JPH10335805A - 電子部品の実装方法 - Google Patents
電子部品の実装方法Info
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- JPH10335805A JPH10335805A JP9142253A JP14225397A JPH10335805A JP H10335805 A JPH10335805 A JP H10335805A JP 9142253 A JP9142253 A JP 9142253A JP 14225397 A JP14225397 A JP 14225397A JP H10335805 A JPH10335805 A JP H10335805A
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子部品と基板とを低い温度で接合すること
によって、電子部品へのストレスを低減し、電子部品の
特性劣化を防止することが可能な電子部品の実装方法を
提供する。 【解決手段】 電子部品５の端子電極７、電子部品５を
実装する基板１の配線電極３、あるいはそれら両方の電
極に予め半田１３を供給するステップと、基板１と電子
部品５とを位置合わせするステップと、基板１と電子部
品５とを半田１３を介して密着させるステップと、半田
１３の固相線温度以下まで昇温させて、第１の接合を行
うステップと、半田１３の固相線温度以上まで昇温させ
て、第２の接合を行うステップとからなることを特徴と
する。
によって、電子部品へのストレスを低減し、電子部品の
特性劣化を防止することが可能な電子部品の実装方法を
提供する。 【解決手段】 電子部品５の端子電極７、電子部品５を
実装する基板１の配線電極３、あるいはそれら両方の電
極に予め半田１３を供給するステップと、基板１と電子
部品５とを位置合わせするステップと、基板１と電子部
品５とを半田１３を介して密着させるステップと、半田
１３の固相線温度以下まで昇温させて、第１の接合を行
うステップと、半田１３の固相線温度以上まで昇温させ
て、第２の接合を行うステップとからなることを特徴と
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子部品の実装方法
に関するものである。
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の電子部品の実装方法は、Ａｕ端子
電極が形成された電子部品を吸引可能なヒートツールに
より吸着して基板の配線電極と位置合わせした後、電子
部品をフェイスダウンして基板上にマウントするととも
に、ヒートツールを３５０℃〜４５０℃程度に昇温さ
せ、かつ、５０ｇ〜１５０ｇｆ／バンプの荷重を１０〜
６０秒間加え、Ａｕ端子電極と配線電極とを熱圧着させ
て電子部品を実装していた。
電極が形成された電子部品を吸引可能なヒートツールに
より吸着して基板の配線電極と位置合わせした後、電子
部品をフェイスダウンして基板上にマウントするととも
に、ヒートツールを３５０℃〜４５０℃程度に昇温さ
せ、かつ、５０ｇ〜１５０ｇｆ／バンプの荷重を１０〜
６０秒間加え、Ａｕ端子電極と配線電極とを熱圧着させ
て電子部品を実装していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
電子部品の実装方法では電子部品と基板との熱圧着時に
３５０℃〜４５０℃の熱負荷が電子部品に加わるという
問題があった。これはＡｕの融点が約１０６３℃と高い
ため、上述のような温度に加熱しなければＡｕの拡散が
十分進行せず、接合できないためである。従って、この
３５０℃〜４５０℃の温度に耐えることのできない電子
部品、例えば圧電素子などはこの実装方法が採用できな
かった。
電子部品の実装方法では電子部品と基板との熱圧着時に
３５０℃〜４５０℃の熱負荷が電子部品に加わるという
問題があった。これはＡｕの融点が約１０６３℃と高い
ため、上述のような温度に加熱しなければＡｕの拡散が
十分進行せず、接合できないためである。従って、この
３５０℃〜４５０℃の温度に耐えることのできない電子
部品、例えば圧電素子などはこの実装方法が採用できな
かった。
【０００４】本発明の目的は、電子部品と基板とを低い
温度で接合することによって、電子部品へのストレスを
低減し、電子部品の特性劣化を防止することが可能な電
子部品の実装方法を提供することにある。
温度で接合することによって、電子部品へのストレスを
低減し、電子部品の特性劣化を防止することが可能な電
子部品の実装方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するために電子部品の実装方法および実装構造を完
