JP5673063B2 - 固体撮像素子および駆動方法、並びに電子機器 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 82
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 claims description 23
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 60
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 31
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 10
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 8
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 3
- 229910008065 Si-SiO Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910006405 Si—SiO Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/53—Control of the integration time
- H04N25/533—Control of the integration time by using differing integration times for different sensor regions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14654—Blooming suppression
- H01L27/14656—Overflow drain structures
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/53—Control of the integration time
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/53—Control of the integration time
- H04N25/532—Control of the integration time by controlling global shutters in CMOS SSIS
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/709—Circuitry for control of the power supply
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
- H04N25/771—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising storage means other than floating diffusion
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/53—Control of the integration time
- H04N25/531—Control of the integration time by controlling rolling shutters in CMOS SSIS
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Description
図1は、本発明が適用される固体撮像素子としてのCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサの構成例を示すブロック図である。
次に、図1の画素アレイ部41に行列状に配置されている単位画素50の具体的な構造について説明する。
ここで、図3のタイミングチャートを参照して、グローバルシャッタ動作を実現するCMOSイメージセンサ30における単位画素50の駆動例について説明する。
ここで、図6のタイミングチャートを参照して、読み出し走査(行毎の信号電荷の読み出し)における単位画素50の駆動例について説明する。
ここで、図7のタイミングチャートを参照して、第2のリセットレベルの読み出し時のリセット動作を省略するようにした読み出し走査における単位画素50の駆動例について説明する。
ここで、図8のタイミングチャートを参照して、リセットレベルの読み出し動作を1回とするようにした読み出し走査における単位画素50の駆動例について説明する。
図9は、単位画素50の他の構成例を示す図である。
図10は、単位画素50のさらに他の構成例を示す図である。
図11は、単位画素50のさらに他の構成例を示す図である。
ここで、図12のタイミングチャートを参照して、単位画素50Dの駆動例について説明する。
また、例えば図9で説明した単位画素50Bに、ブルーミング防止用のオーバーフローゲートが設けられるようにしてもよい。そのような場合の単位画素50Eは、例えば、図14に示すように構成される。なお、図14において、図9における場合と対応する部分には、同一の符号を付してあり、その説明は適宜省略する。
さらに、例えば図9で説明した単位画素50Bから、選択トランジスタ70を省略するようにしてもよい。そのような場合の単位画素50Fは、図15に示すように構成される。
そこで、図16のタイミングチャートを参照して、メモリ部65の最大電荷量を超えた分の信号電荷を失わないようにした単位画素50の駆動例について説明する。
図18は、単位画素50のさらに他の構成例を示すタイミングチャートである。
なお、本発明は、固体撮像素子への適用に限られるものではない。即ち、本発明は、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置や、撮像機能を有する携帯端末装置や、画像読取部に固体撮像素子を用いる複写機など、画像取込部(光電変換部)に固体撮像素子を用いる電子機器全般に対して適用可能である。固体撮像素子は、ワンチップとして形成された形態であってもよいし、撮像部と信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。
の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
Claims (9)
- 光電変換部と、前記光電変換部に蓄積された電荷を保持する電荷保持部と、前記電荷保持部の電荷を電圧に変換する電荷電圧変換部と、前記光電変換部から前記電荷保持部に電荷を転送する第1の転送手段と、前記電荷保持部から前記電荷電圧変換部に電荷を転送する第2の転送手段と、前記電荷電圧変換部の電荷をリセットするリセット手段とを少なくとも備える複数の単位画素と、
前記単位画素の駆動を制御する駆動制御手段と
を備え、
前記駆動制御手段は、
前記第1の転送手段のオン時に、前記電荷保持部と前記電荷電圧変換部との境界のポテンシャルバリアのポテンシャルが、前記電荷保持部から溢れた電荷が前記電荷電圧変換部に転送されるような、前記光電変換部の受光部の空乏状態のポテンシャルより低い第1のポテンシャルとなる第1の転送電圧を、前記第2の転送手段に印加し、
