JP2011245527A - 処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】処理室を所定の減圧雰囲気まで減圧するのに要する時間の短縮を図ることができる処理装置を提供する。
【解決手段】大気圧より低い減圧雰囲気で被処理物を処理する処理室6と、この処理室6に接続されている真空ポンプ14と、前記処理室6と真空ポンプ14とを接続するライン16に設けられている開閉バルブ17とを備えている処理装置において、前記開閉バルブ17と真空ポンプ14との間の前記接続ライン16にバッファタンク18が設けられている。前記バッファタンク18の容積が前記処理室6の容積よりも大きいことが好ましい。前記処理室6で半田部の加熱、脱泡が行われることが好ましい。
【選択図】図2
【解決手段】大気圧より低い減圧雰囲気で被処理物を処理する処理室6と、この処理室6に接続されている真空ポンプ14と、前記処理室6と真空ポンプ14とを接続するライン16に設けられている開閉バルブ17とを備えている処理装置において、前記開閉バルブ17と真空ポンプ14との間の前記接続ライン16にバッファタンク18が設けられている。前記バッファタンク18の容積が前記処理室6の容積よりも大きいことが好ましい。前記処理室6で半田部の加熱、脱泡が行われることが好ましい。
【選択図】図2
Description
本発明は、大気圧雰囲気と大気圧より低い減圧雰囲気とを繰り返す減圧室を備える処理装置に関する。
リフロー半田付け装置は、一般に、電子部品が搭載された基板をコンベヤで炉内を搬送しながら、熱風等で半田部を加熱して電子部品を基板に半田付けする(特許文献1参照)。上記のリフロー半田付けにおいて、半田部にボイドと称される空洞を生じて、半田付け不良を発生する場合がある。このため、減圧室を設け、減圧室内で半田部の加熱と同時に真空脱泡して半田部の気泡を抜き、半田部に気泡が残る半田付け不良の低減を図ったリフロー半田付け装置が提案されている(特許文献2参照)。
一方、従来、減圧室は、大気圧より低い所定の減圧雰囲気まで真空ポンプによって減圧されるように構成されている。すなわち、図4に示されているように、減圧室6には真空ポンプ14が接続され、減圧室6と真空ポンプ14の接続ライン16にラインの開閉を行う開閉バルブ17が設けられている。また、減圧室6には減圧雰囲気を大気圧に戻すための解放バルブ21が接続されている。なお、減圧室6の加熱手段や、減圧室6の出入り口及びその開閉手段などの図示及びそれらの説明は省略する。
以下、従来のリフロー半田付け装置における減圧室の作動を図5のタイミングチャートにより説明する。電子部品を搭載した基板が大気圧雰囲気の減圧室6に搬入されると、半田部の脱泡を行うために解放バルブ21が閉じ、開閉バルブ17が開き、真空ポンプ14が作動して、減圧室6内が真空雰囲気まで減圧される。減圧室6は真空雰囲気で所定時間保持され、電子部品を搭載した基板の半田部が脱泡される。半田部の脱泡が終了すると、解放バルブ21が開いて減圧室6は大気圧雰囲気に戻され、前記基板が減圧室6から搬出され、電子部品を搭載した基板が減圧室6に新たに搬入される。減圧室6内に新たな基板が搬入されると、上記で説明したようにして半田部の脱泡が実施される。このようにして、減圧室6内は大気圧雰囲気と真空雰囲気とが繰り返される。
しかしながら、従来の構成では、減圧室を大気圧より低い所定の圧力まで減圧するのに時間がかかり、生産性の点で問題がある。
本発明の目的は、処理室を所定の減圧雰囲気まで減圧するのに要する時間の短縮を図ることができる処理装置を提供することである。
上記課題を解決するために本発明は次の解決手段を採る。すなわち、
本発明は、大気圧より低い減圧雰囲気で被処理物を処理する処理室と、この処理室に接続されている真空ポンプと、前記処理室と真空ポンプとを接続するラインに設けられている開閉バルブとを備えている処理装置において、
前記開閉バルブと真空ポンプとの間の前記接続ラインにバッファタンクが設けられていることを特徴とする。
本発明は、大気圧より低い減圧雰囲気で被処理物を処理する処理室と、この処理室に接続されている真空ポンプと、前記処理室と真空ポンプとを接続するラインに設けられている開閉バルブとを備えている処理装置において、
前記開閉バルブと真空ポンプとの間の前記接続ラインにバッファタンクが設けられていることを特徴とする。
前記バッファタンクの容積が前記処理室の容積よりも大きいことが好ましい。なお、バッファタンクを複数個接続して設ける場合は、それらの容積の総和が前記処理室の容積より大きくされるのが好ましい。
