JPH02312240A - バンプ形成方法およびバンプ形成装置およびバンプ - Google Patents
バンプ形成方法およびバンプ形成装置およびバンプInfo
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- JPH02312240A JPH02312240A JP13305689A JP13305689A JPH02312240A JP H02312240 A JPH02312240 A JP H02312240A JP 13305689 A JP13305689 A JP 13305689A JP 13305689 A JP13305689 A JP 13305689A JP H02312240 A JPH02312240 A JP H02312240A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明、は、ＬＳＩチップ等の半導体チップ若しくは半
導体チップを実装する配線基板に接続用の金属バンプを
形成するバンプ形成方法に関する。
導体チップを実装する配線基板に接続用の金属バンプを
形成するバンプ形成方法に関する。
（従来の技術）
従来、ＬＳＩチップ等の半導体チップをプリント配線基
板に実装する方法として、ワイヤボンディング、ＴＡＢ
（ｔａｐｅ−ａｕｔｏｍａｔｅｄ ｂｏｎｄｉｎｇ）
およびフリンブチップボンディングが知られている。
板に実装する方法として、ワイヤボンディング、ＴＡＢ
（ｔａｐｅ−ａｕｔｏｍａｔｅｄ ｂｏｎｄｉｎｇ）
およびフリンブチップボンディングが知られている。
これらのうち、接続用の介在物を極力省いたフリップチ
ップボンディングは、実装密度の高密度化が可能で遅延
等も少ないことから、理想的な実装方法であるが、電極
パッド上にＣｒ、Ｃｕ、Ａｕ等の多層の導体膜を形成し
てから半田バンプを形成するため、バンプ形成のための
工程数が多くなっていた。一方、半導体チップを実装す
るプリント配線基板についても、スパッタリング等によ
って多層の金属膜を形成してからバンプメンキを行うた
め、工程数が多くなっていた。
ップボンディングは、実装密度の高密度化が可能で遅延
等も少ないことから、理想的な実装方法であるが、電極
パッド上にＣｒ、Ｃｕ、Ａｕ等の多層の導体膜を形成し
てから半田バンプを形成するため、バンプ形成のための
工程数が多くなっていた。一方、半導体チップを実装す
るプリント配線基板についても、スパッタリング等によ
って多層の金属膜を形成してからバンプメンキを行うた
め、工程数が多くなっていた。
そこで、近時、バンプ形成の工程数を削減する方法とし
て、アルミニウムの電極バンドに直接半田バンプを形成
する試みがなされている（日経マイクロデバイス、 １
９８７年６月号第６８頁から第７０頁参照）。このバン
プ形成方法は、半田槽中の溶融半田に半導体チップを浸
漬した後、超音波によってアルミ電極パッド上の酸化膜
を破り、次いで、半導体チップを半田槽から引き上げる
という各工程からなり、半田槽からの引き上げの際に電
極バンド上に半田バンプが形成されるようにしている。
て、アルミニウムの電極バンドに直接半田バンプを形成
する試みがなされている（日経マイクロデバイス、 １
９８７年６月号第６８頁から第７０頁参照）。このバン
プ形成方法は、半田槽中の溶融半田に半導体チップを浸
漬した後、超音波によってアルミ電極パッド上の酸化膜
を破り、次いで、半導体チップを半田槽から引き上げる
という各工程からなり、半田槽からの引き上げの際に電
極バンド上に半田バンプが形成されるようにしている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、このような従来のバンプ形成方法にあっ
ては、半導体チップを溶融した半田に浸漬するため、半
導体チップの電極間でバンプを形成する半田の量が異な
ってバンプ形状がばらついてしまい、プリント配線基板
への接続をバランスよく行えないことから実装工程にお
ける歩留りや信頌性が低下してしまうという問題があっ
た。また、半導体チップ実装時に採用する各ボンディン
グの方式にを利なバンプ形状を実現できなかった。
ては、半導体チップを溶融した半田に浸漬するため、半
導体チップの電極間でバンプを形成する半田の量が異な
ってバンプ形状がばらついてしまい、プリント配線基板
への接続をバランスよく行えないことから実装工程にお
