JP2001358277A - ピン立設基板 - Google Patents
ピン立設基板Info
- Publication number
- JP2001358277A JP2001358277A JP2000370311A JP2000370311A JP2001358277A JP 2001358277 A JP2001358277 A JP 2001358277A JP 2000370311 A JP2000370311 A JP 2000370311A JP 2000370311 A JP2000370311 A JP 2000370311A JP 2001358277 A JP2001358277 A JP 2001358277A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pin
- rod
- solder
- flat surface
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
- H05K3/3426—Leaded components characterised by the leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15312—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
- Multi-Conductor Connections (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ピンに応力が掛かっても破壊されにくいピン
立設基板を提供すること。 【解決手段】 ピン立設樹脂製基板１は、ピンパッド９
ＡＰが露出する樹脂製基板３と、棒状部３１Ａ及び径大
部３１Ｂを有し、径大部３１Ｂがピンパッド９ＡＰ側に
向けられたピン３１と、これらを接合するハンダＨＤと
を備える。そして、ハンダＨＤは、ピンパッド９ＡＰか
ら径大部３１Ｂの棒側平面３１ＢＨの周縁部３１ＢＨＳ
を越えて、棒状部３１Ａにまでは届かないで棒側平面３
１ＢＨ上に濡れ拡がっている。
立設基板を提供すること。 【解決手段】 ピン立設樹脂製基板１は、ピンパッド９
ＡＰが露出する樹脂製基板３と、棒状部３１Ａ及び径大
部３１Ｂを有し、径大部３１Ｂがピンパッド９ＡＰ側に
向けられたピン３１と、これらを接合するハンダＨＤと
を備える。そして、ハンダＨＤは、ピンパッド９ＡＰか
ら径大部３１Ｂの棒側平面３１ＢＨの周縁部３１ＢＨＳ
を越えて、棒状部３１Ａにまでは届かないで棒側平面３
１ＢＨ上に濡れ拡がっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、入出力端子として
のピンを基板に立設したピン立設基板に関し、特に、ピ
ンと基板との接合強度を向上させることができるピン立
設基板に関する。
のピンを基板に立設したピン立設基板に関し、特に、ピ
ンと基板との接合強度を向上させることができるピン立
設基板に関する。
【０００２】
【関連する技術】入出力端子としてのピンを基板に立設
したピン立設基板がある。例えば、図４に部分拡大断面
図を示すピン立設基板２０１が挙げられる。このピン立
設基板２０１は、略矩形の略板形状の基板２０３と、こ
れに立設された多数のピン２２１とからなる。
したピン立設基板がある。例えば、図４に部分拡大断面
図を示すピン立設基板２０１が挙げられる。このピン立
設基板２０１は、略矩形の略板形状の基板２０３と、こ
れに立設された多数のピン２２１とからなる。
【０００３】このうち基板２０３は、内部や表面に配線
層（図示しない）が形成された絶縁層２０５を有し、主
面２０３Ａ側（図中上方）には、ソルダーレジスト層２
０７から露出するピンパッド２０９が多数形成されてい
る。一方、ピン２２１は、略円柱形状の棒状部２２１Ａ
と、この図中下側の端部に形成され、ピンパッド２０９
側に向かって略半球状に膨出した径大部２２１Ｂとから
構成されている。そして、ピン２２１は、その径大部２
２１Ｂがピンパッド２０９にハンダＨＡで固着されるこ
とにより、基板２０３に固着されている。
層（図示しない）が形成された絶縁層２０５を有し、主
面２０３Ａ側（図中上方）には、ソルダーレジスト層２
０７から露出するピンパッド２０９が多数形成されてい
る。一方、ピン２２１は、略円柱形状の棒状部２２１Ａ
と、この図中下側の端部に形成され、ピンパッド２０９
側に向かって略半球状に膨出した径大部２２１Ｂとから
構成されている。そして、ピン２２１は、その径大部２
２１Ｂがピンパッド２０９にハンダＨＡで固着されるこ
とにより、基板２０３に固着されている。
【０００４】このようなピン立設基板２０１は、ピン２
２１の径大部２２１Ｂが略半球状になっているため、例
えば、径大部が釘頭状のピンなどに比して、径大部２２
１Ｂとピンパッド２０９との間に、ハンダＨＡを多く確
保することができる。また、径大部２２１Ｂが略半球状
になっているので、ピン２２１に応力が掛かったとき
に、応力が特定の点にだけ集中することなく、接合部分
全体で吸収されやすい。従って、径大部が釘頭状のピン
などを用いたピン立設基板に比して、このピン立設基板
２０１は、ピン２２１と基板２０３（ピンパッド２０
９）の接合強度を高くすることができる。
２１の径大部２２１Ｂが略半球状になっているため、例
えば、径大部が釘頭状のピンなどに比して、径大部２２
１Ｂとピンパッド２０９との間に、ハンダＨＡを多く確
保することができる。また、径大部２２１Ｂが略半球状
になっているので、ピン２２１に応力が掛かったとき
に、応力が特定の点にだけ集中することなく、接合部分
全体で吸収されやすい。従って、径大部が釘頭状のピン
などを用いたピン立設基板に比して、このピン立設基板
２０１は、ピン２２１と基板２０３（ピンパッド２０
９）の接合強度を高くすることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ピン２
２１とピンパッド２０９とを接合するハンダＨＡの量が
少ないと、ピン２２１とピンパッド２０９との接合強度
が足りないため、ピン２２１に応力が掛かったときに、
この接合部分で破壊されることがある。具体的に言う
と、図４に示すように、ハンダＨＡが径大部２２１Ｂの
球面２２１ＢＫにのみ溶着して、ハンダＨＡにくびれが
生じているような場合には、ピン２２１に応力が掛かっ
たときに、その応力がハンダＨＡのくびれ部分近傍に集
中しやすい。従って、ピン２２１に応力が掛かったとき
に、この部分で破壊されやすい。
２１とピンパッド２０９とを接合するハンダＨＡの量が
少ないと、ピン２２１とピンパッド２０９との接合強度
が足りないため、ピン２２１に応力が掛かったときに、
この接合部分で破壊されることがある。具体的に言う
と、図４に示すように、ハンダＨＡが径大部２２１Ｂの
球面２２１ＢＫにのみ溶着して、ハンダＨＡにくびれが
生じているような場合には、ピン２２１に応力が掛かっ
たときに、その応力がハンダＨＡのくびれ部分近傍に集
中しやすい。従って、ピン２２１に応力が掛かったとき
に、この部分で破壊されやすい。
【０００６】一方、ピン２２１とピンパッド２０９とを
接合するハンダＨＡの量が多すぎても、ピン２２１に応
力が掛かったときに、接合部分で破壊されることがあ
る。具体的に言うと、図４中に破線で示すように、ハン
ダＨＡが径大部２２１Ｂの棒側平面２２１ＢＨ全面及び
棒状部２２１Ａに濡れ拡がり、棒側平面２２１ＢＨ上に
大きなフィレットＦを形成している場合である。このよ
うな場合、ピン２２１に応力が掛かったときに、ピン２
２１の棒状部２２１Ａに多量のハンダＨＡが溶着してい
るので、ピン２２１自体は変形しにくく、よって、応力
を吸収しにくい。従って、ピンに掛かった応力がそのま
ま接合部分に掛かり、接合部分で破壊されやすくなる。
接合するハンダＨＡの量が多すぎても、ピン２２１に応
力が掛かったときに、接合部分で破壊されることがあ
る。具体的に言うと、図４中に破線で示すように、ハン
ダＨＡが径大部２２１Ｂの棒側平面２２１ＢＨ全面及び
棒状部２２１Ａに濡れ拡がり、棒側平面２２１ＢＨ上に
大きなフィレットＦを形成している場合である。このよ
うな場合、ピン２２１に応力が掛かったときに、ピン２
２１の棒状部２２１Ａに多量のハンダＨＡが溶着してい
るので、ピン２２１自体は変形しにくく、よって、応力
を吸収しにくい。従って、ピンに掛かった応力がそのま
ま接合部分に掛かり、接合部分で破壊されやすくなる。
【０００７】また、略半球状の径大部２２１Ｂを有する
ピン２２１は、釘頭状の径大部を有するピンに比して、
一般的に径大部２２１Ｂの重心が高いので、ハンダＨＡ
量が多いと、ピン２２１に応力が掛かったときに、接合
部分で破壊されやすくなる。このように、特に、ピン２
２１は球面２２１ＢＫを有しているために、一般の釘頭
状の径大部を有するピンに比べて、径大部２２１Ｂの厚
さが厚くなっているので、ハンダＨＡが棒側平面２２１
ＢＨ上に大きなフィレットＦを形成している場合には、
接合部分の強度がかえって低くなることがあるという特
有の問題があった。
ピン２２１は、釘頭状の径大部を有するピンに比して、
一般的に径大部２２１Ｂの重心が高いので、ハンダＨＡ
量が多いと、ピン２２１に応力が掛かったときに、接合
部分で破壊されやすくなる。このように、特に、ピン２
２１は球面２２１ＢＫを有しているために、一般の釘頭
状の径大部を有するピンに比べて、径大部２２１Ｂの厚
さが厚くなっているので、ハンダＨＡが棒側平面２２１
ＢＨ上に大きなフィレットＦを形成している場合には、
接合部分の強度がかえって低くなることがあるという特
有の問題があった。
【０００８】本発明はかかる現状に鑑みてなされたもの
であって、ピンに応力が掛かっても破壊されにくいピン
立設基板を提供することを目的とする。
であって、ピンに応力が掛かっても破壊されにくいピン
立設基板を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】その解決
手段は、主面を有する略板形状をなし、上記主面に露出
したピンパッドを有する基板と、棒状部、並びに、この
棒状部より径大でこの棒状部の一方の端部に形成された
