JPH08242069A - 電子回路基板の製造装置、はんだ付け装置及び製造方法 - Google Patents

電子回路基板の製造装置、はんだ付け装置及び製造方法

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JPH08242069A
JPH08242069A JP7045690A JP4569095A JPH08242069A JP H08242069 A JPH08242069 A JP H08242069A JP 7045690 A JP7045690 A JP 7045690A JP 4569095 A JP4569095 A JP 4569095A JP H08242069 A JPH08242069 A JP H08242069A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 液体により電子部品を回路基板上に仮固定
し、フラックス等を用いることなく、かつ、洗浄工程を
省略して回路基板と電子部品とをはんだ接続する。 【構成】 液体により予めはんだが供給されている電子
部品を回路基板上に仮固定した被処理電子回路基板は、
真空排気系16とガス導入系15とにより低酸素濃度雰
囲気が形成された容器6内で、カーボンヒータ等により
加熱することにより処理される。この処理中、容器6内
の圧力を圧力制御部9によりコントロールし、液体の蒸
発速度を制御する。これにより、はんだ接続後に液体を
完全に蒸発させることができ、無残渣化、無洗浄化を図
ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子回路基板の製造装
置、はんだ付け装置及び製造方法に係り、特に、回路基
板上に接続面を覆うように供給された液体で仮固定され
た電子部品を回路基板上にはんだ接続するために使用し
て好適な電子回路基板の製造装置、はんだ付け装置及び
製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】回路基板にLSI等の電子部品をはんだ
により接続する場合、はんだ接続の前工程での搬送時
に、衝撃等による電子部品の位置ずれ、移動、落下等を
防止するために、一時的に電子部品を回路基板上に仮固
定することが必要である。このような電子部品の回路基
板上への仮固定に関する従来技術として、(1)フラック
スまたははんだペーストの粘性を利用する方法、(2)エ
ポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂を用いる方法、(3)紫
外線硬化型のアクリル系樹脂を用いる方法、等が知られ
ている。
【0003】なお、この種の従来技術として、例えば、
特開平1−150493号公報等に記載された技術が知
られている。
【0004】前述した(1)のフラックスまたははんだペ
ーストの粘性を利用する方法は、はんだ材及び接続面が
フラックス、ペースト等に覆われているため、はんだ接
続中に酸化を防止する等の利点を有するものであるが、
フラックス等の付着による搬送系のトラブル、はんだ接
続後のフラックス残渣を有機溶剤等により洗浄する必要
がある等の問題点を有している。さらに、この方法は、
今後、環境保全の立場から洗浄に使用する有機溶剤の使
用が禁止される、はんだ接続部の高密度化、微細化に伴
い洗浄が困難になる等の問題点を生じる可能性がある。
【0005】これらのフラックスを用いる接続部の残渣
の洗浄に関する問題点を解決するために、無洗浄で信頼
性を確保することができる低残渣フラックス等が開発さ
れている。低残渣フラックスを使用する従来技術とし
て、例えば、特開平2−25921号公報、特開平3−
210994号公報、特開平4−220192号公報等
に記載された技術が知られている。
【0006】また、前述した(2)、(3)の各種の樹脂を
用いる方法は、樹脂が回路基板と電子部品との間に残る
ため、はんだによる接続部に応力が発生し、あるいは、
フリップチップのようなはんだ接続を行う場合、接続面
にこれらの樹脂を塗布しなければならないためはんだ接
続不良が発生する等の問題点を生じていた。
【0007】回路基板と電子部品とをはんだ接続する方
法として、溶融はんだを用いるフローソルダリング、熱
