JP2001077524A - リフロー半田付け装置及びリフロー半田付け方法 - Google Patents

リフロー半田付け装置及びリフロー半田付け方法

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Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 融点の異なる半田を使用するリフロー半田付
けにおいて、融点の高い半田付け部分を減圧することに
より、一括リフロー半田付けを可能にすることである。 【解決手段】 基板上に実装された第１部品を第１の融
点を有する第１半田で半田付けし、第２部品を第１の融
点よりも高い第２の融点を有する第２半田で半田付けす
るリフロー半田付け装置。リフロー半田付け装置は基板
を概略一様に過熱する加熱源と、第２部品を囲い込むカ
プセルと、カプセル内を減圧する真空ポンプとを含んで
いる。真空ポンプによりカプセル内を所定量減圧して第
２半田の融点を下げ、第１部品及び第２部品を実質上同
一温度でリフロー半田付けすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リフロー半田付け
装置及びリフロー半田付け方法に関する。
【０００２】リフロー半田付け方法は、半田付け箇所に
予め半田を供給しておき、これを熱風、赤外線、レーザ
等の熱源を用いて溶かして半田付けを行うものであり、
最近の電子工業における半田付けではリフロー半田付け
方法が占める割合が年々大きくなってきている。
【０００３】その大きな理由は、電子機器の小型化に伴
って、従来のリード線付部品に変わってチップ部品が用
いられるようになってきたこと、更に実装密度を高める
ために平面実装方法が導入されるようになってきたこと
等から、微小になった半田付け箇所を正確に且つ能率的
に接合する必要があるからである。
【０００４】
【従来の技術】基板上に種々様々な電子部品が半田付け
されて電子機器が構成されるが、この中で、高性能化が
要求されるコンピュータの分野を始めとする一部の分野
では、基板上に搭載する電子部品の半田の融点を部品ご
とに段階的に変えるというステップソルダリング技術が
用いられている。
【０００５】このステップソルダリング技術は、後工程
の熱ストレスにより実装された部品の半田が再溶解する
ことを防止することや、耐熱性の低い部品の後付けを行
うことが主な目的である。
【０００６】従来のリフロー半田付け装置は、赤外線リ
フロー炉、熱風炉などを用いて、半田付けする基板にほ
ぼ同一条件の熱を加え、各電子部品の半田付けを行うも
のであった。このため、ステップソルダリングを行うた
めには、高い融点の半田を用いた半田付けをまず行い、
続いて低い融点の半田を用いた半田を行うようにしてい
た。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このように従来は、融
点の異なる半田を用いたリフロー半田付けにおいては、
ステップソルダリングを採用する必要があったため、多
大な時間を要し、半田付け効率が悪いという問題があっ
た。
【０００８】また、従来のリフロー半田付け装置では、
同一基板上に搭載された低温半田で半田付けされた部品
の半田を溶解することなく、半田の融点が高い部品の半
田を溶解し、再度半田付け（修正）を行うことは困難で
あった。
【０００９】よって、本発明の目的は、大気圧下では融
点の異なる複数の半田を用いて複数の電子部品の一括接
合を可能にするリフロー半田付け装置及びリフロー半田
付け方法を提供することである。
【００１０】本発明の他の目的は、同一基板上に搭載さ
れた融点の高い半田で半田付けされた部品の修正を融点
の低い半田で半田付けされた部品の半田を溶解すること
なく、容易に行うことのできるリフロー半田付け装置を
