JPH06326448A - 電子回路のフラックスレスはんだ接合方法およびその装置 - Google Patents

電子回路のフラックスレスはんだ接合方法およびその装置

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JPH06326448A
JPH06326448A JP11444893A JP11444893A JPH06326448A JP H06326448 A JPH06326448 A JP H06326448A JP 11444893 A JP11444893 A JP 11444893A JP 11444893 A JP11444893 A JP 11444893A JP H06326448 A JPH06326448 A JP H06326448A
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JP
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solder
joining
fluxless
joined
electronic circuit
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JP11444893A
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Toru Nishikawa
徹 西川
Masahito Ijuin
正仁 伊集院
Ryohei Sato
了平 佐藤
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Hitachi Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3457Solder materials or compositions; Methods of application thereof

Abstract

(57)【要約】 【目的】 簡単な装置、プロセスにより、フラックスレ
スではんだ供給、接合を行う方法および装置を提供す
る。 【構成】電子回路のはんだ接合方法において、回路基
板、電子部品等の接合部にAuめっきを施し、非酸化性
または還元性雰囲気中ではんだを加熱溶融し、はんだの
新生面を露出させてはんだの濡れ性を確保する。また、
溶融したはんだに力が加わるようにして、はんだの新生
面を露出させはんだの濡れ性を確保する。 【効果】はんだ、被接合部材とも前処理無しでフラック
スレスはんだ供給、接合を行うことができる。また、力
を加えることにより溶融はんだの表面被膜を破り濡れ性
を確保することができ、より高い酸素濃度でのフラック
スレスプロセスの実現が可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電子回路のはんだ接合方
法に係わり、特にLSI、回路基板等の電子回路の接合
部にフラックスレスで接合用はんだを供給する方法また
はフラックスレスではんだ接合を行う方法およびその装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のLSI、回路基板等の電子回路の
はんだ接合方法において、一般にフラックスが用いられ
ている。フラックスは、はんだおよび被接合部に形成さ
れているメタライズ等の表面酸化物を還元除去すると共
に、被接合部を酸化雰囲気から遮断し再酸化を防止する
ことにより、はんだの接合部における濡れ性を確保し、
良好なはんだの供給、接合を可能としている。上記、フ
ラックスを用いたはんだの供給、接合方法は最も簡便な
方法であるが、用いるフラックスがはんだ接合部の内部
に巻き込まれて気化してボイドを発生することや、はん
だの溶融接合後のフラックス残渣の洗浄に用いるフロン
や有機溶剤による公害等の問題が伴うので、フラックス
を用いない、いわゆるフラックスレスではんだ供給、接
合を行う方法が鋭意検討されている。例えば、特開平3
−241755号公報において提案されているように、
はんだおよび被接合部の表面の酸化層あるいは有機物汚
染層を、原子またはイオンビームを照射することにより
クリーニングして、大気中で位置合わせを行い、非酸化
性雰囲気中で加熱溶融を行いフラックスレスではんだ接
合する方法が開示されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来技術であ
