JPH11214443A - 半田バンプ形成方法 - Google Patents
半田バンプ形成方法Info
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- JPH11214443A JPH11214443A JP10011091A JP1109198A JPH11214443A JP H11214443 A JPH11214443 A JP H11214443A JP 10011091 A JP10011091 A JP 10011091A JP 1109198 A JP1109198 A JP 1109198A JP H11214443 A JPH11214443 A JP H11214443A
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- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
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- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
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- H05K3/3485—Applying solder paste, slurry or powder
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板の電極形成面の反対側に接合信頼性の高
い半田バンプを形成することができる半田バンプ形成方
法を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板１１の電極形成面の反対面上に基板
１１の貫通孔１２を介して電極１４と導通する半田バン
プ１８’を形成する半田バンプ形成方法において、貫通
孔１２の内面に半田濡れ性の良い銅膜１６を形成する。
この後貫通孔１２内にクリーム半田１７を供給し、その
上に半田ボール１８を搭載する。次いで基板１１を加熱
することにより半田ボール１８を溶融させて電極１１と
半田ボール１８を貫通孔１２を介して導通させる。これ
により、半田が電極１４だけでなく貫通孔１２の内面と
固着し、強度に優れた接合信頼性の高い半田バンプを形
成することができる。
い半田バンプを形成することができる半田バンプ形成方
法を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板１１の電極形成面の反対面上に基板
１１の貫通孔１２を介して電極１４と導通する半田バン
プ１８’を形成する半田バンプ形成方法において、貫通
孔１２の内面に半田濡れ性の良い銅膜１６を形成する。
この後貫通孔１２内にクリーム半田１７を供給し、その
上に半田ボール１８を搭載する。次いで基板１１を加熱
することにより半田ボール１８を溶融させて電極１１と
半田ボール１８を貫通孔１２を介して導通させる。これ
により、半田が電極１４だけでなく貫通孔１２の内面と
固着し、強度に優れた接合信頼性の高い半田バンプを形
成することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品や基板の
電極上に半田バンプを形成する半田バンプ形成方法に関
するものである。
電極上に半田バンプを形成する半田バンプ形成方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子部品の実装方法として、半田バンプ
を用いる方法が知られている。この方法は電子部品の電
極上に予め半田の突出電極である半田バンプを形成し、
この半田バンプを基板などの電極に半田付けするもので
ある。半田バンプを形成する方法として、従来より半田
ボールを電子部品などの電極上に搭載する方法が用いら
れる。
を用いる方法が知られている。この方法は電子部品の電
極上に予め半田の突出電極である半田バンプを形成し、
この半田バンプを基板などの電極に半田付けするもので
ある。半田バンプを形成する方法として、従来より半田
ボールを電子部品などの電極上に搭載する方法が用いら
れる。
【０００３】ところでＣＳＰ（ｃｈｉｐ ｓｉｚｅ ｐ
ａｃｋａｇｅ）などでは、電極が形成される面と半田バ
ンプが形成される面が基板の同一面でない場合がある。