提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によると、基板上
に実装された第１部品を第１の融点を有する第１半田で
半田付けし、第２部品を前記第１の融点よりも高い第２
の融点を有する第２半田で半田付けするリフロー半田付
け装置であって、前記基板を概略一様に加熱する加熱手
段と；前記第２部品を囲い込むカプセルと；前記カプセ
ル内を減圧する減圧手段とを具備し；前記減圧手段によ
り前記カプセル内を所定量減圧して、前記第１部品及び
第２部品を実質上同一温度でリフロー半田付けすること
を特徴とするリフロー半田付け装置が提供される。
【００１２】好ましくは、リフロー半田付け装置はカプ
セル内の気圧を検出する気圧センサと、温度を検出する
温度センサとを具備しており、検出した気圧及び温度に
基いて減圧手段及び加熱手段をそれぞれ制御する。
【００１３】本発明の他の側面によると、基板上に半田
付け実装された複数の部品の半田を選択的に溶解するリ
フロー半田付け装置であって、前記基板を加熱する加熱
手段と；半田を溶解したい部品のみを選択的に囲い込む
カプセルと；前記カプセル内を減圧する減圧手段とを具
備し；前記減圧手段により前記カプセル内を所定量減圧
して、選択された部品の半田のみを溶解することを特徴
とするリフロー半田付け装置が提供される。
【００１４】選択された部品の半田を溶解した後、基板
上に半田を再度塗布し、選択された部品の再半田付けを
行う。
【００１５】本発明の更に他の側面によると、リフロー
半田付け方法であって、基板に形成された第１フットプ
リント上に第１の融点を有する第１半田を塗布し；該基
板に形成された第２フットプリント上に前記第１の融点
より高い第２の融点を有する第２半田を塗布し；前記第
１半田にリードが接触するように第１部品を前記基板上
に搭載し；前記第２半田にリードが接触するように第２
部品を前記基板上に搭載し；前記第２部品をカプセルで
囲い込み；前記カプセル内を減圧し；前記基板を前記第
１の融点以上に加熱して前記第１及び第２部品を一括半
田付けすることを特徴とするリフロー半田付け方法が提
供される。
【００１６】本発明の更に他の側面によると、基板上に
実装された第１部品を第１の融点を有する第１半田で半
田付けし、第２部品を前記第１の融点よりも高い第２の
融点を有する第２半田で半田付けするリフロー半田付け
装置であって、前記基板を概略一様に加熱する加熱手段
と；前記第１部品を囲い込むカプセルと；前記カプセル
内を加圧する加圧手段とを具備し；前記加圧手段により
前記カプセル内を所定量加圧して、前記第１部品及び第
２部品を実質上同一温度でリフロー半田付けすることを
特徴とするリフロー半田付け装置が提供される。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１を参照すると、汎用コンピュ
ータ又はワークステーション等に搭載されるマルチチッ
プモジュール（ＭＣＭ）２の該略図が示されている。セ
ラミック基板４上にＬＳＩ６，８、チップ部品１０，１
２、ＩＯ端子１４，１６が半田付けされている。
【００１８】例えば、ＬＳＩ６，８及びチップ部品１
０，１２はＰｂが９５〜９７ｗｔ％のＰｂ−Ｓｎ半田で
半田付けされ、ＩＯ端子１４，１６はＡｕが８０ｗｔ％
のＡｕ−Ｓｎ半田で半田付けされる。
【００１９】９５〜９７ｗｔ％Ｐｂ−Ｓｎ半田の融点は
３１４〜３２０℃、８０ｗｔ％Ａｕ−Ｓｎの半田の融点
は２８０℃であり、一般的なリフロー半田付け装置を使
用する場合、３３０℃前後の半田付け温度が必要とな
る。ＩＯ端子１４，１６にＡｕ合金系の半田を使用して
いるのは、大きな接合強度を必要とするからである。
【００２０】図２を参照すると、上述したＭＣＭ２を製
造するのに適した本発明第１実施形態のリフロー半田付
け装置が示されている。符号１８はホットプレート等の