径大部であって、この棒状部側に面する棒側平面、及
び、この棒状部と反対の方向に向かって膨らむ球面を含
む径大部、を有するピンと、上記ピンパッドと上記ピン
のうち少なくとも上記径大部とを接合するハンダと、を
備え、上記ハンダは、上記ピンパッドから上記径大部の
棒側平面の周縁部を越えて、上記棒状部にまでは届かな
いで上記棒側平面上に濡れ拡がっており、または、上記
ハンダは、上記ピンパッドから上記径大部の棒側平面の
周縁部を越えて上記棒側平面全面及び上記棒状部に濡れ
拡がり、かつ、フィレット面と上記棒側平面とのなす角
が５０度以下であるフィレットが上記棒側平面上に形成
されているピン立設基板である。
手段は、主面を有する略板形状をなし、上記主面に露出
したピンパッドを有する基板と、棒状部、並びに、この
棒状部より径大でこの棒状部の一方の端部に形成された
径大部であって、この棒状部側に面する棒側平面、及
び、この棒状部と反対の方向に向かって膨らむ球面を含
む径大部、を有するピンと、上記ピンパッドと上記ピン
のうち少なくとも上記径大部とを接合するハンダと、を
備え、上記ハンダは、上記ピンパッドから上記径大部の
棒側平面の周縁部を越えて、上記棒状部にまでは届かな
いで上記棒側平面上に濡れ拡がっており、または、上記
ハンダは、上記ピンパッドから上記径大部の棒側平面の
周縁部を越えて上記棒側平面全面及び上記棒状部に濡れ
拡がり、かつ、フィレット面と上記棒側平面とのなす角
が５０度以下であるフィレットが上記棒側平面上に形成
されているピン立設基板である。
【００１０】本発明では、ピンとピンパッドとを接合す
るハンダは、ピンパッドから径大部の棒側平面の周縁部
を越えて、棒状部にまでは届かないで棒側平面上に濡れ
拡がっている。あるいは、ピンとピンパッドとを接合す
るハンダは、ピンパッドから径大部の棒側平面の周縁部
を越えて棒側平面全面及び棒状部に濡れ拡がっている
が、棒側平面上に形成されたハンダによるフィレット
は、そのフィレット面と棒側平面とのなす角が５０度以
下の比較的小さなフィレットである。
るハンダは、ピンパッドから径大部の棒側平面の周縁部
を越えて、棒状部にまでは届かないで棒側平面上に濡れ
拡がっている。あるいは、ピンとピンパッドとを接合す
るハンダは、ピンパッドから径大部の棒側平面の周縁部
を越えて棒側平面全面及び棒状部に濡れ拡がっている
が、棒側平面上に形成されたハンダによるフィレット
は、そのフィレット面と棒側平面とのなす角が５０度以
下の比較的小さなフィレットである。
【００１１】このようにハンダが径大部の棒側平面の周
縁部を越えて棒側平面まで濡れ拡がっている場合、径大
部の棒側平面とピンパットとの間で略円錐台状のフィレ
ットが形成され、ピンとピンパッドの接合に十分な量の
ハンダが確保されている。従って、ピンに応力が掛かっ
ても、ハンダ量が少ないことに起因する接合部分の破壊
が抑制される。また一方で、径大部の棒側平面上にハン
ダによるフィレットが形成されている場合でも、このフ
ィレットは比較的小さくなっているので、ピンに応力が
掛かったときに、ピン自体もある程度変形して応力を吸
収する。従って、接合部分に掛かる応力が軽減され、そ
の結果、接合部分で破壊されにくくなる。
縁部を越えて棒側平面まで濡れ拡がっている場合、径大
部の棒側平面とピンパットとの間で略円錐台状のフィレ
ットが形成され、ピンとピンパッドの接合に十分な量の
ハンダが確保されている。従って、ピンに応力が掛かっ
ても、ハンダ量が少ないことに起因する接合部分の破壊
が抑制される。また一方で、径大部の棒側平面上にハン
ダによるフィレットが形成されている場合でも、このフ
ィレットは比較的小さくなっているので、ピンに応力が
掛かったときに、ピン自体もある程度変形して応力を吸
収する。従って、接合部分に掛かる応力が軽減され、そ
の結果、接合部分で破壊されにくくなる。
【００１２】また、フィレットが比較的小さくなってい
るので、ピンが球面を含む径大部を有することで、釘頭
状の径大部を有するピンなどに比して、その径大部の重
心が高いにも拘わらず、ピンに応力が掛かったときに、
接合部分で破壊されにくくなる。このことから、本発明
のピン立設基板は、ピンに応力が掛かっても破壊されに
くく、その信頼性を高くすることができる。
るので、ピンが球面を含む径大部を有することで、釘頭
状の径大部を有するピンなどに比して、その径大部の重
心が高いにも拘わらず、ピンに応力が掛かったときに、
接合部分で破壊されにくくなる。このことから、本発明
のピン立設基板は、ピンに応力が掛かっても破壊されに
くく、その信頼性を高くすることができる。
【００１３】なお、ピンとしては、上記棒状部及び径大
部を有するものであれば良く、純銅（無酸素銅）、１９
４合金（銅合金）、コバール（鉄・ニッケル・コバルト
合金）、４２合金（鉄・ニッケル合金）などの材質によ
り、一体成形されたピンが挙げられる。また、棒状部と
径大部とが接合されたピンや、径大部の一部が接合され
たピン（例えば、釘頭状のピンに略半球状の部材が接合
されたもの）などであっても良い。さらに、複数の部材
により接合されたピンにおいては、各部材の材質が異な
っているもの（例えば、コバールからなる釘頭状のピン
に、共晶銀ロウなどのロウ材からなる略半球状の部材が
接合されたものなど）であっても良い。また、基板とし
ては、主面に露出するピンパッドを有するものであれば
良く、樹脂または樹脂を含む複合材料から構成された樹
脂製基板であっても、アルミナやガラスセラミック等か
ら構成されたセラミック製基板であっても良い。さら
に、基板としては、配線等の導体層が形成された配線基
板や多層配線基板が挙げられる。
部を有するものであれば良く、純銅（無酸素銅）、１９
４合金（銅合金）、コバール（鉄・ニッケル・コバルト
合金）、４２合金（鉄・ニッケル合金）などの材質によ
り、一体成形されたピンが挙げられる。また、棒状部と
径大部とが接合されたピンや、径大部の一部が接合され
たピン（例えば、釘頭状のピンに略半球状の部材が接合
されたもの）などであっても良い。さらに、複数の部材
により接合されたピンにおいては、各部材の材質が異な
っているもの（例えば、コバールからなる釘頭状のピン
に、共晶銀ロウなどのロウ材からなる略半球状の部材が
接合されたものなど）であっても良い。また、基板とし
ては、主面に露出するピンパッドを有するものであれば
良く、樹脂または樹脂を含む複合材料から構成された樹
脂製基板であっても、アルミナやガラスセラミック等か
ら構成されたセラミック製基板であっても良い。さら
に、基板としては、配線等の導体層が形成された配線基
板や多層配線基板が挙げられる。
【００１４】また、本発明に適用されるハンダとして
は、基板の耐熱性等を考慮して公知のハンダから適宜選
択することができる。なおハンダとは、融点が４５０℃
以下の軟ロウ材を指す。但し、ピンの表面にＡｕメッキ
層が形成されている場合には、ハンダとの濡れ性が良好
となりやすく、ハンダがピンの棒側平面に広く濡れ拡が
ったり、ピンの棒状部へ高く這い上がったりする傾向が
ある。そこで、Ａｕメッキ層が形成されたピンを用いる
場合には、ハンダの濡れ拡がりや這い上がりを抑制する
ため、比較的Ａｕメッキ層との濡れ性が低い特性を持つ
Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｐｂ−Ｓｎ−Ｓｂ系などのＳｂを含有す
るハンダを用いるのが好ましい。特にＳｂの含有量が３
ｗｔ％以上のハンダが好ましい。Ｓｂの含有量を３ｗｔ
％以上とすることにより、ハンダの濡れ性の低下がはっ
きりと現れ、確実にハンダの濡れ拡がりや這い上がりを
防止できる。一方、ハンダ濡れ性の極端な低下によるハ
ンダ接合の困難を回避するため、Ｓｂの含有量を１５ｗ
ｔ％以下とすると良い。このようなハンダの例として
は、９５Ｓｎ−５Ｓｂ（融点２３５〜２４０℃）、８２
Ｐｂ−１０Ｓｎ−８Ｓｂ（融点２５５〜２５７℃）など
のハンダが挙げられる。特に、ピン表面のＡｕメッキ層
の厚さが０．０４μｍ以上の場合には、ハンダ濡れ性が
高くなり、ハンダの濡れ拡がりが広く、また這い上がり
が高くなりやすいので、上記のようなハンダの材質の選
択による濡れ拡がりや這い上がりの抑制が重要となる。
は、基板の耐熱性等を考慮して公知のハンダから適宜選
択することができる。なおハンダとは、融点が４５０℃
以下の軟ロウ材を指す。但し、ピンの表面にＡｕメッキ
層が形成されている場合には、ハンダとの濡れ性が良好
となりやすく、ハンダがピンの棒側平面に広く濡れ拡が
ったり、ピンの棒状部へ高く這い上がったりする傾向が
ある。そこで、Ａｕメッキ層が形成されたピンを用いる
場合には、ハンダの濡れ拡がりや這い上がりを抑制する
ため、比較的Ａｕメッキ層との濡れ性が低い特性を持つ
Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｐｂ−Ｓｎ−Ｓｂ系などのＳｂを含有す
るハンダを用いるのが好ましい。特にＳｂの含有量が３
ｗｔ％以上のハンダが好ましい。Ｓｂの含有量を３ｗｔ
％以上とすることにより、ハンダの濡れ性の低下がはっ
きりと現れ、確実にハンダの濡れ拡がりや這い上がりを
防止できる。一方、ハンダ濡れ性の極端な低下によるハ
ンダ接合の困難を回避するため、Ｓｂの含有量を１５ｗ
ｔ％以下とすると良い。このようなハンダの例として
は、９５Ｓｎ−５Ｓｂ（融点２３５〜２４０℃）、８２
Ｐｂ−１０Ｓｎ−８Ｓｂ（融点２５５〜２５７℃）など
のハンダが挙げられる。特に、ピン表面のＡｕメッキ層
の厚さが０．０４μｍ以上の場合には、ハンダ濡れ性が
高くなり、ハンダの濡れ拡がりが広く、また這い上がり
が高くなりやすいので、上記のようなハンダの材質の選
択による濡れ拡がりや這い上がりの抑制が重要となる。
【００１５】さらに、上記のピン立設基板であって、前
記ハンダは、前記ピンパッドから前記径大部の棒側平面
の周縁部を越えて上記棒側平面全面及び前記棒状部に濡
れ拡がり、かつ、前記フィレット面と上記棒側平面との
なす角が５度以上４０度以下である前記フィレットが上
記棒側平面上に形成されているピン立設基板とすると良
い。
記ハンダは、前記ピンパッドから前記径大部の棒側平面
の周縁部を越えて上記棒側平面全面及び前記棒状部に濡
れ拡がり、かつ、前記フィレット面と上記棒側平面との
