JPH07307341A - バンプの形成方法 - Google Patents
バンプの形成方法Info
- Publication number
- JPH07307341A JPH07307341A JP6097238A JP9723894A JPH07307341A JP H07307341 A JPH07307341 A JP H07307341A JP 6097238 A JP6097238 A JP 6097238A JP 9723894 A JP9723894 A JP 9723894A JP H07307341 A JPH07307341 A JP H07307341A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- bump
- bumps
- electrodes
- solder
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3485—Applying solder paste, slurry or powder
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板やチップなどの電極の表面にバンプを低
コストで作業性よく形成できるバンプの形成方法を提供
することを目的とする。 【構成】 金型１１に形成された凹入部にバンプ１４’
の材料であるクリーム半田１４を充填する工程と、基板
１の表面に形成された電極２をクリーム半田１４に位置
合わせして、基板１を金型１１にセットする工程と、金
型１１を加熱することにより、クリーム半田１４を溶融
させて電極２の表面にバンプ１４’を形成する工程とか
らバンプの形成方法を構成した。 【効果】 従来、バンプの素材として必要であった半田
ボールを不要にでき、低コストでバンプが形成できる。
コストで作業性よく形成できるバンプの形成方法を提供
することを目的とする。 【構成】 金型１１に形成された凹入部にバンプ１４’
の材料であるクリーム半田１４を充填する工程と、基板
１の表面に形成された電極２をクリーム半田１４に位置
合わせして、基板１を金型１１にセットする工程と、金
型１１を加熱することにより、クリーム半田１４を溶融
させて電極２の表面にバンプ１４’を形成する工程とか
らバンプの形成方法を構成した。 【効果】 従来、バンプの素材として必要であった半田
ボールを不要にでき、低コストでバンプが形成できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板やチップなどのワ
ークの表面の電極にバンプを形成するバンプの形成方法
に関するものである。
ークの表面の電極にバンプを形成するバンプの形成方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】基板やワークの表面の電極上に、バンプ
（突出電極）を形成することが知られている。このよう
なバンプ付きのワークは、各種電子機器などの小型化や
高集積化に有利なことから、近年、益々普及してきてい
る。以下に、従来のバンプの形成方法について説明す
る。
（突出電極）を形成することが知られている。このよう
なバンプ付きのワークは、各種電子機器などの小型化や
高集積化に有利なことから、近年、益々普及してきてい
る。以下に、従来のバンプの形成方法について説明す
る。
【０００３】図４（ａ），（ｂ）は、従来のバンプの形
成方法の説明図である。まず図４（ａ）に示すように、
基板１の表面に形成された電極２上に半田ボール３を搭
載する。次にこの基板１を加熱炉へ送り、加熱する。す
ると半田ボール３は溶融し、次いで冷却されて固化する
ことにより、図４（ｂ）に示すように電極２上にバンプ
３’が形成される。チップの表面の電極にバンプを形成
する場合も、上記と同様の方法により行われる。
成方法の説明図である。まず図４（ａ）に示すように、
基板１の表面に形成された電極２上に半田ボール３を搭
載する。次にこの基板１を加熱炉へ送り、加熱する。す
ると半田ボール３は溶融し、次いで冷却されて固化する
ことにより、図４（ｂ）に示すように電極２上にバンプ
３’が形成される。チップの表面の電極にバンプを形成
する場合も、上記と同様の方法により行われる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
のバンプの形成方法は、予め半田ボール３を別途形成し
ておき、この半田ボール３を基板１の電極３上に位置合
わせして搭載し、次に基板１を加熱炉へ送って加熱しな
ければならないため、工程数が多く、また微小な半田ボ
ール（一般に、その直径は１ｍｍ以下）の取り扱いや各
工程もかなり面倒であって、しかもかなりの作業時間を
要することから、コストアップになるという問題点があ
った。
のバンプの形成方法は、予め半田ボール３を別途形成し
ておき、この半田ボール３を基板１の電極３上に位置合
わせして搭載し、次に基板１を加熱炉へ送って加熱しな
ければならないため、工程数が多く、また微小な半田ボ
ール（一般に、その直径は１ｍｍ以下）の取り扱いや各
工程もかなり面倒であって、しかもかなりの作業時間を
要することから、コストアップになるという問題点があ
った。
【０００５】そこで本発明は、ワークの電極上に、バン
プを簡単に形成できるバンプの形成方法を提供すること
を目的とする。更に詳しくは、半田ボールを不要にでき
るバンプの形成方法を提供することを目的とする。
プを簡単に形成できるバンプの形成方法を提供すること
を目的とする。更に詳しくは、半田ボールを不要にでき
るバンプの形成方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このために本発明は、金
型に形成された凹入部にバンプの材料である金属物質を
充填する工程と、ワークの表面に形成された電極を金属
物質に位置合わせして、ワークを金型にセットする工程
と、金型を加熱することにより、金属物質を溶融させ
て、その表面張力により略球形のバンプを電極の表面に
形成する工程とからバンプの形成方法を構成している。
型に形成された凹入部にバンプの材料である金属物質を
充填する工程と、ワークの表面に形成された電極を金属
物質に位置合わせして、ワークを金型にセットする工程