すなわちパッケージを構成するテープ状の基板の片側の
面に電極が形成され、この電極が形成された面の反対側
に半田ボールが搭載される。そしてこの半田ボールを溶
融させ、電極位置に設けられた基板の貫通孔や凹部を介
して溶融半田を電極に導通させて半田バンプが形成され
る。
ａｃｋａｇｅ）などでは、電極が形成される面と半田バ
ンプが形成される面が基板の同一面でない場合がある。
すなわちパッケージを構成するテープ状の基板の片側の
面に電極が形成され、この電極が形成された面の反対側
に半田ボールが搭載される。そしてこの半田ボールを溶
融させ、電極位置に設けられた基板の貫通孔や凹部を介
して溶融半田を電極に導通させて半田バンプが形成され
る。
【０００４】以下、従来の半田バンプ形成方法について
図面を参照して説明する。図５（ａ）、（ｂ）は従来の
テープ状の基板の部分断面図である。図５（ａ）におい
て、テープ状の基板１の下面には電極２が形成されてい
る。基板１の電極２の位置には貫通孔３が設けられてお
り、貫通孔３内にはクリーム半田４が充填されている。
クリーム半田４上には、半田ボール５が搭載されてい
る。
図面を参照して説明する。図５（ａ）、（ｂ）は従来の
テープ状の基板の部分断面図である。図５（ａ）におい
て、テープ状の基板１の下面には電極２が形成されてい
る。基板１の電極２の位置には貫通孔３が設けられてお
り、貫通孔３内にはクリーム半田４が充填されている。
クリーム半田４上には、半田ボール５が搭載されてい
る。
【０００５】この後基板１をリフローに送り加熱するこ
とによりクリーム半田４および半田ボール５は溶融し、
図５（ｂ）に示すように電極２と導通して半田バンプ
５’を形成する。ところが、半田の溶融時には溶融半田
は電極２の上面のみを濡らし、樹脂材質の基板１に設け
られた貫通孔３の内表面は濡らさない。このため、溶融
半田が固化して形成された半田バンプ５’は、電極２の
上面とのみ接合され、貫通孔３の内面とは接合されない
ため、固化後の半田バンプ５’はこの部分がくびれ、貫
通孔３の内面との間に隙間を有する形状となる。
とによりクリーム半田４および半田ボール５は溶融し、
図５（ｂ）に示すように電極２と導通して半田バンプ
５’を形成する。ところが、半田の溶融時には溶融半田
は電極２の上面のみを濡らし、樹脂材質の基板１に設け
られた貫通孔３の内表面は濡らさない。このため、溶融
半田が固化して形成された半田バンプ５’は、電極２の
上面とのみ接合され、貫通孔３の内面とは接合されない
ため、固化後の半田バンプ５’はこの部分がくびれ、貫
通孔３の内面との間に隙間を有する形状となる。
【０００６】このため、このくびれの部分は強度上のネ
ックとなるとともに、クリーム半田中のフラックス分が
この部分の隙間内に残留しやすく、実装後の耐振動・衝
撃性、耐ヒートサイクル性が低下するとともに、腐食性
のフラックスが接合部に残留することにより、接合信頼
性が低いという問題点があった。
ックとなるとともに、クリーム半田中のフラックス分が
この部分の隙間内に残留しやすく、実装後の耐振動・衝
撃性、耐ヒートサイクル性が低下するとともに、腐食性
のフラックスが接合部に残留することにより、接合信頼
性が低いという問題点があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、基板
の電極形成面の反対側に接合信頼性の高い半田バンプを
形成することができる半田バンプ形成方法を提供するこ
とを目的とする。
の電極形成面の反対側に接合信頼性の高い半田バンプを
形成することができる半田バンプ形成方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の半田バン
プの形成方法は、基板の電極形成面の反対面上に基板の
貫通孔を介して前記電極と導通する半田バンプを形成す
る半田バンプ形成方法であって、前記貫通孔の内面に半
田濡れ性の良い金属をコーティングする工程と、接合材
料が供給された貫通孔の上に半田ボールを搭載、または
接合材料を塗布した半田ボールを前記貫通孔の上に搭載
する工程と、前記半田ボールが搭載された基板を加熱す
ることにより半田ボールを溶融させて前記電極と半田ボ
ールを前記貫通孔を介して導通させる工程とを含む。
プの形成方法は、基板の電極形成面の反対面上に基板の
貫通孔を介して前記電極と導通する半田バンプを形成す
る半田バンプ形成方法であって、前記貫通孔の内面に半