なす角が５度以上４０度以下である前記フィレットが上
記棒側平面上に形成されているピン立設基板とすると良
い。
【００１６】本発明によれば、ピンとピンパッドとを接
合するハンダは、ピンパッドから径大部の棒側平面の周
縁部を越えて棒側平面全面及び棒状部に濡れ拡がってい
るが、棒側平面上に形成されたハンダによるフィレット
は、そのフィレット面と棒側平面とのなす角が５度以上
４０度以下の比較的小さなフィレットである。このよう
にハンダが形成されている場合には、ピンとピンパッド
の接合部分自体の接合強度がさらに高くなるとともに、
ピン自体もさらに変形し易く、また、接合部分の重心も
さらに低くなっている。従って、このピン立設基板は、
ピンに応力が掛かっても、さらに破壊されにくく、その
信頼性をさらに高くすることができる。
合するハンダは、ピンパッドから径大部の棒側平面の周
縁部を越えて棒側平面全面及び棒状部に濡れ拡がってい
るが、棒側平面上に形成されたハンダによるフィレット
は、そのフィレット面と棒側平面とのなす角が５度以上
４０度以下の比較的小さなフィレットである。このよう
にハンダが形成されている場合には、ピンとピンパッド
の接合部分自体の接合強度がさらに高くなるとともに、
ピン自体もさらに変形し易く、また、接合部分の重心も
さらに低くなっている。従って、このピン立設基板は、
ピンに応力が掛かっても、さらに破壊されにくく、その
信頼性をさらに高くすることができる。
【００１７】さらに、上記いずれかに記載のピン立設基
板であって、前記ピンが前記ハンダとの接合時の温度よ
り高温の６００℃以上で加熱処理されてなるピン立設基
板とすると良い。
板であって、前記ピンが前記ハンダとの接合時の温度よ
り高温の６００℃以上で加熱処理されてなるピン立設基
板とすると良い。
【００１８】本発明のピン立設基板では、ピンがハンダ
との接合時の温度、つまりハンダ付け温度よりも高温の
６００℃以上で加熱処理されている。ピンの材料となる
線材は、所定径とするため引き抜き加工等を経るため、
加工歪みが残留し加工硬化により硬くなる。また、ピン
の径大部を形成したり切断したりする際にも、加工歪み
を生じ、残留応力により硬くなる。従って、硬くされた
ピンをそのまま使用した場合には、このような加工硬化
は、ハンダ付けのときにピンに掛かる温度（例えば、２
００〜３００℃程度、高々４５０〜５００℃程度）の温
度では解消できない。このため、ピンに加わった応力を
ピン自身の変形によって緩和することができず、接合部
分に応力が加わりやすくなるため、接合部分での破壊を
引き起こしやすい。
との接合時の温度、つまりハンダ付け温度よりも高温の
６００℃以上で加熱処理されている。ピンの材料となる
線材は、所定径とするため引き抜き加工等を経るため、
加工歪みが残留し加工硬化により硬くなる。また、ピン
の径大部を形成したり切断したりする際にも、加工歪み
を生じ、残留応力により硬くなる。従って、硬くされた
ピンをそのまま使用した場合には、このような加工硬化
は、ハンダ付けのときにピンに掛かる温度（例えば、２
００〜３００℃程度、高々４５０〜５００℃程度）の温
度では解消できない。このため、ピンに加わった応力を
ピン自身の変形によって緩和することができず、接合部
分に応力が加わりやすくなるため、接合部分での破壊を
引き起こしやすい。
【００１９】これに対し、本発明のピン立設基板では、
ピンはハンダとの接合時の温度よりも高温の６００℃以
上で加熱処理されている。このため、ピンに残留してい
る応力が無くなり、ピン自身が軟らかくされており、ピ
ンに応力が加わった場合に、ピン自身の変形によって応
力を緩和することができるから、接合部分での破壊を防
止することができ、接合強度の高いピン立設基板とする
ことができる。なお、前記基板が樹脂または樹脂を含む
複合材料で構成された樹脂製基板である場合に、上記予
め加熱処理を行ったピンを用いるのが特に好ましい。耐
熱温度が例えば３００〜４５０℃というように、６００
℃以上という高温には耐えられない耐熱性の低い樹脂製
基板でも、加工歪みが解放され軟らかくされたピンを用
いることができるからである。
ピンはハンダとの接合時の温度よりも高温の６００℃以
上で加熱処理されている。このため、ピンに残留してい
る応力が無くなり、ピン自身が軟らかくされており、ピ
ンに応力が加わった場合に、ピン自身の変形によって応
力を緩和することができるから、接合部分での破壊を防
止することができ、接合強度の高いピン立設基板とする
ことができる。なお、前記基板が樹脂または樹脂を含む
複合材料で構成された樹脂製基板である場合に、上記予
め加熱処理を行ったピンを用いるのが特に好ましい。耐
熱温度が例えば３００〜４５０℃というように、６００
℃以上という高温には耐えられない耐熱性の低い樹脂製
基板でも、加工歪みが解放され軟らかくされたピンを用
いることができるからである。
【００２０】
【発明の実施の形態】（実施形態１）以下、本発明の実
施の形態を、図を参照しつつ説明する。本実施形態のピ
ン立設樹脂製基板（ピン立設基板）１について、図１
（ａ）に側面図を示し、図１（ｂ）に部分拡大断面図を
示す。このピン立設樹脂製基板１は、略矩形の略板形状
の樹脂製基板（基板）３と、これに立設された多数のピ
ン３１と、これらを接合するハンダＨＤ（９５Ｓｎ−５
Ｓｂ）とからなる。
施の形態を、図を参照しつつ説明する。本実施形態のピ
ン立設樹脂製基板（ピン立設基板）１について、図１
（ａ）に側面図を示し、図１（ｂ）に部分拡大断面図を
示す。このピン立設樹脂製基板１は、略矩形の略板形状
の樹脂製基板（基板）３と、これに立設された多数のピ
ン３１と、これらを接合するハンダＨＤ（９５Ｓｎ−５
Ｓｂ）とからなる。
【００２１】このうち樹脂製基板３は、エポキシ樹脂か
らなる複数の樹脂絶縁層５Ａ，５Ｂが積層され、さらに
その表面に、エポキシ樹脂からなるソルダーレジスト層
７が積層された樹脂製多層配線基板である。樹脂絶縁層
５Ａ，５Ｂの層間や樹脂絶縁層５Ａとソルダーレジスト
層７との層間には、配線やパッド等の導体層９Ａ，９Ｂ
がそれぞれ形成されている。また、樹脂絶縁層５Ａ，５
Ｂには、層間の導体層９Ａ，９Ｂ同士を接続させるため
に、ビア導体１１やスルーホール導体（図示しない）が
多数形成されている。樹脂製基板３の主面３Ａをなすソ
ルダーレジスト層７には、多数の開口７Ｋが所定の位置
に形成されている。そして、この開口７Ｋ内には、樹脂
絶縁層５Ａとソルダーレジスト層７との層間に形成され
た導体層９Ａのうち、ピンパッド９ＡＰがそれぞれ露出
している。
らなる複数の樹脂絶縁層５Ａ，５Ｂが積層され、さらに
その表面に、エポキシ樹脂からなるソルダーレジスト層
７が積層された樹脂製多層配線基板である。樹脂絶縁層
５Ａ，５Ｂの層間や樹脂絶縁層５Ａとソルダーレジスト
層７との層間には、配線やパッド等の導体層９Ａ，９Ｂ
がそれぞれ形成されている。また、樹脂絶縁層５Ａ，５
Ｂには、層間の導体層９Ａ，９Ｂ同士を接続させるため
に、ビア導体１１やスルーホール導体（図示しない）が
多数形成されている。樹脂製基板３の主面３Ａをなすソ
ルダーレジスト層７には、多数の開口７Ｋが所定の位置
に形成されている。そして、この開口７Ｋ内には、樹脂
絶縁層５Ａとソルダーレジスト層７との層間に形成され
た導体層９Ａのうち、ピンパッド９ＡＰがそれぞれ露出
している。
【００２２】一方、ピン３１は、１９４合金からなり、
その表面には、厚さ約３．３４μｍのＮｉメッキ層が形
成され、さらにその上には、厚さ約０．３５μｍのＡｕ
メッキ層が形成されている（図示しない）。ピン３１
は、棒状部３１Ａと、この一方の端部に形成された径大
部３１Ｂとから構成されている。このうち棒状部３１Ａ
は、直径約０．４５ｍｍ、高さ（軸線方向の長さ）約
３．０１ｍｍの略円柱形状をなす。一方、径大部３１Ｂ
は、棒状部３１Ａより径大で、棒状部３１Ａ側に面する
略円形の棒側平面３１ＢＨと、棒状部３１Ａと反対の方
向に向かって膨らむ球面３１ＢＫとを有する略半球形状
をなしている。径大部３１Ｂの最大径（棒側平面３１Ｂ
Ｈの径）は、約１．１ｍｍであり、その高さ（軸線方向
の長さ）は、約０．３４ｍｍである。
その表面には、厚さ約３．３４μｍのＮｉメッキ層が形
成され、さらにその上には、厚さ約０．３５μｍのＡｕ
メッキ層が形成されている（図示しない）。ピン３１
は、棒状部３１Ａと、この一方の端部に形成された径大
部３１Ｂとから構成されている。このうち棒状部３１Ａ
は、直径約０．４５ｍｍ、高さ（軸線方向の長さ）約
３．０１ｍｍの略円柱形状をなす。一方、径大部３１Ｂ
は、棒状部３１Ａより径大で、棒状部３１Ａ側に面する
略円形の棒側平面３１ＢＨと、棒状部３１Ａと反対の方
向に向かって膨らむ球面３１ＢＫとを有する略半球形状
をなしている。径大部３１Ｂの最大径（棒側平面３１Ｂ
Ｈの径）は、約１．１ｍｍであり、その高さ（軸線方向
の長さ）は、約０．３４ｍｍである。
【００２３】ピン３１は、その径大部３１Ｂ（球面３１
ＢＫ）を樹脂製基板３のピンパッド９ＡＰ側に向け、ハ
ンダＨＤでピンパッド９ＡＰに接合されている。さらに
詳細に言うと、ピン３１とピンパッド９ＡＰとを接合す
るハンダＨＤは、ピンパッド９ＡＰから径大部３１Ｂの
棒側平面３１ＢＨの周縁部３１ＢＨＳを越えて、棒側平
面３１ＢＨ上に濡れ拡がり、棒側平面３１ＢＨとピンパ
ッド９ＡＰとの間で略円錐台状のフィレットＦＨを形成
している。一方、ハンダＨＤの濡れ拡がりは、棒側平面
３１ＢＨ上に留まり、棒状部３１Ａにまでは届いていな
い。ピン３１は上記したようにＡｕメッキ層の厚さが
０．０４μｍより厚い約０．３５μｍであるため、ハン
ダがピン３１に濡れやすいのであるが、本実施形態で
は、上記したようにハンダＨＤの材質として、Ｓｂを３
ｗｔ％以上含有する９５Ｓｎ−５Ｓｂを使用しているの
で、濡れ拡がりが抑制されたためである。
ＢＫ）を樹脂製基板３のピンパッド９ＡＰ側に向け、ハ
ンダＨＤでピンパッド９ＡＰに接合されている。さらに
詳細に言うと、ピン３１とピンパッド９ＡＰとを接合す
るハンダＨＤは、ピンパッド９ＡＰから径大部３１Ｂの
棒側平面３１ＢＨの周縁部３１ＢＨＳを越えて、棒側平
面３１ＢＨ上に濡れ拡がり、棒側平面３１ＢＨとピンパ
ッド９ＡＰとの間で略円錐台状のフィレットＦＨを形成
