CN104995730A - 功率模块用基板的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种功率模块用基板的制造方法，其防止通过活性金属钎焊法将铜电路板与陶瓷板接合时的陶瓷板、接合材料及铜电路板的定位偏离，且高效地制造多个功率模块用基板。一种在具有能够并列形成多个陶瓷基板的面积的陶瓷板(21)上，相互隔着间隔接合多个铜电路板(30)之后，在这些铜电路板(30)之间分割陶瓷板(21)来制造多个功率模块用基板的方法，其中，在陶瓷板(21)上形成与铜电路板(30)的外形相同形状的由活性金属钎料构成的接合材料层(71)，并且在铜电路板(30)上涂布将聚乙二醇作为主成分的临时固定材料(72)，并通过临时固定材料(72)在陶瓷板(21)上以将接合材料层(71)与铜电路板(30)对位来进行层压的状态临时固定，并将该层压体在层压方向上加压并进行加热，从而接合陶瓷板与铜电路板。

Description

功率模块用基板的制造方法
技术领域
本发明涉及一种用于控制大电流、高电压的半导体装置的功率模块用基板的制造方法。
本申请主张基于2013年3月7日于日本申请的日本专利申请2013-45999号的优先权，并将其内容援引于此。
背景技术
以往，作为功率模块用基板，已知有电路板在陶瓷基板的一个表面以层压状态被接合，并且散热板在另一个表面以层压状态被接合的基板，并且作为功率模块，通过在电路板上焊接半导体芯片(功率元件)等电子部件，在散热板上接合散热器来提供。
在这种功率模块用基板中，作为在陶瓷基板上以层压状态接合成为电路板和散热板的金属板的方法，例如具有专利文献1和专利文献2中记载的技术。
专利文献1中，公开有对通过厚度较薄的桥接部相互连接多个电路元件的状态的铜电路组装体进行调整，另一方面，在陶瓷基板上以铜电路组装体的形状图案印刷含有Ti等活性金属的Ag-Cu-Ti等的接合材料，通过层压并进行加热而将它们接合，之后，通过蚀刻处理去除桥接部。
专利文献2中，公开有经由钎料箔将陶瓷母板与金属板层压而进行接合之后，对金属板进行蚀刻来形成电路图案，且在陶瓷母板的电路图案之间形成槽而将陶瓷母板沿槽进行分割，由此制造多个功率模块用基板的方法。
专利文献1：日本专利公开平6-216499号公报
专利文献2：日本专利公开2010-50164号公报
任意方法都能够制造多个功率模块用基板，且批量生产性优异，但是若对形成为能够并列形成这些多个功率模块用基板的大小的面积较大的陶瓷板与金属板的大板之间进行接合，则接合材料湿润扩展到电路元件以外的部分。金属板为铜时成为基于活性金属法的接合，其接合材料中含有Ag，因此难以通过蚀刻等去除湿润扩展的部分。
此时，可考虑预先将金属板单片化，并使用与该单片的形状对应的形状图案的钎料，但要求对它们进行层压而进行加压、加热处理时防止位置偏离的技术。
发明内容
本发明是鉴于这种情况而完成的，本发明的目的在于提供一种方法，其能够防止通过活性金属钎焊法接合铜电路板与陶瓷板时的陶瓷板、接合材料及铜电路板的定位偏离，且能够高效地制造多个功率模块用基板。
本发明的功率模块用基板的制造方法，其为在具有能够并列形成多个陶瓷基板的面积的陶瓷板上，相互隔着间隔接合多个铜电路板之后，在这些铜电路板之间分割所述陶瓷板来制造多个功率模块用基板的方法，该制造方法的特征在于，具有：层压工序，在所述陶瓷板或所述铜电路板的任意一方形成与所述铜电路板的外形相同形状的由活性金属钎料构成的接合材料层，并且在另一方涂布将聚乙二醇作为主成分的临时固定材料，并通过该临时固定材料在所述陶瓷板上以将所述接合材料层与所述铜电路板对位来进行层压的状态临时固定；及接合工序，将该层压体在层压方向上加压并进行加热，从而接合所述陶瓷板与所述铜电路板。
该制造方法中，通过将聚乙二醇作为主成分的临时固定材料经由接合材料层临时固定铜电路板与陶瓷板，因此在之后的接合工序中，铜电路板与接合材料层也不会在陶瓷板上发生偏离，并保持它们被定位的状态，因此，能够防止接合材料向铜电路板的外侧溢出。
