JPH04127547A - Lsi実装構造体 - Google Patents
Lsi実装構造体Info
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- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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-
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はLSI実装構造体に関する。
従来のLSI実装構造体は、第2図に示すように、LS
Iチップ1に設けてLSIチップ1の内部回路と接続す
るパッド6と、パッド6以外のLSIチップ1の表面に
設けた保護膜2と、パッド6に金錫共晶合金層8を用い
て底部を接続した銅又は鉄ニツケル合金からなるマイク
ロピン5と、多層配線基板7の表面にマイクロピン5の
位置に対応して設け、且つ多層配線基板7の配線と接続
した電極3と、電極3の夫々に整合してマイクロピン5
の先端と電極3を接合する半田層4とを有して構成され
る。
Iチップ1に設けてLSIチップ1の内部回路と接続す
るパッド6と、パッド6以外のLSIチップ1の表面に
設けた保護膜2と、パッド6に金錫共晶合金層8を用い
て底部を接続した銅又は鉄ニツケル合金からなるマイク
ロピン5と、多層配線基板7の表面にマイクロピン5の
位置に対応して設け、且つ多層配線基板7の配線と接続
した電極3と、電極3の夫々に整合してマイクロピン5
の先端と電極3を接合する半田層4とを有して構成され
る。
この従来のLSI実装構造体は、温度変化によるLSI
チップと多層配線基板との間のストレスを緩和させるマ
イクロピンの形状が非常に複雑であり、機械加工しなけ
ればならないことから、線材を(例えば直径を0.1m
m以下には)細くできず、又、マイクロピンの製造には
金型等が必要になってくることからコストが高くなると
いう問題点があった。
チップと多層配線基板との間のストレスを緩和させるマ
イクロピンの形状が非常に複雑であり、機械加工しなけ
ればならないことから、線材を(例えば直径を0.1m
m以下には)細くできず、又、マイクロピンの製造には
金型等が必要になってくることからコストが高くなると
いう問題点があった。
本発明のLSI実装構造体は、LSIチップと、前記L
SIチップ上に設けてLSIチップの内部回路に接続し
たパッドと、前記パッド上に接合して設けた一端がボー
ル形状を有し他端を溶断した金属細線からなるマイクロ
ピンと、前記マイクロピンに接合して前記LSIチップ
を搭載した多層配線基板とを有する。
SIチップ上に設けてLSIチップの内部回路に接続し
たパッドと、前記パッド上に接合して設けた一端がボー
ル形状を有し他端を溶断した金属細線からなるマイクロ
ピンと、前記マイクロピンに接合して前記LSIチップ
を搭載した多層配線基板とを有する。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例を示すLSI実装構造体の断
面図である。
面図である。
第1図に示すように、配線を設けたセラミックやガラス
布エポキシ樹脂等の絶縁基板を積層して設けた多層配線
基板7と、多層配線基板7の表面に設けて配線と接続し
た電極3と、シリコン又は砒化ガリウム基板上に素子及
び配線を設けたLSIチップ1と、LSIチップ1の表
面に設けて内部配線と接続したパッド6と、パッド6以
外のLSIチップ1の表面に設けた保護膜2と、パッド
6上に半田層4又は金錫共晶合金を用いて一端を接合し
他端を電極3に半田層4を用いて接合することによりL
SIチップ1を多層配線基板7上に実装するボール状端
部を有するマイクロピン5を有して構成される。
布エポキシ樹脂等の絶縁基板を積層して設けた多層配線
基板7と、多層配線基板7の表面に設けて配線と接続し
た電極3と、シリコン又は砒化ガリウム基板上に素子及
び配線を設けたLSIチップ1と、LSIチップ1の表
面に設けて内部配線と接続したパッド6と、パッド6以
外のLSIチップ1の表面に設けた保護膜2と、パッド
6上に半田層4又は金錫共晶合金を用いて一端を接合し
他端を電極3に半田層4を用いて接合することによりL
SIチップ1を多層配線基板7上に実装するボール状端
部を有するマイクロピン5を有して構成される。
次に、マイクロピン5の製造方法について説明する。
マイクロピン5は通常ICチップとICパッケージとの
間の電気的接続に使用するボンディング線を用いる0例
えば線径20〜50μmのAu線の一端をボンダーと同
様なメカニズムにより電気トーチを用いAuボールをつ
くり、長さを2mm〜5mm程度にし他端を溶断する。
間の電気的接続に使用するボンディング線を用いる0例
えば線径20〜50μmのAu線の一端をボンダーと同
様なメカニズムにより電気トーチを用いAuボールをつ
くり、長さを2mm〜5mm程度にし他端を溶断する。
その後表面をSn : Pb=9 : 1の半田層で覆
う。
う。
実装に際しては、パッド6の表面には、Aj用特殊フラ
ックスが塗布されていて、マイクロピン5の表面の半田
層と接続することができる。パッド6はTi−Pt−A
u層のバンプ構造として、半田層でマイクロピンを立て
る方法もあるがウェーハの歩留りが悪くコストが高くな
るのでパッド6はAj!層にフラックスを塗布するのみ
でも良い、多層配線基板7上の電極3とは共晶半田によ
って接着させる。
ックスが塗布されていて、マイクロピン5の表面の半田
層と接続することができる。パッド6はTi−Pt−A
u層のバンプ構造として、半田層でマイクロピンを立て
る方法もあるがウェーハの歩留りが悪くコストが高くな
るのでパッド6はAj!層にフラックスを塗布するのみ
でも良い、多層配線基板7上の電極3とは共晶半田によ
って接着させる。
本実施例では、マイクロピンの素材にAu線を用いたが
Cu線を用いれば、約1.5倍の強度が得られ、位置精
度が得られやすいという効果がある。
Cu線を用いれば、約1.5倍の強度が得られ、位置精
度が得られやすいという効果がある。
また、Au線の代りにA、配線を用いても良い。
以上説明したように本発明は従来のボンダー技術を用い
て金属細線の一端をボール形状にした後他端を溶断し、
その回りを半田で覆ったマイクロピンをLSIチップ回
路表面に形成された金属パッド上に整列させ、半田リフ
ローで接続固定したのでマイクロピンの製造工程が従来
技術の延長上で可能な為安価に出来、又、ボンディング
線の使用実績から線径も30μm、25μmとかなり細
い径のビンも可能になり、より高密度配線が可能となる
という効果を有する。又、半田層でマイクロピンの表面
を覆うことから半田のフィレットが出来折曲げ強度が強
くなるという効果を有する。
て金属細線の一端をボール形状にした後他端を溶断し、
その回りを半田で覆ったマイクロピンをLSIチップ回
路表面に形成された金属パッド上に整列させ、半田リフ
ローで接続固定したのでマイクロピンの製造工程が従来
技術の延長上で可能な為安価に出来、又、ボンディング
線の使用実績から線径も30μm、25μmとかなり細
い径のビンも可能になり、より高密度配線が可能となる
という効果を有する。又、半田層でマイクロピンの表面
を覆うことから半田のフィレットが出来折曲げ強度が強
くなるという効果を有する。
第1図は本発明の一実施例を示すLSI実装構造体の断
面図、第2図は従来のLSI実装構造体の一例を示す断
面図である。 1・・・LSIチップ、2・・・保護膜、3・・・電極
、4・・・半田層、5・・・マイクロピン、6・・・パ
ッド、7・・・多層配線基板、8・・・金銭共晶合金層
。
面図、第2図は従来のLSI実装構造体の一例を示す断
面図である。 1・・・LSIチップ、2・・・保護膜、3・・・電極
、4・・・半田層、5・・・マイクロピン、6・・・パ
ッド、7・・・多層配線基板、8・・・金銭共晶合金層
。
Claims (1)
- LSIチップと、前記LSIチップ上に設けてLSIチ
ップの内部回路に接続したパッドと、前記パッド上に接
合して設けた一端がボール形状を有し他端を溶断した金
属細線からなるマイクロピンと、前記マイクロピンに接
合して前記LSIチップを搭載した多層配線基板とを有
することを特徴とするLSI実装構造体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2249170A JPH04127547A (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | Lsi実装構造体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2249170A JPH04127547A (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | Lsi実装構造体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04127547A true JPH04127547A (ja) | 1992-04-28 |
Family
ID=17188950
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2249170A Pending JPH04127547A (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | Lsi実装構造体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04127547A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6410854B1 (en) * | 1995-11-20 | 2002-06-25 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Wire and solder arrangement of ease of wave soldering |
US6504105B1 (en) * | 1993-10-28 | 2003-01-07 | International Business Machines Corporation | Solder ball connections and assembly process |
CN105070786A (zh) * | 2015-07-28 | 2015-11-18 | 昆明物理研究所 | 一种抗高温氧化的读出电路引出电极及其制备方法 |
-
1990
- 1990-09-19 JP JP2249170A patent/JPH04127547A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US6752310B2 (en) | 1995-11-20 | 2004-06-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electrically conductive wire |
US6902097B2 (en) | 1995-11-20 | 2005-06-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electrically conductive wire |
CN105070786A (zh) * | 2015-07-28 | 2015-11-18 | 昆明物理研究所 | 一种抗高温氧化的读出电路引出电极及其制备方法 |
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