JPH09172253A - リフロー装置及びリフロー方法 - Google Patents
リフロー装置及びリフロー方法Info
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- JPH09172253A JPH09172253A JP34935495A JP34935495A JPH09172253A JP H09172253 A JPH09172253 A JP H09172253A JP 34935495 A JP34935495 A JP 34935495A JP 34935495 A JP34935495 A JP 34935495A JP H09172253 A JPH09172253 A JP H09172253A
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- surface side
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- air pressure
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3494—Heating methods for reflowing of solder
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、チツプ部品とリード部品とを基板上
に同時にはんだ付けすることのできるリフロー装置及び
リフロー方法を実現する。 【解決手段】基板の一面側に配置された発熱手段からは
んだを溶融させるための熱を発生させ、基板の一面側及
び他面側の空気圧がほぼ等しくなるように、加圧及び又
は減圧手段によつて基板の他面側の空気圧を上昇させ及
び又は基板の一面側の空気圧を下降させる。これによ
り、基板の一面側に発生した熱が基板に設けられたスリ
ツト孔や貫通孔を介して基板の他面側に逃げることを防
止し得るので、リード部品及びチツプ部品が位置決めさ
れてマウントされた基板と当該リード部品及びチツプ部
品との接合部に所定温度の熱を確実に伝えることがで
き、かくしてチツプ部品とリード部品とを基板上に同時
にはんだ付けすることのできるリフロー装置及びリフロ
ー方法を実現し得る。
に同時にはんだ付けすることのできるリフロー装置及び
リフロー方法を実現する。 【解決手段】基板の一面側に配置された発熱手段からは
んだを溶融させるための熱を発生させ、基板の一面側及
び他面側の空気圧がほぼ等しくなるように、加圧及び又
は減圧手段によつて基板の他面側の空気圧を上昇させ及
び又は基板の一面側の空気圧を下降させる。これによ
り、基板の一面側に発生した熱が基板に設けられたスリ
ツト孔や貫通孔を介して基板の他面側に逃げることを防
止し得るので、リード部品及びチツプ部品が位置決めさ
れてマウントされた基板と当該リード部品及びチツプ部
品との接合部に所定温度の熱を確実に伝えることがで
き、かくしてチツプ部品とリード部品とを基板上に同時
にはんだ付けすることのできるリフロー装置及びリフロ
ー方法を実現し得る。
Description
【０００１】
【目次】以下の順序で本発明を説明する。 発明の属する技術分野 従来の技術（図３） 発明が解決しようとする課題（図４） 課題を解決するための手段 発明の実施の形態（図１及び図２） 発明の効果
【０００２】
【発明の属する技術分野】本発明はリフロー装置及びリ
フロー方法に関し、例えばチツプ部品及びリード部品を
同時に基板上にはんだ付けする際のリフロー装置及びリ
フロー方法に適用して好適なものである。
フロー方法に関し、例えばチツプ部品及びリード部品を
同時に基板上にはんだ付けする際のリフロー装置及びリ
フロー方法に適用して好適なものである。
【０００３】
【従来の技術】従来、例えばテレビジヨンのチユーナ回
路においては、アンテナで受信された高周波（ＲＦ）信
号は高周波増幅回路において増幅された後、混合回路に
おいて局部発振回路から発生される局部発振信号と混合
されて周波数変換され、中間周波信号として後段の中間
周波増幅回路に送出される。このチユーナ回路から取り
出された中間周波信号は、例えば映像中間周波信号であ
れば中間周波増幅回路において受像管に必要な大きさま
で増幅される。
路においては、アンテナで受信された高周波（ＲＦ）信
号は高周波増幅回路において増幅された後、混合回路に
おいて局部発振回路から発生される局部発振信号と混合
されて周波数変換され、中間周波信号として後段の中間
周波増幅回路に送出される。このチユーナ回路から取り