另外，聚乙二醇在常温下为固体，通过加热熔融，但由于是熔点低的高分子化合物，因此向陶瓷板或铜电路板的涂布作业较轻松，并且能够通过冷却至常温而使其固化并使陶瓷板与铜电路板成为经由接合材料层粘接的状态，并且，在接合工序中在达到接合温度之前快速分解，因此不会对接合面造成影响。
本发明的功率模块用基板的制造方法中，所述接合材料层是在所述陶瓷板的表面上涂布浆料而形成的层，所述层压工序设为将所述临时固定材料涂布于所述铜电路板而分别层压在所述陶瓷板上的各接合材料层上的工序即可。
关于活性金属钎料，包含在其中的Ti等活性金属与包含在陶瓷中的N、O或C进行反应，因此涂布在陶瓷板上时，与陶瓷板的润湿性变得较好且接合性变得良好。
本发明的功率模块用基板的制造方法中，所述铜电路板中的至少一部分由桥接部连接多个电路元件而成，所述桥接部的背面也可设为以相对于所述电路元件的背面成为凹部的方式形成。
能够将多个电路元件统一进行接合，并且由于桥接部的背面相对于电路元件的背面(接合面)成为凹部，因此能够抑制接合材料从接合面湿润扩展。
并且，由于是由桥接部连接多个电路元件，因此能够使多个电路元件一次性在陶瓷板上对位而进行层压。
根据本发明的功率模块用基板的制造方法，由于是通过将聚乙二醇作为主成分的临时固定材料经由接合材料临时固定铜电路板与陶瓷板，因此使之后的操作变得轻松而生产率提高，并且能够在准确地定位各部件的状态下进行接合，并能够防止接合材料从铜电路板溢出，从而能够制造商品价值较高的功率模块用基板。
附图说明
图1是示意表示在本发明的功率模块用基板的制造方法的第1实施方式中，在陶瓷板的单面形成接合材料层，且在铜电路板上附着临时固定材料而进行层压的中途的状态的剖面图。
图2是示意表示从图1中示出的状态到在陶瓷板上层压铜电路板之后的状态的剖面图。
图3是示意表示重叠多组如图2中示出的已层压的陶瓷板与铜电路板而进行接合的工序的剖面图。
图4是示意表示图3中示出的接合工序之后在陶瓷板的相反的一面层压散热板的中途的状态的剖面图。
图5是示意表示从图4中示出的状态到将散热板接合在陶瓷板之后的状态的剖面图。
图6是根据第1实施方式的方法得到的功率模块用基板的剖面图。
图7是表示在本发明的第2实施方式的方法中，通过由桥接部连结的多个电路元件构成铜电路板的一例的铜电路板的俯视图。
图8是示意表示将图7中的铜电路板层压在陶瓷板上的接合材料层上的中途的状态的局部截面的主视图。
图9是示意表示在本发明的第3实施方式的方法中，将形成于铜电路板上的定位片卡合在陶瓷板上而进行层压的状态的剖面图。
图10是以往例的接合面的超声波测定图像。
图11是在本发明的实施例中将临时固定材料以点状附着在铜电路板上时的接合面的超声波测定图像。
图12是在本发明的实施例中将临时固定材料附着在铜电路板的整个面上时的接合面的超声波测定图像。
图13是表示使用各种临时固定材料进行接合时的评价结果的表。
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式所涉及的带散热器的功率模块用基板的制造方法进行说明。
首先，若对根据第1实施方式的制造方法制造的功率模块用基板进行说明，如图6所示，该功率模块用基板10具备陶瓷基板20、与该陶瓷基板20的单面接合的铜电路板30、及与陶瓷基板20的相反的一侧的表面接合的散热板40。此时，陶瓷基板20及散热板40以矩形平板状形成，但铜电路板30以所期望的电路图案形成。
并且，如图6中以双点划线表示，该功率模块用基板10在散热板40的与陶瓷基板20相反的一侧的表面与散热器50接合，并且在铜电路板30上通过焊料层61与半导体芯片等电子部件60接合，该电子部件60与铜电路板30之间通过接合线(省略图示)连接等，由此来构成功率模块。并且，根据需要通过模制树脂(省略图示)密封整体。焊料层61由Sn-Cu系、Sn-Ag-Cu系、Zn-Al系或Pb-Sn系等焊料形成。