源として赤外線(遠赤外線、近赤外線)、ホットガス等
を使用してはんだを溶かすリフローソルダリング、ある
いは、気体から液体に変化する時の潜熱を利用したベー
パーリフローソルダリング等が知られている。これらの
はんだ接続に関する従来技術として、例えば、特公平4
−59068号公報等に記載された技術が知られてい
る。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来技術によ
る電子部品をフラックス等を用いて回路基板上に仮固定
してはんだ接続を行う技術は、すでに説明したようにフ
ラックスの付着による搬送系のトラブル、はんだ接続後
のフラックス残渣を有機溶剤等により洗浄する必要があ
る等の問題点を有している。また、低残渣フラックスを
使用する技術もあるが、この場合特別なフラックを使用
しなければならない。
【0009】また、前述した各種の樹脂を用いる従来技
術は、樹脂が回路基板と電子部品との間に残るため、は
んだによる接続部に応力が発生し、あるいは、フリップ
チップのようなはんだ接続を行う場合、接続面にこれら
の樹脂を塗布しなければならないためはんだ接続不良が
発生するという問題点を有している。
【0010】前述した従来技術の問題点を解決するため
に、電子部品と回路基板との間にアルコール系の液体を
満たして、電子部品を回路基板上に仮固定し、この液体
により電子部品を回路基板上に仮固定した状態で、フラ
ックス等を用いることなくはんだ接続を行う技術が提案
されている。
【0011】本発明の目的は、液体により電子部品を回
路基板上に仮固定した状態で、フラックス等を用いるこ
となくはんだ接続を行う装置で、電子部品の接続面を酸
化させることなく保護して良好なはんだ接続を確保する
ことができ、また、はんだ接続後の洗浄工程を省略する
ことのできる電子回路基板の製造装置、はんだ付け装置
及び製造方法を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明によれば前記目的
は、処理容器と、該処理容器内の雰囲気とその圧力とを
制御する手段と、前記処理容器内に設けられた加熱手段
とを備え、回路基板上に接続面を覆うように供給された
液体により電子部品が仮固定された被処理電子回路基板
を前記加熱装置により加熱し、前記処理容器内の雰囲気
の圧力を制御することにより、前記液体の蒸発状況を制
御して前記回路基板上の接続面と該回路基板上に仮固定
されている電子部品の接合部材との間のはんだ接続を行
うようにすることにより、また、前記処理容器内の雰囲
気を低酸素濃度雰囲気とすることにより達成される。
【0013】
【作用】回路基板上に接続面を覆うように供給された液
体により仮固定された電子部品をフラックス等を用いる
ことなく回路基板上にはんだ接続する際、製造装置内に
設けられた容器内を低酸素濃度雰囲気にし、加熱手段に
より前記回路基板と電子部品とを加熱することにより、
電子部品の接続面を酸化させることなく保護して良好な
はんだ接続を確保することができる。また、容器内の圧
力を制御することにより、電子部品を固定するために使
用している液体の蒸発速度を制御することができ、はん
だ接続後に完全に液体を蒸発させることができ、はんだ
接続後の洗浄工程を省略することができる。
【0014】
【実施例】以下、本発明による電子回路基板の製造装置
及びはんだ付け装置の一実施例を図面により詳細に説明
する。
【0015】図1は本発明の一実施例の製造装置により
はんだ接続を行う電子部品を仮固定した回路基板の構成
を示す断面図、図2は本発明の一実施例による電子回路
基板の製造装置の構成を示す斜視図、図3は処理容器の
内部構造を示す断面図、図4は電子部品の仮固定用に使
用する液体の例を説明する図である。図1〜図3におい
て、1は電子部品、2は電子部品1を仮固定する液体、
3は接続面、4は回路基板、5ははんだ材、6は処理容
器、7は圧力制御部、8は酸素濃度モニター部、9は温
度制御部、10は電子回路基板搬送部、11は制御部、
12は被処理電子回路基板、13はカーボンヒータ、1
4は冷却板、15はガス導入系、16は真空排気系であ
る。
【0016】本発明によりはんだ接続が行われる電子部
品と回路基板とによる被処理電子回路基板12は、図1