る特開平3−241755号公報に記載の方法は、フラ
ックスレスではんだの供給、接合が可能となる。しか
し、はんだの濡れ性を確保するために、はんだおよび被
接合部の表面に形成されている酸化層や有機物汚染層
を、真空室中での原子およびイオンスパッタエッチング
等により清浄化しなければならないという複雑でコスト
増大に繋がる問題がある。このフラックスレスによるは
んだの供給、接合方法においては、真空室に接合を行う
電子回路部材の出し入れの手間や真空排気等の作業が極
めて煩雑であり、はんだ接合の効率化の障害となってい
た。さらに、真空排気装置自体が高価であるという問題
もあった。
【0004】本発明の目的は、上記従来技術における問
題点を解消するものであって、LSI、回路基板等の電
子回路の接合部へのはんだの供給およびはんだ接合にお
いて、真空装置を用いることなく、より簡便な装置およ
びプロセスによってフラックスレスではんだの供給およ
びはんだ接合を行うことができる電子回路のはんだ接合
方法およびそれを実施する装置を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記本発明の課題を解決
するために、LSI、回路基板等の電子回路の接合部お
よび被接合部材の接合部の表面にAuめっきを施し、非
酸化性または還元性雰囲気内ではんだを加熱溶融して、
はんだの新生面を露出させてはんだの濡れ性を確保する
工程を含む電子回路のフラックスレスはんだ接合方法と
するものである。また本発明は、LSI、回路基板等の
電子回路の被接合部材の接合部間をフラックスレスでは
んだ接合する方法において、上記被接合部材の接合部の
いずれか一方に、あらかじめ接合用のはんだを供給して
おき、このはんだを供給した接合部に対応する上記被接
合部材の接合部にAuめっきを施す工程と、上記接合用
のはんだを非酸化性もしくは還元性の雰囲気下で加熱溶
融して、はんだの新生面を露出させてはんだの濡れ性を
確保する工程を含む電子回路のフラックスレスはんだ接
合方法とするものである。
【0006】さらに本発明は、LSI、回路基板等の電
子回路の接合部にフラックスレスで接合用はんだを供給
する方法において、上記電子回路の接合部にAuめっき
を施し、非酸化性もしくは還元性の雰囲気下ではんだを
加熱溶融する工程を含むフラックスレスはんだ供給方法
とするものである。本発明のはんだを加熱溶融する工程
において、溶融したはんだに外力を加える手段、または
被接合部材の自重により溶融したはんだに力が加わる手
段を用いてはんだを加圧溶融する電子回路のフラックス
レスはんだ接合方法である。本発明の電子回路のフラッ
クスレスはんだ接合方法に用いられる はんだは、In
とSn、PbとSn、SnとAg、AuとSn、Auと
GeまたはAuとSiの合金または上記の合金の組合せ
材料からなるものが望ましい。そして、はんだの供給お
よび接合する雰囲気として、非酸化性雰囲気はN2、A
rまたはHeの不活性ガスもしくはこれらの混合ガス雰
囲気またはフロリナート蒸気となし、還元性雰囲気はH
2とN2との混合ガスもしくはH2ガス雰囲気を用いるこ
とが好ましい。さらに本発明は、LSI、回路基板等の
電子回路のAuめっきを施した接合部に所定量のはんだ
を供給する手段と、非酸化性もしくは還元性の雰囲気下
で上記はんだを加熱溶融する手段を備えたフラックスレ
スで接合用はんだの供給を行う装置、もしくはAuめっ
きを施した電子回路の接合部および被接合部材の接合部
に所定量のはんだを供給する手段と、非酸化性もしくは
還元性の雰囲気下ではんだを加熱溶融する手段を備えた
フラックスレスではんだ接合を行う装置、もしくは接合
用のはんだを供給した接合部を有する被接合部材を用
い、上記はんだを供給した接合部に対応する上記被接合
部材の接合部にAuめっきを施す手段と、非酸化性もし
くは還元性の雰囲気下ではんだを加熱溶融する手段を備
えたフラックスレスではんだ接合を行う装置であって、
上記非酸化性もしくは還元性の雰囲気下ではんだを加熱
溶融する過程において、溶融したはんだに外力を加えて
加圧し、はんだの新生面を露出させて濡れ性を確保する
手段、もしくは被接合部材の自重によって溶融したはん
だを加圧して、はんだの新生面を露出させて濡れ性を確
保する手段を少なくとも備えた電子回路のフラックスレ
スはんだ供給または接合装置である。
【0007】
【作用】LSI、回路基板等の電子回路の接合部および
被接合部材の接合部に施したAuめっきによって、上記