と、金型を加熱することにより、金属物質を溶融させ
て、その表面張力により略球形のバンプを電極の表面に
形成する工程とからバンプの形成方法を構成している。
【０００７】
【作用】上記構成によれば、半田ボールは不要となり、
ワークの電極上にバンプを作業性よく簡単に形成でき
る。
ワークの電極上にバンプを作業性よく簡単に形成でき
る。
【０００８】
【実施例】次に、図面を参照しながら本発明の一実施例
を説明する。図１（ａ），（ｂ）および図２（ａ），
（ｂ）は、本発明の第一実施例のバンプの形成方法の説
明図であって、工程順に示している。図１（ａ）におい
て、１１はプレート状の金型であって、その表面には凹
入部１２が形成されている。この凹入部１２に、バンプ
の材料であるクリーム半田を充填する。金型１１の材質
としては、半田に付着しにくいものが好ましいが、具体
的には、ステンレス、アルミまたはアルミの表面に酸化
処理を施したものまたは表面にフッ素樹脂コーティング
したものやクロムメッキを施したものがよい。図１
（ｂ）は充填方法を示しており、スキージ１３を金型１
１上をスライドさせることにより（矢印参照）、クリー
ム半田１４を凹入部１２に充填する。クリーム半田１４
の充填方法としては、ディスペンサにより凹入部１２に
クリーム半田を滴下させてもよい。
を説明する。図１（ａ），（ｂ）および図２（ａ），
（ｂ）は、本発明の第一実施例のバンプの形成方法の説
明図であって、工程順に示している。図１（ａ）におい
て、１１はプレート状の金型であって、その表面には凹
入部１２が形成されている。この凹入部１２に、バンプ
の材料であるクリーム半田を充填する。金型１１の材質
としては、半田に付着しにくいものが好ましいが、具体
的には、ステンレス、アルミまたはアルミの表面に酸化
処理を施したものまたは表面にフッ素樹脂コーティング
したものやクロムメッキを施したものがよい。図１
（ｂ）は充填方法を示しており、スキージ１３を金型１
１上をスライドさせることにより（矢印参照）、クリー
ム半田１４を凹入部１２に充填する。クリーム半田１４
の充填方法としては、ディスペンサにより凹入部１２に
クリーム半田を滴下させてもよい。
【０００９】次に図２（ａ）に示すように、金型１１を
ヒートブロック１５上に載置し、また金型１１上に基板
１をセットする。この場合、基板１等のワークの表面に
形成された電極２を凹入部１２に充填されたクリーム半
田１４に位置合わせし、基板１を金型１１上にセットす
る。次にヒートブロック１５により金型１１をクリーム
半田１４の溶融温度（一般に１８３℃程度）以上まで加
熱する。するとクリーム半田１４は溶融する。この時金
型１１の材質を半田が付着しにくい材質にしておくと、
溶融した半田は、金型１１にはじかれて、自身の表面張
力により球形に形を整える。
ヒートブロック１５上に載置し、また金型１１上に基板
１をセットする。この場合、基板１等のワークの表面に
形成された電極２を凹入部１２に充填されたクリーム半
田１４に位置合わせし、基板１を金型１１上にセットす
る。次にヒートブロック１５により金型１１をクリーム
半田１４の溶融温度（一般に１８３℃程度）以上まで加
熱する。するとクリーム半田１４は溶融する。この時金
型１１の材質を半田が付着しにくい材質にしておくと、
溶融した半田は、金型１１にはじかれて、自身の表面張
力により球形に形を整える。
【００１０】一方、基板１の電極２は銅や表面に半田や
銀メッキが施された導電性の金属で形成されているの
で、半田がぬれやすく、溶融した半田はこの電極に付着
する。その後、金型１１を冷却すれば溶融していたクリ
ーム半田１４は固化し、バンプ１４’となる。そこで基
板１を上昇させて金型１１から分離する。
銀メッキが施された導電性の金属で形成されているの
で、半田がぬれやすく、溶融した半田はこの電極に付着
する。その後、金型１１を冷却すれば溶融していたクリ
ーム半田１４は固化し、バンプ１４’となる。そこで基
板１を上昇させて金型１１から分離する。
【００１１】図示するように、電極２を基板１の下面側
にして基板１を金型１１上にセットし、クリーム半田１
４を加熱して溶融させれば、溶融したクリーム半田１４
は垂れ下るので、自身の重量により押し潰されることは
なく、形状のよい、また高さの高いバンプ１４’を形成
できる。
にして基板１を金型１１上にセットし、クリーム半田１
４を加熱して溶融させれば、溶融したクリーム半田１４
は垂れ下るので、自身の重量により押し潰されることは
なく、形状のよい、また高さの高いバンプ１４’を形成
できる。
【００１２】図３は本発明の第二実施例の金型の断面図
である。この金型１６は、ニクロム線などのヒータ１７
が内蔵されており、ヒータ１７を駆動させることにより
加熱される。
である。この金型１６は、ニクロム線などのヒータ１７
が内蔵されており、ヒータ１７を駆動させることにより
加熱される。
【００１３】バンプの材料としては、クリーム半田に限
らず、金属粉などでもよいものであるが、金属粉を使用
する場合は、基板の表面に予めフラックスを塗布してお
くことが望ましい。また本発明は、チップの電極にバン
プを形成する方法にも適用できる。
らず、金属粉などでもよいものであるが、金属粉を使用
する場合は、基板の表面に予めフラックスを塗布してお
くことが望ましい。また本発明は、チップの電極にバン
プを形成する方法にも適用できる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、簡
単な手順により、ワークの電極の表面に形状のよいバン
プを作業性よく形成できる。また半田ボールは不要にな
るので、半田ボールの製造や取り扱いも不要となり、大
巾なコストダウンを図れる。
単な手順により、ワークの電極の表面に形状のよいバン
プを作業性よく形成できる。また半田ボールは不要にな
るので、半田ボールの製造や取り扱いも不要となり、大
巾なコストダウンを図れる。
【図１】（ａ）本発明の第一実施例のバンプの形成方法
の説明図 （ｂ）本発明の第一実施例のバンプの形成方法の説明図
の説明図 （ｂ）本発明の第一実施例のバンプの形成方法の説明図
【図２】（ａ）本発明の第一実施例のバンプの形成方法
の説明図 （ｂ）本発明の第一実施例のバンプの形成方法の説明図
