JPH08288630A - バンプの形成方法およびバンプ付きチップの実装方法 - Google Patents
バンプの形成方法およびバンプ付きチップの実装方法Info
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- JPH08288630A JPH08288630A JP8810795A JP8810795A JPH08288630A JP H08288630 A JPH08288630 A JP H08288630A JP 8810795 A JP8810795 A JP 8810795A JP 8810795 A JP8810795 A JP 8810795A JP H08288630 A JPH08288630 A JP H08288630A
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- chip
- bumps
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
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-
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- H05K3/3478—Applying solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns
-
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- H05K3/3489—Composition of fluxes; Methods of application thereof; Other methods of activating the contact surfaces
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 バンプのヌレ性を改善できるバンプの形成方
法およびバンプ付きチップの実装方法を提供することを
目的とする。 【構成】 チップ１の電極２にフラックス３を塗布した
後、その上に半田ボール４を搭載する。このチップ１を
チッソ雰囲気中の加熱炉で加熱して半田ボール４を溶融
・固化させることによりバンプ４を生成する。次にチッ
プ１を基板５に搭載し、再度加熱することによりバンプ
４を溶融させて基板５の電極６に半田付けする。 【効果】 半田ボール４はチッソ雰囲気中で加熱・溶融
されるので、これにより生成されたバンプ４の表面には
酸化膜は生じず、したがって基板５の電極６にヌレ性よ
く半田付けできる。
法およびバンプ付きチップの実装方法を提供することを
目的とする。 【構成】 チップ１の電極２にフラックス３を塗布した
後、その上に半田ボール４を搭載する。このチップ１を
チッソ雰囲気中の加熱炉で加熱して半田ボール４を溶融
・固化させることによりバンプ４を生成する。次にチッ
プ１を基板５に搭載し、再度加熱することによりバンプ
４を溶融させて基板５の電極６に半田付けする。 【効果】 半田ボール４はチッソ雰囲気中で加熱・溶融
されるので、これにより生成されたバンプ４の表面には
酸化膜は生じず、したがって基板５の電極６にヌレ性よ
く半田付けできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、チップの電極にバンプ
を形成するバンプの形成方法およびバンプ付きチップの
実装方法に関するものである。
を形成するバンプの形成方法およびバンプ付きチップの
実装方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】バンプ（突出電極）付きのチップは、サ
イズを小さくでき、基板に高密度実装できることから、
近年、次第に広範囲に使用されるようになってきてい
る。
イズを小さくでき、基板に高密度実装できることから、
近年、次第に広範囲に使用されるようになってきてい
る。
【０００３】従来、バンプ付きのチップは、一般に、次
のようにして製造されていた。すなわち、チップの電極
にフラックスを塗布して半田ボールを載せる。次にチッ
プを加熱炉へ送って加熱し、半田ボールを溶融させた
後、チップを冷却することにより、溶融した半田ボール
を固化させてバンプを生成する。
のようにして製造されていた。すなわち、チップの電極
にフラックスを塗布して半田ボールを載せる。次にチッ
プを加熱炉へ送って加熱し、半田ボールを溶融させた
後、チップを冷却することにより、溶融した半田ボール
を固化させてバンプを生成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来方法では、半
田ボールは加熱炉の空気中にて加熱・溶融されていたた
め、バンプの表面に酸化膜が生じる。したがってバンプ
を基板の電極に搭載し、再度加熱・溶融させて基板の電
極に接着（半田付け）する際に、この酸化膜が半田のヌ
