JP2015023250A5 - - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims 8
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- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
Claims (9)
- 入射光量に応じた電荷を発生して内部に蓄積する光電変換素子と、
前記光電変換素子に蓄積された電荷を転送する第１転送ゲートと、
前記第１転送ゲートによって前記光電変換素子から転送される電荷を保持する電荷保持領域と、
前記電荷保持領域に保持された電荷を転送する第２転送ゲートと、
前記第２転送ゲートによって前記電荷保持領域から転送される電荷を信号として読み出すために保持する浮遊拡散領域と
を有する複数の単位画素を備え、
前記電荷保持領域は、電荷を保持するための複数段の領域を有し、
前記複数段の領域間は、Ｎ型の領域となる
固体撮像素子。 - 前記複数段の領域は、前記光電変換素子に蓄積された電荷の読み出しに用いられる第１の領域と、前記第１の領域以外の第２の領域のいずれかの領域からなる
請求項１に記載の固体撮像素子。 - 前記第１の領域では、前記第１転送ゲートによるゲートバイアスによって、前記光電変換素子と前記電荷保持領域との素子分離がなされ、
前記第２の領域では、前記第１の領域と異なる素子分離構造により素子分離がなされる
請求項２に記載の固体撮像素子。 - 前記第２の領域では、ｐ＋不純物拡散領域により素子分離がなされる
請求項３に記載の固体撮像素子。 - 前記第２の領域では、酸化膜の領域により素子分離がなされる
請求項３に記載の固体撮像素子。 - 前記複数段の領域は、２段構成である
請求項１乃至５のいずれかに記載の固体撮像素子。 - 前記第１転送ゲートは、前記複数段の領域に対応する複数の電極から構成されている
請求項１乃至６のいずれかに記載の固体撮像素子。 - 入射光量に応じた電荷を発生して内部に蓄積する光電変換素子と、
前記光電変換素子に蓄積された電荷を転送する第１転送ゲートと、
前記第１転送ゲートによって前記光電変換素子から転送される電荷を保持する電荷保持領域と、
前記電荷保持領域に保持された電荷を転送する第２転送ゲートと、
前記第２転送ゲートによって前記電荷保持領域から転送される電荷を信号として読み出すために保持する浮遊拡散領域と
を有する複数の単位画素と、
前記単位画素の駆動を制御する駆動制御部と
を備える固体撮像素子の駆動方法であって、
前記駆動制御部が、前記電荷保持領域における電荷を保持するための複数段の領域であって、その間の領域がＮ型の領域となる前記複数段の領域に対応する複数の電極から構成されている前記第１転送ゲートの駆動を、電極ごとに制御する
ステップを含む駆動方法。 - 入射光量に応じた電荷を発生して内部に蓄積する光電変換素子と、
前記光電変換素子に蓄積された電荷を転送する第１転送ゲートと、
前記第１転送ゲートによって前記光電変換素子から転送される電荷を保持する電荷保持領域と、
前記電荷保持領域に保持された電荷を転送する第２転送ゲートと、
前記第２転送ゲートによって前記電荷保持領域から転送される電荷を信号として読み出すために保持する浮遊拡散領域と
を有する複数の単位画素を備え、
前記電荷保持領域は、電荷を保持するための複数段の領域を有し、
前記複数段の領域間は、Ｎ型の領域となる
固体撮像素子を搭載した電子機器。
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