JPH11238961A - 電子部品の半田付け方法 - Google Patents
電子部品の半田付け方法Info
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- JPH11238961A JPH11238961A JP10036966A JP3696698A JPH11238961A JP H11238961 A JPH11238961 A JP H11238961A JP 10036966 A JP10036966 A JP 10036966A JP 3696698 A JP3696698 A JP 3696698A JP H11238961 A JPH11238961 A JP H11238961A
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- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
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- H01L2224/81907—Intermediate bonding, i.e. intermediate bonding step for temporarily bonding the semiconductor or solid-state body, followed by at least a further bonding step
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フラックスの洗浄を行わずにリフローにより
効率よく半田付けができる電子部品の半田付け方法を提
供することを目的とする。 【解決手段】 電子部品１を基板８に半田付けにより接
合する電子部品の半田付け方法において、電子部品の半
田バンプ２に、活性作用を有しかつ半田付け工程の最高
加熱温度より高い沸点を有する高粘性の揮発性有機材料
を含む仮固定剤を塗布する。この後半田バンプ２を電極
９に位置合せし仮固定剤６によって仮固定し、リフロー
炉で加熱して半田バンプ２を溶融させ、電極９に半田付
けする。仮固定剤６中の活性成分により半田バンプ２の
酸化膜が除去されるのでフラックスを使用することなく
良好な半田付けが行われ、、半田付け後は仮固定剤６は
蒸発して残留しないので、半田付け後の洗浄を必要とし
ない。
効率よく半田付けができる電子部品の半田付け方法を提
供することを目的とする。 【解決手段】 電子部品１を基板８に半田付けにより接
合する電子部品の半田付け方法において、電子部品の半
田バンプ２に、活性作用を有しかつ半田付け工程の最高
加熱温度より高い沸点を有する高粘性の揮発性有機材料
を含む仮固定剤を塗布する。この後半田バンプ２を電極
９に位置合せし仮固定剤６によって仮固定し、リフロー
炉で加熱して半田バンプ２を溶融させ、電極９に半田付
けする。仮固定剤６中の活性成分により半田バンプ２の
酸化膜が除去されるのでフラックスを使用することなく
良好な半田付けが行われ、、半田付け後は仮固定剤６は
蒸発して残留しないので、半田付け後の洗浄を必要とし
ない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品を相互に
半田付けにより接合する電子部品の半田付け方法に関す
るものである。
半田付けにより接合する電子部品の半田付け方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子や回路基板などの電子部品を
相互に接合する方法として、半田付けが広く用いられて
いる。半田付けの方法としては、相互に接合される電子
部品の接合面のいずれかに半田バンプなどの半田部を予
め形成しておき、この半田部を被接合部にフラックスで
仮固定し、リフロー炉で加熱することにより半田部を溶
融固化させる方法が知られている。この方法では、フラ
ックスは電子部品相互を仮固定する以外に、半田部の表
面の酸化膜を除去して半田接合性を向上させる機能をも
有している。
相互に接合する方法として、半田付けが広く用いられて
いる。半田付けの方法としては、相互に接合される電子
部品の接合面のいずれかに半田バンプなどの半田部を予
め形成しておき、この半田部を被接合部にフラックスで
仮固定し、リフロー炉で加熱することにより半田部を溶
融固化させる方法が知られている。この方法では、フラ
ックスは電子部品相互を仮固定する以外に、半田部の表
面の酸化膜を除去して半田接合性を向上させる機能をも
有している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のフラ
ックスを用いる方法では、半田付け後もフラックスの固