レ性を阻害し、半田付け状態が不良になりやすいという
問題点があった。
田ボールは加熱炉の空気中にて加熱・溶融されていたた
め、バンプの表面に酸化膜が生じる。したがってバンプ
を基板の電極に搭載し、再度加熱・溶融させて基板の電
極に接着（半田付け）する際に、この酸化膜が半田のヌ
レ性を阻害し、半田付け状態が不良になりやすいという
問題点があった。
【０００５】したがって本発明は上記従来方法の問題点
を解消し、バンプのヌレ性を改善できるバンプの形成方
法およびバンプ付きチップの実装方法を提供することを
目的とする。
を解消し、バンプのヌレ性を改善できるバンプの形成方
法およびバンプ付きチップの実装方法を提供することを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このために本発明は、チ
ップの電極上に半田を設ける工程と、このチップを低酸
素雰囲気中で加熱することにより半田を溶融させる工程
と、チップを冷却し半田を固化させてバンプを生成する
工程と、からバンプの形成方法を構成した。
ップの電極上に半田を設ける工程と、このチップを低酸
素雰囲気中で加熱することにより半田を溶融させる工程
と、チップを冷却し半田を固化させてバンプを生成する
工程と、からバンプの形成方法を構成した。
【０００７】また以上の工程で作られたバンプ付きチッ
プを基板に搭載し、この基板を加熱することによりバン
プを基板の電極に半田付けするようにした。
プを基板に搭載し、この基板を加熱することによりバン
プを基板の電極に半田付けするようにした。
【０００８】また好ましくは、低酸素雰囲気を酸素濃度
２０００ｐｐｍ以下のチッソ雰囲気とした。
２０００ｐｐｍ以下のチッソ雰囲気とした。
【０００９】
【作用】上記構成によれば、半田は低酸素雰囲気中で加
熱・溶融されるので、バンプの表面に酸化膜が生じるこ
とはない。したがってこのバンプが形成されたバンプ付
きチップを基板の電極に搭載して加熱すると基板の電極
にヌレ性よく半田付けされる。
熱・溶融されるので、バンプの表面に酸化膜が生じるこ
とはない。したがってこのバンプが形成されたバンプ付
きチップを基板の電極に搭載して加熱すると基板の電極
にヌレ性よく半田付けされる。
【００１０】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面を参照しながら
説明する。図１は本発明の第一実施例のバンプ付きチッ
プの製造工程とバンプ付きチップの実装工程の説明図で
あり、工程順に示している。
説明する。図１は本発明の第一実施例のバンプ付きチッ
プの製造工程とバンプ付きチップの実装工程の説明図で
あり、工程順に示している。
【００１１】まず図１（ａ）に示すように、チップ１の
上面にマトリクス状に多数個形成された電極２上にフラ
ックス３を塗布する。次に電極２上に半田ボール４を搭
載する（図１（ｂ）参照）。次にこの半田ボール４を加
熱・溶融させる。
上面にマトリクス状に多数個形成された電極２上にフラ
ックス３を塗布する。次に電極２上に半田ボール４を搭
載する（図１（ｂ）参照）。次にこの半田ボール４を加
熱・溶融させる。
【００１２】図２は本発明の第一実施例のチップの加熱
炉の断面図である。図中、１０は加熱炉であり、チッソ
ガス供給部１１からパイプ１２を通してチッソガスが供
給される。加熱炉１０の内部にはチップ１を右方へ搬送
するコンベア１３が設けられている。またコンベア１３
の上方にはファン１４とヒータ１５が設けられている。
右端部のファン１４の真下にはヒータ１５は設けられて
おらず、このファン１４は冷却用のファンとなってい
る。したがって図１（ｂ）に示すチップ１はコンベア１
３により右方へ搬送されながら、チッソ雰囲気中で半田
ボール４の溶融温度（１８３℃程度）以上まで加熱さ
れ、次いで冷却されることにより、溶融していた半田ボ
ール４は固化し、バンプ４が生成される。
炉の断面図である。図中、１０は加熱炉であり、チッソ
ガス供給部１１からパイプ１２を通してチッソガスが供
給される。加熱炉１０の内部にはチップ１を右方へ搬送
するコンベア１３が設けられている。またコンベア１３
の上方にはファン１４とヒータ１５が設けられている。
右端部のファン１４の真下にはヒータ１５は設けられて
おらず、このファン１４は冷却用のファンとなってい
る。したがって図１（ｂ）に示すチップ１はコンベア１
３により右方へ搬送されながら、チッソ雰囲気中で半田
ボール４の溶融温度（１８３℃程度）以上まで加熱さ
れ、次いで冷却されることにより、溶融していた半田ボ
ール４は固化し、バンプ４が生成される。
【００１３】図１（ｃ）は、図２に示す工程によりバン
プ４が生成されたチップ１を示している。次にこのチッ
プ１を基板５に搭載する（図１（ｄ）参照）。基板５の
上面には電極６がマトリクス状に多数個形成されてお
り、この電極６上にフラックス７を塗布し、バンプ４を
電極６に位置合わせしてチップ１を基板５に搭載する。
プ４が生成されたチップ１を示している。次にこのチッ
