JPH08222846A - 半導体チップ実装方法 - Google Patents
半導体チップ実装方法Info
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- JPH08222846A JPH08222846A JP2651695A JP2651695A JPH08222846A JP H08222846 A JPH08222846 A JP H08222846A JP 2651695 A JP2651695 A JP 2651695A JP 2651695 A JP2651695 A JP 2651695A JP H08222846 A JPH08222846 A JP H08222846A
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- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
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Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 配線基板１３上に半導体チップ１０を設置
し、その半導体チップ１０の固定を配線基板１３の半導
体チップ実装エリア内に形成したスルーホール１５を通
して吸引固定しＮ2雰囲気中で接続を行い、その後で封
止樹脂２０を半導体チップ１０と配線基板１３との間に
充填し硬化する。 【効果】 実装工程内でフラックスを用いないのでフラ
ックス残渣を洗浄する必要なく、フラックス残渣によっ
て半導体チップと配線基板との間への封止樹脂の注入が
不完全になることがなく充填することができ、かつフラ
ックス残渣によるマイグレーシュンが発生しないので接
続信頼性が向上する。
し、その半導体チップ１０の固定を配線基板１３の半導
体チップ実装エリア内に形成したスルーホール１５を通
して吸引固定しＮ2雰囲気中で接続を行い、その後で封
止樹脂２０を半導体チップ１０と配線基板１３との間に
充填し硬化する。 【効果】 実装工程内でフラックスを用いないのでフラ
ックス残渣を洗浄する必要なく、フラックス残渣によっ
て半導体チップと配線基板との間への封止樹脂の注入が
不完全になることがなく充填することができ、かつフラ
ックス残渣によるマイグレーシュンが発生しないので接
続信頼性が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップと配線基
板とを接続に係わり、特に半導体チップと配線基板との
接続にフリップチップ実装を用いて半導体チップの電極
と配線基板の実装パッドとの接続を行う半導体チップ実
装方法に関する。
板とを接続に係わり、特に半導体チップと配線基板との
接続にフリップチップ実装を用いて半導体チップの電極
と配線基板の実装パッドとの接続を行う半導体チップ実
装方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップと配線基板との接続にハン
ダバンプを使った半導体チップ実装方法の従来技術とし
て、例えば（社）プリント回路学会誌「サーキットテク
ノロジ」ＶＯＬ．８ ＮＯ．２ ＭＡＲ．１９９３第１
３６頁〜１４３頁などが挙げられる。従来ハンダバンプ
を使った半導体チップ実装方法は図１５〜図１９を用い
て説明する。半導体チップ１０にはメッキ法、ハンダボ
ール転写法等を用いてハンダバンプ１１を形成し、配線
基板１３上には配線パターンを配し、半導体チップ１０
に形成したハンダバンプ１１の配置に対応した実装パッ
ド１４に半導体チップ１０を実装するエリア内に形成す
る。
ダバンプを使った半導体チップ実装方法の従来技術とし
て、例えば（社）プリント回路学会誌「サーキットテク
ノロジ」ＶＯＬ．８ ＮＯ．２ ＭＡＲ．１９９３第１
３６頁〜１４３頁などが挙げられる。従来ハンダバンプ
を使った半導体チップ実装方法は図１５〜図１９を用い
て説明する。半導体チップ１０にはメッキ法、ハンダボ
ール転写法等を用いてハンダバンプ１１を形成し、配線
基板１３上には配線パターンを配し、半導体チップ１０
に形成したハンダバンプ１１の配置に対応した実装パッ
ド１４に半導体チップ１０を実装するエリア内に形成す
る。
【０００３】配線基板１３の実装パッド１４周辺にはフ
ラックス２４を塗布し、実装パッド１４の配置に合わせ
て半導体チップ１０のハンダバンプ１１の配置との位置
合わせを行い、半導体チップ１０をマウントする。その