加熱用熱源であり、加熱用熱源１８上にセラミック基板
４が搭載されている。
【００２１】ＬＳＩ６，８はカプセル（キャップ）２０
で囲い込まれ、チップ部品１０はカプセル２２で囲い込
まれ、チップ部品１２はカプセル２４で囲い込まれてい
る。カプセル２０の内部は管路２６により真空ポンプ２
８に接続されており、管路２６には管路を選択的に開閉
可能な弁３０が設けられている。
【００２２】カプセル２４の内部は管路３２により真空
ポンプ３４に接続されており、管路３２には管路を選択
的に開閉可能な弁３６が設けられている。カプセル２２
の内部は管路３８，３２を介して真空ポンプ３４に接続
されており、管路３８には管路を選択的に開閉可能な弁
４０が設けられている。
【００２３】図３に示されるように、カプセル２０の先
端部２０ａには溝４２が形成されており、溝４２内には
Ｏリング４４が嵌め込まれている。Ｏリング４４は比較
的高温の半田付け温度に耐えられるようにポリアミド系
耐熱樹脂から形成されている。カプセル２２，２４の先
端部にも同様なＯリングが装着されている。
【００２４】カプセル２０，２２，２４は比較的高温の
半田付け温度に耐えられるようにステンレス鋼等の金属
から形成されている。代案として、カプセル２０，２
２，２４をガラス板から形成するようにしても良い。
【００２５】しかして、弁３０，３６，４０を開いて真
空ポンプ２８，３４を作動すると、カプセル２０，２
２，２４内が減圧される。減圧されるにつれて、Ｏリン
グ４４がセラミック基板４に密着し、カプセル２０，２
２，２４内が密封される。
【００２６】例えば、カプセル２０，２２，２４内を１
０-9Ｔｏｒｒの気圧まで減圧すると、半田の融点は約１
００℃近く下がることになる。よって、真空ポンプ２
８，３４を作動して、ＬＳＩ６，８及びチップ部品１
０，１２を半田付けする９５〜９７ｗｔ％Ｐｂ−Ｓｎの
半田の融点が約２８０℃になるまで、カプセル２０，２
２，２４内を減圧する。
【００２７】このように各カプセル内を減圧すると、二
つの異なる半田の融点が同一の２８０℃となるため、比
較的低い温度でＬＳＩ６，８、チップ部品１０，１２及
びＩＯ端子１４，１６の一括半田付けが可能となる。
【００２８】ＩＯ端子１４及び１６を同様なカプセルで
それぞれ囲い込み、これらのカプセル内を真空ポンプで
減圧することにより、より低い温度でのＬＳＩ６，８、
チップ部品１０，１２及びＩＯ端子１４，１６の一括半
田付けが可能となる。
【００２９】図４を参照すると、非接触加熱源５０，５
２を有するリフロー半田付け装置の概略図が示されてい
る。カプセル４６及び４８の内部は、それぞれ図示しな
い真空ポンプに接続されており、内部の気圧が独立して
調整可能である。
【００３０】図５を参照すると、本発明第２実施形態の
リフロー半田付け装置の概略構成図が示されている。セ
ラミック基板４上に搭載されたＬＳＩ６はカプセル５４
で囲い込まれている。
【００３１】カプセル５４の内部は管路５６を介して真
空ポンプ５８に接続されており、管路５６には管路を開
閉する弁６０が設けられている。カプセル５４の内部は
更に管路６２を介して圧力調整チャンバ６４に接続され
ている。管路６２には管路を開閉する弁６６が設けられ
ている。
【００３２】圧力調整チャンバ６４は管路６８を介して
真空ポンプ７０に接続されている。管路６８には管路を
開閉する弁７２が設けられている。
【００３３】カプセル５４の内部の気圧は気圧センサ７
４で検出され、検出された気圧は制御ユニット８０に入
力される。更に、カプセル５４の内部の温度は温度セン
サ７６で検出され、検出された温度は制御ユニット８０
に入力される。圧力調整チャンバ６４内の気圧は気圧セ
ンサ７８で検出され、検出された気圧は制御ユニット８
０に入力される。
【００３４】制御ユニット８０は加熱源１８、真空ポン
プ５８，７０の作動及び弁６０，６６，７２の開閉を制