プ１を基板５に搭載する（図１（ｄ）参照）。基板５の
上面には電極６がマトリクス状に多数個形成されてお
り、この電極６上にフラックス７を塗布し、バンプ４を
電極６に位置合わせしてチップ１を基板５に搭載する。
【００１４】次にチップ１が積載された基板５を加熱炉
（図外）へ送り、バンプ４の溶融温度（１８３℃程度）
以上まで加熱し、次いで冷却する。するとバンプ４は溶
融・固化し、基板５の電極６に接着（半田付け）され
る。図１（ｅ）は以上のようにして基板５に実装された
チップ１を示している。図２に示す工程において、半田
ボール４はチッソ雰囲気中で加熱・溶融されているた
め、これにより生成されたバンプ４の表面には酸化膜は
ほとんど生じていない。したがって図１（ｅ）に示すよ
うにバンプ４はヌレ性よく基板５の電極６に接着され
る。
（図外）へ送り、バンプ４の溶融温度（１８３℃程度）
以上まで加熱し、次いで冷却する。するとバンプ４は溶
融・固化し、基板５の電極６に接着（半田付け）され
る。図１（ｅ）は以上のようにして基板５に実装された
チップ１を示している。図２に示す工程において、半田
ボール４はチッソ雰囲気中で加熱・溶融されているた
め、これにより生成されたバンプ４の表面には酸化膜は
ほとんど生じていない。したがって図１（ｅ）に示すよ
うにバンプ４はヌレ性よく基板５の電極６に接着され
る。
【００１５】なお低酸素雰囲気を実現する手段として
は、図２に示すようにチッソガスを用いる方法がコスト
や運転管理上有利である。本発明者の実験によれば、酸
素濃度を２０００ｐｐｍ以下、更に望ましくは１０００
ｐｐｍ以下にすれば、酸化膜の発生を防止するという所
期の目的は実質的に達成される。したがって本発明にお
いて低酸素雰囲気とは、このように酸素濃度が低く、バ
ンプ４の表面に酸化膜を実質的に生じない雰囲気を含む
ものである。
は、図２に示すようにチッソガスを用いる方法がコスト
や運転管理上有利である。本発明者の実験によれば、酸
素濃度を２０００ｐｐｍ以下、更に望ましくは１０００
ｐｐｍ以下にすれば、酸化膜の発生を防止するという所
期の目的は実質的に達成される。したがって本発明にお
いて低酸素雰囲気とは、このように酸素濃度が低く、バ
ンプ４の表面に酸化膜を実質的に生じない雰囲気を含む
ものである。
【００１６】図３は本発明の第二実施例のバンプ付きチ
ップの製造工程の説明図である。第二実施例では、第一
実施例のフラックス３や半田ボール４に替えてクリーム
半田８をチップ１の電極２上に塗布する（図３（ａ）参
照）。以下の工程は第一実施例と同様であって、図２に
示す加熱炉１０でクリーム半田８を加熱・溶融・固化さ
せることにより、バンプ８を生成する。図３（ｂ）はバ
ンプ８が生成されたチップ１を示すものであって、図１
（ｃ）に相当している。以下、図１（ｄ）（ｅ）と同様
の工程によりチップ１を基板５に実装する。
ップの製造工程の説明図である。第二実施例では、第一
実施例のフラックス３や半田ボール４に替えてクリーム
半田８をチップ１の電極２上に塗布する（図３（ａ）参
照）。以下の工程は第一実施例と同様であって、図２に
示す加熱炉１０でクリーム半田８を加熱・溶融・固化さ
せることにより、バンプ８を生成する。図３（ｂ）はバ
ンプ８が生成されたチップ１を示すものであって、図１
（ｃ）に相当している。以下、図１（ｄ）（ｅ）と同様
の工程によりチップ１を基板５に実装する。
【００１７】
【発明の効果】本発明は、半田ボールやクリーム半田な
どの半田を低酸素雰囲気中で加熱・溶融させるので、バ
ンプの表面に酸化膜を生じず、したがって基板の電極に
ヌレ性よく半田付けできる。また低酸素雰囲気として酸
素濃度２０００ｐｐｍ以下のチッソ雰囲気とすることに
より、コストを低減でき、また運転管理も容易となる。
どの半田を低酸素雰囲気中で加熱・溶融させるので、バ
ンプの表面に酸化膜を生じず、したがって基板の電極に
ヌレ性よく半田付けできる。また低酸素雰囲気として酸
素濃度２０００ｐｐｍ以下のチッソ雰囲気とすることに
より、コストを低減でき、また運転管理も容易となる。
【図１】本発明の第一実施例のバンプ付きチップの製造
工程とバンプ付きチップの実装工程の説明図
工程とバンプ付きチップの実装工程の説明図
【図２】本発明の第一実施例のチップの加熱炉の断面図
【図３】本発明の第二実施例のバンプ付きチップの製造
工程の説明図
工程の説明図
１ チップ ４ 半田ボール（バンプ） ５ 基板 ６ 電極 ８ クリーム半田 １０ 加熱炉 １１ チッソガス供給部
Claims (4)
- 【請求項１】チップの電極上に半田を設ける工程と、こ
のチップを低酸素雰囲気中で加熱することにより半田を
溶融させる工程と、チップを冷却し半田を固化させてバ
ンプを生成する工程と、を含むことを特徴とするバンプ
の形成方法。 - 【請求項２】前記低酸素雰囲気が酸素濃度２０００ｐｐ
ｍ以下のチッソ雰囲気であることを特徴とする請求項１
記載のバンプの形成方法。 - 【請求項３】チップの電極上に半田を設ける工程と、こ
のチップを低酸素雰囲気中で加熱することにより半田を
