の端子（電極）を鉛フ
リーはんだで形成して、その鉛フリーはんだの端子表面
をプラズマで改質するようにしても良いし、ＩＣチップ
11および配線基板15の両方の各端子をそれぞれ鉛フリー
はんだで形成して、その鉛フリーはんだの各端子表面を
それぞれプラズマで改質するようにしても良い。
の端子を鉛フリーはんだで形成して、その鉛フリーはん
だの端子表面をプラズマで改質するフリップチップ実装
方法であるが、逆に、配線基板15の端子（電極）を鉛フ
リーはんだで形成して、その鉛フリーはんだの端子表面
をプラズマで改質するようにしても良いし、ＩＣチップ
11および配線基板15の両方の各端子をそれぞれ鉛フリー
はんだで形成して、その鉛フリーはんだの各端子表面を
それぞれプラズマで改質するようにしても良い。
【００５５】
【実施例】次に、具体的数値を用いて、本フリップチッ
プ実装方法の実施例を説明する。
プ実装方法の実施例を説明する。
【００５６】ＩＣチップ11のサイズは、１０ｍｍ×１０
ｍｍで、そのＳｎ−９質量％Ｚｎはんだ合金のはんだバ
ンプ12は、高さ６０μｍのものを４００個設けた。
ｍｍで、そのＳｎ−９質量％Ｚｎはんだ合金のはんだバ
ンプ12は、高さ６０μｍのものを４００個設けた。
【００５７】配線基板15には、板厚１ｍｍのＦＲ４を用
い、その金属電極16は、銅導体の上に無電解ニッケルメ
ッキし、さらに、その上に薄く無電解金メッキを施した
ものを使用した。
い、その金属電極16は、銅導体の上に無電解ニッケルメ
ッキし、さらに、その上に薄く無電解金メッキを施した
ものを使用した。
【００５８】この金属電極16は、１００μｍ×１００μ
ｍのサイズであり、銅導体の厚みは１８μｍ、ニッケル
メッキ層の厚みは５μｍ、金メッキ層の厚みは０．０５
μｍにそれぞれ形成する。
ｍのサイズであり、銅導体の厚みは１８μｍ、ニッケル
メッキ層の厚みは５μｍ、金メッキ層の厚みは０．０５
μｍにそれぞれ形成する。
【００５９】先ず、ＩＣチップ11上のＳｎ−９質量％Ｚ
ｎはんだ合金のはんだバンプ12の表面に水素含有プラズ
マ13を照射することにより、バンプ表面に形成された酸
化膜を除去した。
ｎはんだ合金のはんだバンプ12の表面に水素含有プラズ
マ13を照射することにより、バンプ表面に形成された酸
化膜を除去した。
【００６０】水素含有プラズマ13のプロセスガスとして
は、不活性ガスにアルゴンを用い、水素７容量％含有ア
ルゴンプラズマにより、約４０Ｐａの圧力下でプラズマ
処理した。
は、不活性ガスにアルゴンを用い、水素７容量％含有ア
ルゴンプラズマにより、約４０Ｐａの圧力下でプラズマ
処理した。
【００６１】プラズマ発生方法は特に問わないが、本実
施例では、平行平板に高周波電圧を印加してプラズマを
発生させた。高周波電源は、１３．５６ＭＨｚの周波数
を用いて、出力は、約１０００ワットで、６０秒間処理
した。
施例では、平行平板に高周波電圧を印加してプラズマを
発生させた。高周波電源は、１３．５６ＭＨｚの周波数
を用いて、出力は、約１０００ワットで、６０秒間処理
した。
【００６２】続いて、弗素含有プラズマ14により、はん
だバンプ12の表面に弗素を含有する層を形成する表面改
質を行った。四弗化炭素８０容量％含有酸素ガスプラズ
マにより、約４０Ｐａの圧力下で、約１０００ワットの
高周波電源出力により、３０秒間処理した。
だバンプ12の表面に弗素を含有する層を形成する表面改
質を行った。四弗化炭素８０容量％含有酸素ガスプラズ
マにより、約４０Ｐａの圧力下で、約１０００ワットの
高周波電源出力により、３０秒間処理した。
【００６３】この弗素含有プラズマ14の発生方法に関し
ては、水素含有プラズマ13の場合と同様である。
ては、水素含有プラズマ13の場合と同様である。
【００６４】このプラズマ処理の後、澁谷工業株式会社
製のフリップチップボンダにより、ＩＣチップ11上のは
んだバンプ12と配線基板15の金属電極16とを接合した。
製のフリップチップボンダにより、ＩＣチップ11上のは
んだバンプ12と配線基板15の金属電極16とを接合した。
