KR20140047934A - 3차원 이미지 센서 및 이의 제조 방법 - Google Patents
3차원 이미지 센서 및 이의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20140047934A KR20140047934A KR1020120114308A KR20120114308A KR20140047934A KR 20140047934 A KR20140047934 A KR 20140047934A KR 1020120114308 A KR1020120114308 A KR 1020120114308A KR 20120114308 A KR20120114308 A KR 20120114308A KR 20140047934 A KR20140047934 A KR 20140047934A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- gate insulating
- insulating film
- gate
- substrate
- drain
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 74
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 61
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 64
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 22
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 11
- 101100191136 Arabidopsis thaliana PCMP-A2 gene Proteins 0.000 description 10
- 101100422768 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) SUL2 gene Proteins 0.000 description 10
- 101100048260 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) UBX2 gene Proteins 0.000 description 10
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 9
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 241000212977 Andira Species 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
- H01L27/14605—Structural or functional details relating to the position of the pixel elements, e.g. smaller pixel elements in the center of the imager compared to pixel elements at the periphery
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/1461—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements characterised by the photosensitive area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1463—Pixel isolation structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
본 발명은 3차원 이미지 센서 및 이의 제조 방법을 제공한다. 이 3차원 이미지 센서에서는 다른 게이트들 보다 빠른 동작이 요구되는 제 2 전송 게이트와 드레인 게이트의 게이트 절연막이 다른 게이트 절연막들보다 얇은 두께를 가져 상기 제 2 전송 게이트와 상기 드레인 게이트의 동작 전압을 낮출 수 있다. 이로써, 3차원 이미지 센서의 전력 소모를 줄일 수 있다.
Description
본 발명은 3차원 이미지 센서 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
광 감지 장치는 광학 정보(optical information)를 통해 제공되는 영상(Image) 또는 거리(Distance, Depth) 정보를 전기적인 신호로 변환하는 장치이다. 그 응용 분야에 따라 보다 정밀하면서도 정확하게 원하는 정보를 제공하기 위한 노력이 진행 중이다. 그 중에서도 기존의 영상 정보에 거리 정보까지 제공하는 3차원 입체 이미지 센서(3D Depth Image Sensor)에 대한 연구 및 개발이 최근 활발하게 진행되고 있다. 3차원 입체 영상은 색상 영상과 깊이 영상을 포함한다. 깊이 영상은 TOF(Time of Flight) 방식에 의해 획득될 수 있다. 적외선 기반의 카메라는, 적외선을 물체에 조사하여 되돌아 온 반사광을 감지하고, TOF를 측정함으로써 카메라와 상기 물체까지의 거리를 계산한다. 계산된 거리는 깊이 영상의 깊이(depth)로 사용된다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 전력 소모를 줄일 수 있는 3차원 이미지 센서를 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 상기 3차원 이미지 센서의 제조 방법을 제공하는데 있다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 3차원 이미지 센서는 복수개의 제 1 화소 영역들과 제 2 화소 영역들을 포함하는 기판; 상기 제 1 화소 영역들의 각각에서 상기 기판 내에 형성된 제 1 광전변환부; 상기 제 2 화소 영역들의 각각에서 상기 기판 내에 형성된 제 2 광전변환부; 상기 제 1 광전 변환부의 일 측의 상기 기판 상에서 제 1 전송 게이트 절연막을 개재하여 배치되는 제 1 전송 게이트; 상기 제 2 광전 변환부의 일측의 상기 기판 상에서 제 2 전송 게이트 절연막을 개재하여 배치되는 제 2 전송 게이트; 및 상기 제 2 광전 변환부의 타측의 상기 기판 상에서 드레인 게이트 절연막을 개재하여 배치되는 드레인 게이트를 포함하되, 상기 제 2 전송 게이트 절연막과 상기 드레인 게이트 절연막은 상기 제 1 전송 게이트 절연막과 서로 다른 두께를 가진다.
바람직하게는, 상기 제 2 전송 게이트 절연막과 상기 드레인 게이트 절연막은 상기 제 1 전송 게이트 절연막보다 얇을 수 있다.
상기 3차원 이미지 센서는, 상기 기판 상에서 상기 제 2 전송 게이트 또는 상기 제 1 전송 게이트와 이격되도록 배치되는 리셋 게이트; 및 상기 리셋 게이트와 상기 기판 사이에 개재되는 리셋 게이트 절연막을 더 포함할 수 있으며, 이때 상기 제 2 전송 게이트 절연막과 상기 드레인 게이트 절연막은 상기 리셋 게이트 절연막 보다 얇을 수 있다.
상기 3차원 이미지 센서는, 상기 기판 상에서 상기 리셋 게이트와 이격되도록 배치되는 소스 팔로워 게이트; 및 상기 소스 팔로워 게이트와 상기 기판 사이에 개재되는 소스 팔로워 게이트 절연막을 더 포함할 수 있으며, 상기 제 2 전송 게이트 절연막과 상기 드레인 게이트 절연막은 상기 소스 팔로워 게이트 절연막 보다 얇을 수 있다.