接合部の酸化を防止することができるので接合部を清浄
に保持することができ、はんだの接合部および被接合部
材の接合部への良好な濡れ性を確保することができる。
また、はんだを上記の非酸化性または還元性雰囲気中で
加熱溶融させることにより、溶融するはんだの酸化を防
止しはんだの濡れ性を妨げないようにすることができ
る。以上の作用から、煩雑でコストのかかる真空装置中
でのスパッタエッチングによる被接合部の表面清浄化工
程を省略したフラックスレスはんだ供給、接合プロセス
を実現することができる。
【0008】
【実施例】以下に本発明の実施例を挙げ、図面を用いて
さらに詳細に説明する。 〈実施例1〉図1は、本発明のフラックスレスで接合用
はんだを電子回路の接合部に供給する方法の工程を示す
説明図であり、Auめっき3を施したプリント基板1上
のCu配線2にSnPb共晶はんだ5が濡れ拡がる過程
を示している。プリント基板1上のCu配線2にはAu
めっき3が施されていて、図1(a)に示すように、そ
の上にはんだ4を載置し、N2雰囲気中で加熱する。C
u配線2は、Auめっき3で表面が覆われているため、
表面は酸化されずに清浄な状態が保たれている。一方、
はんだ4の表面は酸化被膜5で覆われているが、この酸
化被膜5は図1(b)に示すように、はんだ4が加熱さ
れ溶融すると体積膨張が生じて酸化皮膜5は破れてはん
だの新生面が露出する。この結果、はんだ4の新生面が
清浄なAuめっき3の表面と接して反応し、Auがはん
だ中に拡散すると共に、下地のCu配線2と反応するの
ではんだ4は良く濡れCu配線2上にはんだ4をフラッ
クスレスで供給することができる。本発明はフラックス
レスではんだの供給および接合を行うので、はんだと接
合部の酸化がはんだの濡れ性を妨げる要因となる。はん
だは、溶融時に体積膨張によってはんだの新生面が露出
し、接合部において濡れようとするが、プリント基板の
Cu配線の接合部は、通常の場合は酸化膜で覆われてお
り、はんだの濡れ性が悪い状態である。そこで、フラッ
クスレスで良好なはんだの濡れ性を示すように、その接
合部に対してAuめっきを施し酸化を防止する構成とし
たものである。図2は、本発明の実施例におけるはんだ
の濡れ性に対する雰囲気中の酸素濃度の影響を示した説
明図である。なお、図2(b)は、平面図である図2
(a)の側面図を示しリフロー前のはんだの状態であ
り、図2(d)は、平面図である図2(c)の側面図を
示しリフロー後のはんだの状態を示す。図2(a)〜
(d)に示すように、Auめっき3を施したCu板6に
対するSnPb合金からなるはんだ4の濡れ拡がりに関
して、加熱雰囲気中の酸素濃度の影響を調べた。その結
果を図2(e)に示す。すなわち、はんだ4は加熱溶融
時に、はんだの新生面が露出することにより濡れようと
して、非酸化性雰囲気または還元性雰囲気中では良好な
濡れ性を示すが、雰囲気中の酸素濃度が高くなるにつ
れ、はんだの新生面が直ちに酸化されるようになり濡れ
性が悪化する。また、酸素濃度が高くなると加熱溶融前
の固体状態でのはんだ表面の酸化も大きくなるため、は
んだの溶融時に表面の酸化被膜が破れ難くなり、はんだ
の新生面が露出しにくくなるので濡れ拡がり性が悪くな
る。そこで、溶融したはんだに力を加えて、はんだ表面
の酸化膜を破ることによって、より高い酸素濃度の加熱
雰囲気中であっても、はんだの濡れ性を確保することが
できる〔図2(e)〕。図3(a)、(b)、(c)
は、はんだに外力を加え加圧しながらはんだをフラック
スレスで接合部に供給する場合の工程を示す説明図であ
る。この加圧によりはんだを接合部に供給する方法にお
いて、はんだ4に圧力を加える手段としては、図3に示
すごとく、はんだの濡れ性の悪いセラミクス等で構成さ
れた加圧チップ等を用いて、はんだを直接加圧すればよ
い。
【0009】〈実施例2〉本発明の電子回路のフラック
スレスはんだ接合方法において、例えばプリント基板へ
の電子部品のはんだ接合を行う場合に、その接合部への
はんだ供給形態として、図4、5、6に示す方式があ
る。ここでは、リード付部品8のプリント基板1への接
合を例に挙げて説明する。図4は、プリフォームはんだ
(接合部の形状に合わせたはんだ)を供給し、一括接合
を行う方式を示す説明図である。この方式では、各接合
部に対応した形状に加工したプリフォームはんだ10
を、Auめっきされたプリント基板1上のCu配線2上
に供給し、Auめっき3を施したリード部9を持つリー