【００６５】この接合は、大気中で行った。その際、配
線基板15を１００℃で予備加熱し、上記フリップチップ
ボンダのボンディングツール温度を２５０℃に設定し、
ＩＣチップ11のはんだバンプ12の温度が２２５℃となる
ように加熱して溶融接合した。加熱時間は１７秒であっ
た。なお、加熱前に、１端子当り２０ｇの圧力を加え、
はんだバンプ12間の高さのばらつきに対処した。
線基板15を１００℃で予備加熱し、上記フリップチップ
ボンダのボンディングツール温度を２５０℃に設定し、
ＩＣチップ11のはんだバンプ12の温度が２２５℃となる
ように加熱して溶融接合した。加熱時間は１７秒であっ
た。なお、加熱前に、１端子当り２０ｇの圧力を加え、
はんだバンプ12間の高さのばらつきに対処した。
【００６６】この結果、フラッグスを用いなくとも、Ｓ
ｎ−９質量％Ｚｎはんだ合金のはんだバンプ12が金属電
極16の表面に十分なはんだ濡れ性を示す接合が得られ
た。フラックスを用いた接合の場合とのシェア強度の比
較においても、フラックスを用いた場合と同等の結果が
得られた。
ｎ−９質量％Ｚｎはんだ合金のはんだバンプ12が金属電
極16の表面に十分なはんだ濡れ性を示す接合が得られ
た。フラックスを用いた接合の場合とのシェア強度の比
較においても、フラックスを用いた場合と同等の結果が
得られた。
【００６７】次に、配線基板15の端子を鉛フリーはんだ
で形成して、その鉛フリーはんだの端子表面をフラック
スを用いることなくプラズマ処理で改質した本実装方法
に係るものを上記フリップチップボンダを用いて接合し
た場合と、フラックスを用いて処理した従来方法に係る
ものを上記フリップチップボンダを用いて接合した場合
とを比較する試験結果を下の表１に示す。
で形成して、その鉛フリーはんだの端子表面をフラック
スを用いることなくプラズマ処理で改質した本実装方法
に係るものを上記フリップチップボンダを用いて接合し
た場合と、フラックスを用いて処理した従来方法に係る
ものを上記フリップチップボンダを用いて接合した場合
とを比較する試験結果を下の表１に示す。
【００６８】
【表１】
【００６９】以上のように、本実装方法によれば、錫−
亜鉛系はんだ合金の端子表面をプラズマ処理して改質す
ることで、後洗浄を必要とするフラックスを用いること
なく、集積回路チップおよび配線基板の端子間を良好に
接合できる。
亜鉛系はんだ合金の端子表面をプラズマ処理して改質す
ることで、後洗浄を必要とするフラックスを用いること
なく、集積回路チップおよび配線基板の端子間を良好に
接合できる。
【００７０】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、一方の端
子を鉛フリーはんだで形成した配線基板および集積回路
チップをフリップチップ実装する場合において、はんだ
端子表面の酸化膜層を改質してからマウントして接合す
ることで、フラックスを用いることなく、大気中での端
子間の接合も確実にでき、フラックスの後洗浄も省略で
きる。特に、鉛フリーはんだの材料である錫−亜鉛系は
んだ合金の端子表面を改質することで、後洗浄を必要と
するフラックスを用いることなく、端子表面の錫酸化物
および亜鉛酸化物を除去でき、端子間を確実にはんだ接
合できる。その際、錫−亜鉛系はんだ合金の端子と接合
される相手側の端子は、ニッケル層により、銅導体に対
する亜鉛の拡散を防止して、機械的強度の低い銅−亜鉛
金属間化合物の生成を防止でき、また、パラジウム層に
より、金層の厚みを薄く均一にでき、さらに、金層によ
り、はんだ濡れ性を向上させることができる。
子を鉛フリーはんだで形成した配線基板および集積回路
チップをフリップチップ実装する場合において、はんだ
端子表面の酸化膜層を改質してからマウントして接合す
ることで、フラックスを用いることなく、大気中での端
子間の接合も確実にでき、フラックスの後洗浄も省略で
きる。特に、鉛フリーはんだの材料である錫−亜鉛系は
んだ合金の端子表面を改質することで、後洗浄を必要と
するフラックスを用いることなく、端子表面の錫酸化物