御する。カプセル５４の先端部には図３に示したような
Ｏリングが装着されている。
【００３５】しかして、本実施形態の第１作動モードに
おいては、弁６６を閉じ、弁６０を開いて真空ポンプ５
８を作動する。これにより、カプセル５４の内部が減圧
される。
【００３６】気圧センサ７４でカプセル５４の内部の気
圧を検出しながら、制御ユニット８０で真空ポンプ５８
の作動を制御することにより、カプセル５４の内部を所
望の気圧に減圧することができる。
【００３７】温度センサ７６でカプセル５４の内部の温
度を検出しながら、制御ユニット８０で加熱源１８を制
御することにより、所望の温度でＬＳＩ６の半田付けを
行うことができる。
【００３８】本実施形態の第２作動モードにおいては、
圧力調整チャンバ６４を利用する。真空ポンプ５８の作
動と圧力調整チャンバ６４の利用を併用するようにして
も良い。
【００３９】圧力調整チャンバ６４内は真空ポンプ７０
により所定気圧に減圧されている。よって、弁６０を閉
じ弁６６を開くと、カプセル５４の内部は瞬時に減圧さ
れる。更に、弁６６を閉じ、弁６０を開いて真空ポンプ
５８を作動することにより、カプセル５４の内部を短時
間で目標とする気圧まで減圧することができる。
【００４０】温度センサ７６でカプセル５４内の温度を
検出しながら制御ユニット８０で加熱源１８を制御す
る。これにより、所望の温度でＬＳＩ６をセラミック基
板４に半田付けすることができる。
【００４１】図５に示した実施形態では、セラミック基
板４上に１つの部品（ＬＳＩ６）を搭載した例について
図示されているが、セラミック基板４上に複数の部品を
搭載し、個々の部品についてそれぞれカプセルで囲い込
み、各カプセル内部をそれぞれ独立した真空ポンプ及び
圧力調整チャンバに接続することにより、個々の部品に
ついての半田付け温度を自由に変えることができる。
【００４２】図６を参照すると、本発明第３実施形態の
リフロー半田付け装置の概略構成図が示されている。本
実施形態は、第１及び第２実施形態の真空ポンプに変え
てコンプレッサ等の加圧手段８２を採用したものであ
る。
【００４３】即ち、カプセル５４の内部は管路５６を介
して加圧手段８２に接続されている。カプセル５４をＦ
の力で押え付けながら、加圧手段８２を作動する。これ
により、カプセル５４の内部は加圧され、ＬＳＩ６を半
田付けする半田の融点は上昇する。カプセル５４内部の
気圧は気圧センサ７４で検出され、温度は温度センサ７
６で検出される。
【００４４】この実施形態によれば、カプセル内を加圧
することにより、半田の融点を上昇させることができ
る。よって、図５に示した第２実施形態と本実施形態と
を組み合わせることにより、個々の部品についての半田
付け温度を比較的自由に制御することができる。
【００４５】本実施形態は更に次のような応用が考えら
れる。即ち、弁６０，６６を開いて、加圧手段８２によ
りカプセル５４の内部のガスを不活性ガスで置換し、更
に弁６６を閉じることによりカプセル５４内部を不活性
ガスで加圧することができる。
【００４６】これにより、半田材料が酸化され易い材料
の場合には、不活性ガス雰囲気中で半田付けを行うこと
ができる。更に必要に応じて、カプセル内をそれぞれの
半田材料に適した雰囲気（酸素濃度、水素濃度など）に
することができる。
【００４７】本発明のリフロー半田付け装置は、一度基
板上に半田付けされた部品の補修に利用すると便利であ
る。即ち、カプセル内を所定気圧に減圧することによ
り、同一基板上に搭載された高温半田で半田付けされた
部品の半田を、周囲の低温半田で半田付けされた部品の
半田を溶解することなく、溶解することができる。
【００４８】溶解後に基板の所望箇所（フットプリント
等）に再度高温半田を塗布し、減圧されたカプセル内で
再度半田付けを行うことができる。
【００４９】図２を参照して、この補修の例について説