溶融させる工程と、チップを冷却し半田を固化させてバ
ンプを生成する工程と、以上の工程で作られたバンプ付
きチップを基板に搭載し、この基板を加熱することによ
りバンプを基板の電極に半田付けする工程と、を含むこ
とを特徴とするバンプ付きチップの実装方法。 - 【請求項４】前記低酸素雰囲気が酸素濃度２０００ｐｐ
ｍ以下のチッソ雰囲気であることを特徴とする請求項３
記載のバンプ付きチップの実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08810795A JP3240876B2 (ja) | 1995-04-13 | 1995-04-13 | バンプ付きチップの実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08810795A JP3240876B2 (ja) | 1995-04-13 | 1995-04-13 | バンプ付きチップの実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08288630A true JPH08288630A (ja) | 1996-11-01 |
| JP3240876B2 JP3240876B2 (ja) | 2001-12-25 |
Family
ID=13933659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08810795A Expired - Lifetime JP3240876B2 (ja) | 1995-04-13 | 1995-04-13 | バンプ付きチップの実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3240876B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1117323A (ja) * | 1997-06-23 | 1999-01-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 導電性ボールのリフロー装置 |
| JP2002368044A (ja) * | 2001-06-13 | 2002-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | はんだボール付電子部品の組立方法及び電子部品 |
| KR100554766B1 (ko) * | 1998-09-25 | 2006-02-22 | 시부야 코교 가부시키가이샤 | 플럭스전사장치 및 플럭스전사방법 |
| US9269620B2 (en) | 2011-12-12 | 2016-02-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing bump |
| JP2020049493A (ja) * | 2018-09-25 | 2020-04-02 | 株式会社タムラ製作所 | 熱硬化性フラックス組成物および電子基板の製造方法 |
-
1995
- 1995-04-13 JP JP08810795A patent/JP3240876B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1117323A (ja) * | 1997-06-23 | 1999-01-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 導電性ボールのリフロー装置 |
| KR100554766B1 (ko) * | 1998-09-25 | 2006-02-22 | 시부야 코교 가부시키가이샤 | 플럭스전사장치 및 플럭스전사방법 |
| JP2002368044A (ja) * | 2001-06-13 | 2002-12-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | はんだボール付電子部品の組立方法及び電子部品 |
| JP4590783B2 (ja) * | 2001-06-13 | 2010-12-01 | パナソニック株式会社 | はんだボールの形成方法 |
| US9269620B2 (en) | 2011-12-12 | 2016-02-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing bump |
| JP2020049493A (ja) * | 2018-09-25 | 2020-04-02 | 株式会社タムラ製作所 | 熱硬化性フラックス組成物および電子基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3240876B2 (ja) | 2001-12-25 |
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