形分や活性剤が基板上にフラックスの残渣として残留す
る。従って従来の方法ではフラックスの残渣により配線
回路面の腐食が生じ信頼性を低下させるため、半田付け
後の洗浄が必要とされる。しかしながら、フラックスの
洗浄工程は、従来用いられていたフロンなどの溶剤を使
用する簡便な洗浄法が使用できなくなったことから複雑
化、高コスト化し、コスト低減を妨げる要因となってい
た。また、多数の電子部品を一括して効率よく半田付け
する方法としてリフローによる方法が用いられるが、こ
の方法では半田付け時まで電子部品を仮固定する必要が
あり、上記のフラックスを使用せずに仮固定が行える方
法が望まれていた。
ックスを用いる方法では、半田付け後もフラックスの固
形分や活性剤が基板上にフラックスの残渣として残留す
る。従って従来の方法ではフラックスの残渣により配線
回路面の腐食が生じ信頼性を低下させるため、半田付け
後の洗浄が必要とされる。しかしながら、フラックスの
洗浄工程は、従来用いられていたフロンなどの溶剤を使
用する簡便な洗浄法が使用できなくなったことから複雑
化、高コスト化し、コスト低減を妨げる要因となってい
た。また、多数の電子部品を一括して効率よく半田付け
する方法としてリフローによる方法が用いられるが、こ
の方法では半田付け時まで電子部品を仮固定する必要が
あり、上記のフラックスを使用せずに仮固定が行える方
法が望まれていた。
【０００４】そこで本発明は、半田付け後の洗浄を必要
とせずにリフローにより効率よく半田付けができる電子
部品の半田付け方法を提供することを目的とする。
とせずにリフローにより効率よく半田付けができる電子
部品の半田付け方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の電子部品
の半田付け方法は、電子部品を相互に半田付けにより接
合する電子部品の半田付け方法であって、電子部品に予
め形成された半田部またはこの半田部が接合される被接
合部に、活性作用を有しかつ半田付け工程の最高加熱温
度より高い沸点を有する高粘性の揮発性有機材料を含む
仮固定剤を塗布する工程と、前記電子部品の半田部を被
接合部に位置合せし前記仮固定剤によって仮固定する工
程と、前記電子部品をリフロー炉で加熱することにより
半田部を溶融・固化させて半田部を被接合部に半田付け
する工程とを含む。
の半田付け方法は、電子部品を相互に半田付けにより接
合する電子部品の半田付け方法であって、電子部品に予
め形成された半田部またはこの半田部が接合される被接
合部に、活性作用を有しかつ半田付け工程の最高加熱温
度より高い沸点を有する高粘性の揮発性有機材料を含む
仮固定剤を塗布する工程と、前記電子部品の半田部を被
接合部に位置合せし前記仮固定剤によって仮固定する工
程と、前記電子部品をリフロー炉で加熱することにより
半田部を溶融・固化させて半田部を被接合部に半田付け
する工程とを含む。
【０００６】請求項２記載の電子部品の半田付け方法
は、請求項１記載の電子部品の半田付け方法であって、
前記揮発性有機材料が、グリセリンであるようにした。
は、請求項１記載の電子部品の半田付け方法であって、
前記揮発性有機材料が、グリセリンであるようにした。
【０００７】請求項３記載の電子部品の半田付け方法
は、請求項２記載の電子部品の半田付け方法であって、
前記仮固定剤が、グリセリンと半田の融点温度より高い
沸点を有する有機活性剤との混合物であるようにした。
は、請求項２記載の電子部品の半田付け方法であって、
前記仮固定剤が、グリセリンと半田の融点温度より高い
沸点を有する有機活性剤との混合物であるようにした。
【０００８】請求項４記載の電子部品の半田付け方法
は、請求項３記載の電子部品の半田付け方法であって、
前記有機活性剤がアジピン酸であるようにした。
は、請求項３記載の電子部品の半田付け方法であって、
前記有機活性剤がアジピン酸であるようにした。
【０００９】請求項５記載の電子部品の半田付け方法
は、請求項１記載の電子部品の半田付け方法であって前
記仮固定材が、活性作用を有しかつ半田付け工程での被
接合部の最高加熱温度より高い沸点を有する高粘性の揮
発性有機材料と、昇華性の活性剤との混合物であるよう
にした。
は、請求項１記載の電子部品の半田付け方法であって前
記仮固定材が、活性作用を有しかつ半田付け工程での被
接合部の最高加熱温度より高い沸点を有する高粘性の揮
発性有機材料と、昇華性の活性剤との混合物であるよう
にした。
【００１０】請求項６記載の電子部品の半田付け方法
は、請求項５記載の電子部品の半田付け方法であって、
前記活性剤が、少なくとも安息香酸、イソフタル酸、ト
リメシン酸、サリチル酸のうちいずれか１つまたはこれ
らの複数を含んでいるようにした。