陶瓷基板20将例如AlN(氮化铝)、Si3N4(氮化硅)等氮化物系陶瓷或Al2O3(氧化铝)等氧化物系陶瓷作为母材形成为矩形形状。陶瓷基板20的厚度设为0.3mm～1.0mm。
铜电路板30由无氧铜和韧铜等纯铜或铜合金(本发明中简称为铜)形成，通过冲压对板材进行冲孔，从而形成为所期望的电路图案。铜电路板30的厚度设为0.3mm～4mm。如后述，该铜电路板30通过由含有Ti等的活性金属的Ag-Ti和Ag-Ti-Cu等的活性金属钎料构成的接合材料接合于陶瓷基板。
散热板40由纯度99.90％以上的纯铝或铝合金(简称为铝)形成，厚度为0.5mm～2mm，且通常形成为比陶瓷基板20小的矩形的平板状。该散热板40将Al-Si系、Al-Ge系、Al-Cu系、Al-Mg系或Al-Mn系等钎料作为接合材料接合于陶瓷基板20。另外，也可由纯度99.99％以上的纯铝形成散热板40。
接着，对如此构成的功率模块用基板10的制造方法进行说明。
准备具有能够并列形成多个陶瓷基板20的面积的陶瓷板21。关于铜电路板30及散热板40，准备具有在各功率模块用基板10中使用的产品尺寸的板。在陶瓷板21的单面上首先并列层压多个铜电路板30，并对该层压体加压加热来进行接合之后，在陶瓷板21的相反的一面分别接合散热板40，之后，分割陶瓷板21而单片化成功率模块用基板10。以下，按工序顺序进行详述。
(铜电路板层压工序)
如图1所示，在该铜电路板层压工序中，使用用于辅助层压铜电路板30与陶瓷板21时的定位的定位夹具100。该定位夹具100中设置有：基台102，具有用于配置各铜电路板30的多个凹部101；及导壁103，一边相对于配置于这些凹部101的铜电路板30定位陶瓷板21，一边进行引导。
凹部101具有比铜电路板30的厚度小的深度，在基台102的上表面相互隔着间隔而配置。通过在该凹部101中容纳铜电路板30，各铜电路板30的上表面沿水平面齐平配置。
导壁103以从三方围绕多个凹部101的配置处的整体的方式立设在基台102的上表面的例如三处。并且，是这些导壁103的内侧面沿垂直方向形成，且在使矩形陶瓷板21的三个边与这些内侧面接触的状态下在上下方向上进行引导的结构。
另外，导壁103设置成至少引导在陶瓷板21的一个角部正交的两个边即可。
进行层压工序时，预先在陶瓷板21的单面上涂布活性金属钎料的浆料而形成接合材料层71。
活性金属钎料混合包含Ag及活性金属(例如Ti)的金属粉末、乙基纤维素、甲基纤维素、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯树脂、醇酸树脂等有机粘结剂、甲苯、环己酮、二丙酮醇、甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、萜品醇、醇酯、柠檬酸三乙酯等的溶剂、分散剂、增塑剂及还原剂等以浆料状形成，作为金属粉末优选使用Ag-8.8质量％Ti、Ag-27.4质量％Cu-2.0质量％Ti。
将该活性金属钎料通过网版印刷法等分别涂布在陶瓷板21的表面上的各铜电路板30的接合予定位置，从而在陶瓷板21的表面形成与铜电路板30的外形相同的形状图案的接合材料层71而使其干燥。活性金属钎料通过干燥成为多孔体。因此，接合材料层71是具有多个空孔的多孔体。
另一方面，在铜电路板30的单面上涂布有作为主成分含有聚乙二醇(PEG)的临时固定材料72。该聚乙二醇在常温(25℃)下为固体，在比较低的熔点下相变成液体。优选平均重量分子量为800～20000的材料。平均重量分子量低于800时在常温下变成液体而操作性较差，若超过20000则由于熔点变高而对铜电路板30的涂布作业性较差。平均重量分子量为800～1000的材料的熔点为约40℃，即使平均重量分子量为6000时熔点为60℃左右。
对该临时固定材料72进行加温而成为熔融状态，例如滴落在铜电路板30的表面上的角部等多个部位，由此在铜电路板30表面进行涂布。