田濡れ性の良い金属をコーティングする工程と、接合材
料が供給された貫通孔の上に半田ボールを搭載、または
接合材料を塗布した半田ボールを前記貫通孔の上に搭載
する工程と、前記半田ボールが搭載された基板を加熱す
ることにより半田ボールを溶融させて前記電極と半田ボ
ールを前記貫通孔を介して導通させる工程とを含む。
【０００９】請求項２記載の半田バンプの形成方法は、
基板の電極形成面の反対面に形成された凹部内に前記電
極と接続電極を介して導通する半田バンプを形成する半
田バンプ形成方法であって、前記凹部の内面に半田濡れ
性の良い金属をコーティングする工程と、接合材料が供
給された前記凹部内に半田ボールを搭載、または接合材
料を塗布した半田ボールを前記凹部の上に搭載する工程
と、前記半田ボールが搭載された基板を加熱することに
より半田ボールを溶融させて前記凹部内の前記接続電極
の露呈部と半田ボールを導通させる工程とを含む。
基板の電極形成面の反対面に形成された凹部内に前記電
極と接続電極を介して導通する半田バンプを形成する半
田バンプ形成方法であって、前記凹部の内面に半田濡れ
性の良い金属をコーティングする工程と、接合材料が供
給された前記凹部内に半田ボールを搭載、または接合材
料を塗布した半田ボールを前記凹部の上に搭載する工程
と、前記半田ボールが搭載された基板を加熱することに
より半田ボールを溶融させて前記凹部内の前記接続電極
の露呈部と半田ボールを導通させる工程とを含む。
【００１０】本発明によれば、基板の貫通孔や凹部の内
面に半田濡れ性の良い金属をコーティングすることによ
り、半田が基板の電極だけでなく貫通孔や凹部の内面と
強固に固着し、強度に優れた半田バンプを形成すること
ができる。
面に半田濡れ性の良い金属をコーティングすることによ
り、半田が基板の電極だけでなく貫通孔や凹部の内面と
強固に固着し、強度に優れた半田バンプを形成すること
ができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）図１（ａ），
（ｂ），（ｃ），（ｄ），（ｅ）、図２（ａ），
（ｂ），（ｃ）は本発明の実施の形態１の半田バンプ形
成方法の工程説明図である。図１（ａ），（ｂ），
（ｃ），（ｄ），（ｅ）および図２（ａ），（ｂ），
（ｃ）は半田バンプ形成方法を工程順に示すものであ
る。
（ｂ），（ｃ），（ｄ），（ｅ）、図２（ａ），
（ｂ），（ｃ）は本発明の実施の形態１の半田バンプ形
成方法の工程説明図である。図１（ａ），（ｂ），
（ｃ），（ｄ），（ｅ）および図２（ａ），（ｂ），
（ｃ）は半田バンプ形成方法を工程順に示すものであ
る。
【００１２】図１（ａ）において、基板１１には貫通孔
１２が形成されている。貫通孔１２は基板１１の上面に
形成される回路電極の位置に対応して設けられ、基板１
１の下面に回路電極と導通する半田バンプを形成するた
めのものである。基板１１上には図１（ｂ）に示すよう
に、回路電極用の銅膜１３が貼付けられる。この後銅膜
１３は回路パターンの部分以外がエッチングにより除去
され、図１（ｃ）に示すように所定位置に電極１４が形
成される。
１２が形成されている。貫通孔１２は基板１１の上面に
形成される回路電極の位置に対応して設けられ、基板１
１の下面に回路電極と導通する半田バンプを形成するた
めのものである。基板１１上には図１（ｂ）に示すよう
に、回路電極用の銅膜１３が貼付けられる。この後銅膜
１３は回路パターンの部分以外がエッチングにより除去
され、図１（ｃ）に示すように所定位置に電極１４が形
成される。
【００１３】次に、基板１１の下面には図１（ｄ）に示
すようにレジスト１５が塗布され、この後基板１には無
電解銅メッキが施される。これにより、基板１１の貫通
孔１２の内面には図１（ｅ）に示すように、半田濡れ性
の良い金属である銅がコーティングされ、銅膜１６が形
成される。なお、半田濡れ性の良い金属をコーティング
する方法として、無電解ニッケルメッキによるニッケル
膜上に金または銀のメッキ膜を形成する方法を用いても
よい。
すようにレジスト１５が塗布され、この後基板１には無
電解銅メッキが施される。これにより、基板１１の貫通
孔１２の内面には図１（ｅ）に示すように、半田濡れ性
の良い金属である銅がコーティングされ、銅膜１６が形
成される。なお、半田濡れ性の良い金属をコーティング
する方法として、無電解ニッケルメッキによるニッケル
膜上に金または銀のメッキ膜を形成する方法を用いても
よい。