および亜鉛酸化物を除去でき、端子間を確実にはんだ接
合できる。その際、錫−亜鉛系はんだ合金の端子と接合
される相手側の端子は、ニッケル層により、銅導体に対
する亜鉛の拡散を防止して、機械的強度の低い銅−亜鉛
金属間化合物の生成を防止でき、また、パラジウム層に
より、金層の厚みを薄く均一にでき、さらに、金層によ
り、はんだ濡れ性を向上させることができる。
【００７１】請求項２記載の発明によれば、ニッケル層
などを形成する無電解メッキ法は、燐やホウ素などの不
純物が混入しても問題がなく、むしろ、共通電極が不要
で、配線引回しに有利であるとともに、端子間のファイ
ンピッチに対応できるなど、多くの利点を有する。
などを形成する無電解メッキ法は、燐やホウ素などの不
純物が混入しても問題がなく、むしろ、共通電極が不要
で、配線引回しに有利であるとともに、端子間のファイ
ンピッチに対応できるなど、多くの利点を有する。
【００７２】請求項３記載の発明によれば、金層の厚み
を、０．０２〜０．３μｍとしたことにより、適正なは
んだ濡れ性と、適正なはんだ接続強度とを確保できる。
を、０．０２〜０．３μｍとしたことにより、適正なは
んだ濡れ性と、適正なはんだ接続強度とを確保できる。
【００７３】請求項４記載の発明によれば、はんだ端子
表面の錫や亜鉛の酸化膜を除去することで、フラックス
レスでのはんだ接合を可能にでき、また、その酸化膜を
除去したはんだ端子表面に、弗素を含有する層を形成す
ることで、はんだ端子表面の錫および亜鉛の再酸化を防
止でき、フラックスレスでのはんだ接合を確実にでき
る。
表面の錫や亜鉛の酸化膜を除去することで、フラックス
レスでのはんだ接合を可能にでき、また、その酸化膜を
除去したはんだ端子表面に、弗素を含有する層を形成す
ることで、はんだ端子表面の錫および亜鉛の再酸化を防
止でき、フラックスレスでのはんだ接合を確実にでき
る。
【００７４】請求項５記載の発明によれば、酸化膜を除
去する工程と、弗素を含有する層を形成する工程が、大
気に曝されずになされるから、大気中よりも、酸化膜の
除去および弗素含有層の形成を効率良くできる。
去する工程と、弗素を含有する層を形成する工程が、大
気に曝されずになされるから、大気中よりも、酸化膜の
除去および弗素含有層の形成を効率良くできる。
【００７５】請求項６記載の発明によれば、錫−亜鉛系
はんだ合金のはんだ端子表面に水素含有プラズマを照射
することにより錫酸化膜および亜鉛酸化膜を除去するこ
とで、後洗浄を必要とするフラックスを用いることな
く、端子間どうしを確実に接合することができる。
はんだ合金のはんだ端子表面に水素含有プラズマを照射
することにより錫酸化膜および亜鉛酸化膜を除去するこ
とで、後洗浄を必要とするフラックスを用いることな
く、端子間どうしを確実に接合することができる。
【００７６】請求項７記載の発明によれば、酸化膜を除
去した錫−亜鉛系はんだ合金のはんだ端子表面に、弗素
含有プラズマにより弗素含有層を形成することで、はん
だ端子表面の錫および亜鉛の再酸化を防止し、はんだ濡
れ性を向上させることができる。
去した錫−亜鉛系はんだ合金のはんだ端子表面に、弗素
含有プラズマにより弗素含有層を形成することで、はん
だ端子表面の錫および亜鉛の再酸化を防止し、はんだ濡
れ性を向上させることができる。
【００７７】請求項８記載の発明によれば、表面を改質
処理されたはんだ端子は、大気中でマウントおよび接合
されても再酸化のおそれがないので、マウント工程およ
び接合工程を容易にできる。
処理されたはんだ端子は、大気中でマウントおよび接合
されても再酸化のおそれがないので、マウント工程およ
び接合工程を容易にできる。
【図１】本発明のフリップチップ実装方法に関係する水
素含有プラズマによるプラズマ処理を示す断面図であ
る。
素含有プラズマによるプラズマ処理を示す断面図であ
る。
【図２】同上水素含有プラズマによるプラズマ処理後の
弗素含有プラズマによるプラズマ処理を示す断面図であ
る。
弗素含有プラズマによるプラズマ処理を示す断面図であ
る。
【図３】同上弗素含有プラズマによるプラズマ処理後の