상기 3차원 이미지 센서는, 상기 기판 상에서 상기 소스 팔로워 게이트와 이격되도록 배치되는 선택 게이트; 및 상기 선택 게이트와 상기 기판 사이에 개재되는 선택 게이트 절연막을 더 포함할 수 있으며, 상기 제 2 전송 게이트 절연막과 상기 드레인 게이트 절연막은 상기 선택 게이트 절연막 보다 얇을 수 있다.
상기 제 1 전송 게이트 절연막, 상기 리셋 게이트 절연막, 상기 소스 팔로워 게이트 절연막 및 상기 선택 게이트 절연막은 서로 동일한 두께를 가질 수 있다.
상기 제 2 전송 게이트 절연막과 상기 드레인 게이트 절연막은 단일막일 수 있으며, 상기 제 1 전송 게이트 절연막은 이중막일 수 있다.
상기 제 2 전송 게이트 절연막과 상기 드레인 게이트 절연막은 동일한 두께를 가질 수 있다.
상기 제 2 광전변환부에는 적외선이 입사될 수 있다.
상기 드레인 게이트와 상기 제 2 전송 게이트는 서로 반대로 동작할 수 있다.
상기 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 3차원 이미지 센서의 제조 방법은, 복수개의 제 1 화소 영역들과 제 2 화소 영역들을 포함하는 기판을 준비하는 단계; 상기 제 1 화소 영역들과 상기 제 2 화소 영역들 각각에서 상기 기판 내에 형성된 제 1 광전변환부들과 제 2 광전변환부들을 형성하는 단계; 상기 제 1 광전변환부와 상기 제 2 광전변환부 상에 각각 제 1 게이트 절연막과 제 2 게이트 절연막을 형성하는 단계; 및 상기 제 1 게이트 절연막 상에 제 1 전송 게이트를 형성하고, 상기 제 2 게이트 절연막 상에 서로 이격된 드레인 전극과 제 2 전송 게이트를 형성하는 단계를 포함하되, 상기 제 2 게이트 절연막은 상기 제 1 게이트 절연막 보다 얇게 형성될 수 있다.
상기 제 1 게이트 절연막과 상기 제 2 게이트 절연막을 형성하는 단계는, 상기 기판의 전면 상에 제 1 절연막을 형성하는 단계; 상기 제 2 광전 변환부 상에서 상기 제 1 절연막을 제거하는 단계; 및 상기 기판의 전면 상에 제 2 절연막을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 제 1 게이트 절연막은 상기 제 1 절연막과 상기 제 2 절연막의 이중막으로 형성되며, 상기 제 2 게이트 절연막은 상기 제 2 절연막의 단일막으로 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 3차원 이미지 센서에서는 다른 게이트들 보다 빠른 동작이 요구되는 제 2 전송 게이트와 드레인 게이트의 게이트 절연막이 다른 게이트 절연막들보다 얇은 두께를 가져 상기 제 2 전송 게이트와 상기 드레인 게이트의 동작 전압을 낮출 수 있다. 이로써, 3차원 이미지 센서의 전력 소모를 줄일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 예에 따른 3차원 이미지 센서의 레이아웃이다.
도 2는 도 1을 I-I'선으로 자른 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 각각 도 1의 제 1 화소 영역 및 제 2 화소 영역의 회로도들이다.
도 4 내지 7은 도 2의 단면을 가지는 3차원 이미지 센서의 제조 과정을 순차적으로 나타내는 것으로 도 1의 I-I'선에 대응되는 단면도들이다.
도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 3차원 이미지 센서를 이용한 광 감지 장치의 개념도이다.
도 2는 도 1을 I-I'선으로 자른 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 각각 도 1의 제 1 화소 영역 및 제 2 화소 영역의 회로도들이다.
도 4 내지 7은 도 2의 단면을 가지는 3차원 이미지 센서의 제조 과정을 순차적으로 나타내는 것으로 도 1의 I-I'선에 대응되는 단면도들이다.
도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 3차원 이미지 센서를 이용한 광 감지 장치의 개념도이다.
이상의 본 발명의 목적들, 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면과 관련된 이하의 바람직한 실시예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 예를 들면, 직각으로 도시된 식각 영역은 라운드지거나 소정 곡률을 가지는 형태일 수 있다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이며 발명의 범주를 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서의 다양한 실시예들에서 제1, 제2 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 여기에 설명되고 예시되는 실시예들은 그것의 상보적인 실시예들도 포함한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소는 하나 이상의 다른 구성요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
이하, 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 예에 따른 3차원 이미지 센서의 레이아웃이다. 도 2는 도 1을 I-I'선으로 자른 단면도이다.