に示すように、はんだ材5によるはんだバンプ端子が設
けられているLSI等の電子部品1が、セラミック、ガ
ラスエポキシ等により形成された回路基板4上に、電子
部品1を仮固定する液体2により仮固定されて構成され
る。その際、はんだ接続される回路基板4に設けられて
いる接続面3と電子部品のはんだ材5との位置が一致す
るように位置合わせされている。
【0017】前述のように電子部品1が回路基板4に仮
固定されている被処理電子回路基板12に対して処理を
行い、電子部品1に設けられているはんだ材5と回路基
板4に設けられている接続面3とをはんだ接続する本発
明の一実施例による電子回路基板の製造装置は、図2に
示すように、図1に示す被処理電子回路基板に対して加
熱、冷却等の処理を行いはんだ接続を行う処理容器6
と、液体2の蒸発速度を制御するための圧力制御部7、
処理容器6内に形成した低酸素濃度雰囲気の酸素濃度を
モニターする酸素濃度モニター部8と、被処理電子回路
基板12を加熱するカーボンヒータの温度制御部9と、
一連の動作を自動処理するための電子回路基板搬送部1
0と、装置全体の自動制御処理を行う制御部11とによ
り構成されている。
【0018】そして、前述した処理容器6内には、図3
に示すように、被処理電子回路基板12を加熱するため
のカーボンヒータ13と、加熱されたカーボンヒータ1
3と被処理電子回路基板12とを冷却する金属製の水冷
タイプの冷却板14とが配置されており、被処理電子回
路基板12は、カーボンヒータ13上に載置されて処理
される。また、処理容器6には、ガス導入系15と、真
空排気系16とが接続されており、処理容器6内の処理
雰囲気の制御が行われる。なお、前述した密閉処理容器
6とガス導入系15と真空排気系16とカーボンヒータ
13の加熱手段とが、リフロー加熱装置を構成してい
る。
【0019】次に、本発明の一実施例による電子回路基
板の製造装置を使用してはんだ接続を行う方法を説明す
る。
【0020】まず、ディスペンサーにより予めコントロ
ールされた量の液体2を回路基板4上に供給する。この
供給量は、はんだ材5と接続面3とを覆い、かつ、液体
2の表面張力等により電子部品1を持ち上げることのな
い量に制御される。次に、予めはんだ材5が供給された
LSI等の電子部品1と、液体2を塗布した回路基板4
上の接続面3と位置合わせを行って、電子部品1を回路
基板4上に搭載する。
【0021】電子部品1を搭載した回路基板4は、図1
に示すような被処理電子回路基板12となり、この被処
理電子回路基板12は、図2に示す電子回路基板の製造
装置の電子回路基板搬送部10にセットされる。搬送部
10にセットされた被処理電子回路基板12は、処理容
器6内のカーボンヒータ13上にロボットにより移動さ
れる。この結果、処理容器6内は図3に示すようにな
る。
【0022】次に、ロータリーポンプ等で構成された真
空排気系16により、処理容器6内のガスを排気し、流
量、圧力を調整することができるガス導入系15によ
り、高純度のガス、例えば、He、N2 等を導入して、
処理容器6の内部を一度大気圧にまで戻す。このとき、
酸素濃度モニター部8により処理容器6内の酸素濃度を
測定し、酸素濃度が所定の濃度(好ましくは10ppm
以下)まで下がらない場合、前述の真空排気とガス導入
とを所定の低酸素濃度雰囲気を形成するまで繰り返す。
低酸素濃度雰囲気は、加熱中の被処理電子回路基板12
における回路基板4、電子部品1の接続面、はんだ材5
の酸化を防止する効果がある。
【0023】前述した処理容器6内の低酸素濃度雰囲気
の形成終了後、加熱中に異常が生じていないかを常時モ
ニターしながら、カーボンヒータ13からの直接熱伝導
により被処理電子回路基板12を加熱する。この加熱
は、温度制御部9によりコントロールし、はんだ材5の
融点よりも高くなるように設定して行われる。例えば、
はんだ材5の融点が221℃の場合、カーボンヒータ1
3の温度を250℃に設定する。
【0024】加熱が開始されると回路基板4上に電子部
品1を仮固定するために使用した液体2が蒸発を開始す
る。この蒸発を促進、あるいは、抑制したい場合、前述
の低酸素濃度雰囲気を形成する際のガス導入圧力を、大
気圧より低く、あるいは、高くしておけばよい。
【0025】そして、はんだ材5が溶融してはんだ接続