成するに至った。本願第１の発明の電子部品の実装方法
は、（１）電子部品の端子電極、前記電子部品を実装す
る基板の配線電極、あるいはそれら両方の電極に予め半
田を供給するステップと、（２）前記基板と前記電子部
品とを位置合わせするステップと、（３）前記基板と前
記電子部品とを前記半田を介して密着させるステップ
と、（４）前記半田の固相線温度以下まで昇温させて、
第１の接合を行うステップと、（５）前記半田の固相線
温度以上まで昇温させて、第２の接合を行うステップと
からなることに特徴がある。
解決するために電子部品の実装方法および実装構造を完
成するに至った。本願第１の発明の電子部品の実装方法
は、（１）電子部品の端子電極、前記電子部品を実装す
る基板の配線電極、あるいはそれら両方の電極に予め半
田を供給するステップと、（２）前記基板と前記電子部
品とを位置合わせするステップと、（３）前記基板と前
記電子部品とを前記半田を介して密着させるステップ
と、（４）前記半田の固相線温度以下まで昇温させて、
第１の接合を行うステップと、（５）前記半田の固相線
温度以上まで昇温させて、第２の接合を行うステップと
からなることに特徴がある。
【０００６】半田の融点は一般に百数十度〜二百数十度
のものが多く、電子部品の端子電極や基板の配線電極の
材質であるＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉなどの融点よりも低
い。そのため、電極材料同士を直接接合するよりも低い
作業温度（３００℃程度以内）で接合できる。
のものが多く、電子部品の端子電極や基板の配線電極の
材質であるＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉなどの融点よりも低
い。そのため、電極材料同士を直接接合するよりも低い
作業温度（３００℃程度以内）で接合できる。
【０００７】また、半田の固相線温度以下まで昇温させ
て行う第１の接合によって、半田は完全に溶融せずに、
上記電極材料と拡散接合される。これにより電気的導通
が得られた仮接合となる。
て行う第１の接合によって、半田は完全に溶融せずに、
上記電極材料と拡散接合される。これにより電気的導通
が得られた仮接合となる。
【０００８】また、半田の固相線温度以上まで昇温させ
て行う第２の接合によって、半田は少なくとも部分的に
は溶融するので上記電極材料と本接合することができ
る。
て行う第２の接合によって、半田は少なくとも部分的に
は溶融するので上記電極材料と本接合することができ
る。
【０００９】本願第２の発明の電子部品の実装方法にお
いては、前記（４）のステップは、前記半田の固相線温
度の７０％以下まで昇温させるものであることが好まし
い。第１の接合はあまり温度が高いと半田が酸化するた
め好ましくない。半田の固相線温度の７０％以下が適し
ている。ただし、あまり温度が低いと仮接合できないの
で、５０℃以上であることが好ましい。
いては、前記（４）のステップは、前記半田の固相線温
度の７０％以下まで昇温させるものであることが好まし
い。第１の接合はあまり温度が高いと半田が酸化するた
め好ましくない。半田の固相線温度の７０％以下が適し
ている。ただし、あまり温度が低いと仮接合できないの
で、５０℃以上であることが好ましい。
【００１０】本願第３の発明の電子部品の実装方法にお
いては、前記（４）のステップは、１６０℃以下まで昇
温させるものであることに特徴がある。
いては、前記（４）のステップは、１６０℃以下まで昇
温させるものであることに特徴がある。
【００１１】本願第４の発明の電子部品の実装方法にお
いては、前記半田はＳｎ−Ａｇ系半田であることに特徴
がある。
いては、前記半田はＳｎ−Ａｇ系半田であることに特徴
がある。
【００１２】本願第５の発明の電子部品の実装方法にお
いては、前記半田はＳｎ−Ｃｕ系半田であることに特徴
がある。
いては、前記半田はＳｎ−Ｃｕ系半田であることに特徴
がある。
【００１３】本願第６の発明の電子部品の実装方法にお
いては、前記第４の発明に関連づけられ、前記固相線温
度は２２１℃であることに特徴がある。
いては、前記第４の発明に関連づけられ、前記固相線温
度は２２１℃であることに特徴がある。
【００１４】本願第７の発明の電子部品の実装方法にお
いては、前記第５の発明に関連づけられ、前記固相線温
度は２２７℃であることに特徴がある。
いては、前記第５の発明に関連づけられ、前記固相線温
度は２２７℃であることに特徴がある。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の（１）のステップにおい
て、予め半田を供給する方法としては、半田メッキを用
いる方法や、ワイヤボンディングを用いて半田バンプを
形成する方法などが代表的である。