도 1 및 2를 참조하면, 본 발명의 일 예에 따른 3차원 이미지 센서에 포함되는 기판(1)은 제 1 화소 영역(CA)과 제 2 화소 영역(IRA)을 포함한다. 상기 제 1 화소 영역(CA)은 적색, 녹색, 파랑색과 같은 가시 광선이 입사되는 컬러 화소들일 수 있다. 상기 제 2 화소 영역(IRA)은 적외선이 입사되는 깊이 화소 들일 수 있다. 상기 기판(1)에는 소자분리막(3)이 배치되어 각 화소 영역들(CA, IRA) 내에 활성 영역(AR)들을 정의한다. 상기 기판(1)은 실리콘 웨이퍼이거나 SOI(Silicon on insulator) 기판 또는 반도체 에피택시얼층일 수 있다. 상기 소자 분리막(3)은 상기 기판(1)과 굴절률이 다른 절연물질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 소자 분리막(3)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화막, 실리콘 산화질화막을 포함하는 그룹에서 선택되는 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다. 상기 기판(1)에는 예를 들면 P형의 불순물이 도핑될 수 있다.
상기 화소 영역들(CA, IRA)의 각각에서 상기 기판(1) 내에 제 1 광전 변환부(PD1) 및 제 2 광전변환부(PD2)가 배치된다. 상기 제 1 화소 영역(CA)에는 제 1 광전 변환부(PD1)가 배치되고 상기 제 2 화소 영역(IRA)에는 제 2 광전 변환부(PD2)가 배치된다. 상기 광전변환부들(PD1, PD2) 각각은 제 1 불순물 주입 영역(5)과 제 2 불순물 주입 영역(7)을 포함할 수 있다. 상기 제 1 불순물 주입 영역(5)은 예를 들면 N형의 불순물로 도핑될 수 있다. 상기 제 2 불순물 주입 영역(7)은 예를 들면 P형의 불순물로 도핑될 수 있다. 상기 광전 변환부들(PD1, PD2)은 P형 불순물 영역(7)과 N형 불순물 영역(5)을 포함하는 포토다이오드일 수 있다. 상기 제 1 화소 영역(CA)과 상기 제 2 화소 영역(IRA)에서 상기 제 1 불순물 주입 영역(5)의 깊이는 다를 수 있다. 예를 들면, 상기 제 2 화소 영역(IRA)에서 상기 제 1 불순물 주입 영역(5)의 깊이가 상기 제 1 화소 영역(CA) 보다 깊을 수 있다.
상기 제 1 광전변환부(PD1)의 일 측의 상기 기판(1) 상에는 제 1 전송 게이트(TG1)가 배치된다. 또한 상기 기판(1) 상에는 상기 제 1 전송 게이트(TG1)와 이격된 제 1 리셋 게이트(RG1), 제 1 소스 팔로워 게이트(SF1) 및 제 1 선택 게이트(SEL1)가 배치된다. 상기 제 1 전송 게이트(TG1)과 상기 제 1 리셋 게이트(RG1) 사이의 상기 기판(1)에는 제 1 부유 확산영역(FD1)이 배치된다. 상기 제 1 화소 영역(CA)에서 상기 제 1 게이트들(TG1, RG1, SF1, SEL1)과 상기 기판(1) 사이에는 제 1 게이트 절연막(8c)이 배치된다. 상기 제 1 게이트 절연막(8c)은 제 1 절연막(9)과 제 2 절연막(11)의 이중막을 포함할 수 있다.
상기 제 2 광전변환부(PD2)의 일 측의 상기 기판(1) 상에는 제 2 전송 게이트(TG2)가 배치되고, 상기 제 2 광전변환부(PD2)의 타 측의 상기 기판(1) 상에는 드레인 게이트(DG)가 배치된다. 상기 기판(1) 상에는 상기 제 2 전송 게이트(TG2)와 이격된 제 2 리셋 게이트(RG2), 제 2 소스 팔로워 게이트(SF2) 및 제 2 선택 게이트(SEL2)가 배치된다. 상기 제 2 전송 게이트(TG2)과 상기 제 2 리셋 게이트(RG2) 사이의 상기 기판(1)에는 제 2 부유 확산영역(FD2)이 배치된다. 상기 리셋 게이트(RG1, RG2), 상기 소스 팔로워 게이트(SF1, SF2) 및 상기 선택 게이트(SEL1, SEL2)의 측벽에 인접한 상기 기판(1)에는 소오스/드레인 영역(17)이 배치된다. 상기 드레인 게이트(DG)의 일 측에 인접한 상기 기판(1)에는 상기 제 2 광전 변환부(PD2)와 이격된 깊이 드레인 영역(Depth drain region, DR)이 배치된다.