前記処理室で半田部の加熱、脱泡が行われることが好ましい。
請求項1によれば、予め、バッファタンク内を大気圧より低い減圧雰囲気にしておけば、処理室を所定の減圧雰囲気にする際、開閉バルブを開放すると、処理室内の気体がバッファタンクに移動して処理室内が減圧されるので、真空ポンプによって処理室内を短時間で所定の減圧雰囲気にできる。このため、処理室を所定の減圧雰囲気にする時間を短縮でき、生産性の向上を図ることができる。
請求項2によれば、処理室を所定の減圧雰囲気にする時間の一層の短縮化を図れる。
請求項3によれば、半田部の加熱により発生するフラックスガスが真空ポンプに流入するのを低減でき、真空ポンプが故障するのを防止できる。
請求項2によれば、処理室を所定の減圧雰囲気にする時間の一層の短縮化を図れる。
請求項3によれば、半田部の加熱により発生するフラックスガスが真空ポンプに流入するのを低減でき、真空ポンプが故障するのを防止できる。
以下、本発明の一実施形態を図面を参照しながら説明する。
リフロー半田付け装置は、図1に示されているように、炉1内に、2個の予熱室2A,2B、2個のリフロー室3A,3B、1個の冷却室4を搬送ラインに沿って順に有している。5は、各室を仕切る仕切壁である。炉1内には、雰囲気ガスとして、半田の酸化を防止するために不活性ガス、本実施形態では窒素ガスが供給されている。
最初のリフロー室3A内には減圧室6が設けられている。減圧室6は左右一対の基板支持レール7を内部に有している。減圧室6の前後にはそれぞれ基板搬送コンベヤ8,9が配設されている。電子部品を搭載したプリント基板10は、半田付け箇所にペースト状のクリーム半田が塗られており、基板搬送コンベヤ8によって予熱室2A,2B内を搬送された後、図示外の第1移載手段によって基板搬送コンベヤ8からリフロー室3A内の減圧室6に送り込まれ、図示外の第2移載手段によって減圧室6から基板搬送コンベヤ9に移載されて、リフロー室3B及び冷却室4内を搬送される。
予熱室2A,2B及びリフロー室3A,3Bにおいて、11は送風機、12は送風機11を駆動するモータ、13はヒータである。予熱室2A,2B及び減圧室6の存在しないリフロー室3Bにおいては、ヒータ13で加熱された雰囲気気体が送風機11から吹き出されて室内を循環し、電子部品を搭載したプリント基板10に吹き付けられ、前記プリント基板10が所定の温度に加熱されるように構成されている。前記プリント基板10は予熱室2A,2Bで所定の温度に加熱され、リフロー室3Bで半田部が加熱溶融される。
減圧室6が存在するリフロー室3Aにおいては、ヒータ13で加熱された雰囲気気体が送風機11から吹き出されて室内を循環し、前記プリント基板10は半田部が加熱溶融される。減圧室6の壁部にはヒータ(図示せず)が埋め込まれている。減圧室6の周壁はアルミニウム材で形成されているので、壁部に埋め込まれているヒータ及び周囲の加熱された雰囲気気体によって加熱されたアルミニウム材の周壁から遠赤外線が放射され、減圧室6内は所定の高温度(半田溶融温度)にされるように構成されている。また、減圧室6は半田部の脱泡が行なわれる所定の真空雰囲気まで真空ポンプ14(図2参照)によって減圧されるように構成されている。したがって、電子部品を搭載したプリント基板10は減圧室6内で半田部が加熱されて溶融されると同時に脱泡される。
冷却室5においては、冷却風としての雰囲気気体が送風機11から吹き出されて室内を循環し、基板搬送コンベヤ9上のプリント基板10の半田部を冷却する。
減圧室6の前後面にはそれぞれ基板搬入口と基板搬出口が設けられ、更に、これらの基板搬出入口を開閉するシャッター15が設けられている。シャッター15は図示外のシリンダ装置により上下動することによって減圧室6の開閉を行う。減圧室6はシャッター15が閉じられて密閉状態とされたとき、真空ポンプ14(図2参照)によって所定の真空雰囲気まで減圧されるように構成されている。
図2に示されているように、減圧室6には真空ポンプ14が接続されている。減圧室6と真空ポンプ14とを接続するライン16にはラインの開閉を行う開閉バルブ17が設けられている。また、減圧室6と真空ポンプ14との接続ライン16には、開閉バルブ17と真空ポンプ14との間にバッファタンク18が設けられている。バッファタンク18は3個設けられ、直列に接続されている。3個のバッファタンク18の容積の総和は減圧室6の容積よりも大きい容積を有している。減圧室6には窒素ガス供給源19が接続しており、減圧室6と窒素ガス供給源19との間の接続ライン20に解放バルブ21が設けられている。
以下、上記リフロー半田付け装置の動作を図3のタイミングチャートに基づいて説明する。