後リフロー炉等の加熱装置を用いてハンダバンプ１１の
融点より高い温度で加熱しハンダバンプ１１を溶融す
る。この溶融したハンダで配線基板５の実装パッド４と
の接続を行う。さらに配線基板１３上や配線基板１３と
半導体チップ１０との間にあるフラックス残渣２５を取
り除くために溶剤等で半導体チップ１０を実装した配線
基板１３を洗浄し、封止樹脂２０を半導体チップ１０と
配線基板１３との間に注入し硬化する。
ラックス２４を塗布し、実装パッド１４の配置に合わせ
て半導体チップ１０のハンダバンプ１１の配置との位置
合わせを行い、半導体チップ１０をマウントする。その
後リフロー炉等の加熱装置を用いてハンダバンプ１１の
融点より高い温度で加熱しハンダバンプ１１を溶融す
る。この溶融したハンダで配線基板５の実装パッド４と
の接続を行う。さらに配線基板１３上や配線基板１３と
半導体チップ１０との間にあるフラックス残渣２５を取
り除くために溶剤等で半導体チップ１０を実装した配線
基板１３を洗浄し、封止樹脂２０を半導体チップ１０と
配線基板１３との間に注入し硬化する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】フラックス２４はハン
ダバンプ１１や実装パッド１４の表面の酸化膜１２を除
去し、ハンダによる接続を容易にするが、フラックス２
４の量の最適化や洗浄工程の管理を行わないと、洗浄工
程後にフラックス２４が残渣となって残り、このフラッ
クス残渣２５がその後の工程である封止樹脂２０の注入
を妨げ、またマイグレーションの発生を誘発し、接続信
頼性を低下させるという課題があった。本発明の目的
は、上記の課題を解決して、半導体チップと配線基板と
の接続にフラックスを使わないフリップチップ実装を用
いて半導体チップの電極と配線基板の実装パッドとの接
続を行う半導体チップ実装方法を提供する。
ダバンプ１１や実装パッド１４の表面の酸化膜１２を除
去し、ハンダによる接続を容易にするが、フラックス２
４の量の最適化や洗浄工程の管理を行わないと、洗浄工
程後にフラックス２４が残渣となって残り、このフラッ
クス残渣２５がその後の工程である封止樹脂２０の注入
を妨げ、またマイグレーションの発生を誘発し、接続信
頼性を低下させるという課題があった。本発明の目的
は、上記の課題を解決して、半導体チップと配線基板と
の接続にフラックスを使わないフリップチップ実装を用
いて半導体チップの電極と配線基板の実装パッドとの接
続を行う半導体チップ実装方法を提供する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の半導体チップ実装方法は、下記記載の工
程を採用する。本発明の半導体チップ実装方法は、半導
体チップまたは配線基板の実装パッドのどちらかあるい
は両方に形成したハンダバンプ表面を清浄化する工程
と、半導体チップの実装エリア内に半導体チップを吸引
固定を行うためのスルーホールを設けた配線基板に半導
体チップを搭載し吸引固定する工程と、上記の配線基板
上に半導体チップを搭載し吸引固定した状態で非酸化雰
囲気中において加熱する工程、封止樹脂を半導体チップ
と配線基板との間に充填し硬化する工程を有することを
特徴としている。
めに、本発明の半導体チップ実装方法は、下記記載の工
程を採用する。本発明の半導体チップ実装方法は、半導
体チップまたは配線基板の実装パッドのどちらかあるい
は両方に形成したハンダバンプ表面を清浄化する工程
と、半導体チップの実装エリア内に半導体チップを吸引
固定を行うためのスルーホールを設けた配線基板に半導
体チップを搭載し吸引固定する工程と、上記の配線基板
上に半導体チップを搭載し吸引固定した状態で非酸化雰
囲気中において加熱する工程、封止樹脂を半導体チップ
と配線基板との間に充填し硬化する工程を有することを
特徴としている。
【０００６】
【作用】ハンダバンプ表面を清浄化し、半導体チップを
配線基板上に搭載と同時に吸引固定し、半導体チップを
配線板上に搭載した状態で非酸化雰囲気中で加熱してハ
ンダを溶融し半導体チップを実装するので、フラックス
を使用することなく安定した接続を行うことが可能にな
る。フラックスを使用した際に必要な洗浄工程が省け、
また特に半導体チップと配線基板との間にフラックス残
渣がないので封止樹脂の注入を妨げることなく充填する
ことができ、さらにフラックス残渣によるマイグレーシ
ョンが発生しないので接続信頼性が向上する。
配線基板上に搭載と同時に吸引固定し、半導体チップを