상기 제 2 전송 게이트(TG2)와 상기 기판(1) 사이에는 제 2 전송 게이트 절연막(11t)이 개재되고, 상기 드레인 게이트(DG)와 상기 기판(1) 사이에는 드레인 게이트 절연막(11d)이 개재된다. 상기 제 2 전송 게이트 절연막(11t)와 상기 드레인 게이트 절연막(11d)은 단일막으로 형성될 수 있다. 상기 제 2 리셋 게이트(RG2)과 상기 기판(1) 사이, 상기 제 2 소스 팔로워 게이트(SF2)와 상기 기판(1) 사이, 그리고 상기 제 2 선택 게이트(SEL2)와 상기 기판(1) 사이에는 각각 제 2 게이트 절연막(8r)이 개재된다. 상기 제 2 게이트 절연막(8r)은 제 1 절연막(9)과 제 2 절연막(11)의 이중막을 포함할 수 있다. 상기 제 1 게이트 절연막(8c)은 상기 제 2 게이트 절연막(8r)과 같을 수 있다.
도시하지는 않았지만, 상기 기판(1) 상에, 상기 게이트 전극들(TG1, TG2, RG1, RG2, SF1, SF2, SEL1, SEL2, DG) 및 상기 불순물 주입 영역들(FD1, FD2, 17, DR)을 전기적으로 연결시키기 위한 콘택과 배선들이 배치될 수 있으며, 이들을 덮는 층간절연막이 배치될 수 있다. 상기 층간절연막 상이나, 상기 기판(1)의 하부면에는 적외선 필터, 칼라 필터, 마이크로렌즈들이 배치될 수 있다. 상기 적외선 필터는 상기 제 2 화소 영역(IRA)와 중첩되도록 배치되며, 상기 칼라 필터는 상기 제 1 화소 영역(CA)과 중첩되도록 배치될 수 있다.
도 3a 및 도 3b는 각각 도 1의 제 1 화소 영역 및 제 2 화소 영역의 회로도들이다.
도 1, 2 및 도 3a를 참조하면, 상기 3차원 이미지 센서의 제 1 화소 영역은 제 1 광전변환부(PD1), 제 1 전송 트랜지스터(Tx1), 제 1 소스 팔로워 트랜지스터(Dx1), 제 1 리셋 트랜지스터(Rx1), 및 제 1 선택 트랜지스터(Sx1)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 전송 트랜지스터(Tx1), 제 1 소스 팔로워 트랜지스터(Dx1), 제 1 리셋 트랜지스터(Rx2), 및 제 1 선택 트랜지스터(Sx1)는 각각 제 1 전송 게이트(TG1), 제 1 소스 팔로워 게이트(SF1), 제 1 리셋 게이트(RG1) 및 제 1 선택 게이트(SEL1)을 포함한다. 상기 제 1 전송 트랜지스터(Tx1)의 드레인은 제 1 부유확산 영역(FD1)으로 이해될 수 있다. 상기 제 1 부유확산 영역(FD1)은 상기 제 1 리셋 트랜지스터(Rx, reset transistor)의 소오스일 수 있다. 상기 제 1 부유확산 영역(FD1)은 상기 제 1 소스 팔로워 트랜지스터(Dx1, source follower transistor)의 제 1 소스 팔로워 게이트(SF1)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제 1 소스 팔로워 트랜지스터(Dx1)는 상기 제 1 선택 트랜지스터(Sx1, selection transistor)에 연결된다.
도 1과는 다르게, 상기 제 1 리셋 트랜지스터(Rx1), 상기 제 1 소스 팔로워 트랜지스터(Dx1) 및 상기 제 1 선택 트랜지스터(Sx1) 중 적어도 하나는 이웃하는 화소들에 의해 서로 공유될 수 있으며, 이에 의해 집적도가 향상될 수 있다.
상기 제 1 화소 영역에서 이미지 센서의 동작을 도 3a을 참조하여 설명하면 다음과 같다. 먼저, 빛이 차단된 상태에서 상기 제 1 리셋 트랜지스터(Rx1)의 드레인과 상기 제 1 소스 팔로워 트랜지스터(Dx1)의 드레인에 전원전압(VDD)을 인가하여 상기 제 1 부유확산 영역(FD1)에 잔류하는 전하들을 방출시킨다. 그 후, 상기 제 1 리셋 트랜지스터(Rx1)를 오프(OFF)시키고, 외부로부터의 빛을 상기 제 1 광전변환부(PD)에 입사시키면, 상기 제 1 광전변환부(PD)에서 전자-정공 쌍이 생성된다. 정공은 상기 P형 불순물 주입 영역 쪽으로, 전자는 상기 N형 불순물 주입 영역(7)으로 이동하여 축적된다. 상기 제 1 전송 트랜지스터(Tx1)를 온(ON) 시키면, 이러한 전자 및 정공과 같은 전하는 상기 제 1 부유확산 영역(FD1)으로 전달되어 축적된다. 축적된 전하량에 비례하여 상기 제 1 소스 팔로워 트랜지스터(Dx1)의 게이트 바이어스가 변하여, 상기 제 1 소스 팔로워 트랜지스터(Dx1)의 소오스 전위의 변화를 초래하게 된다. 이때 상기 제 1 선택 트랜지스터(Sx1)를 온(ON) 시키면, 칼럼 라인으로 전하에 의한 신호가 읽히게 된다.