明する。チップ部品１２の半田付けの補修を行いたいと
する。この場合、弁４０を閉じ、弁３６を開いて真空ポ
ンプ３４を作動する。これにより、カプセル２４の内部
のみが減圧され、チップ部品１２を半田付けしたＰｂ−
Ｓｎ半田の融点を約２６０℃程度に下げることができ
る。
【００５０】加熱源１８でセラミック基板４を約２６０
℃に加熱すると、チップ部品１２の半田のみを溶解する
ことができる。半田の溶解後チップ部品１２を取り外
し、再びセラミック基板４のフットプリント上にＰｂ−
Ｓｎ半田を適用し、半田上にチップ部品１２を搭載す
る。
【００５１】カプセル２４を再び所望気圧になるまで減
圧し、再びセラミック基板４を２６０℃程度まで加熱し
て、他の部品を固定している半田を溶解することなく、
チップ部品１２の再半田付けを行うことができる。
【００５２】一般的に、物質の融点は圧力が高いと上昇
し、低いと低下する。本発明はこの原理をリフロー半田
付け装置に応用したものであり、以下のような利用形態
が考えられる。
【００５３】（１）Ａ，Ｂ２種類の部品（半田材料）が
有り、半田の融点がＡ＞Ｂであった場合、Ａ部品側のカ
プセルの気圧をＢ側よりも低くすることによって、同一
温度で２つの部品Ａ、Ｂの半田付けを同時に行うことが
できる。
【００５４】（２）Ｃ，Ｄ２種類の部品（半田材料）が
有り、酸化のされやすさ、又は還元力の強さが同等でな
い場合、それぞれに適した雰囲気（酸素濃度、水素濃度
など）をカプセルごとに作ることにより、最適な条件で
半田付けを行うことができる。
【００５５】（３）予め基板上に半田付けされたＥ，Ｆ
２種類の部品（半田材料）が有り、半田の融点がＥ≧Ｆ
である場合、Ｅ部品側のカプセルを減圧することによ
り、Ｅ部品の半田のみを溶解することができる。また
は、Ｆ部品側のカプセルを加圧することによっても、Ｅ
部品の半田のみを溶解することができる。
【００５６】（４）半田を急速に溶解したい場合、又は
凝固したい場合には、カプセル内を予め任意の気圧に調
整された圧力調整チャンバに連通することにより、カプ
セル内の圧力を急激に変化させることができ、これによ
り半田を急速に溶解又は凝固することができる。
【００５７】
【発明の効果】本発明によると、基板上に複数の部品を
異なる融点を有する半田で半田付けする場合、高い融点
の半田付け箇所をカプセル内に囲い込み、カプセル内を
所定気圧に減圧することにより、複数の部品の半田付け
を同一温度で一括して行うことができる。
【００５８】半田付けされる部品の半田材料に適合した
条件（溶融温度条件、半田付け雰囲気等）で半田付けを
行うことにより、基板の半田付け箇所の半田溶食を防ぐ
ことができる。
【００５９】半田付けされる部品の熱容量の問題で従来
は不可能であった、急速な半田の溶解又は凝固が可能と
なる。これにより、半田材料の粒界の緻密化が計られ部
品の疲労寿命が向上する。
【００６０】同一基板上に搭載された高温半田で半田付
けされた部品の半田を、周囲の低温半田で半田付けされ
た部品の半田を溶解することなく、溶解することがで
き、再度半田付けを行うことができる。
【００６１】本発明の実施の形態は以下の通りである。
【００６２】（１） 基板上に実装された第１部品を第
１の融点を有する第１半田で半田付けし、第２部品を前
記第１の融点よりも高い第２の融点を有する第２半田で
半田付けするリフロー半田付け装置であって、前記基板
を概略一様に加熱する加熱手段と；前記第２部品を囲い
込むカプセルと；前記カプセル内を減圧する減圧手段と
を具備し；前記減圧手段により前記カプセル内を所定量
減圧して、前記第１部品及び第２部品を実質上同一温度
でリフロー半田付けすることを特徴とするリフロー半田
付け装置。
【００６３】（２） 前記カプセル内の気圧を検出する
気圧センサと；前記カプセル内の温度を検出する温度セ