配線板上に搭載した状態で非酸化雰囲気中で加熱してハ
ンダを溶融し半導体チップを実装するので、フラックス
を使用することなく安定した接続を行うことが可能にな
る。フラックスを使用した際に必要な洗浄工程が省け、
また特に半導体チップと配線基板との間にフラックス残
渣がないので封止樹脂の注入を妨げることなく充填する
ことができ、さらにフラックス残渣によるマイグレーシ
ョンが発生しないので接続信頼性が向上する。
【０００７】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の説明を行
う。図１は配線基板の平面図、図２は配線基板の断面図
である。配線基板１３の半導体チップ実装エリア内には
半導体チップ１０上のハンダバンプ１１の配置と一致す
るように配した実装パッド１４と、半導体チップ１０上
のハンダバンプ１１と実装パッド１４との位置合わせを
行い半導体チップ１０を配線基板１３上に設置した時に
ハンダバンプ１１と実装パッド１４との位置がズレない
ように吸引固定するためのスルーホール１５を形成して
いる。
う。図１は配線基板の平面図、図２は配線基板の断面図
である。配線基板１３の半導体チップ実装エリア内には
半導体チップ１０上のハンダバンプ１１の配置と一致す
るように配した実装パッド１４と、半導体チップ１０上
のハンダバンプ１１と実装パッド１４との位置合わせを
行い半導体チップ１０を配線基板１３上に設置した時に
ハンダバンプ１１と実装パッド１４との位置がズレない
ように吸引固定するためのスルーホール１５を形成して
いる。
【０００８】次に図３〜図９は第１の実施例を示した半
導体チップ実装工程の断面図である。以下、図３〜図９
を用いて説明する。半導体チップ１０に形成したハンダ
バンプ１１に長時間大気中に放置するとハンダバンプ１
１表面に酸化膜１２が形成されてしまうので、この酸化
膜１２をＡｒ原子によるスパッタクリーニングで除去
し、ハンダバンプ１１表面を清浄化する。基板固定台１
６上にある吸引穴１８は、配線基板１３を基板固定台１
６に設置した時に配線基板１３に形成しているスルーホ
ール１５と吸引穴１８との位置が合う場所に形成し、ま
た配線基板１３の実装エリア内を加熱するために基板加
熱ヒータ１７を内蔵している。
導体チップ実装工程の断面図である。以下、図３〜図９
を用いて説明する。半導体チップ１０に形成したハンダ
バンプ１１に長時間大気中に放置するとハンダバンプ１
１表面に酸化膜１２が形成されてしまうので、この酸化
膜１２をＡｒ原子によるスパッタクリーニングで除去
し、ハンダバンプ１１表面を清浄化する。基板固定台１
６上にある吸引穴１８は、配線基板１３を基板固定台１
６に設置した時に配線基板１３に形成しているスルーホ
ール１５と吸引穴１８との位置が合う場所に形成し、ま
た配線基板１３の実装エリア内を加熱するために基板加
熱ヒータ１７を内蔵している。
【０００９】そして吸引穴１８とスルーホール１５との
位置が合うように配線基板１３を基板固定台１６に設置
する。半導体チップ１０上のハンダバンプ１１と基板固
定台１６上に設置した配線基板１３の実装パッド１４と
の位置合わせを行い、半導体チップ１０を配線基板１３
上に設置し、それと同時にハンダバンプ１１と実装パッ
ド１４との位置がズレないように基板固定台１６に形成
してある吸引穴１８より配線基板１３のスルーホール１
５を通して半導体チップ１０を吸引することで半導体チ
ップ１０を配線基板１３に吸引固定する。
位置が合うように配線基板１３を基板固定台１６に設置
する。半導体チップ１０上のハンダバンプ１１と基板固
定台１６上に設置した配線基板１３の実装パッド１４と
の位置合わせを行い、半導体チップ１０を配線基板１３
上に設置し、それと同時にハンダバンプ１１と実装パッ
ド１４との位置がズレないように基板固定台１６に形成
してある吸引穴１８より配線基板１３のスルーホール１
５を通して半導体チップ１０を吸引することで半導体チ
ップ１０を配線基板１３に吸引固定する。
【００１０】半導体チップ１０が配線基板１３に吸引固
定した状態で配線基板１３全体あるいは半導体チップ１
０を覆うほどの大きさの大気遮断用カバー１９を半導体
チップ１０全体を覆うように設置し、Ｎ2ガスを大気遮
断用カバー１９内に注入する。大気遮断カバー１９内は
Ｎ2ガスを注入しながら基板固定台１６の吸引穴１８よ
り吸引を行っているので大気遮断用カバー内の大気は大
気遮断用カバー１９より排出されＮ2ガスが充満しＯ2濃
度が低下する。大気遮断用カバ−１９内のＯ2濃度が１