て、予め半田を供給する方法としては、半田メッキを用
いる方法や、ワイヤボンディングを用いて半田バンプを
形成する方法などが代表的である。
【００１６】また、半田の供給は電子部品の端子電極の
みの場合、基板の配線電極のみの場合、あるいはそれら
両方の電極の場合のうちいずれを選択してもよい。
みの場合、基板の配線電極のみの場合、あるいはそれら
両方の電極の場合のうちいずれを選択してもよい。
【００１７】本発明の（２）のステップにおいて、基板
と電子部品とを位置合わせするとは、相互に対向するこ
とを意味するものであり、手段、方法等は特に限定され
ない。
と電子部品とを位置合わせするとは、相互に対向するこ
とを意味するものであり、手段、方法等は特に限定され
ない。
【００１８】本発明の（３）のステップにおいて、半田
を介して密着させる方法としては、電子部品側から圧力
をかけて圧着する方法や、接合部以外に接着剤を塗布し
圧着する方法などが代表的である。
を介して密着させる方法としては、電子部品側から圧力
をかけて圧着する方法や、接合部以外に接着剤を塗布し
圧着する方法などが代表的である。
【００１９】本発明の（４）のステップにおいて、半田
の固相線温度以下まで昇温させるとは、固相線温度以下
の所望の温度まで昇温させることを意味するものであ
る。
の固相線温度以下まで昇温させるとは、固相線温度以下
の所望の温度まで昇温させることを意味するものであ
る。
【００２０】また、第１の接合を行うとは、半田を溶融
させずに電気的導通を得る接合を意味するものであり、
このときに半田材料は電極と固相拡散により接合される
ので第１の接合が可能となる。
させずに電気的導通を得る接合を意味するものであり、
このときに半田材料は電極と固相拡散により接合される
ので第１の接合が可能となる。
【００２１】本発明の（５）のステップにおいて、半田
の固相線温度以上まで昇温させるとは、固相線温度以上
の所望の温度まで昇温させることを意味するものであ
る。
の固相線温度以上まで昇温させるとは、固相線温度以上
の所望の温度まで昇温させることを意味するものであ
る。
【００２２】また、第２の接合を行うとは、半田を少な
くとも部分的に溶融させて電極間に流動し、それを凝固
させて再び固体とすることを意味するものであり、少な
くとも固相線温度以上まで加熱する必要がある。
くとも部分的に溶融させて電極間に流動し、それを凝固
させて再び固体とすることを意味するものであり、少な
くとも固相線温度以上まで加熱する必要がある。
【００２３】また、半田組成の例としては、Ｓｎ−Ａｇ
二元半田、Ｓｎ−Ｃｕ二元半田、Ｓｎ−Ｐｂ二元半田な
どが代表的であり、不可避不純物は含まれる。なお、半
田は共晶半田でなくても合金半田であればよい。共晶半
田の場合には固相線温度と液相線温度が一致するので、
固相線温度以下および固相線温度以上というのは、それ
ぞれ液相線温度以下、液相線温度以上と表現しても同じ
である。また、ＩｎやＢｉなどを含む三元素以上からな
る半田も本発明には適用可能である。
二元半田、Ｓｎ−Ｃｕ二元半田、Ｓｎ−Ｐｂ二元半田な
どが代表的であり、不可避不純物は含まれる。なお、半
田は共晶半田でなくても合金半田であればよい。共晶半
田の場合には固相線温度と液相線温度が一致するので、
固相線温度以下および固相線温度以上というのは、それ
ぞれ液相線温度以下、液相線温度以上と表現しても同じ
である。また、ＩｎやＢｉなどを含む三元素以上からな
る半田も本発明には適用可能である。
【００２４】本発明で用いられる電子部品としては、半
導体素子、表面波素子、圧電素子等が代表的である。
導体素子、表面波素子、圧電素子等が代表的である。
【００２５】次に、本発明に基づき、さらに具体的に説
明するが、本発明はかかる実施例のみに限定されるもの
ではない。
明するが、本発明はかかる実施例のみに限定されるもの
ではない。
【００２６】
【実施例】 （実施例１）図１は本発明の一実施例である電子部品の
実装方法の１ステップを示す部分断面図である。図１に
おいて、１は基板、３はＡｕ配線電極、５は電子部品、
７はＡｌ端子電極、９はＡｕバンプ、１１は半田であ
る。
実装方法の１ステップを示す部分断面図である。図１に
おいて、１は基板、３はＡｕ配線電極、５は電子部品、
７はＡｌ端子電極、９はＡｕバンプ、１１は半田であ
る。
【００２７】以下、本実施例の電子部品の実装方法のス
テップを説明する。まず、電子部品５のＡｌ端子電極７
上にワイヤボンディング法を用いてＡｕバンプ９を形成
し、溶融半田槽に浸漬して半田１１を供給する。半田１
１はＳｎ／Ｐｂ共晶半田を用いる。なお、Ｓｎ／Ｐｂ共
晶半田の融点（共晶温度）は１８３℃である。
テップを説明する。まず、電子部品５のＡｌ端子電極７
上にワイヤボンディング法を用いてＡｕバンプ９を形成