している。一方、ハンダＨＤの濡れ拡がりは、棒側平面
３１ＢＨ上に留まり、棒状部３１Ａにまでは届いていな
い。ピン３１は上記したようにＡｕメッキ層の厚さが
０．０４μｍより厚い約０．３５μｍであるため、ハン
ダがピン３１に濡れやすいのであるが、本実施形態で
は、上記したようにハンダＨＤの材質として、Ｓｂを３
ｗｔ％以上含有する９５Ｓｎ−５Ｓｂを使用しているの
で、濡れ拡がりが抑制されたためである。
【００２４】このようなピン立設樹脂製基板１は、ハン
ダＨＤが径大部３１Ｂの棒側平面３１ＢＨの周縁部３１
ＢＨＳを越えて、棒側平面３１ＢＨ上に濡れ拡がってい
るので、接合部分に十分な量のハンダＨＤが確保されて
いる。従って、ピン３１に応力が掛かっても、ピン３１
とピンパッド９ＡＰとの接合部分で破壊されやすい。ま
た一方で、ハンダＨＤはピン３１の棒状部３１Ａにまで
は濡れ拡がっていないので、過剰のハンダＨＤが溶着
し、却ってピン３１とピンパッド９ＡＰとの接合強度が
低下するということもない。なお、本実施形態では、径
大部３１Ｂの球面３１ＢＫの頂部とピンパッド９ＡＰと
の間のハンダＨＤの厚みを、５μｍ以上５０μｍ以下
（具体的には約２０μｍ）とした。ハンダＨＤの最小厚
みを５μｍ以上とすることにより、球面３１ＢＫ全面に
応力が分散しやすくなり、５０μｍ以下とすることによ
り、重心が低くなり破壊されにくくなるからである。こ
れらの相乗効果により、このピン立設樹脂製基板１は、
ピン３１に応力が掛かっても、破壊されにくく、その信
頼性が高い。更に後述するように、ピン３１はハンダＨ
Ｄによる接合に先立って、予め６００℃以上の高温で処
理されているため、ピン自身に残留応力が無く軟らかく
されているため、ピン自身の変形によっても応力を緩和
することができる。
ダＨＤが径大部３１Ｂの棒側平面３１ＢＨの周縁部３１
ＢＨＳを越えて、棒側平面３１ＢＨ上に濡れ拡がってい
るので、接合部分に十分な量のハンダＨＤが確保されて
いる。従って、ピン３１に応力が掛かっても、ピン３１
とピンパッド９ＡＰとの接合部分で破壊されやすい。ま
た一方で、ハンダＨＤはピン３１の棒状部３１Ａにまで
は濡れ拡がっていないので、過剰のハンダＨＤが溶着
し、却ってピン３１とピンパッド９ＡＰとの接合強度が
低下するということもない。なお、本実施形態では、径
大部３１Ｂの球面３１ＢＫの頂部とピンパッド９ＡＰと
の間のハンダＨＤの厚みを、５μｍ以上５０μｍ以下
（具体的には約２０μｍ）とした。ハンダＨＤの最小厚
みを５μｍ以上とすることにより、球面３１ＢＫ全面に
応力が分散しやすくなり、５０μｍ以下とすることによ
り、重心が低くなり破壊されにくくなるからである。こ
れらの相乗効果により、このピン立設樹脂製基板１は、
ピン３１に応力が掛かっても、破壊されにくく、その信
頼性が高い。更に後述するように、ピン３１はハンダＨ
Ｄによる接合に先立って、予め６００℃以上の高温で処
理されているため、ピン自身に残留応力が無く軟らかく
されているため、ピン自身の変形によっても応力を緩和
することができる。
【００２５】次いで、上記ピン立設樹脂製基板１の製造
方法について、図２を参照しつつ説明する。まず、以下
のようにして製作した上記ピン３１を用意する。即ち、
断面が略円形の１９４合金からなる線材を用意し、プレ
ス加工によりピン３１の径大部３１Ｂを形成する。その
後、所定の位置で線材を切断して、線材と略同径な棒状
部３１Ａを形成する。切断後は、ピン１を、公知の手法
によりバレル研磨及び化学エッチングによる表面平滑化
処理をする。
方法について、図２を参照しつつ説明する。まず、以下
のようにして製作した上記ピン３１を用意する。即ち、
断面が略円形の１９４合金からなる線材を用意し、プレ
ス加工によりピン３１の径大部３１Ｂを形成する。その
後、所定の位置で線材を切断して、線材と略同径な棒状
部３１Ａを形成する。切断後は、ピン１を、公知の手法
によりバレル研磨及び化学エッチングによる表面平滑化
処理をする。
【００２６】次に、熱処理工程で、ピン３１を６００℃
〜９００℃（本実施形態では具体的には７８０〜８５０
℃）に加熱し、その後徐冷する。このようにピン３１を
６００℃以上の高温で加熱すれば、線材を作る際や線材
からピン３１を加工する際に生じた残留応力がなくな
り、ピン３１が柔らかくなる。従って、ピン立設樹脂製
基板１は、ピン３１に応力が掛かったときに、ピン３１
自体が変形して応力を吸収するので、ピン３１とピンパ
ッド９ＡＰの接合部分に掛かる応力が軽減され、ピン立
設樹脂製基板１が破壊されにくくなる。なお、ピンの加
熱温度を９００℃以下とするのは、ピン３１の材質が１
９４合金（銅合金）であるため、９００℃を越える温度
に加熱すると、ピン３１が溶融する危険があるからであ
る。これはピンの材質として、純銅（無酸素銅）を用い
た場合でも同様である。その後、ピン３１の酸化防止の
ために、その表面にＮｉメッキを施し、さらにその上に
Ａｕメッキを施して、Ｎｉ−Ａｕメッキ層を形成すれ
ば、上記ピン３１ができる。
〜９００℃（本実施形態では具体的には７８０〜８５０
℃）に加熱し、その後徐冷する。このようにピン３１を
６００℃以上の高温で加熱すれば、線材を作る際や線材
からピン３１を加工する際に生じた残留応力がなくな
り、ピン３１が柔らかくなる。従って、ピン立設樹脂製
基板１は、ピン３１に応力が掛かったときに、ピン３１
自体が変形して応力を吸収するので、ピン３１とピンパ
ッド９ＡＰの接合部分に掛かる応力が軽減され、ピン立
設樹脂製基板１が破壊されにくくなる。なお、ピンの加
熱温度を９００℃以下とするのは、ピン３１の材質が１
９４合金（銅合金）であるため、９００℃を越える温度
に加熱すると、ピン３１が溶融する危険があるからであ
る。これはピンの材質として、純銅（無酸素銅）を用い
た場合でも同様である。その後、ピン３１の酸化防止の
ために、その表面にＮｉメッキを施し、さらにその上に
Ａｕメッキを施して、Ｎｉ−Ａｕメッキ層を形成すれ
ば、上記ピン３１ができる。
【００２７】次に、上記樹脂製基板３を用意する。この
樹脂製基板３は、公知の手法により、樹脂絶縁層５Ａ，
５Ｂと導体層９Ａ，９Ｂとを交互に形成し、さらに、ソ
ルダーレジスト層７を形成すればよい。次に、ハンダ印
刷工程において、図２（ａ）に示すように、樹脂製基板
３の主面３Ａに露出するピンパッド９ＡＰ上に、所定量
のハンダペーストＨＤＰをそれぞれ印刷する。
樹脂製基板３は、公知の手法により、樹脂絶縁層５Ａ，
５Ｂと導体層９Ａ，９Ｂとを交互に形成し、さらに、ソ
ルダーレジスト層７を形成すればよい。次に、ハンダ印
刷工程において、図２（ａ）に示すように、樹脂製基板
３の主面３Ａに露出するピンパッド９ＡＰ上に、所定量
のハンダペーストＨＤＰをそれぞれ印刷する。
【００２８】その後、載置工程において、図２（ｂ）に
示すように、ピン立て治具ＰＪに、上記ピン３１をそれ
ぞれセットし、その上に、ハンダペーストＨＤＰが印刷
された樹脂製基板３を、位置合わせをして載置し、ピン
３１の径大部３１Ｂをピンパッド９ＡＰに当接させる。
そして、その上に錘ＷＴを載せて、樹脂製基板３を押さ
える。次に、リフロー工程において、ピン立て治具ＰＪ
に載置された樹脂製基板３をリフロー炉に入れ、図２
（ｃ）に示すように、最高温度２５０〜２６０℃でハン
ダペーストＨＤＰを溶融させ、ピン３１の径大部３１Ｂ
をピンパッド９ＡＰにハンダ付けすれば、上記ピン立設
樹脂製基板１が完成する。
示すように、ピン立て治具ＰＪに、上記ピン３１をそれ
ぞれセットし、その上に、ハンダペーストＨＤＰが印刷
された樹脂製基板３を、位置合わせをして載置し、ピン
３１の径大部３１Ｂをピンパッド９ＡＰに当接させる。
そして、その上に錘ＷＴを載せて、樹脂製基板３を押さ
える。次に、リフロー工程において、ピン立て治具ＰＪ
に載置された樹脂製基板３をリフロー炉に入れ、図２
（ｃ）に示すように、最高温度２５０〜２６０℃でハン
ダペーストＨＤＰを溶融させ、ピン３１の径大部３１Ｂ
をピンパッド９ＡＰにハンダ付けすれば、上記ピン立設
樹脂製基板１が完成する。
【００２９】なお、容易に理解できるように、本実施形
態では、ピン３１をハンダ接合（リフロー工程）で加熱
した温度より高温の６００℃以上の温度で、予め加熱処
理を行っている。このため、耐熱性の低い樹脂製の基板
３を用いても、ピン３１にかかる応力をピン３１の変形
によって緩和することができる。また、本実施形態では
ピン３１の表面にＡｕメッキ層が形成されているが、Ｓ
ｂを３ｗｔ％以上含有するハンダＨＤを用いたので、そ
の濡れ拡がりを抑制することができた。
態では、ピン３１をハンダ接合（リフロー工程）で加熱
した温度より高温の６００℃以上の温度で、予め加熱処
理を行っている。このため、耐熱性の低い樹脂製の基板
３を用いても、ピン３１にかかる応力をピン３１の変形
によって緩和することができる。また、本実施形態では
ピン３１の表面にＡｕメッキ層が形成されているが、Ｓ
ｂを３ｗｔ％以上含有するハンダＨＤを用いたので、そ
の濡れ拡がりを抑制することができた。
【００３０】（実施形態２）次いで、第２の実施形態に
ついて、図を参照しつつ説明する。なお、上記実施形態
１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。本実
施形態のピン立設樹脂製基板（ピン立設基板）１０１に
ついて、図３（ａ）に側面図を示し、図３（ｂ）に部分
拡大断面図を示す。このピン立設樹脂製基板１０１は、
上記実施形態１と同様の樹脂製基板３と、これに立設さ
れた多数のピン１３１と、これらを接合するハンダＨＮ
（９５Ｓｎ−５Ｓｂ）とからなる。
ついて、図を参照しつつ説明する。なお、上記実施形態
１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。本実
施形態のピン立設樹脂製基板（ピン立設基板）１０１に
ついて、図３（ａ）に側面図を示し、図３（ｂ）に部分
拡大断面図を示す。このピン立設樹脂製基板１０１は、
上記実施形態１と同様の樹脂製基板３と、これに立設さ
れた多数のピン１３１と、これらを接合するハンダＨＮ
（９５Ｓｎ−５Ｓｂ）とからなる。
【００３１】このうちピン１３１は、棒状部１３１Ａ
と、これよりも径大でこの一方の端部に形成された略円