ンサと；前記加熱手段、減圧手段、気圧センサ及び温度
センサに接続された制御ユニットと；を更に具備した１
項記載のリフロー半田付け装置。
【００６４】（３） 前記カプセルの内部と前記減圧手
段と選択的に連通／遮断する第１の弁を更に具備した１
項記載のリフロー半田付け装置。
【００６５】（４） 前記カプセルの内部に連通された
部屋と；前記部屋の内部を減圧する第２減圧手段と；前
記カプセルの内部と前記部屋の内部を選択的に連通／遮
断する第２の弁と；前記部屋の内部と前記第２減圧手段
とを選択的に連通／遮断する第３の弁と；を更に具備し
た３項記載のリフロー半田付け装置。
【００６６】（５） 前記第１部品を囲い込む第２カプ
セルと、前記第２カプセル内を減圧する第３減圧手段と
を更に具備した１項記載のリフロー半田付け装置。
【００６７】（６） 基板上に半田付け実装された複数
の部品の半田を選択的に溶解するリフロー半田付け装置
であって、前記基板を加熱する加熱手段と；半田を溶解
したい部品のみを選択的に囲い込むカプセルと；前記カ
プセル内を減圧する減圧手段とを具備し；前記減圧手段
により前記カプセル内を所定量減圧して、選択された部
品の半田のみを溶解することを特徴とするリフロー半田
付け装置。
【００６８】（７） リフロー半田付け方法であって、
基板に形成された第１フットプリント上に第１の融点を
有する第１半田を塗布し；該基板に形成された第２フッ
トプリント上に前記第１の融点より高い第２の融点を有
する第２半田を塗布し；前記第１半田にリードが接触す
るように第１部品を前記基板上に搭載し；前記第２半田
にリードが接触するように第２部品を前記基板上に搭載
し；前記第２部品をカプセルで囲い込み；前記カプセル
内を減圧し；前記基板を前記第１の融点以上に加熱して
前記第１及び第２部品を一括半田付けすることを特徴と
するリフロー半田付け方法。
【００６９】（８） 前記カプセル内の気圧を検出し；
前記カプセル内の温度を検出し；前記カプセル内の気圧
及び温度を制御する；ステップを更に具備した７項記載
のリフロー半田付け方法。
【００７０】（９） 基板上に実装された第１部品を第
１の融点を有する第１半田で半田付けし、第２部品を前
記第１の融点よりも高い第２の融点を有する第２半田で
半田付けするリフロー半田付け装置であって、前記基板
を概略一様に加熱する加熱手段と；前記第１部品を囲い
込むカプセルと；前記カプセル内を加圧する加圧手段と
を具備し；前記加圧手段により前記カプセル内を所定量
加圧して、前記第１部品及び第２部品を実質上同一温度
でリフロー半田付けすることを特徴とするリフロー半田
付け装置。
【００７１】（１０） 前記カプセルの内部と前記加圧
手段とを選択的に連通／遮断する弁を更に具備した９項
記載のリフロー半田付け装置。
【００７２】（１１） リフロー半田付け方法であっ
て、基板に形成された第１フットプリント上に第１の融
点を有する第１半田を塗布し；該基板に形成された第２
フットプリント上に前記第１の融点よりも高い第２の融
点を有する第２半田を塗布し；前記第１半田にリードが
接触するように第１部品を前記基板上に搭載し；前記第
２半田にリードが接触するように第２部品を前記基板上
に搭載し；前記第１部品を第１カプセルで囲い込み；前
記第１カプセル内を加圧し；前記基板を前記第２の融点
以上に加熱して前記第１及び第２部品を一括半田付けす
ることを特徴とするリフロー半田付け方法。
【００７３】（１２） 前記第２部品を第２カプセルで
囲い込み；前記第１カプセル内及び第２カプセル内の少
なくとも何れか一方を不活性雰囲気に置換する；ステッ
プを更に具備した１１項記載のリフロー半田付け方法。
【図面の簡単な説明】
【図１】マルチチップモジュールの該略図である。
【図２】本発明第１実施形態のリフロー半田付け装置の
概略構成図である。
【図３】カプセル先端部の拡大断面図である。