が完了した後、金属製の水冷タイプの冷却板14に冷却
水が供給され、加熱されたカーボンヒータ13と被処理
電子回路基板12とが冷却され、基板搬送部10により
被処理電子回路基板12が取り出される。
【0026】次に、前述した本発明の一実施例による装
置を使用して、被処理電子回路基板12における液体2
を全て蒸発させ、はんだ接続後の洗浄工程を省略して、
電子部品1を回路基板4にはんだ接続する方法を具体的
に説明する。
【0027】本発明の一実施例においては、使用するは
んだ材として融点221℃のものを使用し、カーボンヒ
ータ13の温度を250℃に設定するものとする。ま
た、電子部品1を回路基板4に固定するための液体とし
て、例えば、図4に示すようなアルコール系の液体を使
用するものとする。
【0028】図4に示す液体Aは、エチレングリコール
で、その沸点が197℃であり、使用するはんだ材5の
融点221℃に比べて比較的その沸点が低い。このよう
な液体を使用する場合、カーボンヒータ13により加熱
を開始し、被処理電子回路基板12の温度が上昇するに
従って液体の蒸発が始まる。この例では、融点が221
℃のはんだ材を用い、カーボンヒータ13の温度が25
0℃まで上昇するので、はんだ接続が完了する前に液体
が全て蒸発してしまうことになる。
【0029】液体が全て蒸発し、はんだ材5が完全に溶
融して、はんだ接続が行われた状態で、冷却板14に冷
却水が供給され、加熱されたカーボンヒータ13と被処
理電子回路基板12とが冷却され、基板搬送部10によ
り被処理電子回路基板12が取り出される。
【0030】前述したように、使用するはんだ材5の融
点に比べて沸点の低い液体により電子部品1が回路基板
4に仮固定されている場合、本発明の一実施例は、仮固
定のために使用した液体を全く残すことなくはんだ接続
を行うことができるので、はんだ接続後の洗浄等の工程
を省略することができる。
【0031】また、図4に示す液体Bは、トリエチレン
グリコールで、その沸点が287℃であり、使用するは
んだ材5の融点221℃に比べて比較的その沸点が高
い。このような液体を使用する場合、カーボンヒータ1
3により加熱を開始し、被処理電子回路基板12の温度
が上昇しても、液体の蒸発が遅く、はんだ接続完了時に
液体が完全に蒸発せずに残ることになる。
【0032】本発明の一実施例は、これを解決するため
に、はんだ接続完了後に処理容器6内を真空排気してそ
の内部圧力を下げる。これにより、被処理電子回路基板
12が冷却板14により冷却されるまでに、液体を全て
蒸発させることができ、前述した液体Aを使用した場合
と同様に、はんだ接続後の洗浄等の工程を省略すること
ができる。
【0033】前述における液体A、Bの蒸発の制御は、
はんだ接続の処理を行っている間、前記電子部品を仮固
定している液体が、はんだの溶融まで残り、かつ、はん
だの溶融によりはんだ接続が完了したときになくなるよ
うに、処理容器6内の圧力を制御して前記液体の蒸発速
度を制御するように行われる。はんだが溶融するまで液
体が残ることにより、ある程度酸素が残っている雰囲気
中で処理が行われた場合にも、はんだ接続部の酸化を防
止して、より信頼性の高いはんだ接続を行うことができ
る。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、L
SI等の電子部品を仮固定するために使用するた液体の
蒸発速度を、処理容器内を真空排気し、あるいは、ガス
導入による圧力制御を行うことにより簡単に制御するこ
とができるので、電子部品の回路基板へのはんだ接続完
了までに、仮固定用に塗布した液体を残渣を生じさせる
ことなく蒸発させることができるため、はんだ接続後の
洗浄工程を省略でき、はんだ接続工程を簡単にして、低
コストのはんだ接続を行うことができる。
【0035】また、本発明によれば、前述した処理容器
内の雰囲気を低酸素濃度雰囲気とすることができるの
で、加熱中の被処理電子回路基板における回路基板、電
子部品の接続面、はんだ材の酸化を防止して、信頼性の
高いはんだ接続を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の製造装置によりはんだ接続
を行う電子部品を仮固定した回路基板の構成を示す断面
図である。