ける歩留りや信頌性が低下してしまうという問題があっ
た。また、半導体チップ実装時に採用する各ボンディン
グの方式にを利なバンプ形状を実現できなかった。
（発明の目的）
そこで本発明は、電極部材上に予め所定形状に形成した
バンプ用金属片を溶着することにより、少ない工程数で
厚膜状のバンプをばらつきなく、しかもボンディングに
好適な形状に形成することを目的としている。
バンプ用金属片を溶着することにより、少ない工程数で
厚膜状のバンプをばらつきなく、しかもボンディングに
好適な形状に形成することを目的としている。
（発明の構成）
本発明によるバンプ形成方法は、上記目的を達成するた
めに、 （１）所定形状の金属片および電極部材を準備し、金属
片を電極部材上に載置して該金属片に超音波又は超音波
および熱を加え、金属片を電極部材上に溶着させてバン
プを形成することを特徴とするもの、 （２）所定形状の金属片および半導体チップを準備し、
金属片を半導体チップの電極上に載置して金属片に超音
波又は超音波および熱を加え、金属片を電極上に溶着さ
せて半導体チップの電極上にバンプを形成することを特
徴とするもの、または、 （３）半田付は可能な所定形状の金属片および半導体チ
ップを準備し、金属片の外表部に半田膜を形成した後、
該金属片を半導体チップのアルミニウム電極上に載置し
て金属片に超音波又は超音波および熱を加え、アルミニ
ウム電極上の酸化膜を破りつつ金属片をアルミニウム電
極上に半田付けして該アルミニウム電極上にバンプを形
成することを特徴とするものである。
めに、 （１）所定形状の金属片および電極部材を準備し、金属
片を電極部材上に載置して該金属片に超音波又は超音波
および熱を加え、金属片を電極部材上に溶着させてバン
プを形成することを特徴とするもの、 （２）所定形状の金属片および半導体チップを準備し、
金属片を半導体チップの電極上に載置して金属片に超音
波又は超音波および熱を加え、金属片を電極上に溶着さ
せて半導体チップの電極上にバンプを形成することを特
徴とするもの、または、 （３）半田付は可能な所定形状の金属片および半導体チ
ップを準備し、金属片の外表部に半田膜を形成した後、
該金属片を半導体チップのアルミニウム電極上に載置し
て金属片に超音波又は超音波および熱を加え、アルミニ
ウム電極上の酸化膜を破りつつ金属片をアルミニウム電
極上に半田付けして該アルミニウム電極上にバンプを形
成することを特徴とするものである。
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。
第１〜３図は本発明の一実施例を示す図である。
第１．２図において、１はトレイであり、トレイ１には
複数の凹部２が形成されている。各凹部２にはバンプ形
成用のボール状の金属片３が収納されており、金属片３
は例えば半田付は可能な金属（銅、ニッケル等）である
銅ボール３ａの外表部に半田（Ｐｂ−３ｎ）メッキによ
る半田Ｍ３ｂを形成したもので、その直径が数十ミクロ
ンである。この金属片３の銅ボール３ａは粉末冶金学に
おいて粉末製造法として知られた方法（例えば、ボール
ミル法、グレーユング法、凝縮法、還元法、電解法）に
よって形成できる。４はアルミナ又はサファイヤから形
成されて図示しない移送アームに支持されたキャピラリ
ーツールであり、キャピラリーツール４は図外の負圧源
に接続された吸引孔４ａおよび金属片３に当接するテー
バ状の当接面４ｂを有している。キャピラリーツール４
の吸引孔４ａの孔径は金属片３の直径より小さくなって
おり、キャピラリーツール４は前記負圧源からの負圧に
より吸引孔４ａを通して空気を吸い上げ、金属片３を当
接面４ｂに当接させて吸引、保持することができる。こ
のキャピラリーツール４は公知の超音波加振ユニ７ト（
図示せず）と共に前記移送アームによって移動され、金
属片３を所定の電極部材である電極パッド５上に移送し
、載置するようになっている。電極パッド５は半導体装
置プロであるＬＳＩチップの電極を構成しており、例え
ばアルミニウムよりなる。半導体チップ６はシリコン基
板７上に電極バッド５を蒸着したフリップチップ方式の
ものであり、電極バッド５の周囲にスパッタガラス（Ｓ
ｔｏｗ）膜等のパッシベーション膜８を有している。な
お、本実施例においては、半導体チップ６は予め加熱源
であるヒータプレート９上に載置され、ヒータプレート
９により所定温度に加熱される。