出された中間周波信号は、例えば映像中間周波信号であ
れば中間周波増幅回路において受像管に必要な大きさま
で増幅される。
【０００４】このチユーナ回路と中間周波回路とはそれ
ぞれ高周波用の基板と中間周波用の基板とに形成されて
いる。すなわちチユーナ回路はガラスエポキシ基板上に
所定の部品が実装されて構成されており、基板上に実装
される部品は表面実装型のチツプ部品が主流である。こ
れに対して中間周波回路は紙フエノール基板上に所定の
部品が実装されて構成されており、基板上に実装される
部品は例えばリード部品等の挿入実装型の部品が主流で
ある。従つてチユーナ回路を製造する際には、リフロー
装置を用いて基板上にチツプ部品をはんだ付けし、中間
周波回路を製造する際には、デイツプマシンを用いて基
板上にリード部品をはんだ付けしていた。
ぞれ高周波用の基板と中間周波用の基板とに形成されて
いる。すなわちチユーナ回路はガラスエポキシ基板上に
所定の部品が実装されて構成されており、基板上に実装
される部品は表面実装型のチツプ部品が主流である。こ
れに対して中間周波回路は紙フエノール基板上に所定の
部品が実装されて構成されており、基板上に実装される
部品は例えばリード部品等の挿入実装型の部品が主流で
ある。従つてチユーナ回路を製造する際には、リフロー
装置を用いて基板上にチツプ部品をはんだ付けし、中間
周波回路を製造する際には、デイツプマシンを用いて基
板上にリード部品をはんだ付けしていた。
【０００５】図３に示すように、リフロー装置１はプリ
ヒート炉２、３及びリフロー炉４によつて構成されてい
る。これらプリヒート炉２、３及びリフロー炉４の下面
には、基板５の温度プロフアイルがそれぞれ所定時間内
に約０〜 150〔℃〕、約 150〜 160〔℃〕及び約 160〜
220〔℃〕の温度プロフアイルになるように所定温度の
熱を発生するヒータ２Ａ、３Ａ及び４Ａが設けられてい
る。またプリヒート炉２、３及びリフロー炉４にはそれ
ぞれシヤツタ２Ｂ、３Ｂ及び４Ｂ1 、４Ｂ2 が設けられ
ており、コンベアより搬送される基板５が搬入される際
に開き、基板５が搬入されると閉まるように構成されて
いる。
ヒート炉２、３及びリフロー炉４によつて構成されてい
る。これらプリヒート炉２、３及びリフロー炉４の下面
には、基板５の温度プロフアイルがそれぞれ所定時間内
に約０〜 150〔℃〕、約 150〜 160〔℃〕及び約 160〜
220〔℃〕の温度プロフアイルになるように所定温度の
熱を発生するヒータ２Ａ、３Ａ及び４Ａが設けられてい
る。またプリヒート炉２、３及びリフロー炉４にはそれ
ぞれシヤツタ２Ｂ、３Ｂ及び４Ｂ1 、４Ｂ2 が設けられ
ており、コンベアより搬送される基板５が搬入される際
に開き、基板５が搬入されると閉まるように構成されて
いる。
【０００６】実際上、チツプ部品が位置決めされてマウ
ントされた基板５は順にプリヒート炉２、３及びリフロ
ー炉４内にそれぞれ所定の時間滞在して所定の温度プロ
フアイルを構成することにより、基板５と各チツプ部品
との接合部に供給されたはんだを溶融させ、これにより
各チツプ部品を基板５上にはんだ付けし得るようになさ
れている。一方、デイツプマシンは溶融されたはんだが
満たされているデイツプ槽を有し、リード部品が位置決
めされてマウントされた基板をこのデイツプ槽に侵漬す
ることにより各リード部品を基板上にはんだ付けするも
のである。
ントされた基板５は順にプリヒート炉２、３及びリフロ
ー炉４内にそれぞれ所定の時間滞在して所定の温度プロ
フアイルを構成することにより、基板５と各チツプ部品
との接合部に供給されたはんだを溶融させ、これにより
各チツプ部品を基板５上にはんだ付けし得るようになさ
れている。一方、デイツプマシンは溶融されたはんだが
満たされているデイツプ槽を有し、リード部品が位置決
めされてマウントされた基板をこのデイツプ槽に侵漬す
ることにより各リード部品を基板上にはんだ付けするも
のである。
【０００７】このように高周波回路と中間周波回路は別
々のライン及び装置を用いて製造されていた。
々のライン及び装置を用いて製造されていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで近年、電子機
器の小型化が要求されており、このような要求に応える
ためには上述のような別々の基板上に形成されているチ
ユーナ回路（高周波回路）と中間周波増幅回路（中間周
波回路）を同一基板上に形成し、かつ基板と基板上のチ
ツプ部品及びリード部品とを同時にはんだ付けすること
が望まれる。
器の小型化が要求されており、このような要求に応える