板状の円板部１３１Ｃと、この円板部１３１Ｃの略全面
に略半球状に形成された半球部１３１Ｄとからなる。換
言すれば、このピン１３１は、棒状部１３１Ａと、棒状
部１３１Ａ側に面する棒側平面１３１ＢＨを有する円板
部１３１Ｃ、及び棒状部１３１Ａと反対の方向に向かっ
て膨らむ球面１３１ＢＫを有する半球部１３１Ｄからな
る径大部１３１Ｂと、から構成されている。
と、これよりも径大でこの一方の端部に形成された略円
板状の円板部１３１Ｃと、この円板部１３１Ｃの略全面
に略半球状に形成された半球部１３１Ｄとからなる。換
言すれば、このピン１３１は、棒状部１３１Ａと、棒状
部１３１Ａ側に面する棒側平面１３１ＢＨを有する円板
部１３１Ｃ、及び棒状部１３１Ａと反対の方向に向かっ
て膨らむ球面１３１ＢＫを有する半球部１３１Ｄからな
る径大部１３１Ｂと、から構成されている。
【００３２】このうち、棒状部１３１Ａは、直径約０．
４５ｍｍ、高さ（軸線方向の長さ）約３．０１ｍｍの略
円柱形状をなす。一方、径大部１３１Ｂのうち円板部１
３１Ｃは、直径約１．１ｍｍ、高さ（軸線方向の長さ）
約０．２ｍｍであり、また、径大部１３１Ｂのうち半球
部１３１Ｄは、直径１．１ｍｍ、高さ（軸線方向の長
さ）約０．１ｍｍである。棒状部１３１Ａ及び径大部１
３１Ｂのうち円板部１３１Ｃは、１９４合金により一体
成形されており、一方、径大部１３１Ｂのうち半球部１
３１Ｄはロウ材（Ａｇ−Ｃｕ共晶銀ロウ）により成形さ
れている。なお、上記実施形態１のピン３１と同様に、
このピン１３１の表面１３１Ａにも、Ｎｉ−Ａｕメッキ
層（Ｎｉ厚さ約３．３４μｍ、Ａｕ厚さ約０．３５μ
ｍ）が形成されている。
４５ｍｍ、高さ（軸線方向の長さ）約３．０１ｍｍの略
円柱形状をなす。一方、径大部１３１Ｂのうち円板部１
３１Ｃは、直径約１．１ｍｍ、高さ（軸線方向の長さ）
約０．２ｍｍであり、また、径大部１３１Ｂのうち半球
部１３１Ｄは、直径１．１ｍｍ、高さ（軸線方向の長
さ）約０．１ｍｍである。棒状部１３１Ａ及び径大部１
３１Ｂのうち円板部１３１Ｃは、１９４合金により一体
成形されており、一方、径大部１３１Ｂのうち半球部１
３１Ｄはロウ材（Ａｇ−Ｃｕ共晶銀ロウ）により成形さ
れている。なお、上記実施形態１のピン３１と同様に、
このピン１３１の表面１３１Ａにも、Ｎｉ−Ａｕメッキ
層（Ｎｉ厚さ約３．３４μｍ、Ａｕ厚さ約０．３５μ
ｍ）が形成されている。
【００３３】ピン１３１は、その径大部１３１Ｂ（球面
１３１ＢＫ）を樹脂製基板３のピンパッド９ＡＰ側に向
け、ハンダＨＮでピンパッド９ＡＰに接合されている。
さらに詳細に言うと、ピン１３１とピンパッド９ＡＰと
を接合するハンダＨＮは、ピンパッド９ＡＰから径大部
１３１Ｂの棒側平面１３１ＢＨの周縁部１３１ＢＨＳを
越えて、棒側平面１３１ＢＨ全面に濡れ拡がり、さら
に、棒状部１３１Ａにまで濡れ拡がって溶着している。
つまり、ピンパッド９ＡＰと棒側平面１３１ＢＨとの間
で略円錐台状の下側フィレットＦＳが形成されていると
ともに、棒側平面１３１ＢＨ上にもハンダＨＮによる上
側フィレットＦＵが形成されている。しかし、この上側
フィレットＦＵは、そのフィレット面と棒側平面１３１
ＢＨとのなす角が５０度以下で、さらには５度以上４０
度以下とした約１２度であるので、比較的小さなフィレ
ットとなっている。ピン１３１は上記したようにＡｕメ
ッキ層の厚さが０．０４μｍより厚い約０．３５μｍで
あるため、ハンダがピン１３１に濡れやすいのである
が、本実施形態でも、上記したようにハンダＨＤの材質
として、Ｓｂを３ｗｔ％以上含有する９５Ｓｎ−５Ｓｂ
を使用しているので、ハンダの濡れ拡がりや這い上がり
が抑制されたためである。
１３１ＢＫ）を樹脂製基板３のピンパッド９ＡＰ側に向
け、ハンダＨＮでピンパッド９ＡＰに接合されている。
さらに詳細に言うと、ピン１３１とピンパッド９ＡＰと
を接合するハンダＨＮは、ピンパッド９ＡＰから径大部
１３１Ｂの棒側平面１３１ＢＨの周縁部１３１ＢＨＳを
越えて、棒側平面１３１ＢＨ全面に濡れ拡がり、さら
に、棒状部１３１Ａにまで濡れ拡がって溶着している。
つまり、ピンパッド９ＡＰと棒側平面１３１ＢＨとの間
で略円錐台状の下側フィレットＦＳが形成されていると
ともに、棒側平面１３１ＢＨ上にもハンダＨＮによる上
側フィレットＦＵが形成されている。しかし、この上側
フィレットＦＵは、そのフィレット面と棒側平面１３１
ＢＨとのなす角が５０度以下で、さらには５度以上４０
度以下とした約１２度であるので、比較的小さなフィレ
ットとなっている。ピン１３１は上記したようにＡｕメ
ッキ層の厚さが０．０４μｍより厚い約０．３５μｍで
あるため、ハンダがピン１３１に濡れやすいのである
が、本実施形態でも、上記したようにハンダＨＤの材質
として、Ｓｂを３ｗｔ％以上含有する９５Ｓｎ−５Ｓｂ
を使用しているので、ハンダの濡れ拡がりや這い上がり
が抑制されたためである。
【００３４】このようなピン立設樹脂製基板１０１は、
ハンダＨＮが径大部１３１Ｂの棒側平面１３１ＢＨの周
縁部１３１ＢＨＳを越えて、棒側平面１３１ＢＨ上に濡
れ拡がっているので、接合部分に十分な量のハンダＨＮ
が確保されている。従って、ピン１３１に応力が掛かっ
ても、ハンダＨＮが少ないことに起因する接合部分の破
壊が抑制される。また一方で、ハンダＨＮは棒側平面１
３１ＢＨ全面及び棒状部１３１Ａまで濡れ拡がり、棒側
平面１３１ＢＨ上に上側フィレットＦＵを形成している
が、この上側フィレットＦＵは比較的小さいので、過剰
のハンダが溶着し、却ってピン１３１とピンパッド９Ａ
Ｐとの接合強度が低下するということもない。
ハンダＨＮが径大部１３１Ｂの棒側平面１３１ＢＨの周
縁部１３１ＢＨＳを越えて、棒側平面１３１ＢＨ上に濡
れ拡がっているので、接合部分に十分な量のハンダＨＮ
が確保されている。従って、ピン１３１に応力が掛かっ
ても、ハンダＨＮが少ないことに起因する接合部分の破
壊が抑制される。また一方で、ハンダＨＮは棒側平面１
３１ＢＨ全面及び棒状部１３１Ａまで濡れ拡がり、棒側
平面１３１ＢＨ上に上側フィレットＦＵを形成している
が、この上側フィレットＦＵは比較的小さいので、過剰
のハンダが溶着し、却ってピン１３１とピンパッド９Ａ
Ｐとの接合強度が低下するということもない。
【００３５】よって、このピン立設樹脂製基板１０１
は、ピン１３１に応力が掛かっても、破壊されにくく、
その信頼性が高い。なお、このピン立設樹脂製基板１０
１は、上記実施形態１と同様にして製造することができ
る。即ち、ピン１３１及び樹脂製基板３を用意し、ハン
ダ印刷工程、載置工程、及びリフロー工程を行って、ハ
ンダＨＮによりピン１３１を樹脂製基板３に固着すれば
よい。なお、ピン１３１は、半球部１３１Ｄを形成する
際に、棒状部１３１Ａや円板部１３１Ｃにも６００℃以
上の高温（具体的には７８０〜８５０℃）に加熱され
る。従って、前記実施形態１と同じく、棒状部１３１Ａ
や円板部１３１Ｃに残留する応力が無くなり軟らかい。
従って、ピンに掛かる応力をピンの変形によって緩和す
ることができるので、この点からも接合が破壊しにくく
信頼性が高くなる。
は、ピン１３１に応力が掛かっても、破壊されにくく、
その信頼性が高い。なお、このピン立設樹脂製基板１０
１は、上記実施形態１と同様にして製造することができ
る。即ち、ピン１３１及び樹脂製基板３を用意し、ハン
ダ印刷工程、載置工程、及びリフロー工程を行って、ハ
ンダＨＮによりピン１３１を樹脂製基板３に固着すれば
よい。なお、ピン１３１は、半球部１３１Ｄを形成する
際に、棒状部１３１Ａや円板部１３１Ｃにも６００℃以
上の高温（具体的には７８０〜８５０℃）に加熱され
る。従って、前記実施形態１と同じく、棒状部１３１Ａ
や円板部１３１Ｃに残留する応力が無くなり軟らかい。
従って、ピンに掛かる応力をピンの変形によって緩和す
ることができるので、この点からも接合が破壊しにくく
信頼性が高くなる。
【００３６】次いで、ハンダの量及びハンダの形状と、
ピンとピンパッドの接合強度との関係について、表１を
参照しつつ説明する。ピンとピンパッドとを接合するハ
ンダの量及びハンダの形状が、これらの接合強度に及ぼ
す影響を調べるために、以下のような調査を行った。ま
ず、上記実施形態２で示したピン１３１及び樹脂製基板
３を用意した。そして、前述したハンダ印刷工程におい
て、印刷するパンダペースト量を６段階に変化させ、６
種類のピン立設配線基板１０１を製造した。
ピンとピンパッドの接合強度との関係について、表１を
参照しつつ説明する。ピンとピンパッドとを接合するハ
ンダの量及びハンダの形状が、これらの接合強度に及ぼ
す影響を調べるために、以下のような調査を行った。ま
ず、上記実施形態２で示したピン１３１及び樹脂製基板
３を用意した。そして、前述したハンダ印刷工程におい
て、印刷するパンダペースト量を６段階に変化させ、６
種類のピン立設配線基板１０１を製造した。
【００３７】次に、各種のピン立設樹脂製基板１０１に
ついて、ピン１３１の引っ張り試験をした。即ち、ピン
立設樹脂製基板１０１に多数立設されたピン１３１のい
ずれかを挟んで、ピン１３１の軸線方向に対して３０度
の角度で、１５ｍｍ／分の速度で引っ張り、ピン立設樹
脂製基板１０１が破壊する強度を求めた。これらの結果
をまとめて表１に示す。なお、ハンダＨＮの量は、３７
０本のピン１３１が立設したピン立設樹脂製基板１０１
の全体量を示している。また、各強度の値は、各ハンダ
ＨＮの量ごとに、それぞれ５本ずつ引っ張り試験をし、
その平均により算出した値である。
ついて、ピン１３１の引っ張り試験をした。即ち、ピン
立設樹脂製基板１０１に多数立設されたピン１３１のい
ずれかを挟んで、ピン１３１の軸線方向に対して３０度
の角度で、１５ｍｍ／分の速度で引っ張り、ピン立設樹
脂製基板１０１が破壊する強度を求めた。これらの結果
をまとめて表１に示す。なお、ハンダＨＮの量は、３７
０本のピン１３１が立設したピン立設樹脂製基板１０１
の全体量を示している。また、各強度の値は、各ハンダ
ＨＮの量ごとに、それぞれ５本ずつ引っ張り試験をし、
その平均により算出した値である。
【００３８】
【表１】
【００３９】表１から明らかなように、ピン１３１とピ
ンパッド９ＡＰを接合するハンダＨＮ量が最も少ない場
合（０．２２１ｇ／ＰＫＧ）には、ハンダＨＮがピンパ