の説明図 （ｂ）本発明の第一実施例のバンプの形成方法の説明図
【図３】本発明の第二実施例の金型の断面図
【図４】（ａ）従来のバンプの形成方法の説明図 （ｂ）従来のバンプの形成方法の説明図
１ 基板 ２ 電極 １１，１６ 金型 １２ 凹入部 １４ クリーム半田 １４’ バンプ １５ ヒートブロック １７ ヒータ
Claims (1)
- 【請求項１】金型に形成された凹入部にバンプの材料で
ある金属物質を充填する工程と、 ワークの表面に形成された電極を前記金属物質に位置合
わせして、ワークを前記金型にセットする工程と、 前記金型を加熱することにより、前記金属物質を溶融さ
せて、その表面張力により略球形のバンプを前記電極の
表面に形成する工程と、 を含むことを特徴とするバンプの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6097238A JPH07307341A (ja) | 1994-05-11 | 1994-05-11 | バンプの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6097238A JPH07307341A (ja) | 1994-05-11 | 1994-05-11 | バンプの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07307341A true JPH07307341A (ja) | 1995-11-21 |
Family
ID=14187042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6097238A Pending JPH07307341A (ja) | 1994-05-11 | 1994-05-11 | バンプの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07307341A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH104127A (ja) * | 1996-04-16 | 1998-01-06 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 半田バンプを有する基板の製造方法 |
| WO1999009590A1 (fr) * | 1997-08-19 | 1999-02-25 | Hitachi, Ltd. | Procede de formation d'electrodes de points de soudure et procede de fabrication de dispositifs a semiconducteur |
| US6432807B1 (en) | 1999-06-10 | 2002-08-13 | Nec Corporation | Method of forming solder bumps on a semiconductor device using bump transfer plate |
| US6653219B2 (en) | 2000-01-13 | 2003-11-25 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacturing bump electrodes and a method of manufacturing a semiconductor device |
| WO2008097941A1 (en) * | 2007-02-05 | 2008-08-14 | Suss Microtec, Inc. | Apparatus and method for semiconductor wafer bumping via injection molded solder |
-
1994
- 1994-05-11 JP JP6097238A patent/JPH07307341A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH104127A (ja) * | 1996-04-16 | 1998-01-06 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 半田バンプを有する基板の製造方法 |
| WO1999009590A1 (fr) * | 1997-08-19 | 1999-02-25 | Hitachi, Ltd. | Procede de formation d'electrodes de points de soudure et procede de fabrication de dispositifs a semiconducteur |
| US6335271B1 (en) | 1997-08-19 | 2002-01-01 | Hitachi, Ltd. | Method of forming semiconductor device bump electrodes |
| US6432807B1 (en) | 1999-06-10 | 2002-08-13 | Nec Corporation | Method of forming solder bumps on a semiconductor device using bump transfer plate |
| US6653219B2 (en) | 2000-01-13 | 2003-11-25 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacturing bump electrodes and a method of manufacturing a semiconductor device |
| WO2008097941A1 (en) * | 2007-02-05 | 2008-08-14 | Suss Microtec, Inc. | Apparatus and method for semiconductor wafer bumping via injection molded solder |
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