配線基板に対するＩＣチップのマウント状態を示す断面
図である。
配線基板に対するＩＣチップのマウント状態を示す断面
図である。
【図４】同上マウント後の配線基板の電極に対するＩＣ
チップのはんだバンプの接合状態を示す断面図である。
チップのはんだバンプの接合状態を示す断面図である。
11 集積回路チップ（ＩＣチップ）
12 端子としてのはんだバンプ
13 水素含有プラズマ
14 弗素含有プラズマ
15 配線基板
16 端子としての金属電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開2000−117213（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/60
Claims (8)
- 【請求項１】 配線基板および集積回路チップの一方の
端子を錫−亜鉛系はんだ合金を材料とする鉛フリーはん
だで形成し、 錫−亜鉛系はんだ合金の端子と接合される相手側の端子
は、下地の銅導体の上にニッケル層を設け、そのニッケ
ル層の上に、金層と、パラジウム層を介した金層とのい
ずれか一方を設け、 鉛フリーはんだの表面を改質する工程と、 この改質後に配線基板の端子に集積回路チップの端子を
直接マウントする工程と、 このマウント後に端子間を接合する工程とを具備した こ
とを特徴とするフリップチップ実装方法。 - 【請求項２】 ニッケル層、パラジウム層および金層
は、無電解メッキ法により形成され、燐やホウ素などの
不純物を含むことを特徴とする請求項１記載のフリップ
チップ実装方法。 - 【請求項３】 金層の厚みは、０．０２〜０．３μｍで
あることを特徴とする請求項１または２記載のフリップ
チップ実装方法。 - 【請求項４】 配線基板および集積回路チップの少なく
とも一方の端子を形成する錫−亜鉛系はんだ合金を材料
とする鉛フリーはんだの表面を改質する工程と、 この改質後に配線基板の端子に集積回路チップの端子を
直接マウントする工程と、 このマウント後に端子間を接合する工程とを具備し、 はんだ端子の表面を改質する工程は、 はんだ端子の表面の錫と亜鉛の酸化膜を除去する工程
と、 はんだ端子の表面に弗素を含有する層を形成する工程と
を具備したことを特徴とするフリップチップ実装方法。 - 【請求項５】 酸化膜を除去する工程と、弗素を含有す
る層を形成する工程は、大気に曝されずになされること
を特徴とする請求項４記載のフリップチップ実装方法。 - 【請求項６】 はんだ端子の表面の酸化膜を除去する工
程は、 水素含有プラズマによることを特徴とする請求項４また
は５記載のフリップチップ実装方法。 - 【請求項７】 はんだ端子の表面に弗素を含有する層を
形成する工程は、 弗素含有プラズマによることを特徴とする請求項４また
は５記載のフリップチップ実装方法。 - 【請求項８】 集積回路チップの端子を配線基板の端子
上に直接マウントする工程および接合する工程は、大気
中でなされることを特徴とする請求項１乃至７のいずれ
かに記載のフリップチップ実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000124508A JP3400408B2 (ja) | 2000-04-25 | 2000-04-25 | フリップチップ実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000124508A JP3400408B2 (ja) | 2000-04-25 | 2000-04-25 | フリップチップ実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001308144A JP2001308144A (ja) | 2001-11-02 |
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ID=18634629
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