し、溶融半田槽に浸漬して半田１１を供給する。半田１
１はＳｎ／Ｐｂ共晶半田を用いる。なお、Ｓｎ／Ｐｂ共
晶半田の融点（共晶温度）は１８３℃である。
【００２８】次に、基板１のＡｕ配線電極３と電子部品
５のＡｕバンプ９とを位置合わせし、半田１１を介して
Ａｕ配線電極３とＡｕバンプ９とを図示しないプレスツ
ールにより荷重を加えて密着させる。
５のＡｕバンプ９とを位置合わせし、半田１１を介して
Ａｕ配線電極３とＡｕバンプ９とを図示しないプレスツ
ールにより荷重を加えて密着させる。
【００２９】続いて、プレスツールにより荷重を加えた
まま、半田１１を共晶温度１８３℃以下の温度、例えば
１５０℃に加熱し、電気的導通を得る（第１の接合）。
なお、このときに電子部品５の特性チェックを行い、も
し不良品であった場合には基板１から取り外してリペア
を行う。第１の接合では半田１１が完全に溶融して接合
しているものではないので、比較的容易に取り外しが可
能である。
まま、半田１１を共晶温度１８３℃以下の温度、例えば
１５０℃に加熱し、電気的導通を得る（第１の接合）。
なお、このときに電子部品５の特性チェックを行い、も
し不良品であった場合には基板１から取り外してリペア
を行う。第１の接合では半田１１が完全に溶融して接合
しているものではないので、比較的容易に取り外しが可
能である。
【００３０】上記特性チェックで問題がなければ市販の
リフロー半田付け炉において、半田１１を共晶温度１８
３℃以上の温度、例えば２００℃に加熱し、半田１１を
溶融させて接合する（第２の接合）。
リフロー半田付け炉において、半田１１を共晶温度１８
３℃以上の温度、例えば２００℃に加熱し、半田１１を
溶融させて接合する（第２の接合）。
【００３１】最後に、リフロー半田付け炉から搬出して
半田１１の温度を降下させ、半田１１を硬化させて電子
部品５を基板１に完全に固定する。
半田１１の温度を降下させ、半田１１を硬化させて電子
部品５を基板１に完全に固定する。
【００３２】（実施例２）実施例１の図１を用いて説明
する。図１において、半田については組成が異なるので
符号を半田１３とする。以下、本実施例の電子部品の実
装方法のステップを説明する。まず、電子部品５のＡｌ
端子電極７上にワイヤボンディング法を用いてＡｕバン
プ９を形成し、溶融半田槽に浸漬して半田１３を供給す
る。半田１３は９６．５Ｓｎ−３．５Ａｇ半田（固相線
温度２２１℃）を用いる。
する。図１において、半田については組成が異なるので
符号を半田１３とする。以下、本実施例の電子部品の実
装方法のステップを説明する。まず、電子部品５のＡｌ
端子電極７上にワイヤボンディング法を用いてＡｕバン
プ９を形成し、溶融半田槽に浸漬して半田１３を供給す
る。半田１３は９６．５Ｓｎ−３．５Ａｇ半田（固相線
温度２２１℃）を用いる。
【００３３】次に、基板１のＡｕ配線電極３と電子部品
５のＡｕバンプ９とを位置合わせし、半田１３を介して
Ａｕ配線電極３とＡｕバンプ９とを図示しないプレスツ
ールにより荷重を加えて密着させる。
５のＡｕバンプ９とを位置合わせし、半田１３を介して
Ａｕ配線電極３とＡｕバンプ９とを図示しないプレスツ
ールにより荷重を加えて密着させる。
【００３４】続いて、プレスツールにより荷重を加えた
まま、９６．５Ｓｎ−３．５Ａｇ半田１３を固相線温度
２２１℃以下の温度、例えば１００℃に加熱し、電気的
導通を得る（第１の接合）。なお、このときに電子部品
５の特性チェックを行い、もし不良品であった場合には
基板１から取り外してリペアを行う。第１の接合では半
田１３が完全に溶融して接合しているものではないの
で、比較的容易に取り外しが可能である。
まま、９６．５Ｓｎ−３．５Ａｇ半田１３を固相線温度
２２１℃以下の温度、例えば１００℃に加熱し、電気的
導通を得る（第１の接合）。なお、このときに電子部品
５の特性チェックを行い、もし不良品であった場合には
基板１から取り外してリペアを行う。第１の接合では半
田１３が完全に溶融して接合しているものではないの
で、比較的容易に取り外しが可能である。
【００３５】上記特性チェックで問題がなければ市販の
リフロー半田付け炉において、半田１３を固相線温度２
２１℃以上の温度、例えば３００℃に加熱し接合する
（第２の接合）。
リフロー半田付け炉において、半田１３を固相線温度２
２１℃以上の温度、例えば３００℃に加熱し接合する
（第２の接合）。
【００３６】最後に、リフロー半田付け炉から搬出して
半田１３の温度を降下させ、半田１３を硬化させて電子
部品５を基板１に完全に固定する。
半田１３の温度を降下させ、半田１３を硬化させて電子
部品５を基板１に完全に固定する。
【００３７】なお、９８．７Ｓｎ−１．３Ｃｕ半田（固
相線温度２２７℃）を用いた場合には、固相線温度２２
７℃以下の温度として、例えば１００℃に設定し、固相