도 1, 2 및 도 3b를 참조하면, 상기 3차원 이미지 센서의 제 2 화소 영역은 제 2 광전변환부(PD2), 제 2 전송 트랜지스터(Tx2), 제 2 소스 팔로워 트랜지스터(Dx2), 제 2 리셋 트랜지스터(Rx2), 및 제 2 선택 트랜지스터(Sx2)를 포함할 수 있다. 상기 제 2 전송 트랜지스터(Tx2), 제 2 소스 팔로워 트랜지스터(Dx2), 제 2 리셋 트랜지스터(Rx2), 및 제 2 선택 트랜지스터(Sx2)는 각각 제 2 전송 게이트(TG2), 제 2 소스 팔로워 게이트(SF2), 제 2 리셋 게이트(RG2) 및 제 2 선택 게이트(SEL2)을 포함한다. 상기 제 2 전송 트랜지스터(Tx2)의 드레인은 제 2 부유확산 영역(FD2)으로 이해될 수 있다. 상기 제 2 광전 변환부(PD2) 상에는 상기 제 2 전송 게이트(TG2)와 드레인 게이트(DG)가 배치된다.
상기 제 2 화소 영역에서 제 2 트랜지스터들(Tx2, Rx2, Dx2, Sx2)의 동작 원리는 몇가지 차이점을 빼고는 상기 제 1 화소 영역에서의 제 1 트랜지스터들(Tx1, Rx1, Dx1, Sx1)의 동작 원리가 같다. 이 차이점으로는, 상기 제 2 전송 게이트(TG2)의 온/오프(ON/OFF) 횟수가 상기 제 1 전송 게이트(TG1)의 온/오프 횟수보다 많다. 예를 들면, 상기 제 1 전송 게이트(TG1)가 1회 온/오프할 때, 상기 제 2 전송 게이트(TG2)는 4회 온/오프할 수 있다. 또한 상기 드레인 게이트(DG)는 상기 제 2 전송 게이트(TG2)와 반대로 동작한다. 즉, 상기 제 2 전송 게이트(TG2)가 온(ON)일 때, 상기 드레인 게이트(DG)는 오프(OFF) 된다. 상기 제 2 전송 게이트(TG2)가 온(ON)되면 상기 제 2 광전 변환부(PD2)에 저장된 전하가 상기 제 2 부유 확산 영역(FD2)로 이송되고, 위에서 설명한 제 1 화소 영역(CA)의 제 1 트랜지스터들(Rx1, Dx1, Sx1)처럼 상기 제 2 트랜지스터들(Rx2, Dx2, Sx2)도 동작할 수 있다. 상기 제 2 전송 게이트(TG2)가 오프되면, 상기 드레인 게이트(DG)가 온되고, 상기 제 2 부유 확산 영역(FD2)로 전송되지 못하고 제 2 광전 변환부(PD2)에 남아있던 전하들이 상기 깊이 드레인 영역(DR)로 이송되어 밖으로 빠져나가 센싱되거나 버려지게 된다.
상기 드레인 게이트(DG)와 상기 제 2 전송 게이트(TG2)은 다른 게이트들(TG1, RG1, RG2, SF1, SF2, SEL1, SEL2)에 비하여 동작 속도가 빠르므로(또는 동작 주기가 짧으므로), 3차원 이미지 센서에서 전력 소모의 주요 원인이 될 수 있다.
그러나, 상기 제 2 전송 게이트 절연막(11t)과 상기 드레인 게이트 절연막(11d)은 상기 제 1 게이트 절연막(8c) 및 상기 제 2 게이트 절연막(8r) 보다 얇은 두께를 가진다. 이로써, 상기 제 2 전송 게이트와 상기 드레인 게이트의 구동 전압을 낮출 수 있다. 상기 제 2 전송 게이트 절연막(11t)과 상기 드레인 게이트 절연막(11d)의 두께가 상기 제 1 게이트 절연막(8c) 및 상기 제 2 게이트 절연막(8r)의 두께의 약 1/3이 되면 상기 제 2 전송 게이트와 상기 드레인 게이트의 구동 전압도 약 1/3로 낮출 수 있다. 이와 같이 상기 제 2 전송 게이트와 상기 드레인 게이트의 구동 전압을 낮추게 되어, 전체 전력 소모를 줄일 수 있다.
도 4 내지 7은 도 2의 단면을 가지는 3차원 이미지 센서의 제조 과정을 순차적으로 나타내는 단면도들이다.