は、請求項５記載の電子部品の半田付け方法であって、
前記活性剤が、少なくとも安息香酸、イソフタル酸、ト
リメシン酸、サリチル酸のうちいずれか１つまたはこれ
らの複数を含んでいるようにした。
【００１１】本発明によれば、半田付けされる接合部
に、半田付け工程の最高加熱温度より沸点が高い高粘性
の揮発性有機材料よりなる仮固定剤を塗布することによ
り、半田付け後の洗浄を行うことなく電子部品を効率よ
く半田付けすることができる。
に、半田付け工程の最高加熱温度より沸点が高い高粘性
の揮発性有機材料よりなる仮固定剤を塗布することによ
り、半田付け後の洗浄を行うことなく電子部品を効率よ
く半田付けすることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）図１（ａ），
（ｂ），（ｃ）、図２（ａ），（ｂ），（ｃ）は本発明
の実施の形態１の電子部品の半田付け方法の工程説明
図、図３（ａ）は同電子部品の半田付け方法のリフロー
炉の断面図、図３（ｂ）は同電子部品の半田付け方法の
加熱プロファイルを示すグラフである。
（ｂ），（ｃ）、図２（ａ），（ｂ），（ｃ）は本発明
の実施の形態１の電子部品の半田付け方法の工程説明
図、図３（ａ）は同電子部品の半田付け方法のリフロー
炉の断面図、図３（ｂ）は同電子部品の半田付け方法の
加熱プロファイルを示すグラフである。
【００１３】図１（ａ）において、移載ヘッド３に保持
された電子部品１の下面には、半田部としての半田バン
プ２が形成されている。電子部品１の半田付けに際して
は、まずこの電子部品１を保持した移載ヘッド３を仮固
定剤の塗布部４上に移動させる。図２（ｂ）に示すよう
に、塗布部４の容器５の底面には、仮固定剤６がスキー
ジ７により塗布されている。容器５に対して電子部品１
を下降させてバンプ２を容器５の底面に当接させ、次い
で移載ヘッド３を上昇させると、電子部品１のバンプ２
の下端部には仮固定剤６が転写により塗布される。
された電子部品１の下面には、半田部としての半田バン
プ２が形成されている。電子部品１の半田付けに際して
は、まずこの電子部品１を保持した移載ヘッド３を仮固
定剤の塗布部４上に移動させる。図２（ｂ）に示すよう
に、塗布部４の容器５の底面には、仮固定剤６がスキー
ジ７により塗布されている。容器５に対して電子部品１
を下降させてバンプ２を容器５の底面に当接させ、次い
で移載ヘッド３を上昇させると、電子部品１のバンプ２
の下端部には仮固定剤６が転写により塗布される。
【００１４】ここで仮固定剤６について説明する。仮固
定剤６は高粘性の揮発性有機材料であるグリセリンを主
成分としている。グリセリンの粘度は２５℃において３
Ｐａｓ（マルコム粘度計 ０．５ｒｐｍ）である。電子
部品１を仮固定するためには、一般に０．５Ｐａｓ以上
の粘度が必要とされるが、グリセリンの粘度はこれより
十分に大きいものとなっている。また、グリセリンの沸
点は２９０℃で、通常の半田加熱工程での最高加熱温度
より高く、半田付け時に突沸を発生しないものとなって
いる。なお、揮発性有機材料としては、グリセリンの他
に、分子量が２００から６００の範囲のポリエチレング
リコール（沸点２３０〜３００℃、粘度０．５〜５Ｐａ
ｓ（マルコム粘度計 ０．５ｒｐｍ））を用いても良
い。
定剤６は高粘性の揮発性有機材料であるグリセリンを主
成分としている。グリセリンの粘度は２５℃において３
Ｐａｓ（マルコム粘度計 ０．５ｒｐｍ）である。電子
部品１を仮固定するためには、一般に０．５Ｐａｓ以上
の粘度が必要とされるが、グリセリンの粘度はこれより
十分に大きいものとなっている。また、グリセリンの沸
点は２９０℃で、通常の半田加熱工程での最高加熱温度
より高く、半田付け時に突沸を発生しないものとなって
いる。なお、揮発性有機材料としては、グリセリンの他
に、分子量が２００から６００の範囲のポリエチレング
リコール（沸点２３０〜３００℃、粘度０．５〜５Ｐａ
ｓ（マルコム粘度計 ０．５ｒｐｍ））を用いても良
い。
【００１５】次に、バンプ２に上述の仮固定剤６が塗布
された電子部品１を、電子部品である基板８に搭載す
る。図２（ａ）に示すように、半田バンプ２を被接合部
である電極９に位置合せし、次いで図２（ｂ）に示すよ
うに半田バンプ２を電極９上に移載する。このとき、半
田バンプ２と電極９の当接面には仮固定剤６が介在して
おり、前述のように仮固定剤６の粘度は電子部品１を基
板８に仮固定するのに十分な値であるため、電子部品１
は基板８の搬送時に位置ずれを起こすことなく基板８上
に保持される。
された電子部品１を、電子部品である基板８に搭載す
る。図２（ａ）に示すように、半田バンプ２を被接合部
である電極９に位置合せし、次いで図２（ｂ）に示すよ
うに半田バンプ２を電極９上に移載する。このとき、半