ッド９ＡＰから径大部１３１Ｂの棒側平面１３１ＢＨの
周縁部１３１ＢＨＳを越えない状態（図４に示すハンダ
ＨＡの状態を参照）となり、ピン１３１とピンパッド９
ＡＰの接合強度が、３０．３Ｎ（＝３．０９ｋｇｆ）と
低くなる。一方、ハンダＨＮ量が最も多い場合（０．７
５０ｇ／ＰＫＧ）には、ハンダＨＮがピンパッド９ＡＰ
から径大部１３１Ｂの棒側平面１３１ＢＨの周縁部１３
１ＢＨＳを越えて、棒側平面１３１ＢＨ全面及び棒状部
１３１Ａに濡れ拡がり、棒側平面１３１ＢＨ上に、フィ
レット面と棒側平面とのなす角が５５〜６５度の上側フ
ィレットＦＵが形成された状態となる。このようにハン
ダＨＮが極端に多い場合も、ハンダＨＮ量が極端に少な
い場合（０．２２１ｇ／ＰＫＧ）と同様に、ピン１３１
とピンパッド９ＡＰの接合強度が、２９．７Ｎ（＝３．
０３ｋｇｆ）と低くなる。
ンパッド９ＡＰを接合するハンダＨＮ量が最も少ない場
合（０．２２１ｇ／ＰＫＧ）には、ハンダＨＮがピンパ
ッド９ＡＰから径大部１３１Ｂの棒側平面１３１ＢＨの
周縁部１３１ＢＨＳを越えない状態（図４に示すハンダ
ＨＡの状態を参照）となり、ピン１３１とピンパッド９
ＡＰの接合強度が、３０．３Ｎ（＝３．０９ｋｇｆ）と
低くなる。一方、ハンダＨＮ量が最も多い場合（０．７
５０ｇ／ＰＫＧ）には、ハンダＨＮがピンパッド９ＡＰ
から径大部１３１Ｂの棒側平面１３１ＢＨの周縁部１３
１ＢＨＳを越えて、棒側平面１３１ＢＨ全面及び棒状部
１３１Ａに濡れ拡がり、棒側平面１３１ＢＨ上に、フィ
レット面と棒側平面とのなす角が５５〜６５度の上側フ
ィレットＦＵが形成された状態となる。このようにハン
ダＨＮが極端に多い場合も、ハンダＨＮ量が極端に少な
い場合（０．２２１ｇ／ＰＫＧ）と同様に、ピン１３１
とピンパッド９ＡＰの接合強度が、２９．７Ｎ（＝３．
０３ｋｇｆ）と低くなる。
【００４０】これらに対し、ハンダＨＮ量が０．３１４
ｇ／ＰＫＧである場合には、ハンダＨＮがピンパッド９
ＡＰから径大部１３１Ｂの棒側平面１３１ＢＨの周縁部
１３１ＢＨＳを越えて、棒状部１３１Ａにまでは届かず
に、棒側平面１３１ＢＨ上に濡れ拡がった状態となる
（図１（ｂ）に示すハンダＨＤの状態を参照）。この場
合、上述したハンダＨＮ量が少なかったり多かったりす
る場合と比べて、ピン１３１とピンパッド９ＡＰの接合
強度が、４１．９Ｎ（＝４．２８ｋｇｆ）と十分に高く
なる。
ｇ／ＰＫＧである場合には、ハンダＨＮがピンパッド９
ＡＰから径大部１３１Ｂの棒側平面１３１ＢＨの周縁部
１３１ＢＨＳを越えて、棒状部１３１Ａにまでは届かず
に、棒側平面１３１ＢＨ上に濡れ拡がった状態となる
（図１（ｂ）に示すハンダＨＤの状態を参照）。この場
合、上述したハンダＨＮ量が少なかったり多かったりす
る場合と比べて、ピン１３１とピンパッド９ＡＰの接合
強度が、４１．９Ｎ（＝４．２８ｋｇｆ）と十分に高く
なる。
【００４１】さらに、ハンダ量ＨＮが増えると（０．４
５８ｇ／ＰＫＧ、０．５６１ｇ／ＰＫＧ、０．６５０ｇ
／ＰＫＧ）、ハンダＨＮがピンパッド９ＡＰから径大部
１３１Ｂの棒側平面１３１ＢＨの周縁部１３１ＢＨＳを
越えて、棒側平面１３１ＢＨ全面及び棒状部１３１Ａに
濡れ拡がり、棒側平面１３１ＢＨ上に上側フィレットＦ
Ｕが形成された状態となる（図３（ｂ）参照）。フィレ
ット面と棒側平面とのなす角は、ハンダＨＮ量が０．４
５８ｇ／ＰＫＧのときは６〜２３度、ハンダＨＮ量が
０．５６１ｇ／ＰＫＧのときは２２〜３８度、ハンダＨ
Ｎ量が０．６５０ｇ／ＰＫＧのときは４１〜４９度とな
る。これらの場合も、上述したハンダＨＮ量が少なかっ
たり多かったりする場合と比べて、ピン１３１とピンパ
ッド９ＡＰとの接合強度が、それぞれ５４．６Ｎ（＝
５．５７ｋｇｆ）、５０．２Ｎ（＝５．１２ｋｇｆ）、
４３．４Ｎ（＝４．４３ｋｇｆ）と十分に高くなる。特
に、ハンダＨＮ量が０．４５８ｇ／ＰＫＧまたは０．５
６１ｇ／ＰＫＧのとき、即ち、フィレット面と棒側平面
とのなす角が６〜３８度の範囲では、接合強度が極めて
高くなる。
５８ｇ／ＰＫＧ、０．５６１ｇ／ＰＫＧ、０．６５０ｇ
／ＰＫＧ）、ハンダＨＮがピンパッド９ＡＰから径大部
１３１Ｂの棒側平面１３１ＢＨの周縁部１３１ＢＨＳを
越えて、棒側平面１３１ＢＨ全面及び棒状部１３１Ａに
濡れ拡がり、棒側平面１３１ＢＨ上に上側フィレットＦ
Ｕが形成された状態となる（図３（ｂ）参照）。フィレ
ット面と棒側平面とのなす角は、ハンダＨＮ量が０．４
５８ｇ／ＰＫＧのときは６〜２３度、ハンダＨＮ量が
０．５６１ｇ／ＰＫＧのときは２２〜３８度、ハンダＨ
Ｎ量が０．６５０ｇ／ＰＫＧのときは４１〜４９度とな
る。これらの場合も、上述したハンダＨＮ量が少なかっ
たり多かったりする場合と比べて、ピン１３１とピンパ
ッド９ＡＰとの接合強度が、それぞれ５４．６Ｎ（＝
５．５７ｋｇｆ）、５０．２Ｎ（＝５．１２ｋｇｆ）、
４３．４Ｎ（＝４．４３ｋｇｆ）と十分に高くなる。特
に、ハンダＨＮ量が０．４５８ｇ／ＰＫＧまたは０．５
６１ｇ／ＰＫＧのとき、即ち、フィレット面と棒側平面
とのなす角が６〜３８度の範囲では、接合強度が極めて
高くなる。
【００４２】以上の結果から判断すると、ハンダＨＮが
ピンパッド９ＡＰから径大部１３１Ｂの棒側平面１３１
ＢＨの周縁部１３１ＢＨＳを越えて、棒状部１３１Ａに
までは届かずに棒側平面１３１ＢＨ上に濡れ拡がったと
きに、ピン１３１とピンパッド９ＡＰの接合強度が高く
なる。また、ハンダＨＮがピンパッド９ＡＰから径大部
１３１Ｂの棒側平面１３１ＢＨの周縁部１３１ＢＨＳを
越えて、棒側平面１３１ＢＨ全面及び棒状部１３１Ａに
濡れ拡がり、かつ、フィレット面と棒側平面１３１ＢＨ
とのなす角が５０度以下の比較的小さな上側フィレット
ＦＳが形成されたときに、ピン１３１とピンパッド９Ａ
Ｐの接合強度が高くなる。
ピンパッド９ＡＰから径大部１３１Ｂの棒側平面１３１
ＢＨの周縁部１３１ＢＨＳを越えて、棒状部１３１Ａに
までは届かずに棒側平面１３１ＢＨ上に濡れ拡がったと
きに、ピン１３１とピンパッド９ＡＰの接合強度が高く
なる。また、ハンダＨＮがピンパッド９ＡＰから径大部
１３１Ｂの棒側平面１３１ＢＨの周縁部１３１ＢＨＳを
越えて、棒側平面１３１ＢＨ全面及び棒状部１３１Ａに
濡れ拡がり、かつ、フィレット面と棒側平面１３１ＢＨ
とのなす角が５０度以下の比較的小さな上側フィレット
ＦＳが形成されたときに、ピン１３１とピンパッド９Ａ
Ｐの接合強度が高くなる。
【００４３】さらに、ハンダＨＮがピンパッド９ＡＰか
ら径大部１３１Ｂの棒側平面１３１ＢＨの周縁部１３１
ＢＨＳを越えて、棒側平面１３１ＢＨ全面及び棒状部１
３１Ａに濡れ拡がり、かつ、フィレット面と棒側平面１
３１ＢＨとのなす角が５度以上４０度以下の比較的小さ
な上側フィレットＦＵが形成されたときには、より一層
接合強度が高くなる。なお、この調査では、上記実施形
態２で示したピン１３１を用いた結果を示したが、上記
実施形態１に示したピン３１を用いて同様な調査を行っ
たところ、同様な結果が得られた。
ら径大部１３１Ｂの棒側平面１３１ＢＨの周縁部１３１
ＢＨＳを越えて、棒側平面１３１ＢＨ全面及び棒状部１
３１Ａに濡れ拡がり、かつ、フィレット面と棒側平面１
３１ＢＨとのなす角が５度以上４０度以下の比較的小さ
な上側フィレットＦＵが形成されたときには、より一層
接合強度が高くなる。なお、この調査では、上記実施形
態２で示したピン１３１を用いた結果を示したが、上記
実施形態１に示したピン３１を用いて同様な調査を行っ
たところ、同様な結果が得られた。
【００４４】以上において、本発明を各実施形態１，２
に即して説明したが、本発明は上記実施形態に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変
更して適用できることはいうまでもない。例えば、上記
各実施形態１，２では、エポキシ樹脂などの樹脂からな
る樹脂製多層配線基板（樹脂製基板３）にピン３１，１
３１が立設されたピン立設基板（ピン立設樹脂製基板
１，１０１）を示したが、アルミナ、窒化アルミニウ
ム、ムライト、低温焼成ガラスセラミックなどからなる
セラミック製基板など、他の形態の基板にピン３１，１
３１が立設されたものであっても、同様の効果を得るこ
とができる。
に即して説明したが、本発明は上記実施形態に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変
更して適用できることはいうまでもない。例えば、上記
各実施形態１，２では、エポキシ樹脂などの樹脂からな
る樹脂製多層配線基板（樹脂製基板３）にピン３１，１
３１が立設されたピン立設基板（ピン立設樹脂製基板
１，１０１）を示したが、アルミナ、窒化アルミニウ
ム、ムライト、低温焼成ガラスセラミックなどからなる
セラミック製基板など、他の形態の基板にピン３１，１
３１が立設されたものであっても、同様の効果を得るこ
とができる。
【００４５】また、上記実施形態１，２では、１９４合
金からなるピン３１，１３１を用いた例を示したが、そ
の他に、例えば、コバールや４２合金からなるピンを用
いることもできる。また、上記実施形態１，２では、ピ
ン３１，１３１を６００℃以上で加熱処理したが、ピン
材質をコバールや４２合金とした場合にも、６００℃以
上、さらに好ましくは確実にピンを軟らかくするため７
００℃以上の温度で加熱処理を施すのが良い。また、コ
バールや４２合金からなるピンの場合には、融点等を考
慮して、１２００℃以下の範囲で加熱処理をするのが好
ましい。このようにピンを基板に接合・固着する前に予
め加熱処理を施しておくと、実施形態に示したように６
００℃以上の高温に耐えられない耐熱性の低い樹脂製の
基板において、軟らかくされたピンを用いることができ
るので特に好ましい。また、低温焼成ガラスセラミック
からなる基板においても、ピンを予め加熱処理で軟らか
くしておくと、ピンを比較的低い温度でハンダ付けによ
って基板に接合しながらも、軟らかくされたピンを用い
ることができるようになる。アルミナ等、他のセラミッ
クからなる基板においても同様である。
金からなるピン３１，１３１を用いた例を示したが、そ
の他に、例えば、コバールや４２合金からなるピンを用
いることもできる。また、上記実施形態１，２では、ピ