并且，将附着有该临时固定材料72的铜电路板30在使临时固定材料72朝向上方的状态下配置于定位夹具100的各凹部101中。也可设为在配置于定位夹具100的状态的铜电路板30上滴落临时固定材料72。
并且，通过加热定位夹具100的基台102等，将临时固定材料72设为熔融状态，一边从其之上沿导壁103引导形成有接合材料层71的陶瓷板21一边进行层压，由此将这些铜电路板30与陶瓷板21层压成定位状态。
图2表示陶瓷板21与铜电路板30被层压的状态(与图1上下颠倒来表示)，附着于铜电路板30的临时固定材料72通过层压在铜电路板30与接合材料层71之间较薄地拉伸而成为层状，并且临时固定材料72流入作为多孔体的接合材料层71的空孔内并将二者固定。此时，接合材料层71与铜电路板30以相同的外形形成，因此它们以准确的定位状态被层压而不会发生偏离。临时固定材料72冷却至常温而固化，铜电路板30与陶瓷板21的层压体11保持为定位状态。
另外，在批量生产等时，也可设为通过将滴落在铜电路板30的临时固定材料72暂时冷却至常温而使其固化，由此准备多个涂布临时固定材料72的铜电路板30，将这些铜电路板30层压在陶瓷板21时，依次加温铜电路板30而再次熔融临时固定材料72之后层压在陶瓷板21。
(铜电路板接合工序)
如图3所示，在将如此设为层压状态的陶瓷板21与铜电路板30的层压体11夹着衬板80而重叠多组的状态下在层压方向上进行加压，通过以该加压状态直接在真空中进行加热，从而使陶瓷板21与铜电路板30通过夹在它们之间的接合材料层71接合。该接合材料71中含有活性金属，因此在真空中进行加热时，在陶瓷板21的表面作为活性金属的Ti与陶瓷板21中含有的N或O反应而形成氮化物或氧化物等，通过Ag与铜电路板30的Cu的反应形成熔融金属层，通过该熔融金属层冷却凝固，铜电路板30与陶瓷板21经由Ag-Cu共晶层接合。
具体而言，在10-3Pa的真空中将陶瓷板21与铜电路板30的层压体11在层压方向上以10N/cm2(1kgf/cm2)～334N/cm2(35kgf/cm2)的压力进行加压。衬板80在进行该接合工序时以不固定在铜电路板30和陶瓷板21上的方式由碳构成。并且，在该加压状态下将整体装入真空加热炉中，并以790℃～850℃加热10分钟以上而进行冷却。临时固定材料72在该加热的初期阶段分解而消失。
通过该铜电路板接合工序来制作在陶瓷板21上接合有多个铜电路板30的接合体12。
(散热板接合工序)
散热板40将Al-Si系、Al-Ge系、Al-Cu系、Al-Mg系或Al-Mn系等的钎料作为接合材料73接合在陶瓷板21上。优选含有作为熔点降低元素的Si的Al-Si系钎料，且以厚度5μm～50μm的箔的形态使用。
作为接合方法能够设为如下方法，即在散热板40与陶瓷板21之间夹入接合材料(钎料箔)73并进行层压，或者在用于形成散热板40的铝板上通过焊接等将接合材料73临时固定，并通过冲压进行冲孔来形成临时固定有接合材料73的散热板40，并将该散热板40的接合材料73侧重叠在陶瓷板21上进行层压等。在该散热板40的层压作业中也可使用如图1中示出的定位夹具。
如图4所示，该散热板40在陶瓷板21的与铜电路板30的接合侧相反的一面，以与各铜电路板30的接合位置对应的方式一一进行层压。并且，与上述铜电路板接合工序相同，重叠多组层压有散热板40的层压体并在向层压方向加压的状态下在真空加热炉内进行加热，由此使接合材料(钎料)73与散热板40的一部分的铝熔融，并通过冷却凝固将散热板40接合于陶瓷板21。外加压力设为10N/cm2(1kgf/cm2)～334N/cm2(35kgf/cm2)，加热温度设为550℃～650℃。进行加压时，与铜电路板接合工序同样地使用由碳构成的衬板80。
如图5所示，通过该散热板接合工序能够得到分别在陶瓷板21的单面接合有铜电路板30、在相反的一面接合有散热板40的接合体13。
(分割工序)
如图5中以点划线表示，在陶瓷板21的铜电路板30之间通过激光加工等形成槽90，并通过沿该槽90分割陶瓷板21，由此如图6所示，形成在陶瓷基板20的单面接合有铜电路板30、在相反的一面接合有散热板40的各功率模块用基板10。
陶瓷板21的槽90也可在接合铜电路板30之前形成。
如此制造的功率模块用基板10中，在铜电路板接合工序之前，在铜合金板层压工序中通过临时固定材料72将铜电路板30临时固定于陶瓷板21上的接合材料层71上，因此在之后的铜电路板接合工序中的接合作业中等能够防止铜电路板30与陶瓷板21的接合材料层71的位置偏离，能够以在陶瓷板21的规定位置上准确地定位的状态接合铜电路板30。
图7及图8表示本发明的第2实施方式。对与上述第1实施方式共用的元件标记相同符号而简化说明。
图7表示与陶瓷板21接合之前的铜电路板33，该铜电路板33以多个电路元件33a通过桥接部33b连接的状态形成。该桥接部33b以比电路元件33a更薄壁的方式形成，并且如图8所示，以相对于电路元件33a的背面(接合面)成为凹部的方式配置在电路元件33a的上表面侧。
并且，在陶瓷板21中，与上述第1实施方式中的铜电路板层压工序相同地，在铜电路板33的背面附着作为主成分含有聚乙二醇的临时固定材料72，并临时固定于陶瓷板21表面的接合材料层71上。陶瓷板21的接合材料层71也与铜电路板33的各电路元件33a的形状、配置对应而形成。
并且，与第1实施方式相同，实施铜电路板接合工序、散热层接合工序、分割工序，但在铜电路板接合工序之后，实施用于去除铜电路板33的桥接部33b的蚀刻处理。桥接部33b从陶瓷板21的表面分离而呈未接合的状态，因此能够通过蚀刻处理轻松地去除。
如该实施方式，铜电路板33由多个电路元件33a构成时，也能够通过将聚乙二醇作为主成分的临时固定材料72将陶瓷板21与各铜电路板33以准确地进行定位的状态进行层压，并能够使该操作变得轻松，并且能够防止与接合材料71的偏离，因此能够得到不需要的部分可靠地被去除的铜电路板。
图9表示第3实施方式。
该实施方式中，形成将多个铜电路板30通过桥接部35设为连结状态的铜电路板结构体36，在该铜电路板结构体36的端部设置有屈曲成直角的定位片37，在铜电路板层压工序中，在陶瓷基板21层压铜电路板30时，定位片37抵接于陶瓷板21的侧面，由此铜电路板结构体36的各铜电路板30与陶瓷板21统一被定位。此时，定位片37以与在陶瓷板21的角部交叉成直角的两个边抵接的方式设置于两处。
将铜电路板结构体36层压在陶瓷板21之后，与第1实施方式相同，经铜电路板接合工序、散热板接合工序、分割工序来制造功率模块用基板，但在这些工序的中途，铜电路板结构体36的各桥接部35及定位片37通过蚀刻处理等被去除。
实施例
在31mm正方×厚度2mm的铜电路板上滴落由平均重量分子量为1000的聚乙二醇构成的临时固定材料，并在33mm正方×厚度0.635mm的氮化铝制陶瓷基板上形成由Ag-8.8质量％Ti构成的接合材料层，对它们进行层压而在10-3Pa的真空中以10N/cm2(1kgf/cm2)～334N/cm2(35kgf/cm2)的压力进行加压，并在850℃下加热30分钟。
通过以点状附着临时固定材料的样品和在铜电路板的整个面进行涂布的样品来对接合状态进行了评价。通过超声波图像测量仪来观察接合面中有无未接合部来进行评价。还制作了不使用临时固定材料的以往例的样品。
图10表示未使用临时固定材料的以往例，图11表示将临时固定材料在铜电路板的四角以直径3mm～4mm的点状涂布的实施例，图12表示在铜电路板的整个面涂布临时固定材料的实施例。关于临时固定材料的涂布量，图11为总计6.9mg～9.2mg，图12为37.3mg～41.5mg。
在这些图中，黑色矩形部分为接合面，未接合部变白，但使用临时固定材料的样品到周缘为止较清晰，因此可知即使使用临时固定材料，对接合性也没有影响。
接着，进行了作为临时固定材料使用聚乙二醇(PEG)、CEMEDINE.，ltd.制氰基丙烯酸酯系瞬间胶粘剂(3000RX)、MITSUBISHI RAYON Co.，Ltd.制树脂片(BR101)、丙三醇、液体石蜡的评价。
对使用这些临时固定材料来将铜电路板层压在陶瓷板的接合材料层上并在真空中加压加热而得到的接合体，进行横向偏离、浆料剥离及Cu/AlN接合性的评价。
横向偏离通过如下进行评价，即在铜电路板上分别附着临时固定材料而层压在陶瓷板的接合层上，并在冷却后在横向上以约30mm/s的速度摆动陶瓷板而通过目视确认在铜电路板上是否发生偏离。将未确认到横向偏离的样品设为○，发生横向偏离的样品设为×。
浆料剥离通过如下进行评价，即将铜电路板层压在接合材料层之后，接合材料层的Ag-Ti浆料通过与临时固定材料的反应而溶解，从而通过目视评价是否发生剥离。将未确认到浆料剥离的样品设为○，确认到剥离的样品设为×。
Cu/AlN接合性通过如下进行评价，即在接合后的初期状态及3000次-40℃与100℃之间的冷热循环负载之后的状态下，分别通过上述超声波图像测定仪来观察接合面有无未接合部。将在接合面上未确认到2％以上的未接合部的样品设为○，确认到5％以上的未接合部或直径2mm以上的空隙的样品设为×，确认到不符合于任何一个的轻微的未接合部的样品设为Δ。
将这些结果示于图13。
如图13所示，本实施例的方法中，陶瓷板与铜电路板通过临时固定材料设为层压状态，由此可知这些陶瓷板与铜电路板没有横向偏离，且之后的操作作业性良好。并且，不会造成接合材料层剥离等不良影响，能够得到可靠性较高的接合面。
另外，本发明并不限定于上述实施方式的结构，在详细结构上，在不脱离本发明的宗旨的范围内能够加以各种变更。
实施方式中在铜电路板上附着将聚乙二醇作为主成分的临时固定材料，在陶瓷板上形成由活性金属钎料构成的接合材料层，但相反地，也可将临时固定材料附着在陶瓷板上，在铜电路板上形成接合材料层。
并且，上述实施方式中的接合材料层71的形成也可使用活性金属钎料的箔来进行。
本发明能够在用于控制大电流、高电压的半导体装置的功率模块用基板及功率模块中适用。
符号说明
10-功率模块用基板，20-陶瓷基板，21-陶瓷板，30-铜电路板，35-铜电路板，35a-电路元件，35b-桥接部，40-散热板，50-散热器，60-电子部件，61-焊料层，71-接合材料层，72-临时固定材料，80-衬板，90-槽，100-定位夹具，101-凹部，102-导壁。

Claims (4)

1.一种功率模块用基板的制造方法，其为在具有能够并列形成多个陶瓷基板的面积的陶瓷板上，相互隔着间隔接合多个铜电路板之后，在这些铜电路板之间分割所述陶瓷板来制造多个功率模块用基板的方法，该方法的特征在于，具有：
层压工序，在所述陶瓷板或所述铜电路板的任意一方形成与所述铜电路板的外形相同形状的由活性金属钎料构成的接合材料层，并且在另一方涂布将聚乙二醇作为主成分的临时固定材料，并通过该临时固定材料在所述陶瓷板上以将所述接合材料层与所述铜电路板对位来进行层压的状态临时固定；及
接合工序，将该层压体在层压方向上加压并进行加热，从而接合所述陶瓷板与所述铜电路板。
2.根据权利要求1所述的功率模块用基板的制造方法，其特征在于，
所述接合材料层是在所述陶瓷板的表面上涂布浆料而形成的层，所述层压工序中，将所述临时固定材料涂布于所述铜电路板而分别层压在所述陶瓷板上的各接合材料层上。
3.根据权利要求1所述的功率模块用基板的制造方法，其特征在于，
所述铜电路板中的至少一部分由桥接部连接多个电路元件而成，所述桥接部的背面以相对于所述电路元件的背面成为凹部的方式形成。
4.根据权利要求2所述的功率模块用基板的制造方法，其特征在于，
所述铜电路板中的至少一部分由桥接部连接多个电路元件而成，所述桥接部的背面以相对于所述电路元件的背面成为凹部的方式形成。
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