複数の凹部２が形成されている。各凹部２にはバンプ形
成用のボール状の金属片３が収納されており、金属片３
は例えば半田付は可能な金属（銅、ニッケル等）である
銅ボール３ａの外表部に半田（Ｐｂ−３ｎ）メッキによ
る半田Ｍ３ｂを形成したもので、その直径が数十ミクロ
ンである。この金属片３の銅ボール３ａは粉末冶金学に
おいて粉末製造法として知られた方法（例えば、ボール
ミル法、グレーユング法、凝縮法、還元法、電解法）に
よって形成できる。４はアルミナ又はサファイヤから形
成されて図示しない移送アームに支持されたキャピラリ
ーツールであり、キャピラリーツール４は図外の負圧源
に接続された吸引孔４ａおよび金属片３に当接するテー
バ状の当接面４ｂを有している。キャピラリーツール４
の吸引孔４ａの孔径は金属片３の直径より小さくなって
おり、キャピラリーツール４は前記負圧源からの負圧に
より吸引孔４ａを通して空気を吸い上げ、金属片３を当
接面４ｂに当接させて吸引、保持することができる。こ
のキャピラリーツール４は公知の超音波加振ユニ７ト（
図示せず）と共に前記移送アームによって移動され、金
属片３を所定の電極部材である電極パッド５上に移送し
、載置するようになっている。電極パッド５は半導体装
置プロであるＬＳＩチップの電極を構成しており、例え
ばアルミニウムよりなる。半導体チップ６はシリコン基
板７上に電極バッド５を蒸着したフリップチップ方式の
ものであり、電極バッド５の周囲にスパッタガラス（Ｓ
ｔｏｗ）膜等のパッシベーション膜８を有している。な
お、本実施例においては、半導体チップ６は予め加熱源
であるヒータプレート９上に載置され、ヒータプレート
９により所定温度に加熱される。
一方、電極バッド５上に載置された金属片３は、前記超
音波加振ユニットにより電極パッド５の面方向である水
平方向に超音波振動を加えられ、電極バンド５の表面上
にある酸化膜を摩擦により破りつつ表面部を形成する半
田メッキを溶融させて電極バッド５に溶着（熱圧着）す
る。すなわち、本実施例においては、半田付は可能な銅
ボール３ａおよび半導体チップ６を準備し、銅ボールに
半田膜３ｂを形成してボール状の金属片３を形成した後
、金属片３を半導体チップ６の電極バッド５上に載置し
て金属片３に超音波および熱を加え、電極バッド５上の
酸化膜を破りつつ金属片３を電極バッド５上に半田付け
するようにしている。そして、電極バッド５上に半田付
け（溶着）された金属片３により所定形状の厚膜状のバ
ンプが形成される。
音波加振ユニットにより電極パッド５の面方向である水
平方向に超音波振動を加えられ、電極バンド５の表面上
にある酸化膜を摩擦により破りつつ表面部を形成する半
田メッキを溶融させて電極バッド５に溶着（熱圧着）す
る。すなわち、本実施例においては、半田付は可能な銅
ボール３ａおよび半導体チップ６を準備し、銅ボールに
半田膜３ｂを形成してボール状の金属片３を形成した後
、金属片３を半導体チップ６の電極バッド５上に載置し
て金属片３に超音波および熱を加え、電極バッド５上の
酸化膜を破りつつ金属片３を電極バッド５上に半田付け
するようにしている。そして、電極バッド５上に半田付
け（溶着）された金属片３により所定形状の厚膜状のバ
ンプが形成される。
次に、作用を説明する。
まず、予め準備工程として、金属片３を構成する銅ボー
ル３ａが形成された後、該銅ボール３ａに半田メッキが
なされてボール状の金属片３が形成され、一方、シリコ
ン基板７上に蒸着により電極バッド５が形成された後、
パッシベーション膜が形成され、該パッシベーション膜
にエツチングにより電極取出しのための孔が形成されて
パッシベーション膜８となり、半導体チシブ６が形成さ
れる。そして、金属片３はトレイ１の凹部２に収納され
、パッシベーション膜８は必要数だけヒータプレート９
上に載置される。次いで、キャピラリーツール４がトレ
イ１上に配置されるとともにキャピラリーツール４に負
圧源からの負圧が導入され、金属片３がキャピラリーツ
ール４に吸引、保持される。次いで、前記移送アームに
よりキャピラリーツール４が移動されると、キャピラリ
ーツール４が金属片３を電極バッド５上に移送し、キャ
ピラリーツール４は移送アームによって電極バッド５上
の所定位置に高精度に位置決めされ、金属片３を電極バ
ッド５上に載置する。
ル３ａが形成された後、該銅ボール３ａに半田メッキが
なされてボール状の金属片３が形成され、一方、シリコ