【図４】非接触加熱の例を示す概略図である。
【図５】本発明第２実施形態のリフロー半田付け装置の
概略構成図である。
【図６】本発明第３実施形態のリフロー半田付け装置の
概略構成図である。
【符号の説明】
４ セラミック基板 ６，８ ＬＳＩ １０，１２ チップ部品 １４，１６ ＩＯ端子 １８ 加熱源 ２０，２２，２４，５４ カプセル ２８，３４，５８，７０ 真空ポンプ ６４ 圧力調整チャンバ

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に実装された第１部品を第１の融
    点を有する第１半田で半田付けし、第２部品を前記第１
    の融点よりも高い第２の融点を有する第２半田で半田付
    けするリフロー半田付け装置であって、前記基板を概略
    一様に加熱する加熱手段と；前記第２部品を囲い込むカ
    プセルと；前記カプセル内を減圧する減圧手段とを具備
    し；前記減圧手段により前記カプセル内を所定量減圧し
    て、前記第１部品及び第２部品を実質上同一温度でリフ
    ロー半田付けすることを特徴とするリフロー半田付け装
    置。
  2. 【請求項２】 基板上に半田付け実装された複数の部品
    の半田を選択的に溶解するリフロー半田付け装置であっ
    て、前記基板を加熱する加熱手段と；半田を溶解したい
    部品のみを選択的に囲い込むカプセルと；前記カプセル
    内を減圧する減圧手段とを具備し；前記減圧手段により
    前記カプセル内を所定量減圧して、選択された部品の半
    田のみを溶解することを特徴とするリフロー半田付け装
    置。
  3. 【請求項３】 リフロー半田付け方法であって、基板に
    形成された第１フットプリント上に第１の融点を有する
    第１半田を塗布し；該基板に形成された第２フットプリ
    ント上に前記第１の融点より高い第２の融点を有する第
    ２半田を塗布し；前記第１半田にリードが接触するよう
    に第１部品を前記基板上に搭載し；前記第２半田にリー
    ドが接触するように第２部品を前記基板上に搭載し；前
    記第２部品をカプセルで囲い込み；前記カプセル内を減
    圧し；前記基板を前記第１の融点以上に加熱して前記第
    １及び第２部品を一括半田付けすることを特徴とするリ
    フロー半田付け方法。
  4. 【請求項４】 基板上に実装された第１部品を第１の融
    点を有する第１半田で半田付けし、第２部品を前記第１
    の融点よりも高い第２の融点を有する第２半田で半田付
    けするリフロー半田付け装置であって、前記基板を概略
    一様に加熱する加熱手段と；前記第１部品を囲い込むカ
    プセルと；前記カプセル内を加圧する加圧手段とを具備
    し；前記加圧手段により前記カプセル内を所定量加圧し
    て、前記第１部品及び第２部品を実質上同一温度でリフ
    ロー半田付けすることを特徴とするリフロー半田付け装
    置。
  5. 【請求項５】 リフロー半田付け方法であって、基板に
    形成された第１フットプリント上に第１の融点を有する
    第１半田を塗布し；該基板に形成された第２フットプリ
    ント上に前記第１の融点よりも高い第２の融点を有する
    第２半田を塗布し；前記第１半田にリードが接触するよ
    うに第１部品を前記基板上に搭載し；前記第２半田にリ
    ードが接触するように第２部品を前記基板上に搭載し；
    前記第１部品を第１カプセルで囲い込み；前記第１カプ
    セル内を加圧し；前記基板を前記第２の融点以上に加熱
    して前記第１及び第２部品を一括半田付けすることを特
    徴とするリフロー半田付け方法。
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