도 4를 참조하면, 제 1 화소 영역(CA)과 제 2 화소 영역(IRA)을 포함하는 기판(1)을 준비한다. 상기 기판(1)은 예를 들면 P타입 불순물로 도핑될 수 있다. 상기 기판(1)에 소자분리막(3)을 형성하여 활성 영역(AR)을 형성한다. 상기 소자분리막(3)은 STI(Shallow trench isolation) 또는 DTI(Deep trench isolation) 공정을 이용하여 형성할 수 있다. 상기 소자분리막(3)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 및 실리콘 산화질화막 중에 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 기판(1) 내에 이온 주입 공정들을 진행하여 제 1 불순물 주입 영역(5)과 제 2 불순물 주입 영역(7)을 형성하여 제 1 및 제 2 광전변환부들(PD1, PD2)을 형성한다. 상기 제 1 불순물 주입 영역(5)은 예를 들면 N타입 불순물로 도핑될 수 있고, 상기 제 2 불순물 주입 영역(7)은 예를 들면 P타입 불순물로 도핑될 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 기판(1)의 전면 상에 제 1 절연막(9)을 형성한다. 상기 제 1 절연막(9)은 예를 들면 실리콘 산화막일 수 있다. 상기 제 1 절연막(9)은 열산화 공정 또는 CVD(chemical vapor deposition)과 같은 증착 공정으로 형성될 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 기판(1) 상에 상기 제 2 광전변환부(PD2)를 노출시키되 다른 영역은 덮는 제 1 마스크 패턴(10)을 형성한다. 상기 제 1 마스크 패턴(10)은 상기 제 1 절연막(9)과 식각 선택비를 가지는 물질로 예를 들면 실리콘 질화막이나 포토레지스트 패턴으로 형성될 수 있다. 상기 제 1 마스크 패턴(10)을 식각 마스크로 이용하여 상기 제 1 절연막(9)을 식각하여 상기 제 2 광전변환부(PD2)를 노출시킨다.
도 7을 참조하면, 상기 기판(1)의 전면 상에 제 2 절연막(11)을 형성한다. 상기 제 2 절연막(11)은 실리콘 산화막일 수 있으며, CVD(chemical vapor deposition)과 같은 증착 공정으로 형성될 수 있다. 이로써, 상기 제 2 광전변환부(PD2) 상에는 상기 제 2 절연막(11)이 단일막으로 존재하나, 다른 영역 상에는 상기 제 1 절연막(9)과 상기 제 2 절연막(11)이 이중막으로 존재한다. 상기 제 2 절연막(11) 상에 도전막(12)과 캐핑막(13)을 차례대로 적층한다. 상기 도전막(12)은 불순물이 도핑된 폴리실리콘, 알루미늄, 텅스텐, 구리와 같은 도전막일 수 있다. 상기 캐핑막(13)은 예를 들면 실리콘 질화막일 수 있다. 상기 캐핑막(13) 상에 게이트들(TG1, TG2, RG1, RG2, SF1, SF2, SEL1, SEL2, DG)의 형태를 정의하는 제 2 마스크 패턴들(14)을 형성한다. 상기 제 2 마스크 패턴들(14)을 식각 마스크로 이용하여 상기 캐핑막(13), 상기 도전막(12), 상기 제 2 절연막(11) 및 상기 제 1 절연막(9)을 패터닝하여 상기 게이트들(TG1, TG2, RG1, RG2, SF1, SF2, SEL1, SEL2, DG)을 형성한다.
후속으로, 도 2를 참조하여, 상기 게이트들(TG1, TG2, RG1, RG2, SF1, SF2, SEL1, SEL2, DG)의 측벽을 덮는 스페이서들(15)을 형성하고 이들에 인접한 기판(1) 내에 소오스/드레인 영역들(FD1, FD2, 17, DR)을 형성한다. 또한, 도시하지는 않았지만, 콘택들, 배선들, 층간절연막, 컬러필터, 적외선 필터 및 마이크로 렌즈들을 형성할 수 있다.
도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 3차원 이미지 센서를 이용한 광 감지 장치의 개념도이다.
도 8을 참조하면, 광 감지 장치(1000)는 대상 물체(object; 1001)에 빛을 조사하고, 대상 물체(1001)로부터 반사되는 빛을 감지함으로써 대상 물체(1001)의 광학적 깊이(optical depth)를 검출할 수 있다.
구체적으로, 광 감지 장치(1000)는 대상 물체(1001)에 빛을 조사하는 광원(1100), 대상물체로부터 반사된 빛을 감지하는 이미지 센서(1200) 및 광원(1100)과 이미지 센서(1200)에 동기화된 펄스를 제공하는 타이밍 제어부(1300)를 포함한다.
이미지 센서(1200)는 본 발명의 일 실시예에 따른 3차원 이미지 센서(1200)로서, 대상 물체(1001)에서 반사되는 적외선을 감지하여, 대상 물체(1001)에 대한 광학적 깊이 정보(optical depth information)를 출력할 수 있다. 이와 같이 3차원 이미지 센서(1200)에서 얻어진 광학적 깊이 정보는 적외선 카메라와 같이, 3차원 영상을 구현하는데 이용될 수 있다. 또한, 적외선 픽셀들 및 가시광선 픽셀들을 포함하는 3차원 이미지 센서(1200)를 이용함으로써, 3차원 컬러 영상을 구현할 수도 있다.