ン基板７上に蒸着により電極バッド５が形成された後、
パッシベーション膜が形成され、該パッシベーション膜
にエツチングにより電極取出しのための孔が形成されて
パッシベーション膜８となり、半導体チシブ６が形成さ
れる。そして、金属片３はトレイ１の凹部２に収納され
、パッシベーション膜８は必要数だけヒータプレート９
上に載置される。次いで、キャピラリーツール４がトレ
イ１上に配置されるとともにキャピラリーツール４に負
圧源からの負圧が導入され、金属片３がキャピラリーツ
ール４に吸引、保持される。次いで、前記移送アームに
よりキャピラリーツール４が移動されると、キャピラリ
ーツール４が金属片３を電極バッド５上に移送し、キャ
ピラリーツール４は移送アームによって電極バッド５上
の所定位置に高精度に位置決めされ、金属片３を電極バ
ッド５上に載置する。
次いで、ヒータプレート９による半導体チンプロの加熱
が促され、前記超音波加振ユニットによってキャピラリ
ーツール４に電極バッド５の表面に沿う方向（水平方向
）の超音波振動が加えられる。このとき、金属片３はキ
ャピラリーツール４のテーバ状の当接面４ｂによって電
極バッド５側に付勢され、金属片３は電極バッド５との
摩擦によって電極バッド５の表面の酸化膜を破りつつ表
面部の半田膜を電極バッド５に融合させる。また、キャ
ピラリーツール４に導入されていた負圧は所定値に維持
される。次いで、ヒータプレート９による加熱とキャピ
ラリーツール４の超音波加振が停止されると、溶融して
いた金属片３の半田膜が硬化し、金属片３が電極バッド
５に半田付けされて、金属片３（銅ボール３ａ）の初期
形状に対応する球面を含む突起状（厚膜状）のバンプが
形成される。さらに、上述のようなバンプ形成工程が各
電極バンド５に対して実施される。
が促され、前記超音波加振ユニットによってキャピラリ
ーツール４に電極バッド５の表面に沿う方向（水平方向
）の超音波振動が加えられる。このとき、金属片３はキ
ャピラリーツール４のテーバ状の当接面４ｂによって電
極バッド５側に付勢され、金属片３は電極バッド５との
摩擦によって電極バッド５の表面の酸化膜を破りつつ表
面部の半田膜を電極バッド５に融合させる。また、キャ
ピラリーツール４に導入されていた負圧は所定値に維持
される。次いで、ヒータプレート９による加熱とキャピ
ラリーツール４の超音波加振が停止されると、溶融して
いた金属片３の半田膜が硬化し、金属片３が電極バッド
５に半田付けされて、金属片３（銅ボール３ａ）の初期
形状に対応する球面を含む突起状（厚膜状）のバンプが
形成される。さらに、上述のようなバンプ形成工程が各
電極バンド５に対して実施される。
このように、本実施例においては、予め所定形状に形成
した金属片３を電極バッド５上に直接溶着させてバンプ
が形成される。したがって、金属片３の初期形状に対応
するばらつきの少ない所望の半田バンプを形成すること
ができる二なお、本実施例においては、電極バッド５が
半導体チップ６の電極部材となっているが、電極バッド
５に代えてプリント配線基板上の電極部材を用い、例え
ば第３図に示すような金よりなる直径１０μ〜９０μの
金ボール１１を金属片として、マスクレスでプリント配
線基板上に金バンプを形成することもできる。また、本
実施例におけるヒータプレート９は必ずしも必要でなく
、他の加熱方法（例えばキャピラリーツール４を埋込み
式のヒータにより半田膜の溶融温度より低い温度に予熱
しておく、あるいは溶着部位に赤外線等を照射する）を
用いても、加熱を行わずに超音波溶着のみを実施しても
バンプ形成が可能である。さらに、金属片の初期形状は
、半導体チップ上のバンプを形成する場合において球状
が好ましいが、バンプをどのような接続方式に対応させ
るかによって適宜具なる形状を設定できる。例えば、金
属同士を熱圧着させるような接続方式には平坦が好まし
いし、くさびのような圧入による接合方式であれば凹凸
形状が必要となる。いずれにしても、本発明によるバン
プ形成方法はポンディングに際して有利な形状を自由に
設定できる点において格段に優れたバンプ形成方法であ
り、超音波溶着による接合を行うから従前のような多層
の金属膜形成等が不必要であり、工程数が少ない。
した金属片３を電極バッド５上に直接溶着させてバンプ
が形成される。したがって、金属片３の初期形状に対応
するばらつきの少ない所望の半田バンプを形成すること
ができる二なお、本実施例においては、電極バッド５が
半導体チップ６の電極部材となっているが、電極バッド
５に代えてプリント配線基板上の電極部材を用い、例え
ば第３図に示すような金よりなる直径１０μ〜９０μの
金ボール１１を金属片として、マスクレスでプリント配
線基板上に金バンプを形成することもできる。また、本
実施例におけるヒータプレート９は必ずしも必要でなく
、他の加熱方法（例えばキャピラリーツール４を埋込み
式のヒータにより半田膜の溶融温度より低い温度に予熱
しておく、あるいは溶着部位に赤外線等を照射する）を
用いても、加熱を行わずに超音波溶着のみを実施しても
バンプ形成が可能である。さらに、金属片の初期形状は
、半導体チップ上のバンプを形成する場合において球状
が好ましいが、バンプをどのような接続方式に対応させ
るかによって適宜具なる形状を設定できる。例えば、金
属同士を熱圧着させるような接続方式には平坦が好まし
いし、くさびのような圧入による接合方式であれば凹凸
形状が必要となる。いずれにしても、本発明によるバン
プ形成方法はポンディングに際して有利な形状を自由に
設定できる点において格段に優れたバンプ形成方法であ
り、超音波溶着による接合を行うから従前のような多層
の金属膜形成等が不必要であり、工程数が少ない。
（効果）
請求項１記載の発明によれば、所定形状に形成した金属
片を電極部材上に載置し、該金属片を電極部材上に超音
波溶着又は超音波加熱溶着してバンプを形成するので、
少ない工程数で厚膜状のバンプをばらつきなく、しかも
ボンディングに好適な形状で形成することができる。
片を電極部材上に載置し、該金属片を電極部材上に超音
波溶着又は超音波加熱溶着してバンプを形成するので、
少ない工程数で厚膜状のバンプをばらつきなく、しかも
ボンディングに好適な形状で形成することができる。
請求項２記載の発明によれば、所定形状に形成した金属
片を半導体チップの電極上に載置し、該金属片を超音波
溶着又は超音波加熱溶着によって半導体チップの電極上
に厚膜上のバンプを形成するので、フリップチップポン
ディングに好適な複数のバンプをばらつきなく、少ない
工程数で形成することができる。
片を半導体チップの電極上に載置し、該金属片を超音波
溶着又は超音波加熱溶着によって半導体チップの電極上
に厚膜上のバンプを形成するので、フリップチップポン
ディングに好適な複数のバンプをばらつきなく、少ない
工程数で形成することができる。
請求項３記載の発明によれば、半田付は可能な所定形状
の金属片の外表部に半田膜を被覆形成した後、該金属片
を半導体チップのアルミニウム電極上に載置して超音波
又は超音波および熱を加え、アルミニウム電極上の酸化
膜を破りつつ金属片をアルミニウム電極上に半田付けす
るので、所望形状に形成した金属片を容易にアルミニウ
ム電極に半田付けすることができ、フリップデツプボン
ディングに好適な複数のバンプを少ない工程数でばらつ
きなく形成することができる。
の金属片の外表部に半田膜を被覆形成した後、該金属片
を半導体チップのアルミニウム電極上に載置して超音波
又は超音波および熱を加え、アルミニウム電極上の酸化
膜を破りつつ金属片をアルミニウム電極上に半田付けす
るので、所望形状に形成した金属片を容易にアルミニウ
ム電極に半田付けすることができ、フリップデツプボン
ディングに好適な複数のバンプを少ない工程数でばらつ
きなく形成することができる。
第１〜３図は本発明に係るバンプ形成方法を実施する装
置の一実施例を示す図であり、第１図はその金属片を収
納したトレイと移載用のツールを示す断面構成図、第２
図はその電極部材上に載置した金属片に超音波および熱
を加える工程の説明図、第３図はその金属片の別の態様
を示す断面図である。 ３．１１・・・・・・金属片、 ３ｂ・・・・・・半田膜、 ５・・・・・・電極パッド（電極部材、アルミニウム電
極）、 ６・・・・・・ＬＳＩチップ（半導体チップ）。
置の一実施例を示す図であり、第１図はその金属片を収
納したトレイと移載用のツールを示す断面構成図、第２
図はその電極部材上に載置した金属片に超音波および熱
を加える工程の説明図、第３図はその金属片の別の態様
を示す断面図である。 ３．１１・・・・・・金属片、 ３ｂ・・・・・・半田膜、 ５・・・・・・電極パッド（電極部材、アルミニウム電
極）、 ６・・・・・・ＬＳＩチップ（半導体チップ）。
Claims (3)
- （１）所定形状の金属片および電極部材を準備し、金属
片を電極部材上に載置して該金属片に超音波又は超音波
および熱を加え、金属片を電極部材上に溶着させてバン
プを形成することを特徴とするバンプ形成方法。 - （２）所定形状の金属片および半導体チップを準備し、
金属片を半導体チップの電極上に載置して金属片に超音
波又は超音波および熱を加え、金属片を電極上に溶着さ
せて半導体チップの電極上にバンプを形成することを特
徴とするバンプ形成方法。 - （３）半田付け可能な所定形状の金属片および半導体チ
ップを準備し、金属片の外表部に半田膜を形成した後、
該金属片を半導体チップのアルミニウム電極上に載置し
て金属片に超音波又は超音波および熱を加え、アルミニ
ウム電極上の酸化膜を破りつつ金属片をアルミニウム電
極上に半田付けして該アルミニウム電極上にバンプを形
成することを特徴とするバンプ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13305689A JPH02312240A (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | バンプ形成方法およびバンプ形成装置およびバンプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13305689A JPH02312240A (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | バンプ形成方法およびバンプ形成装置およびバンプ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02312240A true JPH02312240A (ja) | 1990-12-27 |
Family
ID=15095793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13305689A Pending JPH02312240A (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | バンプ形成方法およびバンプ形成装置およびバンプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02312240A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04263434A (ja) * | 1991-02-19 | 1992-09-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電気的接続接点の形成方法および電子部品の実装方法 |
| JPH04263433A (ja) * | 1991-02-19 | 1992-09-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電気的接続接点の形成方法および電子部品の実装方法 |
| JPH06120230A (ja) * | 1992-10-06 | 1994-04-28 | Rohm Co Ltd | 半導体部品におけるバンプ電極の形成方法及びバンプ電極付き半導体部品 |
| WO1998009323A1 (en) * | 1996-08-29 | 1998-03-05 | Nippon Steel Corporation | Method and device for forming very small ball bump |
| JP2000269768A (ja) * | 1999-03-16 | 2000-09-29 | Tdk Corp | 圧電共振部品 |
Citations (5)
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| JPH01256153A (ja) * | 1988-04-06 | 1989-10-12 | Olympus Optical Co Ltd | 半導体素子とその製造装置並びにその実装装置 |
-
1989
- 1989-05-26 JP JP13305689A patent/JPH02312240A/ja active Pending
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