ド付部品8を搭載する。その後、プリフォームはんだ1
0を非酸化性または還元性雰囲気中でリフローすること
により、一括してフラックスレス接合を行う方式であ
る。図5は、プリント基板側の接合部にはんだを供給し
て接合を行う方式を示した説明図である。本方式では、
プリント基板1側のCu配線2上に、はんだめっきまた
はコート11により、接合に必要な量のはんだ4をあら
かじめ供給しておき、Auめっき3を施したリード部9
を持つリード付部品8をリフローすることにより、フラ
ックスレスではんだ接合する方式である。図6は、リー
ド付部品側の接合部にはんだを供給して接合を行う方式
を示した説明図である。上述の図5に示す実施例の方式
とは逆に、リード付部品8のリード部9側にはんだめっ
きまたはコート11により接合に必要な量のはんだ4を
あらかじめ供給しておき、Auめっき3を施したプリン
ト基板1のCu配線2上に搭載し、非酸化性または還元
性雰囲気中でリフローすることによりフラックスレスで
はんだ接合を行う方式である。上記のフラックスレスは
んだ接合においては、リード付部品の自重によりはんだ
に力を加える一例を示しているが、はんだの供給時と同
様に、接合部のはんだへの加圧を併用することにより、
より高い酸素濃度の雰囲気中であっても、フラックスレ
スではんだ接合を行うことが可能である。図7にリード
付部品への加圧を併用した場合のはんだ接続の実施例を
示す。QFP(Quad Flat Package)のようなリード付
部品8、リードレスのチップ部品12等の表面実装部品
のプリント基板1への接合では、その背面から力を加え
るか、またはリード付部品8においてはリード部9に直
接力を加えることにより、はんだ4に力が加わるように
する。これにより、はんだ4の表面の酸化被膜がいっそ
う破れ易くなり、はんだの新生面が露出して濡れ性を確
保して、フラックスレスはんだ接合を実現することがで
きる。
【0010】
【発明の効果】以上詳細に説明したごとく、本発明のL
SI、回路基板等の電子回路の接合部に被接合部材をフ
ラックスレスではんだ接合する方法、または電子回路の
接合部にフラックスレスで接合用はんだを供給する方法
において、電子回路の接合部および被接合部材の接合部
にAuめっきを施し、非酸化性雰囲気または還元性雰囲
気中ではんだを加熱溶融するので、はんだの酸化皮膜が
破れて新生面が露出してはんだの濡れ性が極めて良好と
なり、従来のスパッタエッチング等によりはんだ表面の
清浄化処理を行う真空装置を用いる必要がなく、フラッ
クスレスではんだの供給、接合を行うことができる。ま
た、加熱溶融するはんだに力を加えることによって、い
っそうはんだの表面酸化被膜が破れやすくなるので、よ
り高い酸素濃度の加熱雰囲気であっても良好なフラック
スレス接合プロセスを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1で例示した電子回路の接合部
にフラックスレスではんだ供給する工程を示す説明図。
【図2】本発明の実施例1で例示したはんだの濡れ性と
雰囲気中の酸素濃度の影響を示す説明図。
【図3】本発明の実施例1で例示した電子回路の接合部
にはんだを加圧して供給する工程を示す説明図。
【図4】本発明の実施例2で例示したプリフォームはん
だを供給し一括してフラックスレス接合を行う工程を示
す説明図。
【図5】本発明の実施例2で例示したプリント基板側の
接合部にはんだを供給してフラックスレス接合を行う工
程を示す説明図。
【図6】本発明の実施例2で例示したリード付部品側の
接合部にはんだを供給してフラックスレス接合を行う工
程を示す説明図。
【図7】本発明の実施例2で例示したリード付部品側に
加圧を併用してはんだのフラックスレス接合を行う工程
を示す説明図。
【符号の説明】
1…プリント基板 2…Cu配線 3…Auめっき 4…はんだ 5…酸化被膜(汚染被膜) 6…Cu板 7…加圧チップ 8…リード付部品 9…リード部 10…プリフォームはんだ 11…はんだめっきまたはコート 12…リードレスのチップ部品 13…電極部

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】LSI、回路基板等の電子回路の被接合部
    材の接合部間をフラックスレスではんだ接合する方法に
    おいて、上記被接合部材の接合部の両方にAuめっきを
    施す工程と、上記接合部に接合用のはんだを供給する工
    程と、上記接合用のはんだを非酸化性もしくは還元性の