田バンプ２と電極９の当接面には仮固定剤６が介在して
おり、前述のように仮固定剤６の粘度は電子部品１を基
板８に仮固定するのに十分な値であるため、電子部品１
は基板８の搬送時に位置ずれを起こすことなく基板８上
に保持される。
【００１６】電子部品１が移載された基板８は、この後
リフロー工程に送られる。図３（ａ）に示すように、基
板８はリフロー炉１０に送り込まれ、予熱ゾーン１１、
１２、本加熱ゾーン１３を順次通過する。リフロー炉１
０内は、窒素ガス供給部１４によって窒素ガスが供給さ
れ、低酸素雰囲気となっている。この低酸素雰囲気中で
基板８を加熱することにより半田バンプ２を溶融・固化
させて、図２（ｃ）に示すように電子部品１を基板８に
半田付けする。
リフロー工程に送られる。図３（ａ）に示すように、基
板８はリフロー炉１０に送り込まれ、予熱ゾーン１１、
１２、本加熱ゾーン１３を順次通過する。リフロー炉１
０内は、窒素ガス供給部１４によって窒素ガスが供給さ
れ、低酸素雰囲気となっている。この低酸素雰囲気中で
基板８を加熱することにより半田バンプ２を溶融・固化
させて、図２（ｃ）に示すように電子部品１を基板８に
半田付けする。
【００１７】このときの半田付けの過程を図３（ｂ）の
加熱プロファイルを参照して説明する。電子部品１の温
度は、予熱ゾーン１２を通過することにより上昇し、所
定時間の間予熱温度が保持される。そして本加熱ゾーン
１２を通過することにより基板８の温度は更に上昇し、
半田の融点温度Ｔｓ（１８３°Ｃ）を越えて最高加熱温
度Ｔｍａｘ（２３０℃）まで上昇する。この加熱過程で
半田バンプ２は溶融し、電極９に半田接合される。
加熱プロファイルを参照して説明する。電子部品１の温
度は、予熱ゾーン１２を通過することにより上昇し、所
定時間の間予熱温度が保持される。そして本加熱ゾーン
１２を通過することにより基板８の温度は更に上昇し、
半田の融点温度Ｔｓ（１８３°Ｃ）を越えて最高加熱温
度Ｔｍａｘ（２３０℃）まで上昇する。この加熱過程で
半田バンプ２は溶融し、電極９に半田接合される。
【００１８】半田バンプ２と電極９の当接面は仮固定剤
６で覆われており、仮固定剤６中のグリセリンは活性作
用を有しているため、半田バンプ２の表面に生成した酸
化膜はこの活性作用により半田溶融時点までに除去され
ている。したがって、リフロー炉１０中の低酸素雰囲気
中の効果と相まって良好な半田付け性を得ることができ
る。この半田付け過程で揮発性の仮固定剤６は徐々に気
化し、最高加熱温度Ｔｍａｘに到達した時点では大部分
が蒸発しており、半田付け後には完全に蒸発して接合部
には残存しない。
６で覆われており、仮固定剤６中のグリセリンは活性作
用を有しているため、半田バンプ２の表面に生成した酸
化膜はこの活性作用により半田溶融時点までに除去され
ている。したがって、リフロー炉１０中の低酸素雰囲気
中の効果と相まって良好な半田付け性を得ることができ
る。この半田付け過程で揮発性の仮固定剤６は徐々に気
化し、最高加熱温度Ｔｍａｘに到達した時点では大部分
が蒸発しており、半田付け後には完全に蒸発して接合部
には残存しない。
【００１９】（実施の形態２）図４（ａ），（ｂ），
（ｃ），（ｄ）は、本発明の実施の形態２の電子部品の
半田付け方法の工程説明図である。図４（ａ）において
基板２１上には電極２２が形成されており、電極２２上
には半田部としてのプリコート半田２３が形成されてい
る。次に、基板２１の上面に仮固定剤２４を塗布する。
塗布の方法としては、ディスペンサによる塗布や、印刷
による方法を用いることができる。
（ｃ），（ｄ）は、本発明の実施の形態２の電子部品の
半田付け方法の工程説明図である。図４（ａ）において
基板２１上には電極２２が形成されており、電極２２上
には半田部としてのプリコート半田２３が形成されてい
る。次に、基板２１の上面に仮固定剤２４を塗布する。
塗布の方法としては、ディスペンサによる塗布や、印刷
による方法を用いることができる。
【００２０】ここで仮固定剤２４について説明する。仮
固定剤２４は、実施の形態１にて用いたグリセリンと、
有機活性剤としてのアジピン酸との混合物であり、還元
作用の比較的弱いグリセリンにアジピン酸を加えること
により、半田の酸化膜を除去する作用を強化することが
できる。なおアジピン酸の沸点は２０５℃であり、半田
の融点温度より高く、かつ基板８の最高加熱温度Ｔｍａ
ｘよりも低い沸点を有する。従って、有機活性剤として
のアジピン酸は半田が溶融する時点まで半田の表面に残
って半田の酸化膜を除去し、その後は基板８の温度上昇
とともに蒸発する。
固定剤２４は、実施の形態１にて用いたグリセリンと、
有機活性剤としてのアジピン酸との混合物であり、還元
作用の比較的弱いグリセリンにアジピン酸を加えること