ン３１，１３１を６００℃以上で加熱処理したが、ピン
材質をコバールや４２合金とした場合にも、６００℃以
上、さらに好ましくは確実にピンを軟らかくするため７
００℃以上の温度で加熱処理を施すのが良い。また、コ
バールや４２合金からなるピンの場合には、融点等を考
慮して、１２００℃以下の範囲で加熱処理をするのが好
ましい。このようにピンを基板に接合・固着する前に予
め加熱処理を施しておくと、実施形態に示したように６
００℃以上の高温に耐えられない耐熱性の低い樹脂製の
基板において、軟らかくされたピンを用いることができ
るので特に好ましい。また、低温焼成ガラスセラミック
からなる基板においても、ピンを予め加熱処理で軟らか
くしておくと、ピンを比較的低い温度でハンダ付けによ
って基板に接合しながらも、軟らかくされたピンを用い
ることができるようになる。アルミナ等、他のセラミッ
クからなる基板においても同様である。
【図１】実施形態１に係るピン立設樹脂製基板を示す図
であり、（ａ）は側面図であり、（ｂ）は部分拡大断面
図である。
であり、（ａ）は側面図であり、（ｂ）は部分拡大断面
図である。
【図２】実施形態１に係るピン立設樹脂製基板の製造方
法を示す図であり、（ａ）は樹脂製基板にハンダペース
トを塗布した様子を示す説明図であり、（ｂ）はピン立
て治具に樹脂製基板を載置した様子を示す説明図であ
り、（ｃ）はハンダペーストをリフローした様子を示す
説明図である。
法を示す図であり、（ａ）は樹脂製基板にハンダペース
トを塗布した様子を示す説明図であり、（ｂ）はピン立
て治具に樹脂製基板を載置した様子を示す説明図であ
り、（ｃ）はハンダペーストをリフローした様子を示す
説明図である。
【図３】実施形態２に係るピン立設樹脂製基板を示す図
であり、（ａ）は側面図であり、（ｂ）は部分拡大断面
図である。
であり、（ａ）は側面図であり、（ｂ）は部分拡大断面
図である。
【図４】従来技術に係るピン立設樹脂製基板を示す部分
拡大断面図である。
拡大断面図である。
【符号の説明】 １，１０１ ピン立設樹脂製基板（ピン立
設基板） ３ 樹脂製基板（基板） ３Ａ （樹脂製基板の）主面 ９ＡＰ ピンパッド ３１，１３１ ピン ３１Ａ，１３１Ａ 棒状部 ３１Ｂ，１３１Ｂ 径大部 ３１ＢＨ，１３１ＢＨ 棒側平面 ３１ＢＨＳ，１３１ＢＨＳ （棒側平面の）周縁部 ３１ＢＫ，１３１ＢＫ 球面 ＦＵ 上側フィレット（フィレッ
ト） ＨＤ，ＨＮ ハンダ
設基板） ３ 樹脂製基板（基板） ３Ａ （樹脂製基板の）主面 ９ＡＰ ピンパッド ３１，１３１ ピン ３１Ａ，１３１Ａ 棒状部 ３１Ｂ，１３１Ｂ 径大部 ３１ＢＨ，１３１ＢＨ 棒側平面 ３１ＢＨＳ，１３１ＢＨＳ （棒側平面の）周縁部 ３１ＢＫ，１３１ＢＫ 球面 ＦＵ 上側フィレット（フィレッ
ト） ＨＤ，ＨＮ ハンダ
Claims (3)
- 【請求項１】主面を有する略板形状をなし、上記主面に
露出したピンパッドを有する基板と、 棒状部、並びに、 この棒状部より径大でこの棒状部の一方の端部に形成さ
れた径大部であって、この棒状部側に面する棒側平面、
及び、この棒状部と反対の方向に向かって膨らむ球面を
含む径大部、 を有するピンと、 上記ピンパッドと上記ピンのうち少なくとも上記径大部
とを接合するハンダと、を備え、 上記ハンダは、上記ピンパッドから上記径大部の棒側平
面の周縁部を越えて、上記棒状部にまでは届かないで上
記棒側平面上に濡れ拡がっており、または、 上記ハンダは、上記ピンパッドから上記径大部の棒側平
面の周縁部を越えて上記棒側平面全面及び上記棒状部に
濡れ拡がり、かつ、フィレット面と上記棒側平面とのな
す角が５０度以下であるフィレットが上記棒側平面上に
形成されているピン立設基板。 - 【請求項２】請求項１に記載のピン立設基板であって、 前記ハンダは、前記ピンパッドから前記径大部の棒側平
面の周縁部を越えて上記棒側平面全面及び前記棒状部に
濡れ拡がり、かつ、前記フィレット面と上記棒側平面と
のなす角が５度以上４０度以下である前記フィレットが
上記棒側平面上に形成されているピン立設基板。 - 【請求項３】請求項１または請求項２に記載のピン立設
基板であって、 前記ピンが前記ハンダとの接合時の温度より高温の６０
０℃以上で加熱処理されてなるピン立設基板。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000370311A JP3550355B2 (ja) | 2000-04-13 | 2000-12-05 | ピン立設基板 |
| TW090108103A TW490833B (en) | 2000-04-13 | 2001-04-04 | Substrate having pins |
| US09/827,555 US6583366B2 (en) | 2000-04-13 | 2001-04-06 | Substrate having pins |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-111598 | 2000-04-13 | ||
| JP2000111598 | 2000-04-13 | ||
| JP2000370311A JP3550355B2 (ja) | 2000-04-13 | 2000-12-05 | ピン立設基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001358277A true JP2001358277A (ja) | 2001-12-26 |
| JP3550355B2 JP3550355B2 (ja) | 2004-08-04 |
Family
ID=26590010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000370311A Expired - Lifetime JP3550355B2 (ja) | 2000-04-13 | 2000-12-05 | ピン立設基板 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6583366B2 (ja) |
| JP (1) | JP3550355B2 (ja) |
| TW (1) | TW490833B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7068520B2 (en) | 2002-09-20 | 2006-06-27 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Circuit board made of resin with pin |
| US8153900B2 (en) | 2007-08-30 | 2012-04-10 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Wiring substrate with lead pin and lead pin |
| JP2020202332A (ja) * | 2019-06-12 | 2020-12-17 | 新光電気工業株式会社 | リードピン及びリードピン付き配線基板 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW557559B (en) * | 2001-07-27 | 2003-10-11 | Ngk Spark Plug Co | Resin-made substrate on which there is installed with a vertically installed pin, manufacturing method thereof, and manufacturing method for pin |
| DE10304906A1 (de) * | 2003-02-06 | 2004-09-16 | Siemens Ag | SMT-fähiges Bauelement und Leiterplatte sowie SMT-Verfahren |
| JP2007122952A (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-17 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | プレスフィット端子と基板の接続構造 |
| JP4603005B2 (ja) | 2007-03-28 | 2010-12-22 | 日本特殊陶業株式会社 | スパークプラグの製造方法 |
| US20080251866A1 (en) * | 2007-04-10 | 2008-10-16 | Honeywell International Inc. | Low-stress hermetic die attach |
| JP2009043844A (ja) * | 2007-08-07 | 2009-02-26 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リードピン付き配線基板およびリードピン |
| JP5160390B2 (ja) * | 2008-12-15 | 2013-03-13 | 新光電気工業株式会社 | リードピン付配線基板及びその製造方法 |
| US8766450B2 (en) * | 2009-09-22 | 2014-07-01 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Lead pin for package substrate |
| US8562374B2 (en) * | 2011-04-21 | 2013-10-22 | Tyco Electronics Corporation | Harness connector |
| CN118395940B (zh) * | 2024-06-21 | 2024-09-20 | 深圳市秀武电子有限公司 | 集成电路封装结构及降低散热焊盘焊接空洞的实现方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3068224B2 (ja) | 1991-02-22 | 2000-07-24 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| JP2658672B2 (ja) * | 1991-10-11 | 1997-09-30 | 日本電気株式会社 | Ｉ／ｏピンの修理構造および修理方法 |