【００１４】この後、基板１の下面のレジスト１５が剥
離され、基板１１は反転されて半田ボール搭載工程へ送
られる。半田ボールの搭載に先立って、基板１１上には
図２（ａ）に示すように接合材料としてのクリーム半田
１７が印刷により供給され、これにより貫通孔１２内に
はクリーム半田１７が充填される。次に、図２（ｂ）に
示すようにクリーム半田１７が充填された貫通孔１２上
に半田ボール１８が搭載され、この後基板１１はリフロ
ー炉に送られ、加熱される。これにより、クリーム半田
１７および半田ボール１８は溶融して融合し、図２
（ｃ）に示すように、貫通孔１２内で固化して電極１４
と導通した半田バンプ１８’を形成する。
離され、基板１１は反転されて半田ボール搭載工程へ送
られる。半田ボールの搭載に先立って、基板１１上には
図２（ａ）に示すように接合材料としてのクリーム半田
１７が印刷により供給され、これにより貫通孔１２内に
はクリーム半田１７が充填される。次に、図２（ｂ）に
示すようにクリーム半田１７が充填された貫通孔１２上
に半田ボール１８が搭載され、この後基板１１はリフロ
ー炉に送られ、加熱される。これにより、クリーム半田
１７および半田ボール１８は溶融して融合し、図２
（ｃ）に示すように、貫通孔１２内で固化して電極１４
と導通した半田バンプ１８’を形成する。
【００１５】このとき、貫通孔１２の内面には銅膜１６
が形成されているので、半田バンプ１８’の基部は電極
１４のみならず銅膜１６を介して基板１１とも強固に固
着しており、したがって強度に優れた信頼性の高い半田
バンプ１８’を形成することができる。また、半田バン
プ１８’と貫通孔１２の内面の間に隙間が生じないの
で、クリーム半田１７中のフラックス成分が接合部に残
留することがなく、接合部の腐食による実装後の信頼性
の低下を生じない。
が形成されているので、半田バンプ１８’の基部は電極
１４のみならず銅膜１６を介して基板１１とも強固に固
着しており、したがって強度に優れた信頼性の高い半田
バンプ１８’を形成することができる。また、半田バン
プ１８’と貫通孔１２の内面の間に隙間が生じないの
で、クリーム半田１７中のフラックス成分が接合部に残
留することがなく、接合部の腐食による実装後の信頼性
の低下を生じない。
【００１６】なお、上記実施の形態１では、接合材料と
してクリーム半田１７を用いているが、これ以外にもフ
ラックスや、フラックスと半田に溶ける金属または融け
て半田となる金属を混合したものなどを用いても良い。
また、貫通孔１２内にクリーム半田１７を供給した後に
半田ボール１８を搭載する代わりに、予めクリーム半田
１７を塗布した半田ボール１８を貫通孔１２の上に搭載
するようにしても良い。
してクリーム半田１７を用いているが、これ以外にもフ
ラックスや、フラックスと半田に溶ける金属または融け
て半田となる金属を混合したものなどを用いても良い。
また、貫通孔１２内にクリーム半田１７を供給した後に
半田ボール１８を搭載する代わりに、予めクリーム半田
１７を塗布した半田ボール１８を貫通孔１２の上に搭載
するようにしても良い。
【００１７】（実施の形態２）図３（ａ），（ｂ），
（ｃ）、図４（ａ），（ｂ），（ｃ）は本発明の実施の
形態２の半田バンプ形成方法の工程説明図である。
（ｃ）、図４（ａ），（ｂ），（ｃ）は本発明の実施の
形態２の半田バンプ形成方法の工程説明図である。
【００１８】図３（ａ）において、基板２１には凹部２
２が形成されている。凹部２２が形成された面の反対面
は回路電極面となっている。回路電極２３の凹部２２の
位置には、接続電極２４が回路電極２３と連通して形成
され、接続電極２４は部分的に凹部２２内で露呈されて
いる。次に、図３（ｂ）に示すように、この基板２１の
凹部２２の形成面にレジスト２５が塗布され、この後基
板２１には無電解銅メッキが施される。これにより、基
板２１の凹部２２の内面には図３（ｃ）に示すように半
田濡れ性の良い金属である銅がコーティングされ、銅膜
２６が形成される。
２が形成されている。凹部２２が形成された面の反対面
は回路電極面となっている。回路電極２３の凹部２２の
位置には、接続電極２４が回路電極２３と連通して形成
され、接続電極２４は部分的に凹部２２内で露呈されて
いる。次に、図３（ｂ）に示すように、この基板２１の
凹部２２の形成面にレジスト２５が塗布され、この後基
板２１には無電解銅メッキが施される。これにより、基
板２１の凹部２２の内面には図３（ｃ）に示すように半
田濡れ性の良い金属である銅がコーティングされ、銅膜
２６が形成される。
【００１９】この後、基板２１のレジスト２５が剥離さ
れ、基板２１は半田ボール搭載工程へ送られる。基板２
１上には、図４（ａ）に示すように接合材料としてのク
リーム半田１７が供給されて凹部２２内にはクリーム半
田１７が充填される。次に図４（ｂ）に示すようにクリ
ーム半田１７が充填された凹部２２上に半田ボール１８
が搭載される。この後基板２１をリフローにて加熱する
ことにより、クリーム半田１７と半田ボール１８は溶融
して融合し、凹部２２内で固化して接続電極２４と導通
した半田バンプ２８’を形成する。
れ、基板２１は半田ボール搭載工程へ送られる。基板２
１上には、図４（ａ）に示すように接合材料としてのク
リーム半田１７が供給されて凹部２２内にはクリーム半
田１７が充填される。次に図４（ｂ）に示すようにクリ
ーム半田１７が充填された凹部２２上に半田ボール１８
が搭載される。この後基板２１をリフローにて加熱する
ことにより、クリーム半田１７と半田ボール１８は溶融
して融合し、凹部２２内で固化して接続電極２４と導通
した半田バンプ２８’を形成する。
【００２０】このとき、凹部２２の内面には銅膜２６が
形成されているので、半田バンプ２８’の基部は電極２
４のみならず銅膜２６を介して基板２１とも強固に固着
しており、したがって強度に優れた信頼性の高い半田バ
ンプ２８’を形成することができる。また、半田バンプ
２８’と凹部２２の内面の間に隙間が生じないので、ク
リーム半田１７中のフラックス成分が接合部に残留する
ことがなく、接合部の腐食による実装後の信頼性の低下
を生じない。
形成されているので、半田バンプ２８’の基部は電極２
４のみならず銅膜２６を介して基板２１とも強固に固着
しており、したがって強度に優れた信頼性の高い半田バ
ンプ２８’を形成することができる。また、半田バンプ
２８’と凹部２２の内面の間に隙間が生じないので、ク
リーム半田１７中のフラックス成分が接合部に残留する
ことがなく、接合部の腐食による実装後の信頼性の低下
を生じない。
【００２１】なお、上記実施の形態２では、接合材料と
してクリーム半田１７を用いているが、実施の形態１と
同様にフラックスや、フラックスと半田に溶ける金属ま
たは融けて半田となる金属を混合したものなどを用いて
も良い。また、凹部２２内にクリーム半田１７を供給し
た後に半田ボール１８を搭載する代わりに、予めクリー
ム半田１７を塗布した半田ボール１８を凹部２２の上に
搭載するようにしても良い。
してクリーム半田１７を用いているが、実施の形態１と
同様にフラックスや、フラックスと半田に溶ける金属ま
たは融けて半田となる金属を混合したものなどを用いて
も良い。また、凹部２２内にクリーム半田１７を供給し
た後に半田ボール１８を搭載する代わりに、予めクリー
ム半田１７を塗布した半田ボール１８を凹部２２の上に
搭載するようにしても良い。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、基板の貫通孔や凹部の
内面に半田濡れ性の良い金属をコーティングすることに
より、半田が基板の電極だけでなく貫通孔や凹部の内面
と強固に固着し、強度に優れた半田バンプを形成するこ
とができる。また、半田バンプと貫通孔や凹部との間に
隙間が生じないのでクリーム半田中のフラックス成分が
接合部に残留することがなく、実装後の信頼性が高い接
合部を得ることができる。
内面に半田濡れ性の良い金属をコーティングすることに
より、半田が基板の電極だけでなく貫通孔や凹部の内面
と強固に固着し、強度に優れた半田バンプを形成するこ
とができる。また、半田バンプと貫通孔や凹部との間に
隙間が生じないのでクリーム半田中のフラックス成分が
接合部に残留することがなく、実装後の信頼性が高い接
合部を得ることができる。
【図１】（ａ）本発明の実施の形態１の半田バンプ形成
方法の工程説明図 （ｂ）本発明の実施の形態１の半田バンプ形成方法の工
程説明図 （ｃ）本発明の実施の形態１の半田バンプ形成方法の工
程説明図 （ｄ）本発明の実施の形態１の半田バンプ形成方法の工
程説明図 （ｅ）本発明の実施の形態１の半田バンプ形成方法の工
程説明図
方法の工程説明図 （ｂ）本発明の実施の形態１の半田バンプ形成方法の工
程説明図 （ｃ）本発明の実施の形態１の半田バンプ形成方法の工
程説明図 （ｄ）本発明の実施の形態１の半田バンプ形成方法の工
程説明図 （ｅ）本発明の実施の形態１の半田バンプ形成方法の工
程説明図
【図２】（ａ）本発明の実施の形態１の半田バンプ形成
方法の工程説明図 （ｂ）本発明の実施の形態１の半田バンプ形成方法の工
程説明図 （ｃ）本発明の実施の形態１の半田バンプ形成方法の工
程説明図
方法の工程説明図 （ｂ）本発明の実施の形態１の半田バンプ形成方法の工
程説明図 （ｃ）本発明の実施の形態１の半田バンプ形成方法の工
程説明図
【図３】（ａ）本発明の実施の形態２の半田バンプ形成
方法の工程説明図 （ｂ）本発明の実施の形態２の半田バンプ形成方法の工
程説明図 （ｃ）本発明の実施の形態２の半田バンプ形成方法の工
程説明図
方法の工程説明図 （ｂ）本発明の実施の形態２の半田バンプ形成方法の工
程説明図 （ｃ）本発明の実施の形態２の半田バンプ形成方法の工
程説明図
【図４】（ａ）本発明の実施の形態２の半田バンプ形成
方法の工程説明図 （ｂ）本発明の実施の形態２の半田バンプ形成方法の工
程説明図 （ｃ）本発明の実施の形態２の半田バンプ形成方法の工
程説明図
方法の工程説明図 （ｂ）本発明の実施の形態２の半田バンプ形成方法の工
程説明図 （ｃ）本発明の実施の形態２の半田バンプ形成方法の工
程説明図
【図５】（ａ）従来のテープ状の基板の部分断面図 （ｂ）従来のテープ状の基板の部分断面図
１１、２１ 基板 １２ 貫通孔 １３ 銅膜 １４ 電極 １５、２５ レジスト １６、２６ 銅膜 １７ クリーム半田 １８ 半田ボール １８’、２８’ 半田バンプ ２３ 回路電極 ２４ 接続電極
Claims (2)
- 【請求項１】基板の電極形成面の反対面上に基板の貫通
孔を介して前記電極と導通する半田バンプを形成する半
田バンプ形成方法であって、前記貫通孔の内面に半田濡
れ性の良い金属をコーティングする工程と、接合材料が
供給された貫通孔の上に半田ボールを搭載、または接合
材料を塗布した半田ボールを前記貫通孔の上に搭載する
工程と、前記半田ボールが搭載された基板を加熱するこ
とにより半田ボールを溶融させて前記電極と半田ボール
を前記貫通孔を介して導通させる工程とを含むことを特
徴とする半田バンプ形成方法。 - 【請求項２】基板の電極形成面の反対面に形成された凹
部内に前記電極と接続電極を介して導通する半田バンプ
を形成する半田バンプ形成方法であって、前記凹部の内
面に半田濡れ性の良い金属をコーティングする工程と、
接合材料が供給された前記凹部内に半田ボールを搭載、
または接合材料を塗布した半田ボールを前記凹部の上に
搭載する工程と、前記半田ボールが搭載された基板を加
熱することにより半田ボールを溶融させて前記凹部内の
前記接続電極の露呈部と半田ボールを導通させる工程と
を含むことを特徴とする半田バンプ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10011091A JPH11214443A (ja) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | 半田バンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10011091A JPH11214443A (ja) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | 半田バンプ形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11214443A true JPH11214443A (ja) | 1999-08-06 |
Family
ID=11768329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10011091A Pending JPH11214443A (ja) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | 半田バンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11214443A (ja) |
-
1998
- 1998-01-23 JP JP10011091A patent/JPH11214443A/ja active Pending
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