【図2】本発明の一実施例による電子回路基板の製造装
置の構成を示す斜視図である。
【図3】処理容器の内部の状態を示す断面図である。
【図4】電子部品の仮固定用に使用する液体の例を説明
する図である。
【符号の説明】
1 電子部品 2 液体 3 接続面 4 回路基板 5 はんだ材 6 処理容器 7 圧力制御部 8 酸素濃度モニター部 9 温度制御部 10 搬送部 11 制御部 12 被処理電子回路基板 13 カーボンヒータ 14 冷却板 15 ガス導入系 16 真空排気系

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 回路基板上の接続面と該回路基板上に接
    続する電子部品の接合部材との間のはんだ接続を行う電
    子回路基板の製造装置において、処理容器と、該処理容
    器内の雰囲気とその圧力とを制御する手段と、前記処理
    容器内に設けられた加熱手段とを備え、回路基板上に接
    続面を覆うように供給された液体により電子部品が仮固
    定された被処理電子回路基板を前記加熱装置により加熱
    し、前記処理容器内の雰囲気の圧力を制御することによ
    り、前記液体の蒸発状況を制御して前記回路基板上の接
    続面と該回路基板上に仮固定されている電子部品の接合
    部材との間のはんだ接続を行うことを特徴とする電子回
    路基板の製造装置。
  2. 【請求項2】 前記加熱手段が、任意の温度に制御可能
    なカーボンヒータであり、前記処理容器内の雰囲気とそ
    の圧力とを制御する手段が、真空排気と高純度ガス導入
    とにより、低酸素濃度雰囲気を生成し、その圧力を制御
    する手段であることを特徴とする請求項1記載の電子回
    路基板の製造装置。
  3. 【請求項3】 前記処理容器内の雰囲気とその圧力とを
    制御する手段が、真空排気とガス導入との繰返しによ
    り、前記処理容器内の雰囲気を任意の酸素濃度に設定
    し、かつ、酸素濃度を常時モニターするものであること
    を特徴とする請求項1または2記載の電子回路基板の製
    造装置。
  4. 【請求項4】 前記加熱手段と、処理容器内の雰囲気と
    その圧力とを制御する手段とは、はんだ接続の処理を行
    っている間、前記電子部品を仮固定している液体が、は
    んだの溶融まで残り、かつ、はんだの溶融によりはんだ
    接続が完了したときになくなるように、前記液体の蒸発
    速度を制御することを特徴とする請求項1、2または3
    記載の電子回路基板の製造装置。
  5. 【請求項5】 冷却水が内部を流れる金属板による冷却
    手段が前記加熱手段に直接押し付けられて設けられてい
    ることを特徴とする請求項1ないし4のうち1記載の電
    子回路基板の製造装置。
  6. 【請求項6】 密閉処理容器と高純度ガス導入手段と真
    空排気手段と加熱手段とを備えたはんだ付け装置におい
    て、前記高純度ガス導入手段と前記真空排気手段とを制
    御する処理容器内雰囲気制御手段と、処理容器内の酸素
    濃度の10ppm以下までを測定することができる精度
    を持つ酸素濃度モニタ手段とを備えたことを特徴とする
    はんだ付け装置。
  7. 【請求項7】 はんだバンプ端子を有する電子部品をリ
    フロー加熱装置により回路基板上の接続面にはんだ接続
    する電子回路基板の製造方法において、前記リフロー加
    熱装置は、密閉処理容器と高純度ガス導入手段と真空排
    気手段と加熱手段とを備え、前記高純度ガス導入手段と
    前記真空排気手段とにより前記密閉処理容器内の雰囲気
    とその圧力とを制御し、前記はんだバンプ端子と前記回
    路基板の接続面とを覆うように供給された液体により電
    子部品が仮固定された被処理電子回路基板を前記加熱手
    段により加熱することにより、前記液体の蒸発状況を制
    御しつつ前記はんだバンプ端子を有する電子部品を回路
    基板上の接続面にはんだ接続することを特徴とする電子
    回路基板の製造方法。
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