ためには上述のような別々の基板上に形成されているチ
ユーナ回路（高周波回路）と中間周波増幅回路（中間周
波回路）を同一基板上に形成し、かつ基板と基板上のチ
ツプ部品及びリード部品とを同時にはんだ付けすること
が望まれる。
【０００９】ところが図４に示すように、例えば紙フエ
ノール基板６と、当該基板６上に位置決めされてマウン
トされたチツプ部品７と例えば抵抗８や電解コンデンサ
９等のリード部品とをはんだ付けする際に上述のリフロ
ー装置１を用いると、抵抗８や電解コンデンサ９用に設
けられた貫通孔１０や基板６上に予め設けられたスリツ
ト孔１１を介して、基板６の一面６Ａ側に設けられてい
る各ヒータ２Ａ、３Ａ及び４Ａから発生された熱１２が
基板６の他面６Ｂ側に逃げてしまい、基板６とチツプ部
品７との接合部に必要な熱を伝えることができない。
ノール基板６と、当該基板６上に位置決めされてマウン
トされたチツプ部品７と例えば抵抗８や電解コンデンサ
９等のリード部品とをはんだ付けする際に上述のリフロ
ー装置１を用いると、抵抗８や電解コンデンサ９用に設
けられた貫通孔１０や基板６上に予め設けられたスリツ
ト孔１１を介して、基板６の一面６Ａ側に設けられてい
る各ヒータ２Ａ、３Ａ及び４Ａから発生された熱１２が
基板６の他面６Ｂ側に逃げてしまい、基板６とチツプ部
品７との接合部に必要な熱を伝えることができない。
【００１０】ここでプリヒート炉２、３及びリフロー炉
４にそれぞれ設けられているヒータ２Ａ、３Ａ及び４Ａ
から発生される熱の温度を上昇させてもチツプ部品７に
は必要な熱が伝わらず（例えば 160〔℃〕程度までしか
上昇せず）、スリツト孔１１の周辺部の温度が 280
〔℃〕程度まで上昇し、この結果スリツト孔１１の周辺
部が焦げてしまう問題があつた。従つて従来のリフロー
装置１では、チツプ部品とリード部品とを同時に基板上
にはんだ付けすることができなかつた。
４にそれぞれ設けられているヒータ２Ａ、３Ａ及び４Ａ
から発生される熱の温度を上昇させてもチツプ部品７に
は必要な熱が伝わらず（例えば 160〔℃〕程度までしか
上昇せず）、スリツト孔１１の周辺部の温度が 280
〔℃〕程度まで上昇し、この結果スリツト孔１１の周辺
部が焦げてしまう問題があつた。従つて従来のリフロー
装置１では、チツプ部品とリード部品とを同時に基板上
にはんだ付けすることができなかつた。
【００１１】また貫通孔１０やスリツト孔１１を介して
熱が基板６の他面６Ｂ側に逃げてしまうため、例えば電
解コンデンサ９として耐熱用の電解コンデンサ９を用い
なければならず、その分基板６全体のコストが上昇する
問題があつた。
熱が基板６の他面６Ｂ側に逃げてしまうため、例えば電
解コンデンサ９として耐熱用の電解コンデンサ９を用い
なければならず、その分基板６全体のコストが上昇する
問題があつた。
【００１２】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、チツプ部品とリード部品とを基板上に同時にはんだ
付けすることのできるリフロー装置及びリフロー方法を
提案しようとするものである。
で、チツプ部品とリード部品とを基板上に同時にはんだ
付けすることのできるリフロー装置及びリフロー方法を
提案しようとするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、基板の一面側及び他面側の空気圧
がほぼ等しくなるように、基板の他面側の空気圧を上昇
させ及び又は基板の一面側の空気圧を下降させる加圧及
び又は減圧手段を設ける。
め本発明においては、基板の一面側及び他面側の空気圧
がほぼ等しくなるように、基板の他面側の空気圧を上昇
させ及び又は基板の一面側の空気圧を下降させる加圧及
び又は減圧手段を設ける。
【００１４】また本発明においては、基板の一面側及び
他面側の空気圧がほぼ等しくなるように、基板の他面側
の空気圧を上昇させ及び又は基板の一面側の空気圧を下
降させる。
他面側の空気圧がほぼ等しくなるように、基板の他面側
の空気圧を上昇させ及び又は基板の一面側の空気圧を下
降させる。
【００１５】本発明のリフロー装置及びリフロー方法に
おいては、リフロー時、基板の一面側及び他面側の空気
圧がほぼ等しくなるように、基板の他面側の空気圧を上
昇させ及び又は基板の一面側の空気圧を下降させたこと
により、基板の一面側に発生した熱が基板に設けられた
スリツト孔や貫通孔を介して基板の他面側に逃げること
を防止し得るので、リード部品及びチツプ部品が位置決
めされてマウントされた基板と当該リード部品及びチツ
プ部品との接合部に所定温度の熱を確実に伝えることが