真空ポンプ14の接続ライン16の開閉バルブ17が閉じられ、真空ポンプ14が作動し、バッファタンク18内が真空排気されて、バッファタンク18内は真空雰囲気にされる。このとき、解放バルブ21は開いており、減圧室6内は窒素ガスが供給されて大気圧雰囲気に保持されている。
上記の状態で、電子部品を搭載したプリント基板10は、炉1の入口側で基板搬送コンベヤ8に載せられ、基板搬送コンベヤ8によって減圧室6の手前位置まで搬送され、図示外の第1移載手段によって基板搬送コンベヤ8からリフロー室3Aの減圧室6内に移載される。このとき、シャッター15は下方に移動されてシャッター15は開けられており、減圧室6は窒素ガスが供給されて大気圧雰囲気に保持されている。
前記プリント基板10が減圧室6内に移載されると、シャッター15が上方に移動して閉じられ、減圧室6は密閉状態とされ、解放バルブ21が閉じられるとともに、真空ポンプ14の接続ライン16の開閉バルブ17が開放される。これにより、減圧室6内の窒素ガスはバッファタンク18に移動して減圧室6内は減圧し、更に、真空ポンプ14によって所定の真空雰囲気まで真空排気され、減圧室6は半田部の脱泡を行える所定の真空雰囲気で所定時間保持される。これにより、前記プリント基板10は減圧室6内で所定時間、加熱・脱泡処理される。上記において、バッファタンク18が存在するため、減圧室6を所定の真空雰囲気まで減圧するのに要する時間を短縮できる。
その後、開閉バルブ17が閉じられ、解放バルブ21が開放され、窒素ガス供給源19から窒素ガスが減圧室6内に供給され、減圧室6内は大気圧雰囲気になる。この状態で、シャッター15が下方に移動してシャッター15が開けられた後、前記プリント基板10は図示外の第2移載手段によってリフロー室3Aの減圧室6から基板搬送コンベヤ9に移載され、出口まで搬送される。
次に、電子部品を搭載した基板10が減圧室6内に新たに搬入され、上記で説明したように減圧室6内で半田部が加熱・脱泡処理される。
以上のようにして、電子部品を搭載したプリント基板10は、基板搬送コンベヤ8によって炉1内を搬送されながら、プリント基板上のクリーム半田が予熱室2A,2Bで所定の温度に加熱され、更に、半田部がリフロー室3Aで加熱溶融されるとともに、減圧室6内で加熱溶融されると同時に脱泡される。前記プリント基板10は、更に、半田部がその後のリフロー室3Bで加熱溶融され、続いて、冷却室4で溶融半田が冷却固化され、電子部品が基板上に半田付けされる。
なお、上記のリフロー半田付け装置にあっては、減圧室6内で半田部が加熱されたときに発生するフラックスガスがバッファタンク18の内壁に付着して真空ポンプ14に流入するのを低減できるため、真空ポンプ14が故障するのを防止できる。
なお、上記の実施形態では、バッファタンクを3個設けた例を示したが、これに限定されることがないことは言うまでもない。バッファタンクは1個でもよく、3個以外の他の個数でもよい。
また、上記のリフロー半田付け装置では、減圧室を加熱室の内部に設けた例を示したが、減圧室は基板の搬送経路の途中、例えば加熱室と加熱室の間(例えばリフロー室とリフロー室の間)に設けられる場合もある。また、減圧室内の基板の加熱方法は例えば減圧室の内部に遠赤外線ヒータを設けることもある。また、炉1内の気体として窒素ガスを使用したものを示したが、気体は窒素ガスに限らない。例えば、空気を使用する場合もある。
1・・炉、2A,2B・・予熱室、3A,3B・・リフロー室、4・・冷却室、5・・仕切壁、6・・減圧室、7・・基板支持レール、8,9・・基板搬送コンベヤ、10・・電子部品を搭載したプリント基板、11・・送風機、12・・モータ、13・・ヒータ、14・・真空ポンプ、15・・シャッター、16・・接続ライン、17・・開閉バルブ、18・・バッファタンク、19・・窒素ガス供給源、20・・接続ライン、21・・解放バルブ。
Claims (3)
- 大気圧より低い減圧雰囲気で被処理物を処理する処理室と、この処理室に接続されている真空ポンプと、前記処理室と真空ポンプとを接続するラインに設けられている開閉バルブとを備えている処理装置において、
前記開閉バルブと真空ポンプとの間の前記接続ラインにバッファタンクが設けられていることを特徴とする処理装置。 - 前記バッファタンクの容積が前記処理室の容積よりも大きいことを特徴とする請求項1記載の処理装置。
- 前記処理室で半田部の加熱、脱泡が行われることを特徴とする請求項1又は2記載の処理装置。
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