JP3367413B2 - 半田バンプの形成方法および半田バンプの実装方法 - Google Patents
半田バンプの形成方法および半田バンプの実装方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品や基板の
回路電極上に半田バンプを形成する半田バンプの形成方
法および半田バンプを電子部品や基板に実装する半田バ
ンプの実装方法に関するものである。
回路電極上に半田バンプを形成する半田バンプの形成方
法および半田バンプを電子部品や基板に実装する半田バ
ンプの実装方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子部品の実装方法として半田バンプを
用いる方法が知られている。この方法は電子部品の回路
電極上に予め半田の突出電極である半田バンプを形成
し、この半田バンプを基板などの回路電極に半田接合す
るものである。半田バンプを形成する方法として、従来
より半田ボールを電子部品などの回路電極上に搭載する
方法が知られている。
用いる方法が知られている。この方法は電子部品の回路
電極上に予め半田の突出電極である半田バンプを形成
し、この半田バンプを基板などの回路電極に半田接合す
るものである。半田バンプを形成する方法として、従来
より半田ボールを電子部品などの回路電極上に搭載する
方法が知られている。
【０００３】ところでＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐ
ａｃｋａｇｅ）などでは、回路電極が形成される面と半
田バンプが形成される面が基板の同一面でない場合があ
る。すなわちパッケージを構成するテープ状の基板の片
側の面に回路電極が形成され、この回路電極が形成され
た面の反対側に半田ボールが搭載される。そしてこの半
田ボールを溶融させ、回路電極位置に設けられた基板の
貫通孔を介して溶融半田を回路電極に導通させて半田バ
ンプが形成される。ここで、電子部品の小型化に伴う回
路電極のファインピッチ化により前孔の貫通孔も小径化
し、搭載される半田ボールの径よりも小さい貫通孔を用
いる場合が増加している。
ａｃｋａｇｅ）などでは、回路電極が形成される面と半
田バンプが形成される面が基板の同一面でない場合があ
る。すなわちパッケージを構成するテープ状の基板の片
側の面に回路電極が形成され、この回路電極が形成され
た面の反対側に半田ボールが搭載される。そしてこの半
田ボールを溶融させ、回路電極位置に設けられた基板の
貫通孔を介して溶融半田を回路電極に導通させて半田バ
ンプが形成される。ここで、電子部品の小型化に伴う回
路電極のファインピッチ化により前孔の貫通孔も小径化
し、搭載される半田ボールの径よりも小さい貫通孔を用
いる場合が増加している。
【０００４】以下、このような場合の従来の半田バンプ
形成方法について図面を参照して説明する。図３
（ａ），（ｂ），（ｃ）は従来のテープ状基板の部分断
面図である。図３（ａ）において、テープ状の絶縁基板
１の下面には回路電極２が形成されている。絶縁基板１
の回路電極２の位置には貫通孔３が設けられており、貫
通孔３内には半田粒子４ａとフラックスを混合したクリ
ーム半田４が供給されている。貫通孔３上には半田ボー
ル５が搭載されている。ここで、貫通孔３の径は搭載さ
れる半田ボール５の径よりも小さく、半田ボール５は貫
通孔３の内部には入り込まずに貫通孔３の上部を塞ぐ形
となっている。
形成方法について図面を参照して説明する。図３
（ａ），（ｂ），（ｃ）は従来のテープ状基板の部分断
面図である。図３（ａ）において、テープ状の絶縁基板
１の下面には回路電極２が形成されている。絶縁基板１
の回路電極２の位置には貫通孔３が設けられており、貫
通孔３内には半田粒子４ａとフラックスを混合したクリ
ーム半田４が供給されている。貫通孔３上には半田ボー
ル５が搭載されている。ここで、貫通孔３の径は搭載さ
れる半田ボール５の径よりも小さく、半田ボール５は貫
通孔３の内部には入り込まずに貫通孔３の上部を塞ぐ形
となっている。
【０００５】またクリーム半田４中に含まれる半田粒子
としては、鉛、錫の共晶型の液相線温度が１８３°Ｃの
ものが使用され、これに対して半田ボール５を構成する
半田は、バンプ形成時の加熱工程で溶融しない高い液相
線温度を有するものが使用されていた。これは半田バン
プ形成後のバンプ高さをできるだけ高く確保する目的
で、加熱工程では半田ボール５を溶融させないようにし
たものである。
としては、鉛、錫の共晶型の液相線温度が１８３°Ｃの
ものが使用され、これに対して半田ボール５を構成する
半田は、バンプ形成時の加熱工程で溶融しない高い液相
線温度を有するものが使用されていた。これは半田バン
プ形成後のバンプ高さをできるだけ高く確保する目的
で、加熱工程では半田ボール５を溶融させないようにし
たものである。
【０００６】この後絶縁基板１をリフローに送って加熱
することにより、クリーム半田４が加熱されるが、この
ときクリーム半田４中のフラックスの溶剤成分が温度上
昇に伴って気化して気泡４ｂが発生する（図３
（ｂ））。そして気泡４ｂは半田粒子４ａが溶融した後
は溶融半田中で凝集してある大きさの気泡となり、溶融
半田中を上昇して外部に放散される。
することにより、クリーム半田４が加熱されるが、この
ときクリーム半田４中のフラックスの溶剤成分が温度上
昇に伴って気化して気泡４ｂが発生する（図３
（ｂ））。そして気泡４ｂは半田粒子４ａが溶融した後
は溶融半田中で凝集してある大きさの気泡となり、溶融
半田中を上昇して外部に放散される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ここで、半田ボール５
はこの加熱工程で溶融しないため貫通孔３の上部を塞い
だままとなっている。ところが、溶剤蒸気の気泡４ｂは
溶融半田中に表面張力によりある大きさのままで閉じこ
められた形となっているため、貫通孔３の上部の半田ボ
ール５との隙間から脱出することができない。その結果
これらの気泡状態の溶剤蒸気４ｃが溶融半田４ａ’中に
残留し（図３（ｃ））、溶融半田４ａ’の固化後にはこ
れらの溶剤蒸気によって形成された空隙が半田接合部内
のボイドとして残留する。このようなボイドは半田接合
部の信頼性を大きく損なう重大な欠陥であり、品質上許
容されないものである。
はこの加熱工程で溶融しないため貫通孔３の上部を塞い
だままとなっている。ところが、溶剤蒸気の気泡４ｂは
溶融半田中に表面張力によりある大きさのままで閉じこ
められた形となっているため、貫通孔３の上部の半田ボ
ール５との隙間から脱出することができない。その結果
これらの気泡状態の溶剤蒸気４ｃが溶融半田４ａ’中に
残留し（図３（ｃ））、溶融半田４ａ’の固化後にはこ
れらの溶剤蒸気によって形成された空隙が半田接合部内
のボイドとして残留する。このようなボイドは半田接合
部の信頼性を大きく損なう重大な欠陥であり、品質上許
容されないものである。
【０００８】しかしながら前述の従来の半田バンプ形成
方法では、半田ボール５およびクリーム半田４の材質種
類の組み合わせに起因して、上記の重大欠陥を防止でき
ず、接合信頼性の高い半田バンプを形成することができ
ないという問題があった。また上記の問題は、球状の半
田バンプを基板の回路電極に実装する場合、すなわち回
路電極を覆ったレジストに半田バンプの径より小さい貫
通孔を設け、この貫通孔内にクリーム半田を供給して球
状の半田バンプを実装する場合にも共通するものであっ
た。
方法では、半田ボール５およびクリーム半田４の材質種
類の組み合わせに起因して、上記の重大欠陥を防止でき
ず、接合信頼性の高い半田バンプを形成することができ
ないという問題があった。また上記の問題は、球状の半
田バンプを基板の回路電極に実装する場合、すなわち回
路電極を覆ったレジストに半田バンプの径より小さい貫
通孔を設け、この貫通孔内にクリーム半田を供給して球
状の半田バンプを実装する場合にも共通するものであっ
た。
【０００９】そこで本発明は、接合信頼性の高い半田バ
ンプの形成方法および半田バンプの実装方法を提供する
ことを目的とする。
ンプの形成方法および半田バンプの実装方法を提供する
ことを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の半田バン
プの形成方法は、絶縁基板に設けられた貫通孔を介して
半田ボールを回路電極に半田接合して前記絶縁基板の回
路電極の反対面に半田バンプを形成する半田バンプの形
成方法であって、前記半田ボールより小さい径で設けら
れた前記貫通孔内にこの半田ボールの材料である第１の
半田の液相線温度よりも高い液相線温度を有する第２の
半田およびフラックスを供給する工程と、前記貫通孔上
に前記半田ボールを搭載する工程と、前記絶縁基板を加
熱して第１の半田を溶融させるとともに、前記貫通孔内
のフラックスの溶剤成分を気化させる工程と、前記絶縁
基板をさらに加熱して第２の半田を溶融させることによ
り、第１の半田および第２の半田を構造的に一体化させ
て前記回路電極に半田接合する工程とを含む。
プの形成方法は、絶縁基板に設けられた貫通孔を介して
半田ボールを回路電極に半田接合して前記絶縁基板の回
路電極の反対面に半田バンプを形成する半田バンプの形
成方法であって、前記半田ボールより小さい径で設けら
れた前記貫通孔内にこの半田ボールの材料である第１の
半田の液相線温度よりも高い液相線温度を有する第２の
半田およびフラックスを供給する工程と、前記貫通孔上
に前記半田ボールを搭載する工程と、前記絶縁基板を加
熱して第１の半田を溶融させるとともに、前記貫通孔内
のフラックスの溶剤成分を気化させる工程と、前記絶縁
基板をさらに加熱して第２の半田を溶融させることによ
り、第１の半田および第２の半田を構造的に一体化させ
て前記回路電極に半田接合する工程とを含む。
【００１１】請求項２記載の半田バンプの形成方法は、
請求項１記載の半田バンプの形成方法であって、前記第
２の半田が、錫、鉛、亜鉛、金、銀、銅、アンチモン、
インジウムおよびビスマスのいずれかを含む半田粒子で
あり、溶剤を含むフラックスと混合されたクリーム半田
の形態で供給されるようにした。
請求項１記載の半田バンプの形成方法であって、前記第
２の半田が、錫、鉛、亜鉛、金、銀、銅、アンチモン、
インジウムおよびビスマスのいずれかを含む半田粒子で
あり、溶剤を含むフラックスと混合されたクリーム半田
の形態で供給されるようにした。
【００１２】請求項３記載の半田バンプの形成方法は、
請求項１記載の半田バンプの形成方法であって、前記第
２の半田が、錫、鉛、亜鉛、金、銀、銅、アンチモン、
インジウムおよびビスマスのいずれかを含み、前記回路
基板にプリコートされて供給されるようにした。
請求項１記載の半田バンプの形成方法であって、前記第
２の半田が、錫、鉛、亜鉛、金、銀、銅、アンチモン、
インジウムおよびビスマスのいずれかを含み、前記回路
基板にプリコートされて供給されるようにした。
【００１３】請求項４記載の半田バンプの実装方法は、
電子部品に形成された半田バンプを基板の回路電極を覆
う絶縁膜に設けられた貫通孔を介して前記回路電極に半
田接合して、前記半田バンプを基板に実装する半田バン
プの実装方法であって、前記半田バンプより小さい径で
設けられた前記貫通孔内にこの半田バンプの材料である
第１の半田の液相線温度よりも高い液相線温度を有する
第２の半田およびフラックスを供給する工程と、前記貫
通孔上に前記半田バンプを搭載する工程と、前記基板を
加熱して第１の半田を溶融させるとともに、前記貫通孔
内のフラックスの溶剤成分を気化させる工程と、前記基
板をさらに加熱して第２の半田を溶融させることによ
り、第１の半田および第２の半田を構造的に一体化させ
前記回路電極に半田接合する工程とを含む。
電子部品に形成された半田バンプを基板の回路電極を覆
う絶縁膜に設けられた貫通孔を介して前記回路電極に半
田接合して、前記半田バンプを基板に実装する半田バン
プの実装方法であって、前記半田バンプより小さい径で
設けられた前記貫通孔内にこの半田バンプの材料である
第１の半田の液相線温度よりも高い液相線温度を有する
第２の半田およびフラックスを供給する工程と、前記貫
通孔上に前記半田バンプを搭載する工程と、前記基板を
加熱して第１の半田を溶融させるとともに、前記貫通孔
内のフラックスの溶剤成分を気化させる工程と、前記基
板をさらに加熱して第２の半田を溶融させることによ
り、第１の半田および第２の半田を構造的に一体化させ
前記回路電極に半田接合する工程とを含む。
【００１４】請求項５記載の半田バンプの実装方法は、
請求項４記載の半田バンプの実装方法であって、前記第
２の半田が、錫、鉛、亜鉛、金、銀、銅、アンチモン、
インジウムおよびビスマスのいずれかを含む半田粒子で
あり、溶剤を含むフラックスと混合されたクリーム半田
の形態で供給されるようにした。
請求項４記載の半田バンプの実装方法であって、前記第
２の半田が、錫、鉛、亜鉛、金、銀、銅、アンチモン、
インジウムおよびビスマスのいずれかを含む半田粒子で
あり、溶剤を含むフラックスと混合されたクリーム半田
の形態で供給されるようにした。
【００１５】請求項６記載の半田バンプの実装方法は、
請求項４記載の半田バンプの実装方法であって、前記第
２の半田が、錫、鉛、亜鉛、金、銀、銅、アンチモン、
インジウムおよびビスマスのいずれかを含み、前記回路
基板にプリコートされて供給されるようにした。
請求項４記載の半田バンプの実装方法であって、前記第
２の半田が、錫、鉛、亜鉛、金、銀、銅、アンチモン、
インジウムおよびビスマスのいずれかを含み、前記回路
基板にプリコートされて供給されるようにした。
【００１６】各請求項記載の発明によれば、半田ボール
もしくは半田バンプを回路電極と半田接合させる貫通孔
内に供給される第２の半田の液相線温度を、第１の半田
である半田ボールもしくは半田バンプの液相線温度より
も高くなるように第１および第２の半田の種類を組合せ
ることにより、加熱工程でのフラックス中の溶剤蒸気の
放散を容易にして半田接合中に溶剤蒸気が溶融半田中に
残留することによるボイドの発生を防止することができ
る。
もしくは半田バンプを回路電極と半田接合させる貫通孔
内に供給される第２の半田の液相線温度を、第１の半田
である半田ボールもしくは半田バンプの液相線温度より
も高くなるように第１および第２の半田の種類を組合せ
ることにより、加熱工程でのフラックス中の溶剤蒸気の
放散を容易にして半田接合中に溶剤蒸気が溶融半田中に
残留することによるボイドの発生を防止することができ
る。
【００１７】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）図１（ａ），
（ｂ），（ｃ），（ｄ），（ｅ），（ｆ）は本発明の実
施の形態１の半田バンプの形成方法の工程説明図であ
り、半田バンプの形成方法を工程順に示すものである。
図１（ａ）において、絶縁基板１１はポリイミドテープ
やガラエポ樹脂などの絶縁材料から成り、絶縁基板１１
には貫通孔１３が形成されている。貫通孔１３は絶縁基
板１１の下面に形成された回路電極１２の位置に対応し
て設けられ、絶縁基板１１の回路電極１２の反対面（図
１では貫通孔１３側の面）に半田バンプを形成するため
のものである。ここで、貫通孔１３の径は回路電極１２
の狭ピッチ化により小径化し、半田バンプ形成のために
搭載される半田ボールの径よりも小さいものとなってい
る。
（ｂ），（ｃ），（ｄ），（ｅ），（ｆ）は本発明の実
施の形態１の半田バンプの形成方法の工程説明図であ
り、半田バンプの形成方法を工程順に示すものである。
図１（ａ）において、絶縁基板１１はポリイミドテープ
やガラエポ樹脂などの絶縁材料から成り、絶縁基板１１
には貫通孔１３が形成されている。貫通孔１３は絶縁基
板１１の下面に形成された回路電極１２の位置に対応し
て設けられ、絶縁基板１１の回路電極１２の反対面（図
１では貫通孔１３側の面）に半田バンプを形成するため
のものである。ここで、貫通孔１３の径は回路電極１２
の狭ピッチ化により小径化し、半田バンプ形成のために
搭載される半田ボールの径よりも小さいものとなってい
る。
【００１８】次に図１（ｂ）に示すように、貫通孔１３
内に第２の半田であるクリーム半田１４が供給される。
クリーム半田１４は溶剤成分を含むフラックス中に銀と
錫の共晶半田の半田粒子１４ａを混合したものであり、
液相線温度は２２０°Ｃとなっている。これにより、貫
通孔１２内には、第２の半田とフラックスが同時に供給
される。
内に第２の半田であるクリーム半田１４が供給される。
クリーム半田１４は溶剤成分を含むフラックス中に銀と
錫の共晶半田の半田粒子１４ａを混合したものであり、
液相線温度は２２０°Ｃとなっている。これにより、貫
通孔１２内には、第２の半田とフラックスが同時に供給
される。
【００１９】次に図１（ｃ）に示すように、クリーム半
田１４が供給された貫通孔１３上に半田ボール１５を搭
載する。前述のように半田ボール１５の径は貫通孔１３
の径より大きく、半田ボール１５は貫通孔１３の底の回
路電極１２に当接する位置までは入り込まず、貫通孔１
３の上部を塞ぐ形となっている。半田ボール１５の材質
は第１の半田である鉛と錫の共晶半田であり、その液晶
点温度は１８３°Ｃである。すなわち前述の第２の半田
の液相線温度は、この第１の半田の液相線温度より高い
ものとなっている。
田１４が供給された貫通孔１３上に半田ボール１５を搭
載する。前述のように半田ボール１５の径は貫通孔１３
の径より大きく、半田ボール１５は貫通孔１３の底の回
路電極１２に当接する位置までは入り込まず、貫通孔１
３の上部を塞ぐ形となっている。半田ボール１５の材質
は第１の半田である鉛と錫の共晶半田であり、その液晶
点温度は１８３°Ｃである。すなわち前述の第２の半田
の液相線温度は、この第１の半田の液相線温度より高い
ものとなっている。
【００２０】この後、絶縁基板１１はリフロー工程に送
られ加熱される。温度上昇に伴いクリーム半田１４中の
フラックスの溶剤成分が気化を開始し、また加熱温度が
半田ボール１５の液相線温度である１８３°Ｃを超える
と、図１（ｄ）に示すように半田ボール１５は溶融し、
溶融半田１５’となる。これにより貫通孔１２内で気化
した溶剤蒸気１４ｂは、第２の半田がまだ溶融しない状
態で、すなわち溶融半田中で気泡を形成することなく貫
通孔１３内を上昇して外部へ放散される。このとき貫通
孔１３の上部を塞いだ溶融半田１５’は、単に表面張力
により球形状を保っている状態であるので、僅かな力で
変形する。したがって貫通孔１３内の溶剤蒸気１４ｂ
は、貫通孔１３の上端部と溶融半田１５’の隙間部分の
溶融半田１５’を容易に排除しながら外部に放散され
る。
られ加熱される。温度上昇に伴いクリーム半田１４中の
フラックスの溶剤成分が気化を開始し、また加熱温度が
半田ボール１５の液相線温度である１８３°Ｃを超える
と、図１（ｄ）に示すように半田ボール１５は溶融し、
溶融半田１５’となる。これにより貫通孔１２内で気化
した溶剤蒸気１４ｂは、第２の半田がまだ溶融しない状
態で、すなわち溶融半田中で気泡を形成することなく貫
通孔１３内を上昇して外部へ放散される。このとき貫通
孔１３の上部を塞いだ溶融半田１５’は、単に表面張力
により球形状を保っている状態であるので、僅かな力で
変形する。したがって貫通孔１３内の溶剤蒸気１４ｂ
は、貫通孔１３の上端部と溶融半田１５’の隙間部分の
溶融半田１５’を容易に排除しながら外部に放散され
る。
【００２１】この後更に温度が上昇して第２の半田の液
相線温度２２０°Ｃを超えると、クリーム半田１４中の
半田粒子が溶融する。これにより図１（ｅ）に示すよう
に、溶融半田１５’とクリーム半田１４が溶融した溶融
半田１４’は構造的に一体化して回路電極１２に半田接
合され、その後固化することにより、図１（ｆ）に示す
ように半田バンプ１６が形成される。このとき、前述の
ように半田ボール１５が溶融した後クリーム半田１４が
溶融するまでの間に、貫通孔１３中のクリーム半田１４
に含まれる溶剤成分は気化して半田ボール１５によって
阻害されることなく放散されるので、溶剤蒸気が気泡状
態で残留することによる接合部内のボイドの発生が防止
され、信頼性の高い半田バンプが形成される。なお、気
化して放散されるのはフラックス中の溶剤成分であり、
フラックス中の活性成分はそのまま残留するので半田接
合時のフラックスの作用が損なわれることはない。
相線温度２２０°Ｃを超えると、クリーム半田１４中の
半田粒子が溶融する。これにより図１（ｅ）に示すよう
に、溶融半田１５’とクリーム半田１４が溶融した溶融
半田１４’は構造的に一体化して回路電極１２に半田接
合され、その後固化することにより、図１（ｆ）に示す
ように半田バンプ１６が形成される。このとき、前述の
ように半田ボール１５が溶融した後クリーム半田１４が
溶融するまでの間に、貫通孔１３中のクリーム半田１４
に含まれる溶剤成分は気化して半田ボール１５によって
阻害されることなく放散されるので、溶剤蒸気が気泡状
態で残留することによる接合部内のボイドの発生が防止
され、信頼性の高い半田バンプが形成される。なお、気
化して放散されるのはフラックス中の溶剤成分であり、
フラックス中の活性成分はそのまま残留するので半田接
合時のフラックスの作用が損なわれることはない。
【００２２】（実施の形態２）図２（ａ），（ｂ），
（ｃ），（ｄ），（ｅ）は本発明の実施の形態２の半田
バンプの実装方法の工程説明図であり、半田バンプの実
装方法を工程順に示すものである。
（ｃ），（ｄ），（ｅ）は本発明の実施の形態２の半田
バンプの実装方法の工程説明図であり、半田バンプの実
装方法を工程順に示すものである。
【００２３】図２（ａ）において、基板２１の表面には
回路電極２２が形成されている。基板２１および回路電
極２２を覆って、エポキシやアクリルなどの樹脂材料よ
り成る絶縁膜としてのソルダーレジスト２３が形成され
ている。ソルダーレジスト２３の回路電極２２に対応し
た位置には貫通孔２４が設けられている。ここで貫通孔
２４の径は回路電極２２の狭ピッチ化により小径化し、
実装される半田バンプの径よりも小さいものとなってい
る。次に図２（ｂ）に示すように、貫通孔２４内に第２
の半田であるクリーム半田２５が供給される。クリーム
半田２５は、実施の形態１におけるクリーム半田１４と
同様のものである。
回路電極２２が形成されている。基板２１および回路電
極２２を覆って、エポキシやアクリルなどの樹脂材料よ
り成る絶縁膜としてのソルダーレジスト２３が形成され
ている。ソルダーレジスト２３の回路電極２２に対応し
た位置には貫通孔２４が設けられている。ここで貫通孔
２４の径は回路電極２２の狭ピッチ化により小径化し、
実装される半田バンプの径よりも小さいものとなってい
る。次に図２（ｂ）に示すように、貫通孔２４内に第２
の半田であるクリーム半田２５が供給される。クリーム
半田２５は、実施の形態１におけるクリーム半田１４と
同様のものである。
【００２４】次に図２（ｃ）に示すように、基板２１上
に球状の半田バンプ２６が形成された電子部品２７を搭
載する。前述のように半田バンプ２６の径は貫通孔２４
の径より大きく、したがって半田バンプ２６は貫通孔２
４の底の回路電極２２に当接する位置までは入り込ま
ず、上部を塞ぐ形となっている。半田バンプ２６の材質
は第１の半田であり、実施の形態１における半田ボール
１５と同様である。
に球状の半田バンプ２６が形成された電子部品２７を搭
載する。前述のように半田バンプ２６の径は貫通孔２４
の径より大きく、したがって半田バンプ２６は貫通孔２
４の底の回路電極２２に当接する位置までは入り込ま
ず、上部を塞ぐ形となっている。半田バンプ２６の材質
は第１の半田であり、実施の形態１における半田ボール
１５と同様である。
【００２５】この後基板２１はリフロー工程に送られ、
加熱される。これにより、図２（ｄ）に示すようにまず
半田バンプ２６が溶融して溶融半田２６’となり、クリ
ーム半田２５中のフラックス溶剤成分が気化する。さら
に加熱することにより図２（ｅ）に示すようにクリーム
半田２５も溶融して溶融半田２５’となり、溶融半田２
６’、２５’が構造的に一体化して回路電極２２に半田
接合され、これにより半田バンプ２６は基板２１に実装
される。このとき、実施の形態１と同様に、加熱工程に
おいてクリーム半田２５中の溶剤成分の放散が半田バン
プ２６によって阻害されることがなく、接合部内のボイ
ドの発生を予防して信頼性の高い半田バンプの実装を行
うことができる。
加熱される。これにより、図２（ｄ）に示すようにまず
半田バンプ２６が溶融して溶融半田２６’となり、クリ
ーム半田２５中のフラックス溶剤成分が気化する。さら
に加熱することにより図２（ｅ）に示すようにクリーム
半田２５も溶融して溶融半田２５’となり、溶融半田２
６’、２５’が構造的に一体化して回路電極２２に半田
接合され、これにより半田バンプ２６は基板２１に実装
される。このとき、実施の形態１と同様に、加熱工程に
おいてクリーム半田２５中の溶剤成分の放散が半田バン
プ２６によって阻害されることがなく、接合部内のボイ
ドの発生を予防して信頼性の高い半田バンプの実装を行
うことができる。
【００２６】なお、上記各実施の形態では、第２の半田
をクリーム半田としてフラックスとともに供給する例を
示しているが、これ以外の方法、たとえばまず回路電極
上に半田をプリコートし、この後に溶剤を含んだフラッ
クスをプリコートされた半田上に供給するようにしても
よい。また、第２の半田として、銀、錫の共晶半田以外
に、錫、鉛、亜鉛、金、銀、銅、インジウム、ビスマス
などの成分を含んだものを用いてもよい。
をクリーム半田としてフラックスとともに供給する例を
示しているが、これ以外の方法、たとえばまず回路電極
上に半田をプリコートし、この後に溶剤を含んだフラッ
クスをプリコートされた半田上に供給するようにしても
よい。また、第２の半田として、銀、錫の共晶半田以外
に、錫、鉛、亜鉛、金、銀、銅、インジウム、ビスマス
などの成分を含んだものを用いてもよい。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、半田ボールもしくは半
田バンプを回路電極と半田接合するための貫通孔内に供
給される第２の半田の液相線温度を、第１の半田である
半田ボールもしくは半田バンプの液相線温度よりも高く
なるように第１および第２の半田の種類を組合せるよう
にしたので、加熱工程でのフラックス中の溶剤蒸気の放
散を容易にして半田接合中の溶剤蒸気の残留によるボイ
ドの発生を防止することができる。したがって半田接合
部の欠陥の発生を防いで、信頼性の高い半田バンプの形
成および半田バンプの実装を行うことができる。
田バンプを回路電極と半田接合するための貫通孔内に供
給される第２の半田の液相線温度を、第１の半田である
半田ボールもしくは半田バンプの液相線温度よりも高く
なるように第１および第２の半田の種類を組合せるよう
にしたので、加熱工程でのフラックス中の溶剤蒸気の放
散を容易にして半田接合中の溶剤蒸気の残留によるボイ
ドの発生を防止することができる。したがって半田接合
部の欠陥の発生を防いで、信頼性の高い半田バンプの形
成および半田バンプの実装を行うことができる。
【図１】（ａ）本発明の実施の形態１の半田バンプの形
成方法の工程説明図 （ｂ）本発明の実施の形態１の半田バンプの形成方法の
工程説明図 （ｃ）本発明の実施の形態１の半田バンプの形成方法の
工程説明図 （ｄ）本発明の実施の形態１の半田バンプの形成方法の
工程説明図 （ｅ）本発明の実施の形態１の半田バンプの形成方法の
工程説明図 （ｆ）本発明の実施の形態１の半田バンプの形成方法の
工程説明図
成方法の工程説明図 （ｂ）本発明の実施の形態１の半田バンプの形成方法の
工程説明図 （ｃ）本発明の実施の形態１の半田バンプの形成方法の
工程説明図 （ｄ）本発明の実施の形態１の半田バンプの形成方法の
工程説明図 （ｅ）本発明の実施の形態１の半田バンプの形成方法の
工程説明図 （ｆ）本発明の実施の形態１の半田バンプの形成方法の
工程説明図
【図２】（ａ）本発明の実施の形態２の半田バンプの実
装方法の工程説明図 （ｂ）本発明の実施の形態２の半田バンプの実装方法の
工程説明図 （ｃ）本発明の実施の形態２の半田バンプの実装方法の
工程説明図 （ｄ）本発明の実施の形態２の半田バンプの実装方法の
工程説明図 （ｅ）本発明の実施の形態２の半田バンプの実装方法の
工程説明図
装方法の工程説明図 （ｂ）本発明の実施の形態２の半田バンプの実装方法の
工程説明図 （ｃ）本発明の実施の形態２の半田バンプの実装方法の
工程説明図 （ｄ）本発明の実施の形態２の半田バンプの実装方法の
工程説明図 （ｅ）本発明の実施の形態２の半田バンプの実装方法の
工程説明図
【図３】（ａ）従来のテープ状基板の部分断面図
（ｂ）従来のテープ状基板の部分断面図
（ｃ）従来のテープ状基板の部分断面図
１、１１ 絶縁基板
２、１２、２２ 回路電極
３、１３、２４ 貫通孔
４、１４、２５ クリーム半田
５、１５ 半田ボール
１６、２６ 半田バンプ
２１ 基板
２３ ソルダーレジスト
２７ 電子部品
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H05K 3/34
Claims (6)
- 【請求項１】絶縁基板に設けられた貫通孔を介して半田
ボールを回路電極に半田接合して前記絶縁基板の回路電
極の反対面に半田バンプを形成する半田バンプの形成方
法であって、前記半田ボールより小さい径で設けられた
前記貫通孔内にこの半田ボールの材料である第１の半田
の液相線温度よりも高い液相線温度を有する第２の半田
およびフラックスを供給する工程と、前記貫通孔上に前
記半田ボールを搭載する工程と、前記絶縁基板を加熱し
て第１の半田を溶融させるとともに、前記貫通孔内のフ
ラックスの溶剤成分を気化させる工程と、前記絶縁基板
をさらに加熱して第２の半田を溶融させることにより、
第１の半田および第２の半田を構造的に一体化させて前
記回路電極に半田接合する工程とを含むことを特徴とす
る半田バンプの形成方法。 - 【請求項２】前記第２の半田が、錫、鉛、亜鉛、金、
銀、銅、アンチモン、インジウムおよびビスマスのいず
れかを含む半田粒子であり、溶剤を含むフラックスと混
合されたクリーム半田の形態で供給されることを特徴と
する請求項１記載の半田バンプの形成方法。 - 【請求項３】前記第２の半田が、錫、鉛、亜鉛、金、
銀、銅、アンチモン、インジウムおよびビスマスのいず
れかを含み、前記回路基板にプリコートされて供給され
ることを特徴とする請求項１記載の半田バンプの形成方
法。 - 【請求項４】電子部品に形成された半田バンプを基板の
回路電極を覆う絶縁膜に設けられた貫通孔を介して前記
回路電極に半田接合して、前記半田バンプを基板に実装
する半田バンプの実装方法であって、前記半田バンプよ
り小さい径で設けられた前記貫通孔内にこの半田バンプ
の材料である第１の半田の液相線温度よりも高い液相線
温度を有する第２の半田およびフラックスを供給する工
程と、前記貫通孔上に前記半田バンプを搭載する工程
と、前記基板を加熱して第１の半田を溶融させるととも
に、前記貫通孔内のフラックスの溶剤成分を気化させる
工程と、前記基板をさらに加熱して第２の半田を溶融さ
せることにより、第１の半田および第２の半田を構造的
に一体化させ前記回路電極に半田接合する工程とを含む
ことを特徴とする半田バンプの実装方法。 - 【請求項５】前記第２の半田が、錫、鉛、亜鉛、金、
銀、銅、アンチモン、インジウムおよびビスマスのいず
れかを含む半田粒子であり、溶剤を含むフラックスと混
合されたクリーム半田の形態で供給されることを特徴と
する請求項４記載の半田バンプの実装方法。 - 【請求項６】前記第２の半田が、錫、鉛、亜鉛、金、
銀、銅、アンチモン、インジウムおよびビスマスのいず
れかを含み、前記回路基板にプリコートされて供給され
ることを特徴とする請求項４記載の半田バンプの実装方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06659298A JP3367413B2 (ja) | 1998-03-17 | 1998-03-17 | 半田バンプの形成方法および半田バンプの実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06659298A JP3367413B2 (ja) | 1998-03-17 | 1998-03-17 | 半田バンプの形成方法および半田バンプの実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11266073A JPH11266073A (ja) | 1999-09-28 |
| JP3367413B2 true JP3367413B2 (ja) | 2003-01-14 |
Family
ID=13320367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06659298A Expired - Fee Related JP3367413B2 (ja) | 1998-03-17 | 1998-03-17 | 半田バンプの形成方法および半田バンプの実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3367413B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100746365B1 (ko) | 2005-12-14 | 2007-08-06 | 삼성전기주식회사 | 플립칩 실장용 기판의 제조방법 |
| JP2011198777A (ja) * | 2008-06-12 | 2011-10-06 | Nihon Superior Co Ltd | はんだ接合方法及びはんだ継手 |
-
1998
- 1998-03-17 JP JP06659298A patent/JP3367413B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11266073A (ja) | 1999-09-28 |
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