前記第1の転送手段をオフする前に、前記電荷保持部と前記電荷電圧変換部との境界のポテンシャルバリアのポテンシャルが、前記光電変換部の受光部の空乏状態のポテンシャルより高く、前記電荷保持部周囲のポテンシャルバリアより低い第2のポテンシャルとなる第2の転送電圧を、前記第2の転送手段に印加する
固体撮像素子。 - 前記駆動制御手段は、前記第1の転送手段をオフする前に、前記第2の転送手段を前記第1の転送電圧からオフする
請求項1に記載の固体撮像素子。 - 前記駆動制御手段は、前記第2の転送手段を前記第2の転送電圧からオフする前に、前記第1の転送手段をオフする
請求項2に記載の固体撮像素子。 - 前記駆動制御手段は、前記第1および第2の転送手段がオフ時に、前記第1および第2の転送手段に負電圧を印加する
請求項1乃至3のいずれかに記載の固体撮像素子。 - 前記電荷電圧変換部の電荷に対応する電圧を読み出す読み出し手段をさらに備え、
前記駆動制御手段は、
前記電荷電圧変換部の電荷に対応する第1の信号レベルとしての電圧の読み出しと、
前記リセット手段によりリセットされた前記電荷電圧変換部の電荷に対応するリセットレベルとしての電圧の読み出しと、
リセット後に、前記第2の転送手段により前記電荷保持部から前記電荷電圧変換部に転送された電荷に対応する第2の信号レベルとしての電圧の読み出しと
を前記読み出し手段が行うように、前記単位画素の駆動を制御する
請求項4に記載の固体撮像素子。 - 前記読み出し手段により読み出された、前記第1の信号レベルと前記リセットレベルとの第1の差分、および、前記第2の信号レベルと前記リセットレベルとの第2の差分を算出し、前記第1の差分と前記第2の差分とを加算する算出手段をさらに備える
請求項5に記載の固体撮像素子。 - 前記算出手段は、前記第2の信号レベルが所定レベルより大きい場合、前記第1の差分と前記第2の差分とを加算する
請求項6に記載の固体撮像素子。 - 光電変換部と、前記光電変換部に蓄積された電荷を保持する電荷保持部と、前記電荷保持部の電荷を電圧に変換する電荷電圧変換部と、前記光電変換部から前記電荷保持部に電荷を転送する第1の転送手段と、前記電荷保持部から前記電荷電圧変換部に電荷を転送する第2の転送手段と、前記電荷電圧変換部の電荷をリセットするリセット手段とを少なくとも備える複数の単位画素と、
前記単位画素の駆動を制御する駆動制御手段と
を備える固体撮像素子の駆動方法であって、
前記第1の転送手段のオン時に、前記電荷保持部と前記電荷電圧変換部との境界のポテンシャルバリアのポテンシャルが、前記電荷保持部から溢れた電荷が前記電荷電圧変換部に転送されるような、前記光電変換部の受光部の空乏状態のポテンシャルより低い第1のポテンシャルとなる第1の転送電圧を、前記第2の転送手段に印加し、
前記第1の転送手段をオフする前に、前記電荷保持部と前記電荷電圧変換部との境界のポテンシャルバリアのポテンシャルが、前記光電変換部の受光部の空乏状態のポテンシャルより高く、前記電荷保持部周囲のポテンシャルバリアより低い第2のポテンシャルとなる第2の転送電圧を、前記第2の転送手段に印加する駆動制御ステップ
を含む駆動方法。 - 光電変換部と、前記光電変換部に蓄積された電荷を保持する電荷保持部と、前記電荷保持部の電荷を電圧に変換する電荷電圧変換部と、前記光電変換部から前記電荷保持部に電荷を転送する第1の転送手段と、前記電荷保持部から前記電荷電圧変換部に電荷を転送する第2の転送手段と、前記電荷電圧変換部の電荷をリセットするリセット手段とを少なくとも備える複数の単位画素と、
前記単位画素の駆動を制御する駆動制御手段と
を備え、
前記駆動制御手段が、前記第1の転送手段のオン時に、前記電荷保持部と前記電荷電圧変換部との境界のポテンシャルバリアのポテンシャルが、前記電荷保持部から溢れた電荷が前記電荷電圧変換部に転送されるような、前記光電変換部の受光部の空乏状態のポテンシャルより低い第1のポテンシャルとなる第1の転送電圧を、前記第2の転送手段に印加し、
前記第1の転送手段をオフする前に、前記電荷保持部と前記電荷電圧変換部との境界のポテンシャルバリアのポテンシャルが、前記光電変換部の受光部の空乏状態のポテンシャルより高く、前記電荷保持部周囲のポテンシャルバリアより低い第2のポテンシャルとなる第2の転送電圧を、前記第2の転送手段に印加する固体撮像素子
を備える電子機器。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010279507A JP5673063B2 (ja) | 2010-12-15 | 2010-12-15 | 固体撮像素子および駆動方法、並びに電子機器 |
US13/312,430 US9054009B2 (en) | 2010-12-15 | 2011-12-06 | Solid-state image pickup device in which charges overflowing a memory during a charge transfer period are directed to a floating diffusion and method of driving same |
US14/703,213 US9749557B2 (en) | 2010-12-15 | 2015-05-04 | Solid-state image pickup device in which charges overflowing a memory during a charge transfer period are directed to a floating diffusion and method of driving same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010279507A JP5673063B2 (ja) | 2010-12-15 | 2010-12-15 | 固体撮像素子および駆動方法、並びに電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012129797A JP2012129797A (ja) | 2012-07-05 |
JP5673063B2 true JP5673063B2 (ja) | 2015-02-18 |
Family
ID=46233129
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010279507A Expired - Fee Related JP5673063B2 (ja) | 2010-12-15 | 2010-12-15 | 固体撮像素子および駆動方法、並びに電子機器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9054009B2 (ja) |
JP (1) | JP5673063B2 (ja) |
Families Citing this family (49)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4494492B2 (ja) * | 2008-04-09 | 2010-06-30 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法 |
JP2013211615A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Sony Corp | 固体撮像素子、固体撮像素子の駆動方法、および電子機器 |
