JPH01256153A - 半導体素子とその製造装置並びにその実装装置 - Google Patents
半導体素子とその製造装置並びにその実装装置Info
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- JPH01256153A JPH01256153A JP63083169A JP8316988A JPH01256153A JP H01256153 A JPH01256153 A JP H01256153A JP 63083169 A JP63083169 A JP 63083169A JP 8316988 A JP8316988 A JP 8316988A JP H01256153 A JPH01256153 A JP H01256153A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、バンプ電極を備えた半導体素子及びその製
造装置並びにその実装装置に関するものである。
造装置並びにその実装装置に関するものである。
従来、半導体チップを実装する際の、半導体チップと基
板の配線パターンとを電気的に接続する手段としては、
ワイヤボンディングの他にワイヤレスボンディングがあ
り、その一つとしてバンプ電極を用いて基板の配線パタ
ーン面に直接接続させる方式がある。そしてかかるバン
プ電極の形成手段としては、ＳＴＩ、やＣＣＢと称され
る方法が知られている。
板の配線パターンとを電気的に接続する手段としては、
ワイヤボンディングの他にワイヤレスボンディングがあ
り、その一つとしてバンプ電極を用いて基板の配線パタ
ーン面に直接接続させる方式がある。そしてかかるバン
プ電極の形成手段としては、ＳＴＩ、やＣＣＢと称され
る方法が知られている。
ＳＴＬ方法は、第７図に示すすうに、￥−導体チツブ１
０１ のＡｌ電極パッド１０２上に、Ｃｒ −Ｃｕ−八
りの多層金属からなる下地電極層１０３を蒸着などによ
り形成し、該下地電極層１０３上にＮｉとＡｕのメツキ
したＣｕボール１０４をハンダ１０５で溶着してバンプ
電極を形成するものである。なお１０６は電極バッド１
０２以外の半導体チップ１０１の表面に形成されている
ガラス等からなるパソンベーション膜である。またＣＣ
Ｂ方法は、第８図に示すように５Ｔ１７法におけるＣｕ
ボールに代えて、ハンダを用いて半球状のバンプ電極を
形成するもので、半導体チップ１０１のｔ８ｉパフド１
０２上に形成した下地電極層１０３にハンダを蒸着した
のち、リフローすることによりハンダの表面張力で半球
状のハンダバンプ１０７を形成するものであるや またバンプ電極を形成する手段としては、例えば特開昭
５１−６６６８号には、金属ボールとほぼ等しい径の小
孔と該小孔を結ぶ溝を形成した治具を用いて、金属ボー
ルをハンダ電極パッド上に落下させ、加熱炉で溶着させ
るようにしたものが示されており、また特開昭５２〜１
１５１７６号公報には、ハンダボールより小径の孔を形
成したマスクを用い、ハンダボールを押さえて固定し、
溶融接合させるようにした手段が開示されている。
０１ のＡｌ電極パッド１０２上に、Ｃｒ −Ｃｕ−八
りの多層金属からなる下地電極層１０３を蒸着などによ
り形成し、該下地電極層１０３上にＮｉとＡｕのメツキ
したＣｕボール１０４をハンダ１０５で溶着してバンプ
電極を形成するものである。なお１０６は電極バッド１
０２以外の半導体チップ１０１の表面に形成されている
ガラス等からなるパソンベーション膜である。またＣＣ
Ｂ方法は、第８図に示すように５Ｔ１７法におけるＣｕ
ボールに代えて、ハンダを用いて半球状のバンプ電極を
形成するもので、半導体チップ１０１のｔ８ｉパフド１
０２上に形成した下地電極層１０３にハンダを蒸着した
のち、リフローすることによりハンダの表面張力で半球
状のハンダバンプ１０７を形成するものであるや またバンプ電極を形成する手段としては、例えば特開昭
５１−６６６８号には、金属ボールとほぼ等しい径の小
孔と該小孔を結ぶ溝を形成した治具を用いて、金属ボー
ルをハンダ電極パッド上に落下させ、加熱炉で溶着させ
るようにしたものが示されており、また特開昭５２〜１
１５１７６号公報には、ハンダボールより小径の孔を形
成したマスクを用い、ハンダボールを押さえて固定し、
溶融接合させるようにした手段が開示されている。
ところで従来の半導体素子へのバンプ１穫形成手段にお
いては、ＳＴＬ方法や上記公開公報開示の手段では、Ｃ
ｕボールやハンダボールをハンダで溶着するための下地
電極層を形成するために、半導体ウェハ表面にマスクを
作成する工程と、多層金属層を蒸着又はメツキ等で形成
する工程と、必要部分だけに金ｒ％層を残すエツチング
工程などを必要とし、またＣＣＢ方法においては蒸着に
よりハンダ層を形成するなどの工程を必要とし、製造装
置や工程が複雑であり、生産性も悪く製品がコスト高に
なるという問題点がある。
いては、ＳＴＬ方法や上記公開公報開示の手段では、Ｃ
ｕボールやハンダボールをハンダで溶着するための下地
電極層を形成するために、半導体ウェハ表面にマスクを
作成する工程と、多層金属層を蒸着又はメツキ等で形成
する工程と、必要部分だけに金ｒ％層を残すエツチング
工程などを必要とし、またＣＣＢ方法においては蒸着に
よりハンダ層を形成するなどの工程を必要とし、製造装
置や工程が複雑であり、生産性も悪く製品がコスト高に
なるという問題点がある。
本発明は、ハンダ層を用いて金属ボールを溶着したりあ
るいはハンダバンプを形成したりする従来のバンプｉａ
ｉを備えた半導体素子における上記問題点を解消するた
めになされたもので、ハンダ層を用いない直接接合によ
る簡単な構成のバンプ電極を備えた半導体素子及びその
製造装置並びにその実装装置に関する。
るいはハンダバンプを形成したりする従来のバンプｉａ
ｉを備えた半導体素子における上記問題点を解消するた
めになされたもので、ハンダ層を用いない直接接合によ
る簡単な構成のバンプ電極を備えた半導体素子及びその
製造装置並びにその実装装置に関する。
〔課題を解決するための手段及び作用〕上記問題点を解
決するため、本発明は、半導体チップの電極パッド部に
、金属ボールを接着剤層を介さずに熱圧着、超音波接合
等の直接接合により接続してバンプ電極を設けて半導体
素子を構成するものである。
決するため、本発明は、半導体チップの電極パッド部に
、金属ボールを接着剤層を介さずに熱圧着、超音波接合
等の直接接合により接続してバンプ電極を設けて半導体
素子を構成するものである。
またその製造装置は、電極パッド部を備えた半導体ウェ
ハ又はチップを固定するステージと、金属ボールを収納
するトレイと、トレイ中の金属ボールを保持してステー
ジ上に固定した半導体ウェハ又はチップの電極パッド部
の対応位置へ運搬する手段と、該運搬手段のトレイにお
ける位置及び半導体ウェハ又はチップ上における位置を
認識して所定位置に補正する手段と、半導体ウェハ又は
チップの電極パッド部へ運搬された金属ボールを電極パ
ッド部へ直接接合させてバンプ電極を形成する手段とで
構成するものである。
ハ又はチップを固定するステージと、金属ボールを収納
するトレイと、トレイ中の金属ボールを保持してステー
ジ上に固定した半導体ウェハ又はチップの電極パッド部
の対応位置へ運搬する手段と、該運搬手段のトレイにお
ける位置及び半導体ウェハ又はチップ上における位置を
認識して所定位置に補正する手段と、半導体ウェハ又は
チップの電極パッド部へ運搬された金属ボールを電極パ
ッド部へ直接接合させてバンプ電極を形成する手段とで
構成するものである。
更にその実装装置は、金属ボールを電極パッド部に直接
接合してバンプ電極を形成した半導体素子を収納するト
レイと、実装基板を固定するステージと、トレイ中の半
導体素子を保持してステージ上に固定した実装基板上に
運搬するピックアンプ手段と、実装基板のボンディング
位置と半導体素子の位置とを認識して前記ピックアップ
手段を所定位置に補正する手段と、半導体素子を実装基
板へ熱圧着、超音波接合等の直接接合によりフェースダ
ウンボンディングする手段とで構成するものである。
接合してバンプ電極を形成した半導体素子を収納するト
レイと、実装基板を固定するステージと、トレイ中の半
導体素子を保持してステージ上に固定した実装基板上に
運搬するピックアンプ手段と、実装基板のボンディング
位置と半導体素子の位置とを認識して前記ピックアップ
手段を所定位置に補正する手段と、半導体素子を実装基
板へ熱圧着、超音波接合等の直接接合によりフェースダ
ウンボンディングする手段とで構成するものである。
上記のように半導体素子を構成することにより、金属ボ
ールの接合にハンダ層を用いないため下地電橋も不要と
なり、極めて簡単な構成のバンプ電極を備えた半導体素
子が得られる。
ールの接合にハンダ層を用いないため下地電橋も不要と
なり、極めて簡単な構成のバンプ電極を備えた半導体素
子が得られる。
また上記のように構成した半導体素子の製造装置におい
ては、ステージに半導体ウェハ又はチップを固定し、運
搬手段でトレイに収納されている金属ボールを保持して
半導体ウェハ又はチップの電極パッド部へ運搬し、位置
補正手段により電極パッド部へ金属ボールを正も１１に
位置せしめる。そして熱圧着法等の手段で金属ボールを
電極パッド部へ直接接合することにより、バンプ電極を
備えた半導体素子が得られる。
ては、ステージに半導体ウェハ又はチップを固定し、運
搬手段でトレイに収納されている金属ボールを保持して
半導体ウェハ又はチップの電極パッド部へ運搬し、位置
補正手段により電極パッド部へ金属ボールを正も１１に
位置せしめる。そして熱圧着法等の手段で金属ボールを
電極パッド部へ直接接合することにより、バンプ電極を
備えた半導体素子が得られる。
また上記のように構成した半導体素子の実装装置におい
ては、ステージに実装基板を固定し、金属ボールからな
るバンプ電極を備えた半導体素子をピックアップ手段で
保持して実装基板上へ運搬し、位置補正手段で半導体素
子を実装基板の所定部分に正確に位置させる。そして熱
圧着法等の手段で、半導体素子のバンプ電極を実装基板
に直接接合することにより、基板に実装した半導体素子
が得られる。
ては、ステージに実装基板を固定し、金属ボールからな
るバンプ電極を備えた半導体素子をピックアップ手段で
保持して実装基板上へ運搬し、位置補正手段で半導体素
子を実装基板の所定部分に正確に位置させる。そして熱
圧着法等の手段で、半導体素子のバンプ電極を実装基板
に直接接合することにより、基板に実装した半導体素子
が得られる。
以下実施例について説明する。第１図は、本発明に係る
バンプ電極を備えた半導体素子の一実施例を示す断面図
である。図において、１は半導体チップで、２は該チッ
プ１に形成されているＡｌ等からなる電極パッドである
。３はｔ極パッド２以外の半導体チップＩの表面に形成
したガラス等からなるパッシベーション膜である。４は
バンプ電極を構成する金属ボールで、電極パッド２の表
面に熱圧着法、超音波法、超音波併用熱圧着法などによ
り、ハンダ層を介さず直接接合されている。
バンプ電極を備えた半導体素子の一実施例を示す断面図
である。図において、１は半導体チップで、２は該チッ
プ１に形成されているＡｌ等からなる電極パッドである
。３はｔ極パッド２以外の半導体チップＩの表面に形成
したガラス等からなるパッシベーション膜である。４は
バンプ電極を構成する金属ボールで、電極パッド２の表
面に熱圧着法、超音波法、超音波併用熱圧着法などによ
り、ハンダ層を介さず直接接合されている。
この金属ボール４は、Ａｕ、 Ａｇ＋ Ｃｕ＋ ＡＩ又
はそれらの合金等で構成され、直径は５０〜２５０μｍ
、好ましくは８０〜１５０μｍ程度に形成されている。
はそれらの合金等で構成され、直径は５０〜２５０μｍ
、好ましくは８０〜１５０μｍ程度に形成されている。
次にこのような構成の半導体素子の製造装置について説
明するや第２図は製造装置の一実施例を示す概略図であ
る０図において、１１は金属ボール１２を収納した金属
ボール用トレイで、トレイ固定ステージ１４上に固定さ
れるようになっている。１４は加熱用ヒータエ５を備え
た半導体ウェハ又はチップ固定ステージで、該ステージ
１４上には、電極パッド１６を備えた半導体ウェハ又は
チップ（図示例ではチップ１７を図示している）を固定
するものである。１８は一端に金属ボール吸着用コレッ
ト１９を備えた接続用アームで、金属ボール用トレイ固
定ステージ１３及び半導体ウェハ又はチップ固定ステー
ジ１４上において、上下及び左右方向に動き得るように
構成されており、コレット１９は、この実施例において
は、真空を利用して金属ボールを吸着するようになって
いる。２０は金属ボール用トレイ固定ステージ１３の上
方及び半導体ウェハ又はチップ固定ステージ１４の上方
に配置されている認識用テレビカメラで、該カメラ２０
による認識に基づいて接続アーム１９の位置を補正する
、図示しない手段を制御するようになっている。
明するや第２図は製造装置の一実施例を示す概略図であ
る０図において、１１は金属ボール１２を収納した金属
ボール用トレイで、トレイ固定ステージ１４上に固定さ
れるようになっている。１４は加熱用ヒータエ５を備え
た半導体ウェハ又はチップ固定ステージで、該ステージ
１４上には、電極パッド１６を備えた半導体ウェハ又は
チップ（図示例ではチップ１７を図示している）を固定
するものである。１８は一端に金属ボール吸着用コレッ
ト１９を備えた接続用アームで、金属ボール用トレイ固
定ステージ１３及び半導体ウェハ又はチップ固定ステー
ジ１４上において、上下及び左右方向に動き得るように
構成されており、コレット１９は、この実施例において
は、真空を利用して金属ボールを吸着するようになって
いる。２０は金属ボール用トレイ固定ステージ１３の上
方及び半導体ウェハ又はチップ固定ステージ１４の上方
に配置されている認識用テレビカメラで、該カメラ２０
による認識に基づいて接続アーム１９の位置を補正する
、図示しない手段を制御するようになっている。
このように構成された製造装置を用いて、バンプ電極を
備えた半導体素子を製造するには、まず金属ボール１２
を収納したトレイ１１をトレイ固定ステージ１３上に固
定し、半導体アンプ１７をステージ１４上に固定する。
備えた半導体素子を製造するには、まず金属ボール１２
を収納したトレイ１１をトレイ固定ステージ１３上に固
定し、半導体アンプ１７をステージ１４上に固定する。
この固定ステージＩ４は常温乃至は３５０℃程度に加熱
されるようになっている０次いで接続アーム１８を操作
して、トレイ１１において金属ボール吸着用コレット１
９に金属ボール１２を吸着させる。そしてコレット１９
に金属ボール１２を吸着保持したまま、接続アーム１８
を半導体チップ固定ステージ１４に移動させる。そして
認識用テレビカメラ２０による認識に基づく図示しない
補正手段により、コレット１９に保持された金属ボール
１２を半導体チップ１７の所定の電機バッド１６上に正
確に位置するように補正する。次いで接続アーム１８を
降下させて、そのまま熱圧着により金属ボール１２を電
極バッド１６１に接着させる。この動作を操り返すこと
により、第１図に示したバンプ電極を備えた半導体素子
を得ることができる。
されるようになっている０次いで接続アーム１８を操作
して、トレイ１１において金属ボール吸着用コレット１
９に金属ボール１２を吸着させる。そしてコレット１９
に金属ボール１２を吸着保持したまま、接続アーム１８
を半導体チップ固定ステージ１４に移動させる。そして
認識用テレビカメラ２０による認識に基づく図示しない
補正手段により、コレット１９に保持された金属ボール
１２を半導体チップ１７の所定の電機バッド１６上に正
確に位置するように補正する。次いで接続アーム１８を
降下させて、そのまま熱圧着により金属ボール１２を電
極バッド１６１に接着させる。この動作を操り返すこと
により、第１図に示したバンプ電極を備えた半導体素子
を得ることができる。
なお上記実施例では、半導体ウェハ又はチップ固定ステ
ージ１４上にチップ１７を固定したものを示したが、ウ
ェハを固定して電極バッド上に金属ボールを接着したの
ち、１チツプずつに分割して半導体素子を得るようにし
てもよい、また上記実施例では、接続用アーム１８に設
けたコレット１９で金属ボール１２を１個ずつ保持させ
るようにしたものを示したが、金属ボールを多数個同時
に保持させ、半導体ウェハ又はチップの多数の電極パッ
ド上に同時に金属ボールを接合させるように構成するこ
ともできる。また接続用アーム１８を降下させて金属ボ
ール１２を熱圧着法により固着させるようにしたものを
示したが、他の治具等を用いて、金属ボールを電極バッ
ドに熱圧着法あるいは超音波法などで固着するように構
成してもよい。
ージ１４上にチップ１７を固定したものを示したが、ウ
ェハを固定して電極バッド上に金属ボールを接着したの
ち、１チツプずつに分割して半導体素子を得るようにし
てもよい、また上記実施例では、接続用アーム１８に設
けたコレット１９で金属ボール１２を１個ずつ保持させ
るようにしたものを示したが、金属ボールを多数個同時
に保持させ、半導体ウェハ又はチップの多数の電極パッ
ド上に同時に金属ボールを接合させるように構成するこ
ともできる。また接続用アーム１８を降下させて金属ボ
ール１２を熱圧着法により固着させるようにしたものを
示したが、他の治具等を用いて、金属ボールを電極バッ
ドに熱圧着法あるいは超音波法などで固着するように構
成してもよい。
更に上記実施例では、ステージ１４上に固定した１６導
体ウェハ又はチップ１７にマスクを用いずに直接電極バ
ッド１６に金属ボール１２を接合するようにしたものを
示したが、電極バッド部分に金属ボール挿入用の孔を形
成した金属又はプラスチック製のマスクを、半導体ウェ
ハ又はチップ上に配置して、金属ボールを接合するよう
にしてもよい、この場合は他の治具を用いて金属ボール
を電機バッドに固着する場合に好都合である。
体ウェハ又はチップ１７にマスクを用いずに直接電極バ
ッド１６に金属ボール１２を接合するようにしたものを
示したが、電極バッド部分に金属ボール挿入用の孔を形
成した金属又はプラスチック製のマスクを、半導体ウェ
ハ又はチップ上に配置して、金属ボールを接合するよう
にしてもよい、この場合は他の治具を用いて金属ボール
を電機バッドに固着する場合に好都合である。
次にこのようにして製作した半導体素子を実装する装置
の一実施例について説明する。この実装装置の基本構成
は、第２図に示した半導体素子の製造装置と同様である
ので、その要部のみを第３図に示す。この実装装置にお
いては、図示しないが、第１図に示すようなバンプ電極
を備えた半導体素子を収納したトレイを固定するトレイ
固定ステージを備えている。また第３図に示すように、
ヒータを内蔵した基板固定ステージ２１を備えており、
該固定ステージ２１には所定の配線パターン２２を備え
た基板２３が固定されるようになっている。
の一実施例について説明する。この実装装置の基本構成
は、第２図に示した半導体素子の製造装置と同様である
ので、その要部のみを第３図に示す。この実装装置にお
いては、図示しないが、第１図に示すようなバンプ電極
を備えた半導体素子を収納したトレイを固定するトレイ
固定ステージを備えている。また第３図に示すように、
ヒータを内蔵した基板固定ステージ２１を備えており、
該固定ステージ２１には所定の配線パターン２２を備え
た基板２３が固定されるようになっている。
そして図示しないトレイ固定ステージ及び上記基板固定
ステージ２１上には、トレイ中に収納されている半導体
素子２４を保持するピンクアップ治具２５を備えた接続
アーム（図示せず）が配置されており、該ピックアップ
治具２５は真空吸着用の穴２５ａを備えていて、上下、
左右に移行できるように構成されている。更に両ステー
ジのと方には認識用テレビカメラ（図示せず）が配置さ
れていて、図示しないピックアップ治具の位置補正手段
を制御するようになっている。
ステージ２１上には、トレイ中に収納されている半導体
素子２４を保持するピンクアップ治具２５を備えた接続
アーム（図示せず）が配置されており、該ピックアップ
治具２５は真空吸着用の穴２５ａを備えていて、上下、
左右に移行できるように構成されている。更に両ステー
ジのと方には認識用テレビカメラ（図示せず）が配置さ
れていて、図示しないピックアップ治具の位置補正手段
を制御するようになっている。
このように構成した実装装置により、半導体素子２４を
基板２３に実装するには、まず基板２３を基板固定ステ
ージ２１上に固定し、トレイより半導体素子２４をピッ
クアップ治具２５で吸着保持させ、基板固定ステージ２
５上へ移行させる。認識用テレビカメラ及び位置補正手
段により、ピックアップ治具２５の基板２３に対する位
置を補正したのち、ピックアップ治具２５を降下させ、
熱圧着法により半導体素子２４のバンプ電極２４ａを、
基板２３の所定配線パターン部分へ直接接着することに
よって、基板２３に対して半導体素子２４をフェースダ
ウンボンディングして実装したものが得られる。これに
第４図に示すように、樹脂２６の封止を施すことによっ
て半導体装置２７が得られる。
基板２３に実装するには、まず基板２３を基板固定ステ
ージ２１上に固定し、トレイより半導体素子２４をピッ
クアップ治具２５で吸着保持させ、基板固定ステージ２
５上へ移行させる。認識用テレビカメラ及び位置補正手
段により、ピックアップ治具２５の基板２３に対する位
置を補正したのち、ピックアップ治具２５を降下させ、
熱圧着法により半導体素子２４のバンプ電極２４ａを、
基板２３の所定配線パターン部分へ直接接着することに
よって、基板２３に対して半導体素子２４をフェースダ
ウンボンディングして実装したものが得られる。これに
第４図に示すように、樹脂２６の封止を施すことによっ
て半導体装置２７が得られる。
上記第１図には、金属ボール４を電極パッド２上に熱圧
着法等により直接接着して、バンプ電極を形成した半導
体素子を示したが、第５図に示すように、１を極パッド
２に接合した金属ボール４上に、更にハンダボール３１
を溶着等により固着させて構成してもよいし、また第６
図に示すように、電機バッド２に接合した金属ボール４
の表面に、ハンダ層３２を１着又はメツキにより付着さ
せて構成してもよい。この場合には、半導体素子をハン
ダ接合により実装基板に固着させることができる。
着法等により直接接着して、バンプ電極を形成した半導
体素子を示したが、第５図に示すように、１を極パッド
２に接合した金属ボール４上に、更にハンダボール３１
を溶着等により固着させて構成してもよいし、また第６
図に示すように、電機バッド２に接合した金属ボール４
の表面に、ハンダ層３２を１着又はメツキにより付着さ
せて構成してもよい。この場合には、半導体素子をハン
ダ接合により実装基板に固着させることができる。
以上実施例に基づいて説明したように、本発明によれば
、７：ＩＩＪｉ＋バッドへの金属ボールの接合にハンダ
層を用いないため下地電機等も不要となり、極めて簡単
な構成のバンプ電極を備えた半導体素子が得られる。
、７：ＩＩＪｉ＋バッドへの金属ボールの接合にハンダ
層を用いないため下地電機等も不要となり、極めて簡単
な構成のバンプ電極を備えた半導体素子が得られる。
また本発明の半導体素子の製造装置によれば、少量多品
種の生産にも容易に対応でき、バンプ電極を備えた半導
体素子を容易に製造することができる。更に半導体素子
の実装装置によれば、熱圧着法等の直接接合によりフェ
ースダウンボンディングを行うため、加熱炉等を必要と
せず、簡単な構成の装置でバンプ電極を備えた半導体素
子を容易に基板に実装することができる。
種の生産にも容易に対応でき、バンプ電極を備えた半導
体素子を容易に製造することができる。更に半導体素子
の実装装置によれば、熱圧着法等の直接接合によりフェ
ースダウンボンディングを行うため、加熱炉等を必要と
せず、簡単な構成の装置でバンプ電極を備えた半導体素
子を容易に基板に実装することができる。
第１図は、本発明に係る半導体素子の一実施例を示す断
面図、第２図は、本発明に係る半導体素子の製造装置の
一実施例の概略構成図、第３図は、本発明に係る半導体
素子の実装装置の一実施例の要部を示す断面図、第４図
は、樹脂封止した半導体装置の一構成例を示す断面図、
第５図及び第６図は、第１図に示した半導体素子の変形
例を示す部分図、第７図及び第８図は、従来のバンプ電
極の構成例を示す断面図である。 図において、１は半導体チップ、２は電極パッド、４は
金属ボール、１１は金属ボール用トレイ、１３はトレイ
固定ステージ、１４は半導体ウェハ又はチップ固定ステ
ージ、Ｉ７は半導体チップ、工８は接続用アーム、１９
は金属ボール吸着用コレット、２０は認識用テレビカメ
ラ、２１は基板固定ステージ、２３は基板、２４は半導
体素子、２５はピンクアップ治具を示す。 特許出願人 オリンパス光学工業株式会社第１図 第５図 第６図 第２図 第３図
面図、第２図は、本発明に係る半導体素子の製造装置の
一実施例の概略構成図、第３図は、本発明に係る半導体
素子の実装装置の一実施例の要部を示す断面図、第４図
は、樹脂封止した半導体装置の一構成例を示す断面図、
第５図及び第６図は、第１図に示した半導体素子の変形
例を示す部分図、第７図及び第８図は、従来のバンプ電
極の構成例を示す断面図である。 図において、１は半導体チップ、２は電極パッド、４は
金属ボール、１１は金属ボール用トレイ、１３はトレイ
固定ステージ、１４は半導体ウェハ又はチップ固定ステ
ージ、Ｉ７は半導体チップ、工８は接続用アーム、１９
は金属ボール吸着用コレット、２０は認識用テレビカメ
ラ、２１は基板固定ステージ、２３は基板、２４は半導
体素子、２５はピンクアップ治具を示す。 特許出願人 オリンパス光学工業株式会社第１図 第５図 第６図 第２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体チップの電極パッド部に、金属ボールを接着
剤層を介さずに熱圧着、超音波接合等の直接接合により
接続してバンプ電極を形成したことを特徴とする半導体
素子。 ２、半導体チップの電極パッド部に、接着剤層を介さず
に熱圧着、超音波接合等の直接接合により固着した金属
ボールと、該金属ボール上に固着したハンダボールとで
バンプ電極を形成したことを特徴とする半導体素子。 ３、半導体チップの電極パッド部に、接着剤層を介さず
に熱圧着、超音波接合等の直接接合により固着した金属
ボールの表面にハンダ層を密着させてバンプ電極を形成
したことを特徴とする半導体素子。 ４、前記金属ボールは、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ又はそ
れらの合金で形成されていることを特徴とする請求項１
〜３のいずれかに記載の半導体素子。 ５、電極パッド部を備えた半導体ウェハ又はチップを固
定するステージと、金属ボールを収納するトレイと、ト
レイ中の金属ボールを保持してステージ上に固定した半
導体ウェハ又はチップの電極パッド部の対応位置へ運搬
する手段と、該運搬手段のトレイにおける位置及び半導
体ウェハ又はチップ上における位置を認識して所定位置
に補正する手段と、半導体ウェハ又はチップの電極パッ
ド部へ運搬された金属ボールを電極パッド部へ直接接合
させてバンプ電極を形成する手段とを備えていることを
特徴とする半導体素子の製造装置。 ６、金属ボールを電極パッド部に直接接合してバンプ電
極を形成した半導体素子を収納するトレイと、実装基板
を固定するステージと、トレイ中の半導体素子を保持し
てステージ上に固定した実装基板上に運搬するピックア
ップ手段と、実装基板のボンディング位置と半導体素子
の位置とを認識して前記ピックアップ手段を所定位置に
補正する手段と、半導体素子を実装基板へ熱圧着、超音
波接合等の直接接合によりフェースダウンボンディング
する手段とを備えていることを特徴とする半導体素子の
実装装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63083169A JPH01256153A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | 半導体素子とその製造装置並びにその実装装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63083169A JPH01256153A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | 半導体素子とその製造装置並びにその実装装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01256153A true JPH01256153A (ja) | 1989-10-12 |
Family
ID=13794771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63083169A Pending JPH01256153A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | 半導体素子とその製造装置並びにその実装装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01256153A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02312240A (ja) * | 1989-05-26 | 1990-12-27 | Ricoh Co Ltd | バンプ形成方法およびバンプ形成装置およびバンプ |
-
1988
- 1988-04-06 JP JP63083169A patent/JPH01256153A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02312240A (ja) * | 1989-05-26 | 1990-12-27 | Ricoh Co Ltd | バンプ形成方法およびバンプ形成装置およびバンプ |
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