    雰囲気下で加熱溶融して、はんだの新生面を露出させて
    はんだの濡れ性を確保する工程を含むことを特徴とする
    電子回路のフラックスレスはんだ接合方法。
  2. 【請求項2】LSI、回路基板等の電子回路の被接合部
    材の接合部間をフラックスレスではんだ接合する方法に
    おいて、上記被接合部材の接合部のいずれか一方に、あ
    らかじめ接合用のはんだを供給しておき、このはんだを
    供給した接合部に対応する上記被接合部材の接合部にA
    uめっきを施す工程と、上記接合用のはんだを非酸化性
    もしくは還元性の雰囲気下で加熱溶融して、はんだの新
    生面を露出させてはんだの濡れ性を確保する工程を含む
    ことを特徴とする電子回路のフラックスレスはんだ接合
    方法。
  3. 【請求項3】LSI、回路基板等の電子回路の被接合部
    材間の接合部にフラックスレスで接合用はんだを供給す
    る方法において、上記被接合部材の接合部にAuめっき
    を施し、非酸化性もしくは還元性の雰囲気下ではんだを
    加熱溶融する工程を含むことを特徴とするフラックスレ
    スはんだ供給方法。
  4. 【請求項4】請求項1ないし請求項3のいずれか1項に
    おいて、はんだを加熱溶融する工程が、溶融したはんだ
    に外力もしくは被接合部材の自重による力を加えて、溶
    融はんだを加圧することによりはんだの新生面を露出さ
    せてはんだの濡れ性を確保する工程を含むことを特徴と
    する電子回路のフラックスレスはんだ接合方法。
  5. 【請求項5】請求項1ないし請求項4のいずれか1項に
    おいて、はんだは、InとSn、PbとSn、SnとA
    g、AuとSn、AuとGeまたはAuとSiの合金ま
    たは上記の合金の組合せ材料からなることを特徴とする
    電子回路のフラックスレスはんだ接合方法。
  6. 【請求項6】請求項1ないし請求項4のいずれか1項に
    おいて、上記非酸化性雰囲気はN2、ArまたはHeの
    不活性ガスもしくはこれらの混合ガス雰囲気またはフロ
    リナート蒸気となし、還元性雰囲気はH2とN2との混合
    ガスもしくはH2ガス雰囲気であることを特徴とする電
    子回路のフラックスレスはんだ接合方法。
  7. 【請求項7】LSI、回路基板等の電子回路の被接合部
    材間のAuめっきを施した接合部に所定量のはんだを供
    給する手段と、非酸化性もしくは還元性の雰囲気下で上
    記はんだを加熱溶融する手段を備えたフラックスレスで
    接合用はんだの供給を行う装置、もしくはAuめっきを
    施した電子回路の接合部および被接合部材の接合部に所
    定量のはんだを供給する手段と、非酸化性もしくは還元
    性の雰囲気下ではんだを加熱溶融する手段を備えたフラ
    ックスレスではんだ接合を行う装置、もしくは接合用の
    はんだを供給した接合部を有する被接合部材を用い、上
    記はんだを供給した接合部に対応する上記被接合部材の
    接合部にAuめっきを施す手段と、非酸化性もしくは還
    元性の雰囲気下ではんだを加熱溶融する手段を備えたフ
    ラックスレスではんだ接合を行う装置であって、上記非
    酸化性もしくは還元性の雰囲気下ではんだを加熱溶融す
    る過程において、溶融したはんだに外力を加えて加圧
    し、はんだの新生面を露出させて濡れ性を確保する手
    段、もしくは被接合部材の自重によって溶融したはんだ
    を加圧して、はんだの新生面を露出させて濡れ性を確保
    する手段を少なくとも備えたことを特徴とする電子回路
    のフラックスレスはんだ供給または接合装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6344407B1 (en) 1999-12-20 2002-02-05 Fujitsu Limited Method of manufacturing solder bumps and solder joints using formic acid
WO2012169275A1 (ja) * 2011-06-07 2012-12-13 株式会社フジクラ 光ファイバ固定方法、及びレーザモジュールの製造方法

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