상술한 설명들은 본 발명의 개념을 예시하는 것들이다. 또한, 상술한 내용은 본 발명의 개념을 당업자가 쉽게 이해할 수 있도록 구현한 예들을 나타내고 설명하는 것일 뿐이며, 본 발명은 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용될 수 있다. 즉, 본 발명은 본 명세서에 개시된 발명의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 및 수정 등이 가능할 수 있다. 또한, 상술한 실시예들은 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능할 수 있다. 따라서, 상술한 발명의 상세한 설명은 개시된 실시예들은 본 발명을 제한하지 않으며, 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함한다.
1: 기판
3: 소자 분리막
8c, 8r: 게이트 절연막
11d: 드레인 게이트 절연막
11t: 제 2 전송 게이트 절연막
PD1, PD2: 광전변환부
FD1, FD2: 부유 확산 영역
TG1, TG2: 전송 게이트
RG1, RG2: 리셋 게이트
SF1, SF2: 소스 팔로워 게이트
SEL1, SEL2: 선택 게이트
DG: 드레인 게이트
DR: 깊이 드레인 영역
3: 소자 분리막
8c, 8r: 게이트 절연막
11d: 드레인 게이트 절연막
11t: 제 2 전송 게이트 절연막
PD1, PD2: 광전변환부
FD1, FD2: 부유 확산 영역
TG1, TG2: 전송 게이트
RG1, RG2: 리셋 게이트
SF1, SF2: 소스 팔로워 게이트
SEL1, SEL2: 선택 게이트
DG: 드레인 게이트
DR: 깊이 드레인 영역
Claims (10)
- 제 1 화소 영역과 제 2 화소 영역을 포함하는 기판;
상기 제 1 화소 영역에서 상기 기판 내에 형성된 제 1 광전변환부;
상기 제 2 화소 영역에서 상기 기판 내에 형성된 제 2 광전변환부;
상기 제 1 광전 변환부의 일 측의 상기 기판 상에서 제 1 전송 게이트 절연막을 개재하여 배치되는 제 1 전송 게이트;
상기 제 2 광전 변환부의 일측의 상기 기판 상에서 제 2 전송 게이트 절연막을 개재하여 배치되는 제 2 전송 게이트; 및
상기 제 2 광전 변환부의 타측의 상기 기판 상에서 드레인 게이트 절연막을 개재하여 배치되는 드레인 게이트를 포함하되,
상기 제 2 전송 게이트 절연막과 상기 드레인 게이트 절연막은 상기 제 1 전송 게이트 절연막과 서로 다른 두께를 가지는 3차원 이미지 센서. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 전송 게이트 절연막과 상기 드레인 게이트 절연막은 상기 제 1 전송 게이트 절연막보다 얇은 3차원 이미지 센서. - 제 2 항에 있어서,
상기 기판 상에서 상기 제 2 전송 게이트 또는 상기 제 1 전송 게이트와 이격되도록 배치되는 리셋 게이트; 및
상기 리셋 게이트와 상기 기판 사이에 개재되는 리셋 게이트 절연막을 더 포함하되,
상기 제 2 전송 게이트 절연막과 상기 드레인 게이트 절연막은 상기 리셋 게이트 절연막 보다 얇은 3차원 이미지 센서. - 제 3 항에 있어서,
상기 기판 상에서 상기 리셋 게이트와 이격되도록 배치되는 소스 팔로워 게이트; 및
상기 소스 팔로워 게이트와 상기 기판 사이에 개재되는 소스 팔로워 게이트 절연막을 더 포함하되,
상기 제 2 전송 게이트 절연막과 상기 드레인 게이트 절연막은 상기 소스 팔로워 게이트 절연막 보다 얇은 3차원 이미지 센서. - 제 4 항에 있어서,
상기 기판 상에서 상기 소스 팔로워 게이트와 이격되도록 배치되는 선택 게이트; 및
상기 선택 게이트와 상기 기판 사이에 개재되는 선택 게이트 절연막을 더 포함하되,
상기 제 2 전송 게이트 절연막과 상기 드레인 게이트 절연막은 상기 선택 게이트 절연막 보다 얇은 3차원 이미지 센서. - 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 전송 게이트 절연막, 상기 리셋 게이트 절연막, 상기 소스 팔로워 게이트 절연막 및 상기 선택 게이트 절연막은 서로 동일한 두께를 가지는 3차원 이미지 센서. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 전송 게이트 절연막과 상기 드레인 게이트 절연막은 단일막이며,
상기 제 1 전송 게이트 절연막은 이중막인 3차원 이미지 센서. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 전송 게이트 절연막과 상기 드레인 게이트 절연막은 동일한 두께를 가지는 3차원 이미지 센서. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 광전변환부에을 검출하고, 상기 제 2 광전변환부에는 적외선을 검출하는 3차원 이미지 센서. - 제 1 항에 있어서,
상기 드레인 게이트와 상기 제 2 전송 게이트는 서로 반대로 동작하는 3차원 이미지 센서.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120114308A KR20140047934A (ko) | 2012-10-15 | 2012-10-15 | 3차원 이미지 센서 및 이의 제조 방법 |
| US14/037,691 US20140103412A1 (en) | 2012-10-15 | 2013-09-26 | Three-dimensional image sensors and methods of fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120114308A KR20140047934A (ko) | 2012-10-15 | 2012-10-15 | 3차원 이미지 센서 및 이의 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20140047934A true KR20140047934A (ko) | 2014-04-23 |
Family
ID=50474611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020120114308A KR20140047934A (ko) | 2012-10-15 | 2012-10-15 | 3차원 이미지 센서 및 이의 제조 방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20140103412A1 (ko) |
| KR (1) | KR20140047934A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190048070A (ko) * | 2017-10-30 | 2019-05-09 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102174650B1 (ko) * | 2013-10-31 | 2020-11-05 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
| DE102014103010A1 (de) * | 2014-03-06 | 2015-09-10 | Skidata Ag | Digitalkamera |
| KR102301778B1 (ko) | 2014-08-28 | 2021-09-13 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서, 및 상기 이미지 센서의 픽셀 |
| US9741755B2 (en) | 2014-12-22 | 2017-08-22 | Google Inc. | Physical layout and structure of RGBZ pixel cell unit for RGBZ image sensor |
