JPH07122566A - はんだ材料の金属細線 - Google Patents

はんだ材料の金属細線

Info

Publication number
JPH07122566A
JPH07122566A JP5268741A JP26874193A JPH07122566A JP H07122566 A JPH07122566 A JP H07122566A JP 5268741 A JP5268741 A JP 5268741A JP 26874193 A JP26874193 A JP 26874193A JP H07122566 A JPH07122566 A JP H07122566A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
metal
solder
solder material
core wire
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5268741A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsukasa Shiraishi
司 白石
Eiichiro Tanaka
栄一郎 田中
Shinji Fujiwara
慎司 藤原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP5268741A priority Critical patent/JPH07122566A/ja
Publication of JPH07122566A publication Critical patent/JPH07122566A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/4501Shape
    • H01L2224/45012Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015Cross-sectional shape being circular
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45101Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/45109Indium (In) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45101Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/45111Tin (Sn) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45139Silver (Ag) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554Coating
    • H01L2224/45565Single coating layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ワイヤーボンダーを用いてはんだバンプを形
成してフリップチップを行なった際の、接続の信頼性の
向上。 【構成】 機械的強度の強い金属の芯線と、前記芯線の
周囲に金属皮膜を被覆した構造とし、芯線及び金属皮膜
は所望の温度で溶融するはんだ材料より形成する。 【効果】 上記した金属細線より形成したはんだバンプ
を用いてフリップチップ実装した際、溶融はんだ中に金
属魂が存在しないので接合強度の劣化がなく、接続の信
頼性を高めることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ボールボンディング方
式を用いてはんだバンプを形成する際のはんだ材料の金
属細線、特に低融点はんだ材料の金属細線に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】従来、はんだバンプを形成する方法とし
てはんだメッキによる方法、はんだボールによる接合方
法、ワイヤーボンダを利用したボールボンディング方式
を用いた方法等がある。その中でワイヤーボンダーを利
用したボールボンディング方式を用いたはんだバンプ形
成が工程の簡易性、生産性、確実性において他の方式に
比べ優れているとされている。この方式は、はんだ材料
の直径約50μm程度の極細の金属細線の先端にはんだ
ボールを形成し、そのはんだボールをICチップ等の電
極パッドに押圧して接合し、はんだ材料の金属細線を引
き上げて金属細線と先端のボール部の接続部付近で切断
した後、必要に応じリフロー等により整形を施してはん
だバンプを形成する。
【0003】以下図面を参照しながら、上記した従来の
はんだバンプを形成するはんだ材料の金属細線の一例に
ついて説明する。
【0004】図2は、従来のはんだ材料の金属細線の断
面図を示すものである。図2においてはんだ材料の金属
細線は、例えば銅及びアルミニウム等のワイヤーボンデ
ィングに使用する低融点はんだ材料以外の金属の芯線1
1に、低融点はんだ材料皮膜12を被覆したものであ
る。芯線11は例えば直径が15μmであり、直径が例
えば50μmである低融点はんだ材料皮膜12は、芯線
11に電気メッキで形成したり、所定の径より太い芯線
11に、所定の肉厚より厚い低融点はんだ材料皮膜12
を被覆した後、ダイスを通す線引き加工等により作成す
る。
【0005】ここで芯線11は、低融点はんだ材料だけ
で線引き加工を行なうと、低融点はんだ材料の機械的強
度の不足により切れ易く直径50μm程度の極細の金属
細線にする事が困難なため必要としている(特開平4−
33405号公報)。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、図3に示す通りこの金属細線を使用して
ICチップ13の電極14上に形成したはんだバンプ1
5を、回路基板16側の電極17に接触させてリフロー
処理してフリップチップ実装した際、はんだ中に溶融し
ない芯線11材料の金属塊18が収容されているこの
で、接合の強度が弱くなり、接続の信頼性が劣化すると
いう問題点を有していた。
【0007】本発明は上記問題点に鑑み、接続の信頼性
の高いフリップチップ実装を行なうためのボールボンデ
ィング方式によるはんだバンプを形成することが可能
な、はんだ材料の金属細線を提供するものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明のはんだ材料の金属細線は、機械的強度の強
い金属の芯線と、前記芯線の周囲に金属皮膜を被覆した
金属線において、比較的低温で前記芯線及び金属皮膜は
所望の温度で溶融するはんだ材料より形成した構成を備
えたものである。
【0009】
【作用】本発明は上記した構成によって、本発明のはん
だ材料の金属細線を用いて作成したはんだバンプにより
フリップチップ実装を行なった際、芯線が金属皮膜と合
金をつくり易い構成を形成しているので、はんだ中に溶
融しない金属塊は存在しなくなるために接合強度の劣化
がなく、接続の信頼性の高いフリップチップ実装を行な
う事ができる。
【0010】
【実施例】以下本発明の一実施例のはんだ材料の金属細
線について、図面を参照しながら説明する。
【0011】図1は本発明の構成の実施例におけるはん
だ材料の金属細線の断面図を示すものである。図1にお
いて、1は全体重量の5%以下のAgとInやSnから
なる金属の芯線で、2はこの芯線1に被覆したInやS
nにより形成される低融点はんだ材料皮膜である。
【0012】以上のように構成された金属細線につい
て、その作成方法を説明する。芯線1をダイスを通す線
引き加工等により細線加工した後、電気メッキ、溶融メ
ッキ等のメッキ工法あるいはスパッタ、蒸着等の薄膜形
成技術により低融点はんだ材料皮膜2を被覆して直径5
0μm程度の極細のはんだ材料の金属細線を作製する。
【0013】ここで、芯線1にAgが含有するのは、A
gは引っ張り強さがアルミニウムの約2.7倍もある機
械的強度に優れるため、Agが含有することで機械的強
度を向上させる事ができ、細線とする際の線引き加工が
容易に行えるためである。また、Agの含有率を全体重
量の5%以下とすることで、はんだバンプを約200℃
以下の低温でリフローした際も、はんだ中にAgが充分
溶融分散し、金属魂とはならない。更に、Agが含有す
ることではんだのぬれ性が向上し、ICチップのアルミ
ニウム電極上にも直接はんだバンプを形成する事が可能
となる。
【0014】このように、In、Sn、Agの金属で形
成した芯線構造の金属細線を用いて作成したはんだバン
プによりフリップチップ実装を行なう事により、接続の
信頼性を高めることができる。さらに、金属細線の作製
における簡易性やはんだバンプのぬれ性の向上という効
果も併せ持つことができる。
【0015】なお、芯線1はAgとInやSnからなる
としたが、Agだけとしてもよい。
【0016】
【発明の効果】以上のように本発明は、機械的強度の強
い金属の芯線と、前記芯線の周囲に金属皮膜を被覆した
金属線において、前記芯線及び金属皮膜は所望の温度で
溶融するはんだ材料より形成したことを特徴とする金属
細線とすることにより、この金属細線を用いてはんだバ
ンプを作製し、このはんだバンプを用いてフリップチッ
プ実装を行なった際、はんだ中に溶融しない金属塊は存
在しないため接合強度の劣化がなく、接続の信頼性の高
いフリップチップ実装を行なう事ができる
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のはんだ材料の金属細線の断面図
【図2】従来のはんだ材料の金属細線の断面図
【図3】従来のはんだ材料の金属細線を用いたはんだバ
ンプによりフリップチップ実装を行なった際の状態図
【符号の説明】
1 AgとInやSnからなる金属の芯線 2 InやSnにより形成される低融点はんだ材料皮膜 11 銅及びアルミニウム等のワイヤーボンディングに
使用する低融点はんだ材料以外の芯線 12 低融点はんだ材料皮膜 13 ICチップ 14、17 電極 15 はんだバンプ 16 回路基板 18 芯線材料の金属魂

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】機械的強度の強い金属の芯線と、前記芯線
    の周囲に金属皮膜を被覆した金属線において、前記芯線
    及び金属皮膜は所望の温度で溶融するはんだ材料より形
    成したことを特徴とする金属細線。
  2. 【請求項2】前記芯線は、全体重量の5%以下のAgを
    含むことを特徴とした請求項1記載の金属細線。
  3. 【請求項3】前記はんだ材料は、少なくともIn、S
    n、Agの金属から形成されていることを特徴とした請
    求項1記載の金属細線。
JP5268741A 1993-10-27 1993-10-27 はんだ材料の金属細線 Pending JPH07122566A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5268741A JPH07122566A (ja) 1993-10-27 1993-10-27 はんだ材料の金属細線

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5268741A JPH07122566A (ja) 1993-10-27 1993-10-27 はんだ材料の金属細線

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07122566A true JPH07122566A (ja) 1995-05-12

Family

ID=17462704

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5268741A Pending JPH07122566A (ja) 1993-10-27 1993-10-27 はんだ材料の金属細線

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH07122566A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006074587A (ja) * 2004-09-03 2006-03-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波装置およびこれを用いた電子部品モジュール
CN105977231A (zh) * 2015-03-13 2016-09-28 联发科技股份有限公司 复合焊球、半导体封装、半导体装置及制造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006074587A (ja) * 2004-09-03 2006-03-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波装置およびこれを用いた電子部品モジュール
JP4556568B2 (ja) * 2004-09-03 2010-10-06 パナソニック株式会社 弾性表面波装置の製造方法
CN105977231A (zh) * 2015-03-13 2016-09-28 联发科技股份有限公司 复合焊球、半导体封装、半导体装置及制造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6164523A (en) Electronic component and method of manufacture
US8013428B2 (en) Whisker-free lead frames
TWI304006B (en) Tin/indium lead-free solders for low stress chip attachment
JP3201957B2 (ja) 金属バンプ、金属バンプの製造方法、接続構造体
JP2001298051A (ja) はんだ接続部
US4096983A (en) Bonding copper leads to gold film coatings on alumina ceramic substrate
JP2737953B2 (ja) 金バンプ用金合金細線
JPH07122566A (ja) はんだ材料の金属細線
JP4175858B2 (ja) はんだ被覆ボールの製造方法
JPH0845940A (ja) 半田ワイヤ及び半田バンプ電極
JP2007188943A (ja) はんだバンプ、はんだバンプの形成方法及び半導体装置
JPH03200343A (ja) 半田バンプの形成方法
JPS5868945A (ja) フリツプチツプボンデイング法
JPH07307341A (ja) バンプの形成方法
JP2911005B2 (ja) バンプ電極の処理方法
JP3346137B2 (ja) 半田バンプの形成方法
JP3024506B2 (ja) Siチップとパッケージの接続方法
JP3091076B2 (ja) バンプ用微小金ボール
JPH08148496A (ja) 半導体装置及び半導体装置用バンプ
JP2848373B2 (ja) 半導体装置
JPH02251155A (ja) 半導体素子用金合金細線及びその接合方法
JP3086126B2 (ja) バンプ用微小金ボール
JPH04334035A (ja) 半田ワイヤとそのワイヤを使用した半田バンプの形成方法
JPS61206235A (ja) パツケ−ジ構造体及びその製法
JPH11330108A (ja) 電子部品の接合方法及び接合材