により、半田の酸化膜を除去する作用を強化することが
できる。なおアジピン酸の沸点は２０５℃であり、半田
の融点温度より高く、かつ基板８の最高加熱温度Ｔｍａ
ｘよりも低い沸点を有する。従って、有機活性剤として
のアジピン酸は半田が溶融する時点まで半田の表面に残
って半田の酸化膜を除去し、その後は基板８の温度上昇
とともに蒸発する。
【００２１】また、仮固定剤２４として、グリセリンや
ポリエチレングリコールなどの活性作用を有しかつ半田
付け工程での被接合部の最高加熱温度より高い沸点を有
する高粘度の揮発性有機材料と、少なくとも安息香酸、
イソフタル酸、トリメシン酸、サリチル酸などの昇華性
の活性剤のうちいずれか一つまたはこれらの複数を含む
ものとの混合物を用いても良い。このような仮固定剤２
４を用いることにより、上述の酸化膜除去作用を強化さ
せるとともに、揮発性有機材料および昇華性活性剤を半
田付けの加熱工程中で沸騰させることなく昇華または蒸
発させることができる。
ポリエチレングリコールなどの活性作用を有しかつ半田
付け工程での被接合部の最高加熱温度より高い沸点を有
する高粘度の揮発性有機材料と、少なくとも安息香酸、
イソフタル酸、トリメシン酸、サリチル酸などの昇華性
の活性剤のうちいずれか一つまたはこれらの複数を含む
ものとの混合物を用いても良い。このような仮固定剤２
４を用いることにより、上述の酸化膜除去作用を強化さ
せるとともに、揮発性有機材料および昇華性活性剤を半
田付けの加熱工程中で沸騰させることなく昇華または蒸
発させることができる。
【００２２】すなわち、突沸による電子部品の位置ずれ
が発生しないことで仮固定剤としての機能が完全に満足
され、酸化膜除去作用が強化されることで半田接合性を
確保することができ、しかも半田付け後には昇華や蒸発
により気化して半田接合部に残留しないことにより、半
田付け後の洗浄を不要にするというきわめて優れた特性
を備えることができる。
が発生しないことで仮固定剤としての機能が完全に満足
され、酸化膜除去作用が強化されることで半田接合性を
確保することができ、しかも半田付け後には昇華や蒸発
により気化して半田接合部に残留しないことにより、半
田付け後の洗浄を不要にするというきわめて優れた特性
を備えることができる。
【００２３】次に図４（ｃ）に示すように、この基板２
１上にリード２６を有する電子部品２５を移載する。こ
の後、基板２１はリフロー工程に送られる。このとき、
本実施の形態２では実施の形態１と異り、低酸素雰囲気
中でのリフローを必要としない。仮固定剤２４中にアジ
ピン酸を含んでいるため、酸化膜除去作用が強化され酸
化膜の除去が良好に行われるからである。実施の形態１
と同様の加熱プロファイルで加熱されることによりプリ
コート半田２３が溶融し、その後冷却されて溶融半田が
固化することにより、図４（ｄ）に示すようにリード２
６は電極２２に半田付けされる。
１上にリード２６を有する電子部品２５を移載する。こ
の後、基板２１はリフロー工程に送られる。このとき、
本実施の形態２では実施の形態１と異り、低酸素雰囲気
中でのリフローを必要としない。仮固定剤２４中にアジ
ピン酸を含んでいるため、酸化膜除去作用が強化され酸
化膜の除去が良好に行われるからである。実施の形態１
と同様の加熱プロファイルで加熱されることによりプリ
コート半田２３が溶融し、その後冷却されて溶融半田が
固化することにより、図４（ｄ）に示すようにリード２
６は電極２２に半田付けされる。
【００２４】上記実施の形態１および２にて説明したよ
うに、半田付けに先立って活性作用を有し、かつ半田付
け工程の最高加熱温度より高い沸点を有する高粘度の揮
発性有機材料を仮固定剤６、２４として用いることによ
り、以下の効果を得ることができる。まず、塗布される
仮固定剤６、２４は電子部品１、２５を仮固定するのに
必要な粘度を有しているため、電子部品１、２５の移載
後、加熱に至るまでの工程中に電子部品１、２５の位置
ずれを防止することができる。
うに、半田付けに先立って活性作用を有し、かつ半田付
け工程の最高加熱温度より高い沸点を有する高粘度の揮
発性有機材料を仮固定剤６、２４として用いることによ
り、以下の効果を得ることができる。まず、塗布される
仮固定剤６、２４は電子部品１、２５を仮固定するのに
必要な粘度を有しているため、電子部品１、２５の移載
後、加熱に至るまでの工程中に電子部品１、２５の位置
ずれを防止することができる。
【００２５】また、半田付けの過程においては、仮固定
剤６、２４の成分の活性作用により、半田部としての半
田バンプ２やプリコート半田２３の表面の酸化膜を除去
し、良好な半田付けを行うことができる。このとき、加
熱工程での基板の最高加熱温度Ｔｍａｘより沸点の高い
物質を使用するので、仮固定剤６，２４が突沸すること