| KR102686653B1 (ko) | 2015-10-21 | 2024-07-22 | 에이엠에스-오스람 아시아 퍼시픽 피티이. 리미티드 | 복조 화소 디바이스들, 화소 디바이스들의 어레이들 및 이들을 포함하는 광전 디바이스들 |
| US9876047B2 (en) * | 2015-12-15 | 2018-01-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus and information processing apparatus |
| KR101679598B1 (ko) * | 2016-01-04 | 2016-11-25 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 |
| FR3058857B1 (fr) * | 2016-11-16 | 2018-12-07 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Capteur d'images cmos a bruit reduit |
| KR102701855B1 (ko) | 2016-12-28 | 2024-09-02 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
| JP6957157B2 (ja) * | 2017-01-26 | 2021-11-02 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、撮像システム、および固体撮像装置の製造方法 |
| KR102531355B1 (ko) * | 2018-03-20 | 2023-05-10 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
| CN112397529A (zh) * | 2019-08-12 | 2021-02-23 | 天津大学青岛海洋技术研究院 | 带有低噪声源跟随器的图像传感器像素结构及其制作方法 |
| KR20210064687A (ko) * | 2019-11-26 | 2021-06-03 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센서 |
| KR20210139089A (ko) * | 2020-05-13 | 2021-11-22 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센싱 장치 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100595902B1 (ko) * | 2003-12-31 | 2006-06-30 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 시모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| US8138531B2 (en) * | 2009-09-17 | 2012-03-20 | International Business Machines Corporation | Structures, design structures and methods of fabricating global shutter pixel sensor cells |
| US8692198B2 (en) * | 2010-04-21 | 2014-04-08 | Sionyx, Inc. | Photosensitive imaging devices and associated methods |
-
2012
- 2012-10-15 KR KR1020120114308A patent/KR20140047934A/ko not_active Application Discontinuation
-
2013
- 2013-09-26 US US14/037,691 patent/US20140103412A1/en not_active Abandoned
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190048070A (ko) * | 2017-10-30 | 2019-05-09 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
| US10957726B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-03-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensors having a reduced settling time |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20140103412A1 (en) | 2014-04-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20140047934A (ko) | 3차원 이미지 센서 및 이의 제조 방법 | |
| KR102174650B1 (ko) | 이미지 센서 | |
| US11302733B2 (en) | Image sensors | |
| KR102256261B1 (ko) | 적층형 센서를 위한 대역 통과 필터 | |
| US10229950B2 (en) | Image sensors including non-aligned grid patterns | |
| KR102433575B1 (ko) | 이미지 센서 | |
| EP1562233B1 (en) | Solid-state image pickup device | |
| KR102209097B1 (ko) | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 | |
| CN106783898A (zh) | 图像传感器 | |
| KR20190054392A (ko) | 이미지 센서 | |
| KR102541701B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 | |
| KR100561004B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| TW201727884A (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
| CN107221539B (zh) | 图像传感器及制造其的方法 | |
| CN114914260A (zh) | 光电转换装置以及照相机 | |
| KR102643624B1 (ko) | 이미지 센서 | |
| KR102664314B1 (ko) | 이미지 센서 | |
| KR102465576B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조방법 | |
| US10276614B2 (en) | Methods and apparatus for an image sensor with a multi-branch transistor | |
| CN111463223A (zh) | 图像传感器 | |
| JP2015162580A (ja) | 半導体装置およびその製造方法、ならびに半導体装置の制御方法 | |
| KR101327096B1 (ko) | 이미지 센서 및 이의 제조방법 | |
| US8716761B2 (en) | Image sensor for semiconductor light-sensitive device, manufacturing thereof, image processing apparatus using the same, and method for detecting color signal | |
| KR20090084168A (ko) | 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| KR20230138186A (ko) | Cmos 이미지 센서 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |