JPH09293961A

JPH09293961A - 電子部品の実装方法

Info

Publication number: JPH09293961A
Application number: JP10793596A
Authority: JP
Inventors: Tetsuo Sato; 哲夫佐藤; Yoshihiro Ishida; 芳弘石田
Original assignee: Citizen Watch Co Ltd
Current assignee: Citizen Watch Co Ltd
Priority date: 1996-04-26
Filing date: 1996-04-26
Publication date: 1997-11-11

Abstract

(57)【要約】【課題】簡単な工程で信頼性の高い実装を可能とする
電子部品の実装方法の提供。【解決手段】電子部品の電極用パッドと回路基板のボ
ンディングパッドとをはんだを介してボンディングする
電子部品の実装方法において、電子部品１０の電極用パ
ッド１１と回路基板２０のボンディングパッド２１の両
方に粘着剤を付与して粘着膜を形成し、この粘着膜には
んだ粒子を付着し、このはんだ粒子を溶融かつ再固化さ
せてボンディングパッド２１にボール状のはんだバンプ
２３を形成し、電極用パッド１１にはんだ層１３を形成
し、電極用パッド１１のはんだ層１３をリフローしてボ
ンディングパッド２１のはんだバンプ２３とボンディン
グする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣチップ方式等
の電子部品を回路基板上に搭載して接続する電子部品の
実装方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子部品を回路基板上に実装する技術と
しては、従来より種々の方法が採用されているが、その
実装技術も、近年における高密度実施化に対応できるも
のでなければならない。高密度実装を可能ならしめるに
は、チップの微細化とともに、回路基板上のパターンの
微細化も必要不可欠である。

【０００３】現在、回路基板上に微細なパターンを作成
する方法としてめっき法が採用されているが、このめっ
き法にもいくつかの問題がある。すなわち、めっき法の
うち、電解めっき法は電気導通の点で困難をともない、
無電解めっき法は上記電解めっき法における電気導通の
問題点を解決するものの、はんだ層の厚さが薄く、必要
な厚さを得ることが困難であるという問題がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】一方、最近において、
めっき法によらずに電子部品のリードや、回路基板の露
出パターン上にはんだを塗布する技術が特開平７−２４
４号公報で提案されている。しかし、この技術を電子部
品の実装方法に応用する具体的な技術についてはまだ開
発されていない。

【０００５】本発明は上記の諸事情に鑑みてなされたも
のであり、簡単な工程で信頼性の高い実装を実現するこ
とのできる電子部品の実装方法の提供を目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の請求項１記載の電子部品の実装方法は、電
子部品の電極用パッドと回路基板のボンディングパッド
とをはんだを介してボンディングする実装方法におい
て、少なくとも、いずれか一方のパッド上に粘着剤を付
与して粘着膜を形成する粘着剤処理工程と、前記粘着膜
にはんだ粒子を付着するはんだ粒子付着工程と、前記は
んだ粒子を溶融かつ再固化させてはんだ部を形成するは
んだ部形成工程と、前記一方のパッドに形成したはんだ
部を、他方のパッド又は他方のパッドに形成したはんだ
部とボンディングする構成としてある。

【０００７】また、請求項２記載の電子部品の実装方法
は、前記粘着剤処理工程が、電子部品の電極用パッドと
回路基板のボンディングパッドの両方に粘着剤を付与し
て粘着膜を形成するものであり、前記はんだ部形成工程
が、一方のパッドに付着させたはんだ粒子を溶融，再固
化してボール状のはんだバンプを形成する工程と、他方
のパッドに付着させたはんだ粒子を溶融，再固化しては
んだ層を形成する構成としてある。

【０００８】また、請求項３記載の電子部品の実装方法
は、前記電子部品の電極用パッドにはんだバンプを形成
し、前記回路基板のボンディングパッドにはんだ層を形
成した構成としてある。

【０００９】また、請求項４記載の電子部品の実装方法
は、前記回路基板のボンディングパッドにはんだバンプ
を形成し、前記電子部品の電極用パッドをはんだ層で形
成した構成としてある。

【００１０】これらの方法によれば、微細なパッド上に
はんだバンプ及びはんだ層のはんだ部を確実に形成する
ことができる。

【００１１】また、請求項５記載の電子部品の実装方法
は、前記はんだ層に、前記はんだバンプを位置決めする
ための凹部を設けた構成としてある。

【００１２】また、請求項６記載の電子部品の実装方法
は、前記はんだ層に、前記はんだバンプを位置決めする
ためのはんだ層非形成部を設けた構成としてある。

【００１３】また、請求項７記載の電子部品の実装方法
は、回路基板のボンディングパッドにパターン非形成部
分を設けるとともに、前記はんだ層をパターン形成部分
にのみ形成することによって、はんだ層の非形成部分を
はんだバンプを位置決め部とした構成としてある。

【００１４】これらの方法によれば、はんだバンプをは
んだ層に確実に位置決めすることができる。

【００１５】また、請求項８記載の電子部品の実装方法
は、前記はんだ層に空気抜き部を設けた構成としてあ
る。

【００１６】また、請求項９記載の電子部品の実装方法
は、前記はんだ層非形成部及び／又は空気抜き部をレジ
ストで形成した構成としてある。

【００１７】これらの方法によれば、はんだバンプとは
んだ層をボンディングする際、はんだ部内に空気が残留
することなく、信頼性の高い実装を行なえる。

【００１８】また、請求項１０記載の電子部品の実装方
法は、前記はんだバンプを高温はんだで形成し、前記は
んだ層を低温はんだで形成した構成としてある。この方
法によると、高温はんだからなるはんだバンプがスペー
サとして機能し、電子部品と回路基板の間に一定の距離
（間隔）を保持できる。

【００１９】また、請求項１１記載の電子部品の実装方
法は、前記低温はんだが、錫を含有しないはんだからな
る構成としてある。この方法によると、はんだの濡れ性
がよくボンディングを確実に行なえる。

【００２０】また、請求項１２記載の電子部品の実装方
法は、電子部品の電極用パッド上に無電解処理によるニ
ッケルメッキ層を形成する工程と、前記ニッケルメッキ
層上に無電解処理による薄膜銅メッキ層を形成する工程
と、回路基板のボンディングパッド上に粘着剤を付与し
て粘着膜を形成する粘着処理工程と、前記粘着膜上には
んだ粒子を付着させるはんだ粒子付着工程と、前記はん
だ粒子を溶融かつ再固化させてボール状のバンプを形成
するはんだバンプ形成工程と、前記電子部品の電極用パ
ッドの無電解メッキ層を前記はんだバンプに搭載し、は
んだバンプを溶融，再固化させる構成としてある。

【００２１】また、請求項１３記載の電子部品の実装方
法は、前記はんだバンプが、はんだバンプ内に金属コア
を介在させて形成した構成としてある。

【００２２】また、請求項１４記載の電子部品の実装方
法は、前記はんだバンプが、高温はんだとこの高温はん
だの外周を低温はんだで被覆した構成としてある。

【００２３】また、請求項１５記載の電子部品の実装方
法は、前記電子部品として半導体素子を用いた構成とし
てあり、また請求項１６記載の電子部品の実装方法は、
前記電子部品としてチップサイズパッケージを用いた構
成としてある。

【００２４】

【本発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態につい
て図面を参照しつつ説明する。まず、本発明の第一実施
形態を図１（ａ）〜（ｄ）によって説明する。この第一
実施形態の実装方法は、電子部品としてのＩＣチップの
電極用パッドにはんだバンプを形成するとともに、回路
基板のボンディングパッドにはんだ層を形成し、これら
はんだバンプとはんだ層をボンディングさせたものであ
る。図１（ａ）において、１０は電子部品としてのＩＣ
チップであり、電極用パッド１１にはんだバンプ１２が
形成してある。また、２０は回路基板であり、パターン
の一部を成すボンディングパッド２１にはんだ層２２が
形成してある。

【００２５】ここで、電極用パッド１１及びボンディン
グパッド２１へのはんだ部（はんだバンプ１２及びはん
だ層２２）の形成は、概略次のようにして行なう。すな
わち、ＩＣチップ１０及び回路基板２０の露出している
パッド１１，２１上に粘着剤を付与し、乾燥させる（粘
着剤処理工程）。次いで、ＩＣチップ１０の電極用パッ
ド１１及び回路基板２０のボンディングパッド２１には
はんだ粒子を振りかける（はんだ付着工程）。その後、
はんだ粒子をパッド１１，２１に仮接着させるための加
熱処理を行なった後、粘着剤を付与した部分以外にある
はんだ粒子を軽くブラッシングして除去する（後処理工
程）。これにより、粘着剤を付与した部分にあるはんだ
粒子のみが残る。

【００２６】ＩＣチップ１０は、このようにして電極用
パッド１１の部分にはんだ粒子を仮接着させた後、その
表面上にフラックスを塗布し（フラックス塗布工程）、
次いで、リフロー炉の中を通す（はんだリフロー工
程）。これにより、溶融したはんだが表面張力でボール
状に丸まる。その後、洗浄及び乾燥を行なった後検査を
行ない（検査工程）、ＩＣチップ１０上にはんだバンプ
１２が完成する。

【００２７】一方、回路基板２０は、ボンディングパッ
ド２１の部分にはんだ粒子を仮接着させた後、その表面
上にフラックスを塗布し（フラックス塗布工程）、次い
で、リフロー炉の中を通す（はんだリフロー工程）。こ
れにより、溶融したはんだ粒子がはんだ層を形成する。
その後、洗浄及び乾燥を行なった後検査を行ない（検査
工程）、回路基板２０にはんだ層２２が完成する。

【００２８】なお、ＩＣチップ１０及び回路基板２０の
いずれの場合も、はんだリフロー工程の後ではんだの膜
厚が不足している場合は、粘着剤処理工程に戻り、以降
の工程を繰り返す。また、はんだ粒子の大きさは、はん
だバンプを形成する場合とはんだ層を形成する場合と
で、異なった大きさのものを選択してもよく、たとえ
ば、はんだ層の形成に際してははんだ粉末を用いてもよ
い。

【００２９】次に、図１（ｂ）に示すように、はんだバ
ンプ１２にフラックス３０を付着した後、はんだバンプ
１２とはんだ層２２の位置決めを行ない、両者を当接さ
せる。このとき、両者が外れないように仮接着のための
加熱処理を行なってもよい。

【００３０】その後、図１（ｃ）に示すようにリフロー
して、はんだバンプ１２とはんだ層２２を溶融しボンデ
ィングする。この場合、はんだバンプ１２のはんだとし
て、はんだ層２２と同じ融点のはんだを用い、はんだバ
ンプも同時に溶融してボンディングすることも可能であ
る。次いで、洗浄及び乾燥等を行なった後、図１（ｄ）
に示すような実装状態とする。このようにして、ＩＣチ
ップ１０と回路基板２０の実装が終了する。

【００３１】なお、この実装形態では、電子部品１０の
電極用パッド１１にはんだバンプ１２を形成し、回路基
板２０のボンディングパッド２１にはんだ層２２を形成
したが、実装条件等に応じ、図２（ａ）〜（ｄ）の第二
実施形態に示すように、電子部品１０の電極用パッド１
１にはんだ層１３を形成し、回路基板２０のボンディン
グパッド２１にはんだバンプ２３を形成してもよい。ま
た、電子部品１０として、ＩＣチップ以外のものを対象
とすることもできる。

【００３２】図３〜図７は、これら実施形態の実装方法
において形成するはんだ層の変形例を示す拡大図であ
る。第１変形例は、図３（ａ）の平面図と図３（ｂ）の
Ａ−Ａ線切断図に示すように、リング状のボンディング
パッド（パターン）２１を覆うはんだ層２２の中央に凹
部２２１を設けてある。このような凹部２２１をはんだ
層２２に設けると、はんだバンプ１２とはんだ層２２の
当接時におけるはんだバンプ１２の位置決めを容易かつ
正確に行なえる。このような凹部２２１は、ボンディン
グパッド２１の外径よりやや大きく図示しない粘着膜を
形成し、そこに図３（ｃ）に示すように、はんだ粒子２
２ａを満偏なく付着させることによって製作が可能とな
る。

【００３３】第２変形例は、図４（ａ）の平面図と図４
（ｂ）のＢ−Ｂ線切断図に示すように、リング状のボン
ディングパッド（パターン）２１を覆うはんだ層２２の
中央に孔部（はんだ非形成部分）２２２を設けてある。
このような孔部２２２を設けた場合も、変形例１と同様
はんだバンプ１２の位置決めを容易かつ正確に行なえ
る。このようなはんだ非形成部（孔部）２２２は、リン
グ状のボンディングパッド２１の幅よりもやや太い図示
しないリング状の粘着膜を形成し、そこに図４（Ｃ）に
示すようにはんだ粒子２２ａを付着させることによって
製作が可能となる。

【００３４】第３変形例は、図５（ａ）の平面図、図５
（ｂ）のＣ−Ｃ切断図に示すように、円形状のボンディ
ングパッド２１の中央にレジスト部２２３を形成し、こ
の部分をはんだの存在しない状態（はんだ非形成部）と
してある。このようなレジスト部２２３を形成したはん
だ非形成部分ははんだ層２２の部分より低くなり、上記
変形例１及び２と同様にはんだバンプ１２の位置決めを
容易かつ正確に行なえるようにする。このようなはんだ
非形成部は、図５（ｃ）に示すように、はんだ粒子２２
ａをレジスト２２３以外の部分に付着させることによっ
て製作が可能となる。

【００３５】第４変形例は、図６の平面図に示すよう
に、はんだ層２２及びリング状のボンディングパッド２
１の一部を切り欠いて放射状に空気抜き部２２４を形成
してある。このような空気抜き部２２４を形成すると、
はんだバンプ１２とはんだ層２２を溶融してボンディン
グする際に両者１２，２２の間の空気が外部に逃げ、は
んだ不良の発生を防ぐ。

【００３６】なお、空気抜き部２２４は、はんだ層２２
のみを切り欠いたもの、あるいははんだ層２２とボンデ
ィングパッド２１の両方を切り欠いたものであってもよ
い。また、ここで切り欠くとは、その部分からはんだ層
２２あるいはボンディングパッド２１を取り除いた場合
と、はんだ層に溝を形成しはんだ層を部分的に取り除い
た場合などを含む概念である。

【００３７】第５変形例は、図７の平面図に示すよう
に、第３変形例のレジスト部２２３を放射状に延設し、
この部分をはんだの存在しないはんだ非形成部からなる
空気抜き部２２５としてある。

【００３８】次に、電子部品の電極パッドと回路基板の
ボンディングパッドをボンディングするときに両パッド
間に一定の距離（間隔）をもたせてボンディングする変
形例（本実施形態の第６〜９変形例）について説明す
る。第６変形例は、図１（ａ）〜（ｄ）に示すＩＣチッ
プ１０における電子部品１１のはんだバンプ１２を高温
はんだで形成し、回路基板２０におけるボンディングパ
ッド２１のはんだ層２２を低温はんだで形成するように
してある。

【００３９】また、第７変形例は、図２（ａ）〜（ｄ）
に示す回路基板２０におけるボンディングパッド２１の
はんだバンプ２３を高温はんだで形成し、ＩＣチップ１
０における電子部品１１のはんだ層１３を低温はんだで
形成するようにしてある。

【００４０】このように、一方のパッド２１又は１１の
はんだ層２２又は１３を低温はんだで、他方のパッド１
１又は２１のはんだバンプ１２又は２３を高温はんだで
形成し、ボンディングにおける加熱温度を低温はんだの
溶融温度とすると、低温はんだのみが溶融し高温はんだ
は溶融しない。したがって、高温はんだすなわちはんだ
バンプ１２又は２３が、実装されたＩＣチップ１０と回
路基板２０の間に介在してスペーサとして機能し、両者
１０，２０の間に一定の距離を保つ。

【００４１】図８は、第８変形例を示すもので、はんだ
バンプ１２，２３の内層１２ａ，２３ａを高温はんだ
で、外層１２ｂ，２３ｂを低温はんだでそれぞれ形成す
るようにしてある。この場合も、低温はんだの溶融温度
でボンディングを行なうことにより、内層１２ａ，２３
ａの高温はんだが溶融しないでスペーサとして機能す
る。

【００４２】第８変形例におけるはんだバンプ１２，２
３の形成は、まず、内層の高温はんだについて前記した
粘着剤処理工程，はんだ付着工程，後処理工程及びはん
だリフロー工程を行ない、次いで、高温はんだの外周面
に対し粘着剤処理工程，はんだ付着工程，後処理工程及
びはんだリフロー工程を行なって低温はんだ層による外
層を形成する。

【００４３】図９は、第９変形例を示すもので、第８変
形例における高温はんだに代えて金属コアを用いてい
る。すなわち、はんだバンプ１２，２３の内層１２ａ，
２３ａを金属コアで形成し、その外層１２ｂ，２３ｂを
低温はんだ１２ｂ，２３ｂで形成するようにしてある。
この場合、金属コアがスペーサとして機能する。

【００４４】第９変形例におけるはんだバンプ１２，２
３の形成は、前記はんだ付着工程においてはんだといっ
しょに金属コアを付着させたり、あるいは、あらかじめ
はんだ粒子の中に金属コアを混入させておくことによっ
て行なう。

【００４５】図１０は本発明の第三実施形態を示すもの
で、回路基板２０のボンディングパッド２１上にのみは
んだバンプ２３を形成し、電子部品１０の電極用パッド
１１上に無電解メッキ層１４を形成したものである。す
なわち、図１０（ａ）に示すように、電子部品１０の電
極用パッド１１上には、無電解処理によるニッケルメッ
キ層を形成するとともに、このニッケルメッキ層上に無
電解処理による薄膜金メッキ層を形成し、ニッケルと金
からなる無電解メッキ層１４を形成する。

【００４６】一方、回路基板２０のボンディングパッド
２１上には、粘着剤を付与して粘着膜を形成する（粘着
剤処理工程）とともに、この粘着膜上にはんだ粒子を付
着させ（はんだ粒子付着工程）、その後はんだ粒子を溶
融かつ再固化させてボール状のはんだバンプ２３を形成
（はんだバンプ形成工程）する。

【００４７】次いで、図１０（ｂ）に示すようにフラッ
クス３０を付着した後、前記電子部品の電極用パッドの
無電解メッキ層１４を前記はんだバンプ２３に位置合わ
せを行なって搭載する。その後、図１０（ｃ）に示すよ
うにリフローして、はんだバンプ２３を溶融，再固化さ
せ図１０（ｄ）に示すような実装状態とする。

【００４８】なお、第三実施形態におけるはんだバンプ
２３としては、低温はんだ，高温はんだ、あるいは前記
した第８又は第９変形例のものを用いることができる。

【００４９】この電子部品の実装方法においては、前記
した各実施形態及び各変形例における電子部品１０とし
て、各種電子部品を適用できるが、特に、チップ状態又
はウェハー状態にある半導体素子、あるいはチップと同
じサイズの基板上にチップを搭載して封止したチップサ
イズパッケージに適用すると好適である。また、前記各
変形例における低温はんだは、濡れ性を良くするため錫
の含有していないもの、あるいは含有していてもその量
を微少とすることが好ましい。

【００５０】

【発明の効果】以上のように、本発明の電子部品の実装
方法によれば、簡単な工程で信頼性の高い実装を実現す
ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（ａ）〜（ｄ）は、本発明方法の第１実施
形態の工程を示す図である。

【図２】図２（ａ）〜（ｄ）は、本発明方法の第２実施
形態の工程を示す図である。

【図３】図３（ａ），（ｂ），（ｃ）は、はんだ層を変
形させた第１又は第２実施形態の第１変形例を示す平面
図とＡ−Ａ線切断図及びその製造説明図である。

【図４】図４（ａ），（ｂ），（ｃ）は、はんだ層を変
形させた第１又は第２実施形態の第１変形例を示す平面
図とＢ−Ｂ線切断図及びその製造説明図である。

【図５】図５（ａ），（ｂ），（ｃ）は、はんだ層を変
形させた第１又は第２実施形態の第３変形例を示す平面
図とＣ−Ｃ線切断図及びその製造説明図である。

【図６】図６は、はんだ層を変形させた第１又は第２実
施形態の第４変形例を示す平面図である。

【図７】図７は、はんだ層を変形させた第１又は第２実
施形態の第５変形例を示す平面図である。

【図８】図８は、はんだバンプを変形させた第１又は第
２実施形態の第８変形例を示す断面図である。

【図９】図９は、はんだバンプを変形させた第１又は第
２実施形態の第９変形例を示す断面図である。

【図１０】図１０（ａ）〜（ｄ）は、本発明方法の第３
実施形態の工程を示す図である。

【符号の説明】

１０電子部品（ＩＣチップ）１１電極用パッド２０回路基板２１ボンディングパッド１２，２３はんだバンプ２２，１３はんだ層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電子部品の電極用パッドと回路基板のボ
ンディングパッドとをはんだを介してボンディングする
電子部品の実装方法において、少なくとも、いずれか一方のパッド上に粘着剤を付与し
て粘着膜を形成する粘着剤処理工程と、前記粘着膜にはんだ粒子を付着するはんだ粒子付着工程
と、前記はんだ粒子を溶融かつ再固化させてはんだ部を形成
するはんだ部形成工程と、前記一方のパッドに形成したはんだ部を、他方のパッド
又は他方のパッドに形成したはんだ部とボンディングす
るボンディング工程とを有する電子部品の実装方法。
【請求項２】前記粘着剤処理工程が、電子部品の電極
用パッドと回路基板のボンディングパッドの両方に粘着
剤を付与して粘着膜を形成するものであり、前記はんだ部形成工程が、一方のパッドに付着させたは
んだ粒子を溶融，再固化してボール状のはんだバンプを
形成する工程と、他方のパッドに付着させたはんだ粒子
を溶融，再固化してはんだ層を形成する工程とからなる
請求項１記載の電子部品の実装方法。
【請求項３】前記電子部品の電極用パッドにはんだバ
ンプを形成し、前記回路基板のボンディングパッドには
んだ層を形成した請求項１又は２記載の電子部品の実装
方法。
【請求項４】前記回路基板のボンディングパッドには
んだバンプを形成し、前記電子部品の電極用パッドには
んだ層を形成した請求項１又は２記載の電子部品の実装
方法。
【請求項５】前記はんだ層に、前記はんだバンプを位
置決めするための凹部を設けた請求項３記載の電子部品
の実装方法。
【請求項６】前記はんだ層に、前記はんだバンプを位
置決めするためのはんだ層非形成部を設けた請求項３記
載の電子部品の実装方法。
【請求項７】請求項３記載のボンディングパッドにパ
ターン非形成部分を設けるとともに、前記はんだ層をパ
ターン形成部分にのみ形成することによって、はんだ層
の非形成部分をはんだバンプの位置決め部とした電子部
品の実装方法。
【請求項８】前記はんだ層に空気抜き部を設けた請求
項５〜７のいずれかに記載の電子部品の実装方法。
【請求項９】前記はんだ層非形成部及び／又は空気抜
き部をレジストで形成した請求項６，７又は８記載の電
子部品の実装方法。
【請求項１０】前記はんだバンプを高温はんだで形成
し、前記はんだ層を低温はんだで形成した請求項３〜９
のいずれかに記載の電子部品の実装方法。
【請求項１１】前記低温はんだが、錫を含有しないは
んだからなる請求項１０記載の電子部品の実装方法。
【請求項１２】電子部品の電極用パッド上に無電解処
理によるニッケルメッキ層を形成する工程と、前記ニッケルメッキ層上に無電解処理による薄膜金メッ
キ層を形成する工程と、回路基板のボンディングパッド上に粘着剤を付与して粘
着膜を形成する粘着処理工程と、前記粘着膜上にはんだ粒子を付着させるはんだ粒子付着
工程と、前記はんだ粒子を溶融かつ再固化させてボール状のバン
プを形成するはんだバンプ形成工程と、前記電子部品の電極用パッドの無電解メッキ層を前記は
んだバンプに搭載し、はんだバンプを溶融，再固化させ
るリフロー工程とからなる電子部品の実装方法。
【請求項１３】前記はんだバンプが、はんだバンプ内
に金属コアを介在させて形成したものである請求項３，
４，１０又は１２記載の電子部品の実装方法。
【請求項１４】前記はんだバンプが、高温はんだとこ
の高温はんだの外周を低温はんだで被覆したものである
請求項３，４又は１２記載の電子部品の実装方法。
【請求項１５】前記電子部品が半導体素子である請求
項１〜１４のいずれかに記載の電子部品の実装方法。
【請求項１６】前記電子部品がチップサイズパッケー
ジである請求項１〜１４のいずれかに記載の電子部品の
実装方法。