がなく、したがって電子部品１，２５の突沸による位置
ずれが発生しない。更には、仮固定剤６，２４は揮発性
であり、半田付け後には完全に蒸発して半田接合部に残
留しないので、従来フラックスを使用する場合に必要と
された洗浄工程を省略することができる。
剤６、２４の成分の活性作用により、半田部としての半
田バンプ２やプリコート半田２３の表面の酸化膜を除去
し、良好な半田付けを行うことができる。このとき、加
熱工程での基板の最高加熱温度Ｔｍａｘより沸点の高い
物質を使用するので、仮固定剤６，２４が突沸すること
がなく、したがって電子部品１，２５の突沸による位置
ずれが発生しない。更には、仮固定剤６，２４は揮発性
であり、半田付け後には完全に蒸発して半田接合部に残
留しないので、従来フラックスを使用する場合に必要と
された洗浄工程を省略することができる。
【００２６】尚、上記実施の形態１および２に先立って
基板８の電極９や半田バンプ２の表面をプラズマクリー
ニングして半田のぬれ広がりを阻害する汚れ、酸化物、
化合物などを除去することにより、さらに信頼性の高い
半田付けが可能となる。
基板８の電極９や半田バンプ２の表面をプラズマクリー
ニングして半田のぬれ広がりを阻害する汚れ、酸化物、
化合物などを除去することにより、さらに信頼性の高い
半田付けが可能となる。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、半田付けされる接合部
に、半田付け工程の最高加熱温度より沸点が高い高粘性
の揮発性有機材料よりなる仮固定剤を塗布するようにし
ているので、移載後半田付けされるまでの間の電子部品
の位置ずれを防止することができる。また、仮固定剤は
半田加熱工程で揮発や蒸発して基板に残留しないので、
半田付け後の洗浄を必要としない。
に、半田付け工程の最高加熱温度より沸点が高い高粘性
の揮発性有機材料よりなる仮固定剤を塗布するようにし
ているので、移載後半田付けされるまでの間の電子部品
の位置ずれを防止することができる。また、仮固定剤は
半田加熱工程で揮発や蒸発して基板に残留しないので、
半田付け後の洗浄を必要としない。
【図１】（ａ）本発明の実施の形態１の電子部品の半田
付け方法の工程説明図 （ｂ）本発明の実施の形態１の電子部品の半田付け方法
の工程説明図 （ｃ）本発明の実施の形態１の電子部品の半田付け方法
の工程説明図
付け方法の工程説明図 （ｂ）本発明の実施の形態１の電子部品の半田付け方法
の工程説明図 （ｃ）本発明の実施の形態１の電子部品の半田付け方法
の工程説明図
【図２】（ａ）本発明の実施の形態１の電子部品の半田
付け方法の工程説明図 （ｂ）本発明の実施の形態１の電子部品の半田付け方法
の工程説明図 （ｃ）本発明の実施の形態１の電子部品の半田付け方法
の工程説明図
付け方法の工程説明図 （ｂ）本発明の実施の形態１の電子部品の半田付け方法
の工程説明図 （ｃ）本発明の実施の形態１の電子部品の半田付け方法
の工程説明図
【図３】（ａ）本発明の実施の形態１の電子部品の半田
付け方法のリフロー炉の断面図 （ｂ）本発明の実施の形態１の電子部品の半田付け方法
の加熱プロファイルを示すグラフ
付け方法のリフロー炉の断面図 （ｂ）本発明の実施の形態１の電子部品の半田付け方法
の加熱プロファイルを示すグラフ
【図４】（ａ）本発明の実施の形態２の電子部品の半田
付け方法の工程説明図 （ｂ）本発明の実施の形態２の電子部品の半田付け方法
の工程説明図 （ｃ）本発明の実施の形態２の電子部品の半田付け方法
の工程説明図 （ｄ）本発明の実施の形態２の電子部品の半田付け方法
の工程説明図
付け方法の工程説明図 （ｂ）本発明の実施の形態２の電子部品の半田付け方法
の工程説明図 （ｃ）本発明の実施の形態２の電子部品の半田付け方法
の工程説明図 （ｄ）本発明の実施の形態２の電子部品の半田付け方法
の工程説明図
１、２５ 電子部品 ２ 半田バンプ ３ 圧着ヘッド ６、２４ 仮固定剤 ８、２１ 基板 ９、２２ 電極 ２３ プリコート半田 ２６ リード
Claims (6)
- 【請求項１】電子部品を相互に半田付けにより接合する
電子部品の半田付け方法であって、電子部品に予め形成
された半田部またはこの半田部が接合される被接合部
に、活性作用を有しかつ半田付け工程での被接合部の最
高加熱温度より高い沸点を有する高粘性の揮発性有機材
料を主成分とする仮固定剤を塗布する工程と、前記電子
部品の半田部を被接合部に位置合せし前記仮固定剤によ
って仮固定する工程と、前記電子部品をリフロー炉で加
熱することにより半田部を溶融・固化させて半田部を被
接合部に半田付けする工程とを含むことを特徴とする電
子部品の半田付け方法。 - 【請求項２】前記揮発性有機材料が、少なくともグリセ
リン、ポリエチレングリコールのいずれかを含むことを
特徴とする請求項１記載の電子部品の半田付け方法。 - 【請求項３】前記仮固定剤が、活性作用を有しかつ半田
付け工程での被接合部の最高加熱温度より高い沸点を有
する高粘性の揮発性有機材料と、半田の融点温度より高
く前記被接合部の最高加熱温度よりも低い沸点を有する
有機活性剤との混合物であることを特徴とする請求項２
記載の電子部品の半田付け方法。 - 【請求項４】前記有機活性剤がアジピン酸であることを
特徴とする請求項３記載の電子部品の半田付け方法。 - 【請求項５】前記仮固定材が、活性作用を有しかつ半田
付け工程での被接合部の最高加熱温度より高い沸点を有
する高粘性の揮発性有機材料と、昇華性の活性剤との混
合物であることを特徴とする請求項１記載の電子部品の
半田付け方法。 - 【請求項６】前記活性剤が、少なくとも安息香酸、イソ
フタル酸、トリメシン酸、サリチル酸のうちいずれか１
つまたはこれらの複数を含んでいることを特徴とする請
求項５記載の電子部品の半田付け方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10036966A JPH11238961A (ja) | 1998-02-19 | 1998-02-19 | 電子部品の半田付け方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10036966A JPH11238961A (ja) | 1998-02-19 | 1998-02-19 | 電子部品の半田付け方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11238961A true JPH11238961A (ja) | 1999-08-31 |
Family
ID=12484488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10036966A Pending JPH11238961A (ja) | 1998-02-19 | 1998-02-19 | 電子部品の半田付け方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11238961A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014136683A1 (ja) * | 2013-03-07 | 2014-09-12 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板の製造方法 |
| WO2014156835A1 (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | 三菱マテリアル株式会社 | 金属－セラミックス板積層体の製造装置及び製造方法、パワーモジュール用基板の製造装置及び製造方法 |
| CN106471616A (zh) * | 2014-07-02 | 2017-03-01 | 三菱综合材料株式会社 | 接合体和多层接合体制法、功率模块基板和带散热器功率模块基板制法及层叠体制造装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08293665A (ja) * | 1995-04-21 | 1996-11-05 | Hitachi Ltd | 電子回路の製造方法 |
| JPH09192882A (ja) * | 1996-01-12 | 1997-07-29 | Uchihashi Estec Co Ltd | はんだ付け用液状フラックス |
-
1998
- 1998-02-19 JP JP10036966A patent/JPH11238961A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08293665A (ja) * | 1995-04-21 | 1996-11-05 | Hitachi Ltd | 電子回路の製造方法 |
| JPH09192882A (ja) * | 1996-01-12 | 1997-07-29 | Uchihashi Estec Co Ltd | はんだ付け用液状フラックス |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150126845A (ko) * | 2013-03-07 | 2015-11-13 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 파워 모듈용 기판의 제조 방법 |
| JP2014175425A (ja) * | 2013-03-07 | 2014-09-22 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板の製造方法 |
| US9579739B2 (en) | 2013-03-07 | 2017-02-28 | Mitsubishi Materials Corporation | Manufacturing method of power-module substrate |
| WO2014136683A1 (ja) * | 2013-03-07 | 2014-09-12 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板の製造方法 |
| CN104995730A (zh) * | 2013-03-07 | 2015-10-21 | 三菱综合材料株式会社 | 功率模块用基板的制造方法 |
| KR20150139850A (ko) * | 2013-03-29 | 2015-12-14 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 금속-세라믹스판 적층체의 제조 장치 및 제조 방법, 파워 모듈용 기판의 제조 장치 및 제조 방법 |
| JP2014209591A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-11-06 | 三菱マテリアル株式会社 | 金属−セラミックス板積層体の製造装置及び製造方法、パワーモジュール用基板の製造装置及び製造方法 |
| WO2014156835A1 (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | 三菱マテリアル株式会社 | 金属－セラミックス板積層体の製造装置及び製造方法、パワーモジュール用基板の製造装置及び製造方法 |
| US9725367B2 (en) | 2013-03-29 | 2017-08-08 | Mitsubishi Materials Corporation | Apparatus and method for producing (metal plate)-(ceramic board) laminated assembly, and apparatus and method for producing power-module substrate |
| TWI608577B (zh) * | 2013-03-29 | 2017-12-11 | 三菱綜合材料股份有限公司 | Manufacturing apparatus and manufacturing method of metal-ceramic plate laminate, manufacturing apparatus and manufacturing method of power module substrate |
| TWI629754B (zh) * | 2013-03-29 | 2018-07-11 | 三菱綜合材料股份有限公司 | Manufacturing apparatus and manufacturing method of metal-ceramic plate laminate, manufacturing apparatus of substrate for power module, and manufacturing method |
| CN106471616A (zh) * | 2014-07-02 | 2017-03-01 | 三菱综合材料株式会社 | 接合体和多层接合体制法、功率模块基板和带散热器功率模块基板制法及层叠体制造装置 |
| TWI688630B (zh) * | 2014-07-02 | 2020-03-21 | 日商三菱綜合材料股份有限公司 | 接合體之製造方法、多層接合體之製造方法、功率模組用基板之製造方法、附散熱片之功率模組用基板之製造方法及積層體之製造裝置 |
| US10607915B2 (en) | 2014-07-02 | 2020-03-31 | Mitsubishi Materials Corporation | Joined body manufacturing method, multilayer joined body manufacturing method, power-module substrate manufacturing method, heat sink equipped power-module substrate manufacturing method, and laminated body manufacturing device |
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