| JPH07320800A (ja) * | 1994-05-18 | 1995-12-08 | Star Micronics Co Ltd | 端子及びその製造方法 |
| US5861663A (en) * | 1994-12-27 | 1999-01-19 | International Business Machines Corporation | Column grid array or ball grid array pad on via |
| JP3340350B2 (ja) * | 1997-04-18 | 2002-11-05 | 富士通株式会社 | 薄膜多層基板及び電子装置 |
| JP3167296B2 (ja) | 1998-07-31 | 2001-05-21 | 日本特殊陶業株式会社 | 樹脂製配線基板 |
| JP3378550B2 (ja) * | 2000-02-03 | 2003-02-17 | 日本特殊陶業株式会社 | リードピン付き配線基板 |
| US6555757B2 (en) * | 2000-04-10 | 2003-04-29 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Pin solder jointed to a resin substrate, made having a predetermined hardness and dimensions |
| US6660946B2 (en) * | 2000-04-10 | 2003-12-09 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Pin standing resin-made substrate, method of making pin standing resin-made substrate, pin and method of making pin |
| TW503546B (en) * | 2000-10-13 | 2002-09-21 | Ngk Spark Plug Co | Pin standing resin-made substrate, method of making pin standing resin-made substrate, pin and method of making pin |
-
2000
- 2000-12-05 JP JP2000370311A patent/JP3550355B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-04-04 TW TW090108103A patent/TW490833B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-04-06 US US09/827,555 patent/US6583366B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7068520B2 (en) | 2002-09-20 | 2006-06-27 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Circuit board made of resin with pin |
| US8153900B2 (en) | 2007-08-30 | 2012-04-10 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Wiring substrate with lead pin and lead pin |
| JP2020202332A (ja) * | 2019-06-12 | 2020-12-17 | 新光電気工業株式会社 | リードピン及びリードピン付き配線基板 |
| US11101202B2 (en) | 2019-06-12 | 2021-08-24 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Lead pin and wiring board having lead pin |
| JP7309469B2 (ja) | 2019-06-12 | 2023-07-18 | 新光電気工業株式会社 | リードピン及びリードピン付き配線基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20010046796A1 (en) | 2001-11-29 |
| JP3550355B2 (ja) | 2004-08-04 |
| US6583366B2 (en) | 2003-06-24 |
| TW490833B (en) | 2002-06-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3736452B2 (ja) | はんだ箔 | |
| JPH09134934A (ja) | 半導体パッケージ及び半導体装置 | |
| US4518112A (en) | Process for controlled braze joining of electronic packaging elements | |
| JP2009060101A (ja) | 電子機器 | |
| JP4246134B2 (ja) | 半導体素子の実装方法、及び半導体素子実装基板 | |
| JP2001217341A (ja) | リードピン付き配線基板 | |
| JP3550355B2 (ja) | ピン立設基板 | |
| JP2011138968A (ja) | 面実装部品のはんだ付け方法および面実装部品 | |
| JP4356581B2 (ja) | 電子部品実装方法 | |
| KR20080038028A (ko) | 기판에 전자 부품을 탑재하는 방법 및 솔더면을 형성하는방법 | |
| JPH02304958A (ja) | 電子回路装置 | |
| KR20120017606A (ko) | 패키지 기판용 리드핀 및 이를 이용한 패키지 기판의 제조 방법 | |
| JP3400408B2 (ja) | フリップチップ実装方法 | |
| JP4432541B2 (ja) | 電子機器 | |
| JP6083451B2 (ja) | 面実装部品のはんだ付け方法および面実装部品 | |
| JP2000150574A (ja) | 半導体装置及び半田による接合方法 | |
| Zama et al. | Flip chip interconnect systems using wire stud bumps and lead free solder | |
| JPH10209591A (ja) | 配線基板 | |
| JP2000223831A (ja) | Ｂｇａによる表面実装用ペーストはんだと表面実装方法 | |
| JP3585806B2 (ja) | ピン付き配線基板 | |
| JP2007027701A (ja) | 配線基板 | |
| JP3638542B2 (ja) | ピン立設樹脂製基板、ピン立設樹脂製基板の製造方法、ピン及びピンの製造方法 | |
| JPH10335805A (ja) | 電子部品の実装方法 | |
| JP2007027700A (ja) | 配線基板および配線基板の製造方法 | |
| JPH10116927A (ja) | 接続端子及びその形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040413 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040423 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3550355 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080430 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090430 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090430 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090430 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100430 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100430 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110430 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110430 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120430 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120430 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130430 Year of fee payment: 9 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130430 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140430 Year of fee payment: 10 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |