JP6957157B2 - 固体撮像装置、撮像システム、および固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
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Description
前記第1転送部および前記第3転送部がオフの状態において、前記第1転送部のポテンシャル障壁は、前記第3転送部のポテンシャル障壁よりも高いことを特徴とする。
図1は本発明に係る固体撮像装置の概略ブロック図である。固体撮像装置101は、CMOSイメージセンサであって、撮像領域102、垂直走査回路103、電源供給部104、水平走査回路105、出力部106を含む。撮像領域102は行列状に配列された複数の画素10を備え、それぞれの画素10は照射光に基づき電荷を生成および蓄積する光電変換部を備える。なお、本明細書において、行方向とは図面における水平方向を示し、列方向とは図面において垂直方向を示すものとする。画素10上にはマイクロレンズ、カラーフィルタが配置され得る。カラーフィルタは例えば赤、青、緑の原色フィルタであって、ベイヤー配列に従って各画素10に設けられている。一部の画素10はOB画素(オプティカル・ブラック画素)として遮光されている。複数の画素10には、焦点検出用の画素信号を出力する焦点検出画素が配された測距行と、画像を生成するための画素信号を出力する撮像画素が配された複数の撮像行とが設けられている。1つの列に含まれる複数の画素10が、1つの列信号線Voutに接続される。
図5(a)において、まず第1導電型の半導体基板401を用意する。この半導体基板401上に、フォトレジスト膜を塗布し、フォトリソグラフィ工程を行って、画素領域を開口するようにフォトレジスト膜のパターンを形成する。フォトレジスト膜をマスクとして第2導電型のイオン注入を行う。さらに、第2導電型のイオン注入された領域よりも浅い領域に第1導電型のイオン注入を行ってもよい。その後、フォトレジスト膜を除去し、活性化アニールを行い、第2導電型の埋め込み層402、第1導電型のウェル403を形成する。
上述の実施形態における固体撮像装置は種々の撮像システムに適用可能である。撮像システムとして、デジタルスチルカメラ、デジタルカムコーダ、カメラヘッド、複写機、ファックス、携帯電話、車載カメラ、観測衛星、監視カメラなどがあげられる。図15に、撮像システムの例としてデジタルスチルカメラのブロック図を示す。
図11(a)、図11(b)は、本発明の第3実施形態における車戴カメラに関する撮像システムの一例を示したものである。撮像システム2000は、上述した実施形態の撮像装置1004を有する。撮像システム2000は、撮像装置1004により取得された複数の画像データに対し、画像処理を行う画像処理部2030と、撮像システム2000により取得された複数の画像データから視差(視差画像の位相差)の算出を行う視差算出部2040を有する。また、撮像システム2000は、算出された視差に基づいて対象物までの距離を算出する距離計測部2050と、算出された距離に基づいて衝突可能性があるか否かを判定する衝突判定部2060とを有する。ここで、視差算出部2040、距離計測部2050は、対象物までの距離情報を取得する距離情報取得手段の一例である。すなわち、距離情報とは、視差、デフォーカス量、対象物までの距離等に関する情報である。衝突判定部2060はこれらの距離情報のいずれかを用いて、衝突可能性を判定してもよい。距離情報取得手段は、専用に設計されたハードウェアによって実現されてもよいし、ソフトウェアモジュールによって実現されてもよい。また、FPGA(Field Programmable Gate Array)、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)によって実現されてもよいし、これらの組合せによって実現されてもよい。
本発明は、上述の実施形態に限らず種々の変形が可能である。例えば、いずれかの実施形態の一部の構成を他の実施形態に追加した例や、他の実施形態の一部の構成と置換した例も、本発明の実施形態である。
2 保持部
3 フローティングディフュージョン部
4 電荷排出部
11 第1転送ゲート
12 第2転送ゲート
13 第3転送ゲート
401 半導体基板
410 第1電荷障壁領域
411 転送補助領域
412 第2電荷障壁領域
413 第3電荷障壁領域
Claims (18)
- 第1導電型の光電変換部と、
第1導電型の保持部と、
第1導電型のフローティングディフュージョン部と、
電荷排出部と、
第1のゲートを含み、前記光電変換部から前記保持部へ電荷を転送する第1転送部と、
第2のゲートを含み、前記保持部から前記フローティングディフュージョン部へ電荷を転送する第2転送部と、
第3のゲートを含み、前記光電変換部から前記電荷排出部へ電荷を排出する第3転送部とを備え、
前記第1転送部の前記第1のゲートの下の少なくとも一部の領域における第2導電型の不純物濃度は、前記第2転送部の前記第2のゲートの下の領域における第2導電型の不純物濃度、および、前記第3転送部の前記第3のゲートの下の領域における第2導電型の不純物濃度よりも低く、
前記第1転送部および前記第3転送部がオフの状態において、前記第1転送部のポテンシャル障壁は、前記第3転送部のポテンシャル障壁よりも高い状態となることが少なくともあることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記第1転送部の前記第1のゲートのゲート幅は、前記第3転送部の前記第3のゲートのゲート幅よりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記第1転送部の前記第1のゲートのゲート長は、前記第3転送部の前記第3のゲートのゲート長よりも長いことを特徴とする請求項1または2に記載の固体撮像装置。
- 前記光電変換部に電荷を蓄積中において、前記第1転送部の前記第1のゲートに印加される電圧は、前記第3転送部の前記第3のゲートに印加される電圧よりも低いことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 前記第1転送部の前記第1のゲートの下の少なくとも一部に第1導電型の転送補助領域が形成されたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 前記転送補助領域は前記第1転送部の前記第1のゲートの下の領域のうち前記保持部の側の部分に形成されたことを特徴とする請求項5に記載の固体撮像装置。
- 前記第1転送部の前記第1のゲートの下の少なくとも一部に第2導電型の第1電荷障壁領域が形成され、前記第2転送部の前記第2のゲートの下の少なくとも一部に第2導電型の第2電荷障壁領域が形成され、前記第3転送部の前記第3のゲートの下の少なくとも一部に第2導電型の第3電荷障壁領域が形成されたことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- 前記第1電荷障壁領域は前記第1転送部の前記第1のゲートの下の前記保持部の側に形成され、前記第2電荷障壁領域は前記第2転送部の前記第2のゲートの下の前記フローティングディフュージョン部の側に形成され、前記第3電荷障壁領域は前記第3転送部の前記第3のゲートの下の前記電荷排出部の側に形成されたことを特徴とする請求項7に記載の固体撮像装置。
- 請求項1乃至8のいずれか1項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力された画像信号を処理する信号処理装置と
を有することを特徴とする撮像システム。 - 移動体であって、
請求項1乃至8のいずれか1項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置からの信号に基づく視差画像から、対象物までの距離情報を取得する距離情報取得手段と、
前記距離情報に基づいて前記移動体を制御する移動体制御手段と
を有することを特徴とする移動体。 - 半導体基板にそれぞれ第1導電型の光電変換部、保持部、フローティングディフュージョン部を形成する工程と、
前記半導体基板に電荷排出部を形成する工程と、
前記光電変換部から前記保持部へ電荷を転送する第1転送部を形成する工程と、
前記保持部から前記フローティングディフュージョン部へ電荷を転送する第2転送部を形成する工程と、
前記光電変換部から前記電荷排出部へ電荷を排出する第3転送部を形成する工程と、
前記第1転送部が形成される領域、前記第2転送部が形成される領域および前記第3転送部が形成される領域のそれぞれに、ポテンシャル障壁を形成するための第2導電型の電荷障壁領域を形成する工程と、
前記第3転送部が形成される領域および前記第2転送部が形成される領域を覆い、前記第1転送部が形成される領域を露出するマスクを用いて、前記第1転送部が形成される領域の少なくとも一部に第1導電型の転送補助領域を形成する工程と、を備え、
前記第1転送部の第1のゲートの下の少なくとも一部の領域における第2導電型の不純物濃度は、前記第2転送部の第2のゲートの下の領域における第2導電型の不純物濃度、および、前記第3転送部の第3のゲートの下の領域における第2導電型の不純物濃度よりも低く、
前記第1転送部および前記第3転送部がオフの状態において、前記第1転送部のポテンシャル障壁は、前記第3転送部のポテンシャル障壁よりも高いことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 前記第1転送部のゲート幅は、前記第2転送部および前記第3転送部のそれぞれのゲート幅よりも小さいことを特徴とする請求項11に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記第1転送部のゲート長は、前記第2転送部および前記第3転送部のゲート長よりも長いことを特徴とする請求項11または12に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記第1転送部の形成される領域の少なくとも一部に第2導電型の第1電荷障壁領域を形成し、前記第2転送部の形成される領域の少なくとも一部に第2導電型の第2電荷障壁領域を形成し、前記第3転送部の形成される領域の少なくとも一部に第2導電型の第3電荷障壁領域を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項11乃至13のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記第1電荷障壁領域は前記転送補助領域より深い位置に形成されることを特徴とする請求項14に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記第2電荷障壁領域および前記第3電荷障壁領域は同一マスクを用いて形成されることを特徴とする請求項14または15に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記第1電荷障壁領域および前記第3電荷障壁領域はそれぞれ異なるマスクを用いて形成されることを特徴とする請求項14乃至16のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記第1電荷障壁領域と前記転送補助領域とは同じマスクを用いて形成されることを特徴とする請求項14乃至請求項17のいずれか1項に記載の固体撮像装置の製造方法。
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