線温度２２７℃以上の温度として、例えば３００℃に設
定し、上記と同様の方法で電子部品を実装すればよい。
相線温度２２７℃）を用いた場合には、固相線温度２２
７℃以下の温度として、例えば１００℃に設定し、固相
線温度２２７℃以上の温度として、例えば３００℃に設
定し、上記と同様の方法で電子部品を実装すればよい。
【００３８】（実施例３）表１に、試料１〜試料７の半
田組成に対する第１の接合温度と第２の接合温度とを設
定した場合の評価結果を示す。
田組成に対する第１の接合温度と第２の接合温度とを設
定した場合の評価結果を示す。
【００３９】
【表１】
【００４０】ヒートサイクル試験は、まず試料１〜試料
７の半田を電子部品に設けたＡｕバンプに塗布し、回路
基板（配線電極には半田なし）に実装し、その後−４０
℃／＋８５℃、各３０分、１０００サイクルの条件で試
験を行った。なお、ヒートサイクル試験の評価結果は、
◎：非常に良好である、○：良好である、△：実用上問
題なし、とした。
７の半田を電子部品に設けたＡｕバンプに塗布し、回路
基板（配線電極には半田なし）に実装し、その後−４０
℃／＋８５℃、各３０分、１０００サイクルの条件で試
験を行った。なお、ヒートサイクル試験の評価結果は、
◎：非常に良好である、○：良好である、△：実用上問
題なし、とした。
【００４１】評価結果から、第１の接合温度は低い方が
よく、半田の固相線温度の７０％以下であることが好ま
しい。なお、より好ましくは半田の固相線温度の６０％
以下とすれば良いことが表１より示される。また、第２
の接合温度は半田の固相線温度以上であればよいことが
分かる。
よく、半田の固相線温度の７０％以下であることが好ま
しい。なお、より好ましくは半田の固相線温度の６０％
以下とすれば良いことが表１より示される。また、第２
の接合温度は半田の固相線温度以上であればよいことが
分かる。
【００４２】
【発明の効果】本発明の電子部品の実装方法を用いれ
ば、従来のように電子部品の端子電極を直接加熱、加圧
することにより端子電極を拡散させて接合するのではな
く、半田が溶融する低い温度で接合することによって、
電子部品へのストレスを低減し、電子部品の特性劣化を
防止することが可能である。よって、耐熱性の低い電子
部品にも適用することが可能である。
ば、従来のように電子部品の端子電極を直接加熱、加圧
することにより端子電極を拡散させて接合するのではな
く、半田が溶融する低い温度で接合することによって、
電子部品へのストレスを低減し、電子部品の特性劣化を
防止することが可能である。よって、耐熱性の低い電子
部品にも適用することが可能である。
【００４３】また、仮接合となる第１の接合、本接合と
なる第２の接合の２段階の接合ステップを有することに
よって、実装ステップにおける電子部品の特性チェック
等の結果に応じて電子部品の取り外しが必要となった場
合に、比較的容易に行うことが可能である。
なる第２の接合の２段階の接合ステップを有することに
よって、実装ステップにおける電子部品の特性チェック
等の結果に応じて電子部品の取り外しが必要となった場
合に、比較的容易に行うことが可能である。
【００４４】さらに、第１の接合によって仮固定が行わ
れているので、第２の接合においてフラックスを用いず
とも半田を溶融させることで相互拡散が進行し、より確
実な接合が可能である。
れているので、第２の接合においてフラックスを用いず
とも半田を溶融させることで相互拡散が進行し、より確
実な接合が可能である。
【図１】本発明の一実施例である電子部品の実装方法の
１ステップを示す部分断面図。
１ステップを示す部分断面図。
１ 基板 ３ Ａｕ配線電極 ５ 電子部品 ７ Ａｌ端子電極 ９ Ａｕバンプ １１、１３ 半田
Claims (7)
- 【請求項１】（１）電子部品の端子電極、前記電子部品
を実装する基板の配線電極、あるいはそれら両方の電極
に予め半田を供給するステップと、（２）前記基板と前
記電子部品とを位置合わせするステップと、（３）前記
基板と前記電子部品とを前記半田を介して密着させるス
テップと、（４）前記半田の固相線温度以下まで昇温さ
せて、第１の接合を行うステップと、（５）前記半田の
固相線温度以上まで昇温させて、第２の接合を行うステ
ップと、からなることを特徴とする電子部品の実装方
法。 - 【請求項２】 前記（４）のステップは、前記半田の固
相線温度の７０％以下まで昇温させるものであることを
特徴とする請求項１に記載の電子部品の実装方法。 - 【請求項３】 前記（４）のステップは、１６０℃以下
まで昇温させるものであることを特徴とする請求項１に
記載の電子部品の実装方法。 - 【請求項４】 前記半田はＳｎ−Ａｇ系半田であること
を特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の