できる。
おいては、リフロー時、基板の一面側及び他面側の空気
圧がほぼ等しくなるように、基板の他面側の空気圧を上
昇させ及び又は基板の一面側の空気圧を下降させたこと
により、基板の一面側に発生した熱が基板に設けられた
スリツト孔や貫通孔を介して基板の他面側に逃げること
を防止し得るので、リード部品及びチツプ部品が位置決
めされてマウントされた基板と当該リード部品及びチツ
プ部品との接合部に所定温度の熱を確実に伝えることが
できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施例を詳述する。
施例を詳述する。
【００１７】図１において、２０は全体として本発明の
実施例によるリフロー装置を示し、このリフロー装置２
０は、基板２１と当該基板２１上に位置決めされてマウ
ントされた表面実装型のチツプ部品（図示せず）及び挿
入実装型のリード部品（図示せず）との接合部に供給さ
れたはんだを加熱溶融することによりチツプ部品及びリ
ード部品とを基板２１上に同時にはんだ付けするように
なされている。
実施例によるリフロー装置を示し、このリフロー装置２
０は、基板２１と当該基板２１上に位置決めされてマウ
ントされた表面実装型のチツプ部品（図示せず）及び挿
入実装型のリード部品（図示せず）との接合部に供給さ
れたはんだを加熱溶融することによりチツプ部品及びリ
ード部品とを基板２１上に同時にはんだ付けするように
なされている。
【００１８】リフロー装置２０は、基板２１の温度プロ
フアイルが所定時間内に０〜約 150〔℃〕になるように
所定温度の熱を発生するプリヒート炉２２と、基板２１
の温度プロフアイルが所定時間内に約 150〜 160〔℃〕
になるように所定温度の熱を発生するプリヒート炉２３
と、基板２１の温度プロフアイルが所定時間内に約 160
〜 220〔℃〕になるように所定温度の熱を発生するリフ
ロー炉２４とによつて構成されており、コンベアより搬
送された基板２１はプリヒート炉２２、２３及びリフロ
ー炉２４に順次搬入されて、基板２１とチツプ部品及び
リード部品との接合部に供給されたはんだを溶融するよ
うになされている。
フアイルが所定時間内に０〜約 150〔℃〕になるように
所定温度の熱を発生するプリヒート炉２２と、基板２１
の温度プロフアイルが所定時間内に約 150〜 160〔℃〕
になるように所定温度の熱を発生するプリヒート炉２３
と、基板２１の温度プロフアイルが所定時間内に約 160
〜 220〔℃〕になるように所定温度の熱を発生するリフ
ロー炉２４とによつて構成されており、コンベアより搬
送された基板２１はプリヒート炉２２、２３及びリフロ
ー炉２４に順次搬入されて、基板２１とチツプ部品及び
リード部品との接合部に供給されたはんだを溶融するよ
うになされている。
【００１９】すなわちこれらプリヒート炉２２、２３及
びリフロー炉２４の底面（すなわち搬入される基板２１
の一面２１Ａ側）にはそれぞれヒータ２２Ｂ、２３Ｂ及
び２４Ｂが設けられており、各炉２２、２３及び２４に
おいて基板２１の一面２１Ａ側の温度プロフアイルがそ
れぞれ上述の温度プロフアイルとなるように所定温度の
熱を発生するようになされている。またプリヒート炉２
２、２３及びリフロー炉２４にはそれぞれシヤツタ２２
Ａ、２３Ａ及び２４Ａ1 、２４Ａ2 が設けられており、
コンベアより搬送される基板２１が各炉２２、２３又は
２４内に搬入される際に開き、基板２１が各炉２２、２
３又は２４内に搬入されると閉じるように構成されてい
る。
びリフロー炉２４の底面（すなわち搬入される基板２１
の一面２１Ａ側）にはそれぞれヒータ２２Ｂ、２３Ｂ及
び２４Ｂが設けられており、各炉２２、２３及び２４に
おいて基板２１の一面２１Ａ側の温度プロフアイルがそ
れぞれ上述の温度プロフアイルとなるように所定温度の
熱を発生するようになされている。またプリヒート炉２
２、２３及びリフロー炉２４にはそれぞれシヤツタ２２
Ａ、２３Ａ及び２４Ａ1 、２４Ａ2 が設けられており、
コンベアより搬送される基板２１が各炉２２、２３又は
２４内に搬入される際に開き、基板２１が各炉２２、２
３又は２４内に搬入されると閉じるように構成されてい
る。
【００２０】さらにこれらプリヒート炉２２、２３及び
リフロー炉２４の底面と対向する上面（すなわち搬入さ
れる基板２１の他面２１Ｂ側）にはそれぞれエアブロー
２２Ｃ、２３Ｃ及び２４Ｃが設けられており、図２に示
すように、プリヒート炉２２、２３及びリフロー炉２４
内に基板２１が搬入された際、基板２１の一面２１Ａ側
と他面２１Ｂ側の空気圧がほぼ等しくなるように所定の
圧力でエアを基板２１の他面２１Ｂ側に供給するように
なされている。
リフロー炉２４の底面と対向する上面（すなわち搬入さ
れる基板２１の他面２１Ｂ側）にはそれぞれエアブロー
２２Ｃ、２３Ｃ及び２４Ｃが設けられており、図２に示
すように、プリヒート炉２２、２３及びリフロー炉２４
内に基板２１が搬入された際、基板２１の一面２１Ａ側
と他面２１Ｂ側の空気圧がほぼ等しくなるように所定の
圧力でエアを基板２１の他面２１Ｂ側に供給するように
なされている。
【００２１】ここでこのリフロー装置２０では、基板２
１がプリヒート２２に搬入されてからプリヒート炉２３
を介してリフロー炉２４に搬入されてリフロー炉２４か
ら搬出されるまでの時間は約 150〜 180秒に設定されて
いる。またプリヒート炉２２では、基板２１の温度を約
50〜80秒の間約 150〔℃〕に保持させ、リフロー炉２４
では、基板２１の温度を約20〜40秒の間約 200〜 220
〔℃〕に保持する。
１がプリヒート２２に搬入されてからプリヒート炉２３
を介してリフロー炉２４に搬入されてリフロー炉２４か
ら搬出されるまでの時間は約 150〜 180秒に設定されて
いる。またプリヒート炉２２では、基板２１の温度を約
50〜80秒の間約 150〔℃〕に保持させ、リフロー炉２４
では、基板２１の温度を約20〜40秒の間約 200〜 220
〔℃〕に保持する。
【００２２】以上の構成において、このリフロー装置２
０では、まず基板２１が搬入された際、プリヒート炉２
２、２３及びリフロー炉２４内でそれぞれ所定時間内に
基板２１が上述の温度プロフアイルを実現するように、
プリヒート炉２２、２３及びリフロー炉２４内のヒータ
２２Ｂ、２３Ｂ及び２４Ｂより所定の温度の熱を発生さ
せておく。この後各プリヒート炉２２、２３及びリフロ
ー炉２４は、コンベアによつて基板２１が搬入された
際、それぞれエアブロー２２Ｃ、２３Ｃ及び２４Ｃから
所定の圧力でエアを基板２１の他面２１Ｂ側に供給す
る。
０では、まず基板２１が搬入された際、プリヒート炉２
２、２３及びリフロー炉２４内でそれぞれ所定時間内に
基板２１が上述の温度プロフアイルを実現するように、
プリヒート炉２２、２３及びリフロー炉２４内のヒータ
２２Ｂ、２３Ｂ及び２４Ｂより所定の温度の熱を発生さ
せておく。この後各プリヒート炉２２、２３及びリフロ
ー炉２４は、コンベアによつて基板２１が搬入された
際、それぞれエアブロー２２Ｃ、２３Ｃ及び２４Ｃから
所定の圧力でエアを基板２１の他面２１Ｂ側に供給す
る。
【００２３】この場合、図３に示すように、エアブロー
２２Ｃ、２３Ｃ及び２４Ｃからのエアによつて基板２１
の一面２１Ａ側と他面２１Ｂ側との空気圧をほぼ均衡さ
せることができるので、それぞれヒータ２２Ｂ、２３Ｂ
及び２４Ｂから発生される熱がスリツト孔２１Ｃや貫通
孔２７を介して基板２１の他面２１Ｂ側に流れ込むこと
をほぼ防止することができる。またこの場合、ヒータ２
２Ｂ、２３Ｂ及び２４Ｂから発生された熱はエアによつ
て基板２１の他面２１Ｂ側への流入を阻止されるので、
基板２１の他面２１Ｂ側をほぼ常温に設定することがで
きる。
２２Ｃ、２３Ｃ及び２４Ｃからのエアによつて基板２１
の一面２１Ａ側と他面２１Ｂ側との空気圧をほぼ均衡さ
せることができるので、それぞれヒータ２２Ｂ、２３Ｂ
及び２４Ｂから発生される熱がスリツト孔２１Ｃや貫通
孔２７を介して基板２１の他面２１Ｂ側に流れ込むこと
をほぼ防止することができる。またこの場合、ヒータ２
２Ｂ、２３Ｂ及び２４Ｂから発生された熱はエアによつ
て基板２１の他面２１Ｂ側への流入を阻止されるので、
基板２１の他面２１Ｂ側をほぼ常温に設定することがで
きる。
【００２４】従つてこのリフロー装置２０では、ヒータ
２２Ｂ、２３Ｂ及び２４Ｂから発生される熱がスリツト
孔２１Ｃや貫通孔２７を介して基板２１の他面２１Ｂ側
に流れ込むことをほぼ防止し得るので、基板２１の一面
２１Ｂに位置決めされてマウントされたチツプ部品２８
と基板２１との接合部に確実に所定温度の熱を伝えるこ
とができる。またこのリフロー装置２０では、基板２１
の他面２１Ｂ側をほぼ常温に設定することができるの
で、例えば抵抗２５や電解コンデンサ２６として耐熱用
の抵抗や電解コンデンサではなく非耐熱部品を使用する
ことができ、これにより基板２１の製造コストを低減す
ることができる。
２２Ｂ、２３Ｂ及び２４Ｂから発生される熱がスリツト
孔２１Ｃや貫通孔２７を介して基板２１の他面２１Ｂ側
に流れ込むことをほぼ防止し得るので、基板２１の一面
２１Ｂに位置決めされてマウントされたチツプ部品２８
と基板２１との接合部に確実に所定温度の熱を伝えるこ
とができる。またこのリフロー装置２０では、基板２１
の他面２１Ｂ側をほぼ常温に設定することができるの
で、例えば抵抗２５や電解コンデンサ２６として耐熱用
の抵抗や電解コンデンサではなく非耐熱部品を使用する
ことができ、これにより基板２１の製造コストを低減す
ることができる。
【００２５】さらにこのリフロー装置２０では、基板２
１上に位置決めされてマウントされたチツプ部品２８及
びリード部品としての抵抗２５や電解コンデンサ２６を
基板２１上に同時にはんだ付けし得るので、上述のよう
に高周波用の基板と中間周波用の基板の一枚化を促進さ
せることができ、これにより電子機器の一層の小型化を
促進させることができ、また従来のようにチツプ部品と
リード部品のはんだ付けを別々のラインと装置で行う必
要がないので、製造工程を削減し得ると共に装置の設置
スペース及び製造コストを大幅に削減することができ
る。
１上に位置決めされてマウントされたチツプ部品２８及
びリード部品としての抵抗２５や電解コンデンサ２６を
基板２１上に同時にはんだ付けし得るので、上述のよう
に高周波用の基板と中間周波用の基板の一枚化を促進さ
せることができ、これにより電子機器の一層の小型化を
促進させることができ、また従来のようにチツプ部品と
リード部品のはんだ付けを別々のラインと装置で行う必
要がないので、製造工程を削減し得ると共に装置の設置
スペース及び製造コストを大幅に削減することができ
る。
【００２６】以上の構成によれば、プリヒート炉２２、
２３及びリフロー炉２４の上面、すなわち基板２１の他
面２１Ｂ側にそれぞれエアブロー２２Ｃ、２３Ｃ及び２
４Ｃを設け、基板２１がそれぞれプリヒート炉２２、２
３及びリフロー炉２４内に搬入された際、基板２１の一
面２１Ａ側と他面２１Ｂ側の空気圧がほぼ等しくなるよ
うに、エアブロー２２Ｃ、２３Ｃ及び２４Ｃから所定の
圧力でエアを基板２１の他面２１Ａ側に供給するように
したことにより、ヒータ２２Ｂ、２３Ｂ及び２４Ｂから
発生される熱がスリツト孔２１Ｃや貫通孔２７を介して
基板２１の他面２１Ｂ側に流れ込むことをほぼ防止し得
るので、基板２１の一面２１Ｂに位置決めされてマウン
トされたチツプ部品２８と基板２１との接合部に確実に
所定温度の熱を伝えることができ、かくしてチツプ部品
及びリード部品を基板上に同時にはんだ付けすることの
できるリフロー装置及びリフロー方法を実現することが
できる。
２３及びリフロー炉２４の上面、すなわち基板２１の他
面２１Ｂ側にそれぞれエアブロー２２Ｃ、２３Ｃ及び２
４Ｃを設け、基板２１がそれぞれプリヒート炉２２、２
３及びリフロー炉２４内に搬入された際、基板２１の一
面２１Ａ側と他面２１Ｂ側の空気圧がほぼ等しくなるよ
うに、エアブロー２２Ｃ、２３Ｃ及び２４Ｃから所定の
圧力でエアを基板２１の他面２１Ａ側に供給するように
したことにより、ヒータ２２Ｂ、２３Ｂ及び２４Ｂから
発生される熱がスリツト孔２１Ｃや貫通孔２７を介して
基板２１の他面２１Ｂ側に流れ込むことをほぼ防止し得
るので、基板２１の一面２１Ｂに位置決めされてマウン
トされたチツプ部品２８と基板２１との接合部に確実に
所定温度の熱を伝えることができ、かくしてチツプ部品
及びリード部品を基板上に同時にはんだ付けすることの
できるリフロー装置及びリフロー方法を実現することが
できる。
【００２７】なお上述の実施例においては、基板の一面
側及び他面側の空気圧がほぼ等しくなるように、基板の
他面側の空気圧を上昇させ及び又は一面側の空気圧を下
降させる加圧及び又は減圧手段としてエアブロー２２
Ｃ、２３Ｃ及び２４Ｃを用いた場合について述べたが、
本発明はこれに限らず、例えばプリヒート炉２２、２３
及びリフロー炉２４の基板２１の一面２１Ａ側に真空ポ
ンプを設け、基板２１の一面２１Ａ側と他面２１Ｂ側と
の空気圧がほぼ等しくなるように真空引きするようにし
てもよく、要は基板２１の一面２１Ａ側と他面２１Ｂ側
との空気圧がほぼ等しくなるようにし得れば、加圧及び
又は減圧手段としてこの他種々の加圧及び又は減圧手段
を適用し得る。
側及び他面側の空気圧がほぼ等しくなるように、基板の
他面側の空気圧を上昇させ及び又は一面側の空気圧を下
降させる加圧及び又は減圧手段としてエアブロー２２
Ｃ、２３Ｃ及び２４Ｃを用いた場合について述べたが、
本発明はこれに限らず、例えばプリヒート炉２２、２３
及びリフロー炉２４の基板２１の一面２１Ａ側に真空ポ
ンプを設け、基板２１の一面２１Ａ側と他面２１Ｂ側と
の空気圧がほぼ等しくなるように真空引きするようにし
てもよく、要は基板２１の一面２１Ａ側と他面２１Ｂ側
との空気圧がほぼ等しくなるようにし得れば、加圧及び
又は減圧手段としてこの他種々の加圧及び又は減圧手段
を適用し得る。
【００２８】また上述の実施例においては、搬送される
基板の一面側に配置され、はんだを溶融するための熱を
発生する発熱手段としてヒータ２２Ｂ、２３Ｂ及び２４
Ｂを用いた場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、発熱手段としてこの他種々の発熱手段を適用し得
る。さらに上述の実施例においては、電子部品が位置決
めされてマウントされる基板として紙フエノール基板２
１を用いた場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、電子部品が位置決めされてマウントされる基板とし
てこの他種々の基板を適用してもよい。
基板の一面側に配置され、はんだを溶融するための熱を
発生する発熱手段としてヒータ２２Ｂ、２３Ｂ及び２４
Ｂを用いた場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、発熱手段としてこの他種々の発熱手段を適用し得
る。さらに上述の実施例においては、電子部品が位置決
めされてマウントされる基板として紙フエノール基板２
１を用いた場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、電子部品が位置決めされてマウントされる基板とし
てこの他種々の基板を適用してもよい。
【００２９】さらに上述の実施例においては、基板上に
位置決めされてマウントされる電子部品として抵抗２
５、電解コンデンサ２６及びチツプ部品２８を用いた場
合について述べたが、本発明はこれに限らず、基板上に
位置決めされてマウントされる電子部品としてこの他種
々のリード部品やチツプ部品を用いてもよい。
位置決めされてマウントされる電子部品として抵抗２
５、電解コンデンサ２６及びチツプ部品２８を用いた場
合について述べたが、本発明はこれに限らず、基板上に
位置決めされてマウントされる電子部品としてこの他種
々のリード部品やチツプ部品を用いてもよい。
【００３０】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、搬送され
る基板の一面側に配置された発熱手段からはんだを溶融
させるための熱を発熱させ、加圧及び又は減圧手段によ
つて基板の一面側及び他面側の空気圧がほぼ等しくなる
ように、基板の他面側の空気圧を上昇させ及び又は基板
の一面側の空気圧を下降させることにより、基板の一面
側に発生した熱が基板に設けられたスリツト孔や貫通孔
を介して基板の他面側に逃げることを防止し得るので、
リード部品及びチツプ部品が位置決めされてマウントさ
れた基板と当該リード部品及びチツプ部品との接合部に
所定温度の熱を確実に伝えることができ、かくしてリー
ド部品とチツプ部品とを基板上に同時にはんだ付けする
ことのできるリフロー装置及びリフロー方法を実現する
ことができる。
る基板の一面側に配置された発熱手段からはんだを溶融
させるための熱を発熱させ、加圧及び又は減圧手段によ
つて基板の一面側及び他面側の空気圧がほぼ等しくなる
ように、基板の他面側の空気圧を上昇させ及び又は基板
の一面側の空気圧を下降させることにより、基板の一面
側に発生した熱が基板に設けられたスリツト孔や貫通孔
を介して基板の他面側に逃げることを防止し得るので、
リード部品及びチツプ部品が位置決めされてマウントさ
れた基板と当該リード部品及びチツプ部品との接合部に
所定温度の熱を確実に伝えることができ、かくしてリー
ド部品とチツプ部品とを基板上に同時にはんだ付けする
ことのできるリフロー装置及びリフロー方法を実現する
ことができる。
【図１】本発明の実施例によるリフロー装置の概略構成
を示す略線的断面図である。
を示す略線的断面図である。
【図２】エアブローから供給されるエアの説明に供する
略線的断面図である。
略線的断面図である。
【図３】エアを供給した際のヒータから発生された熱の
流れの説明に供する略線的断面図である。
流れの説明に供する略線的断面図である。
【図４】従来のリフロー装置の概略構成を示す略線的断
面図である。
面図である。
【図５】従来のリフロー装置を用いた際の問題点の説明
に供する略線的断面図である。
に供する略線的断面図である。
１、２０……リフロー装置、２１……基板、２１Ｃ……
スリツト孔、２２、２３……プリヒート炉、２２Ｂ、２
３Ｂ、２４Ｂ……ヒータ、２２Ｃ、２３Ｃ、２４Ｃ……
エアブロー、２４……リフロー炉、２５……抵抗、２６
……電解コンデンサ、２７……貫通孔、２８……チツプ