０００ｐｐｍ以下なったときに基板固定台１６に内蔵し
た基板加熱ヒータ１７を動作させ加熱し、ハンダバンプ
１１の融点よりも高い温度に加熱してハンダバンプ１１
を溶融し、ハンダバンプ１１と配線基板１３の実装パッ
ド１４とを接合する。
定した状態で配線基板１３全体あるいは半導体チップ１
０を覆うほどの大きさの大気遮断用カバー１９を半導体
チップ１０全体を覆うように設置し、Ｎ2ガスを大気遮
断用カバー１９内に注入する。大気遮断カバー１９内は
Ｎ2ガスを注入しながら基板固定台１６の吸引穴１８よ
り吸引を行っているので大気遮断用カバー内の大気は大
気遮断用カバー１９より排出されＮ2ガスが充満しＯ2濃
度が低下する。大気遮断用カバ−１９内のＯ2濃度が１
０００ｐｐｍ以下なったときに基板固定台１６に内蔵し
た基板加熱ヒータ１７を動作させ加熱し、ハンダバンプ
１１の融点よりも高い温度に加熱してハンダバンプ１１
を溶融し、ハンダバンプ１１と配線基板１３の実装パッ
ド１４とを接合する。
【００１１】ハンダバンプ１１と配線基板１３の実装パ
ッド１４との接合後、基板加熱ヒータ１７の動作を止め
て冷却を行い、Ｎ2の注入を停止し大気遮断用カバー１
９をはずし、また吸引穴１８から半導体チップ１０への
吸引を停止するその後、封止樹脂２０を半導体チップ１
０と配線基板１３との間に充填し硬化する。
ッド１４との接合後、基板加熱ヒータ１７の動作を止め
て冷却を行い、Ｎ2の注入を停止し大気遮断用カバー１
９をはずし、また吸引穴１８から半導体チップ１０への
吸引を停止するその後、封止樹脂２０を半導体チップ１
０と配線基板１３との間に充填し硬化する。
【００１２】図１０〜図１４は第２の実施例を示した半
導体チップ実装工程の断面図である。以下、図１０〜図
１４を用いて説明する。基板固定台２１上にある吸引穴
１８は、配線基板１３を基板固定台２１に設置した時に
配線基板１３に形成しているスルーホール１５と吸引穴
１８との位置が合う場所に形成する。そして吸引穴１８
とスルーホール１５との位置が合うように配線基板１３
を基板固定台２１に設置する。半導体チップ１０上のハ
ンダバンプ１１と基板固定台２１上に設置した配線基板
１３の実装パッド１４との位置合わせを行い、半導体チ
ップ１０を配線基板１３上に設置し、それと同時にハン
ダバンプ１１と実装パッド１４との位置がズレないよう
に基板固定台２１に形成してある吸引穴１８より配線基
板１３のスルーホール１５を通して半導体チップ１０を
吸引することで半導体チップ１０を配線基板１３に吸引
固定する。
導体チップ実装工程の断面図である。以下、図１０〜図
１４を用いて説明する。基板固定台２１上にある吸引穴
１８は、配線基板１３を基板固定台２１に設置した時に
配線基板１３に形成しているスルーホール１５と吸引穴
１８との位置が合う場所に形成する。そして吸引穴１８
とスルーホール１５との位置が合うように配線基板１３
を基板固定台２１に設置する。半導体チップ１０上のハ
ンダバンプ１１と基板固定台２１上に設置した配線基板
１３の実装パッド１４との位置合わせを行い、半導体チ
ップ１０を配線基板１３上に設置し、それと同時にハン
ダバンプ１１と実装パッド１４との位置がズレないよう
に基板固定台２１に形成してある吸引穴１８より配線基
板１３のスルーホール１５を通して半導体チップ１０を
吸引することで半導体チップ１０を配線基板１３に吸引
固定する。
【００１３】半導体チップ１０が配線基板１３に吸引固
定した状態で配線基板１３全体あるいは半導体チップ１
０を覆うほどの大きさの半導体チップ１０を上面より加
熱するための加熱ヒータ２３を内蔵した大気遮断用カバ
ー２２を半導体チップ１０全体を覆うように設置し、Ｎ
2ガスを大気遮断用カバー２２内に注入する。大気遮断
カバー２２内はＮ2ガスを注入しながら基板固定台２１
の吸引穴１８より吸引を行っているので大気遮断用カバ
ー２２内の大気は大気遮断用カバー２２より排出されＮ
2ガスが充満しＯ2濃度が低下する。
定した状態で配線基板１３全体あるいは半導体チップ１
０を覆うほどの大きさの半導体チップ１０を上面より加
熱するための加熱ヒータ２３を内蔵した大気遮断用カバ
ー２２を半導体チップ１０全体を覆うように設置し、Ｎ
2ガスを大気遮断用カバー２２内に注入する。大気遮断
カバー２２内はＮ2ガスを注入しながら基板固定台２１
の吸引穴１８より吸引を行っているので大気遮断用カバ
ー２２内の大気は大気遮断用カバー２２より排出されＮ
2ガスが充満しＯ2濃度が低下する。
【００１４】大気遮断用カバ−２２内のＯ2濃度が１０
００ｐｐｍ以下なったときに大気遮断用カバー２２に内
蔵した加熱ヒータ２３を動作させ加熱し、ハンダバンプ
１１の融点よりも高い温度に加熱してハンダバンプ１１
を溶融し、ハンダバンプ１１と配線基板１３の実装パッ
ド１４とを接合する。ハンダバンプ１１と配線基板１３
の実装パッド１４との接合後、加熱ヒータ２３の動作を
止めて冷却を行い、Ｎ2の注入を停止し大気遮断用カバ
ー２２をはずし、また吸引穴１８から半導体チップ１０
への吸引を停止する。その後、封止樹脂２０を半導体チ
ップ１０と配線基板１３との間に充填し硬化する。
００ｐｐｍ以下なったときに大気遮断用カバー２２に内
蔵した加熱ヒータ２３を動作させ加熱し、ハンダバンプ
１１の融点よりも高い温度に加熱してハンダバンプ１１
を溶融し、ハンダバンプ１１と配線基板１３の実装パッ
ド１４とを接合する。ハンダバンプ１１と配線基板１３
の実装パッド１４との接合後、加熱ヒータ２３の動作を
止めて冷却を行い、Ｎ2の注入を停止し大気遮断用カバ
ー２２をはずし、また吸引穴１８から半導体チップ１０
への吸引を停止する。その後、封止樹脂２０を半導体チ
ップ１０と配線基板１３との間に充填し硬化する。
【００１５】
【発明の効果】配線基板上に半導体チップを設置し、そ
の半導体チップの固定を配線基板の半導体チップ実装エ
リア内に形成したスルーホールを通して吸引固定し、非
酸化雰囲気中で接続を行う。よって実装工程内でフラッ
クスを用いないのでフラックス残渣を洗浄する必要な
く、フラックス残渣によって半導体チップと配線基板と
の間への封止樹脂の注入が不完全になることがなく充填
することができ、かつフラックス残渣によるマイグレー
シュンが発生しないので接続信頼性が向上する。
の半導体チップの固定を配線基板の半導体チップ実装エ
リア内に形成したスルーホールを通して吸引固定し、非
酸化雰囲気中で接続を行う。よって実装工程内でフラッ
クスを用いないのでフラックス残渣を洗浄する必要な
く、フラックス残渣によって半導体チップと配線基板と
の間への封止樹脂の注入が不完全になることがなく充填
することができ、かつフラックス残渣によるマイグレー
シュンが発生しないので接続信頼性が向上する。
【図１】本発明の実施例における配線基板の平面図。
【図２】本発明の実施例における配線基板の断面図。
【図３】本発明の第１の実施例における半導体チップの
断面図。
断面図。
【図４】本発明の第１の実施例におけるハンダバンプの
酸化膜を除去した半導体チップの断面図。
酸化膜を除去した半導体チップの断面図。
【図５】本発明の第１の実施例における基板固定台に配
線基板を設置した状態の断面図。
線基板を設置した状態の断面図。
【図６】本発明の第１の実施例における配線基板上に半
導体チップを設置した状態の断面図。
導体チップを設置した状態の断面図。
【図７】本発明の第１の実施例における半導体チップ上
に大気遮断用カバーを設置した状態の断面図。
に大気遮断用カバーを設置した状態の断面図。
【図８】本発明の第１の実施例における半導体チップが
配線基板と接続した状態の断面図。
配線基板と接続した状態の断面図。
【図９】本発明の第１の実装例における封止樹脂を充填
した状態の断面図。
した状態の断面図。
【図１０】本発明の第２の実施例における基板固定台に
配線基板を設置した状態の断面図。
配線基板を設置した状態の断面図。
【図１１】本発明の第２の実施例における配線基板上に
半導体チップを設置した状態の断面図。
半導体チップを設置した状態の断面図。
【図１２】本発明の第２の実施例における半導体チップ
上に大気遮断用カバーを設置した状態の断面図。
上に大気遮断用カバーを設置した状態の断面図。
【図１３】本発明の第２の実施例における半導体チップ
が配線基板と接続した状態の断面図。
が配線基板と接続した状態の断面図。
【図１４】本発明の第２の実装例における封止樹脂を充
填した状態の断面図。
填した状態の断面図。
【図１５】従来例における半導体チップの断面図。
【図１６】従来例における配線基板にフラックスを塗布
した状態の断面図。
した状態の断面図。
【図１７】従来例における配線基板上に半導体チップを
設置した状態の断面図。
設置した状態の断面図。
【図１８】従来例における半導体チップが配線基板と接
続した状態の断面図。
続した状態の断面図。
【図１９】従来例における封止樹脂を充填した状態の断
面図。
面図。
１０ 半導体チップ １１ ハンダバンプ １３ 配線基板 １４ 実装パッド １５ スルーホール ２０ 封止樹脂
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体チップを配線基板に実装する方法
において、半導体チップまたは配線基板の実装パッドの
どちらかあるいは両方に形成したハンダバンプ表面を清
浄化する工程と、半導体チップの実装エリア内に半導体
チップを吸引固定を行うためのスルーホールを設けた配
線基板に半導体チップを搭載し吸引固定する工程と、上
記の配線基板上に半導体チップを搭載し吸引固定した状
態で非酸化雰囲気中において加熱する工程を有すること
を特徴とする半導体チップ実装方法。 - 【請求項２】 ハンダバンプ表面の清浄化をする固定ス
パッタエッチングで行うことを特徴とする請求項１記載
の半導体チップ実装方法。 - 【請求項３】 ハンダバンプ表面の清浄化をする工程を
ＳＦ６、ＣＦ４のフッ素系プラズマ照射で行うことを特
徴とする請求項１記載の半導体チップ実装方法。 - 【請求項４】 非酸化雰囲気がＮ2、Ａｒ、Ｈｅの不活
性雰囲気であることを特徴とする請求項１記載の半導体
チップ実装方法。 - 【請求項５】 非酸化雰囲気がＨ2／Ｎ2、Ｈ2の還元雰
囲気であることを特徴とする請求項１記載の半導体チッ
プ実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2651695A JPH08222846A (ja) | 1995-02-15 | 1995-02-15 | 半導体チップ実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2651695A JPH08222846A (ja) | 1995-02-15 | 1995-02-15 | 半導体チップ実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08222846A true JPH08222846A (ja) | 1996-08-30 |
Family
ID=12195650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2651695A Pending JPH08222846A (ja) | 1995-02-15 | 1995-02-15 | 半導体チップ実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08222846A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6265244B1 (en) | 1999-06-01 | 2001-07-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for mounting semiconductor elements |
| WO2002017694A1 (fr) * | 2000-08-18 | 2002-02-28 | Toray Engineering Co., Ltd. | Dispositif d'installation |
| JPWO2013076895A1 (ja) * | 2011-11-24 | 2015-04-27 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | フリップチップボンディング装置 |
-
1995
- 1995-02-15 JP JP2651695A patent/JPH08222846A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6265244B1 (en) | 1999-06-01 | 2001-07-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for mounting semiconductor elements |
| WO2002017694A1 (fr) * | 2000-08-18 | 2002-02-28 | Toray Engineering Co., Ltd. | Dispositif d'installation |
| JPWO2013076895A1 (ja) * | 2011-11-24 | 2015-04-27 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | フリップチップボンディング装置 |
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