電子部品の実装方法。 - 【請求項５】 前記半田はＳｎ−Ｃｕ系半田であること
を特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の
電子部品の実装方法。 - 【請求項６】 前記固相線温度は２２１℃であることを
特徴とする請求項４に記載の電子部品の実装方法。 - 【請求項７】 前記固相線温度は２２７℃であることを
特徴とする請求項５に記載の電子部品の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9142253A JPH10335805A (ja) | 1997-05-30 | 1997-05-30 | 電子部品の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9142253A JPH10335805A (ja) | 1997-05-30 | 1997-05-30 | 電子部品の実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10335805A true JPH10335805A (ja) | 1998-12-18 |
Family
ID=15311024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9142253A Pending JPH10335805A (ja) | 1997-05-30 | 1997-05-30 | 電子部品の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10335805A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009038052A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Hitachi Ltd | リフロー装置の温度を自動的に設定する方法 |
| JP2009130313A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-11 | Nec Electronics Corp | 電子装置の製造方法 |
| JP2011035155A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2014183100A (ja) * | 2013-03-18 | 2014-09-29 | Fujitsu Ltd | 電子部品の接合方法および電子機器 |
| JP2021110875A (ja) * | 2020-01-14 | 2021-08-02 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co., Ltd. | ディスプレイ装置の製造方法、ディスプレイ装置、およびディスプレイ装置製造用中間体 |
-
1997
- 1997-05-30 JP JP9142253A patent/JPH10335805A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009038052A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Hitachi Ltd | リフロー装置の温度を自動的に設定する方法 |
| JP2009130313A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-11 | Nec Electronics Corp | 電子装置の製造方法 |
| JP2011035155A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2014183100A (ja) * | 2013-03-18 | 2014-09-29 | Fujitsu Ltd | 電子部品の接合方法および電子機器 |
| JP2021110875A (ja) * | 2020-01-14 | 2021-08-02 | 三星電子株式会社Samsung Electronics Co., Ltd. | ディスプレイ装置の製造方法、ディスプレイ装置、およびディスプレイ装置製造用中間体 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060803 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060829 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070116 |