部品。
スリツト孔、２２、２３……プリヒート炉、２２Ｂ、２
３Ｂ、２４Ｂ……ヒータ、２２Ｃ、２３Ｃ、２４Ｃ……
エアブロー、２４……リフロー炉、２５……抵抗、２６
……電解コンデンサ、２７……貫通孔、２８……チツプ
部品。
Claims (6)
- 【請求項１】基板と当該基板上に位置決めされてマウン
トされた電子部品との接合部に供給されるはんだを加熱
溶融するリフロー装置において、 搬送される上記基板の一面側に配置され、上記はんだを
溶融させるための熱を発生する発熱手段と、 上記基板の一面側及び他面側の空気圧がほぼ等しくなる
ように、上記基板の他面側の空気圧を上昇させ及び又は
上記基板の一面側の空気圧を下降させる加圧及び又は減
圧手段とを具えることを特徴とするリフロー装置。 - 【請求項２】上記加圧及び又は減圧手段は、 上記基板の他面側に所定の風圧を印加して上記基板の他
面側の空気圧を上昇させることにより、上記基板の一面
側及び他面側の空気圧をほぼ等しくさせることを特徴と
する請求項１に記載のリフロー装置。 - 【請求項３】上記加圧及び又は減圧手段は、 上記基板の一面側を真空引きして上記基板の一面側の空
気圧を下降させることにより、上記基板の一面側及び他
面側の空気圧をほぼ等しくさせることを特徴とする請求
項１に記載のリフロー装置。 - 【請求項４】基板と当該基板上に位置決めされてマウン
トされた電子部品との接合部に供給されるはんだを加熱
溶融するリフロー方法において、 搬送される上記基板の一面側に上記はんだを溶融させる
ための熱を発生させる第１の工程と、 上記基板の一面側及び他面側の空気圧がほぼ等しくなる
ように、上記基板の他面側の空気圧を上昇させ及び又は
上記基板の一面側の空気圧を下降させる第２の工程とを
具えることを特徴とするリフロー方法。 - 【請求項５】上記第２の工程は、 上記基板の他面側に所定の風圧を印加して上記基板の他
面側の空気圧を上昇させることにより、上記基板の一面
側及び他面側の空気圧をほぼ等しくさせることを特徴と
する請求項４に記載のリフロー方法。 - 【請求項６】上記第２の工程は、 上記基板の一面側を真空引きして上記基板の他面側の空
気圧を下降させることにより、上記基板の一面側及び他
面側の空気圧をほぼ等しくさせることを特徴とする請求
項４に記載のリフロー方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34935495A JPH09172253A (ja) | 1995-12-19 | 1995-12-19 | リフロー装置及びリフロー方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34935495A JPH09172253A (ja) | 1995-12-19 | 1995-12-19 | リフロー装置及びリフロー方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09172253A true JPH09172253A (ja) | 1997-06-30 |
Family
ID=18403207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34935495A Pending JPH09172253A (ja) | 1995-12-19 | 1995-12-19 | リフロー装置及びリフロー方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09172253A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6334569B1 (en) | 1999-09-03 | 2002-01-01 | Fujitsu Limited | Reflow soldering apparatus and reflow soldering method |
-
1995
- 1995-12-19 JP JP34935495A patent/JPH09172253A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6334569B1 (en) | 1999-09-03 | 2002-01-01 | Fujitsu Limited | Reflow soldering apparatus and reflow soldering method |
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