JP2014029984A (ja) * | 2012-06-29 | 2014-02-13 | Canon Inc | 固体撮像素子及び撮像装置 |
GB201302664D0 (en) | 2013-02-15 | 2013-04-03 | Cmosis Nv | A pixel structure |
US9293500B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-03-22 | Apple Inc. | Exposure control for image sensors |
US9276031B2 (en) | 2013-03-04 | 2016-03-01 | Apple Inc. | Photodiode with different electric potential regions for image sensors |
US9041837B2 (en) | 2013-03-05 | 2015-05-26 | Apple Inc. | Image sensor with reduced blooming |
US9741754B2 (en) * | 2013-03-06 | 2017-08-22 | Apple Inc. | Charge transfer circuit with storage nodes in image sensors |
US9549099B2 (en) | 2013-03-12 | 2017-01-17 | Apple Inc. | Hybrid image sensor |
US9319611B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-04-19 | Apple Inc. | Image sensor with flexible pixel summing |
KR20150000250A (ko) | 2013-06-24 | 2015-01-02 | 삼성전자주식회사 | 단위 픽셀 및 그것을 포함하는 이미지 센서 |
JP2015023250A (ja) | 2013-07-23 | 2015-02-02 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその駆動方法、並びに電子機器 |
JP2015026677A (ja) * | 2013-07-25 | 2015-02-05 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
JP2015026679A (ja) * | 2013-07-25 | 2015-02-05 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
JP6304738B2 (ja) | 2013-09-18 | 2018-04-04 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置、撮像方法、製造装置、製造方法、並びに電子機器 |
US9596423B1 (en) | 2013-11-21 | 2017-03-14 | Apple Inc. | Charge summing in an image sensor |
US9596420B2 (en) | 2013-12-05 | 2017-03-14 | Apple Inc. | Image sensor having pixels with different integration periods |
US9473706B2 (en) | 2013-12-09 | 2016-10-18 | Apple Inc. | Image sensor flicker detection |
JP6300029B2 (ja) | 2014-01-27 | 2018-03-28 | ソニー株式会社 | 撮像素子、製造装置、製造方法 |
US10285626B1 (en) | 2014-02-14 | 2019-05-14 | Apple Inc. | Activity identification using an optical heart rate monitor |
US9232150B2 (en) | 2014-03-12 | 2016-01-05 | Apple Inc. | System and method for estimating an ambient light condition using an image sensor |
US9277144B2 (en) | 2014-03-12 | 2016-03-01 | Apple Inc. | System and method for estimating an ambient light condition using an image sensor and field-of-view compensation |
US9584743B1 (en) | 2014-03-13 | 2017-02-28 | Apple Inc. | Image sensor with auto-focus and pixel cross-talk compensation |
JP6406856B2 (ja) * | 2014-04-07 | 2018-10-17 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及びその制御方法 |
US9497397B1 (en) | 2014-04-08 | 2016-11-15 | Apple Inc. | Image sensor with auto-focus and color ratio cross-talk comparison |
US9538106B2 (en) | 2014-04-25 | 2017-01-03 | Apple Inc. | Image sensor having a uniform digital power signature |
US9686485B2 (en) | 2014-05-30 | 2017-06-20 | Apple Inc. | Pixel binning in an image sensor |
JP6525694B2 (ja) * | 2015-04-08 | 2019-06-05 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム、および、撮像装置の駆動方法 |
JP6727948B2 (ja) | 2015-07-24 | 2020-07-22 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子、製造方法 |
WO2017017926A1 (en) | 2015-07-24 | 2017-02-02 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging device, manufacturing method, and substrate dividing method |
FR3039928B1 (fr) * | 2015-08-03 | 2019-06-07 | Teledyne E2V Semiconductors Sas | Procede de commande d'un capteur d'image a pixels actifs |
JP2017130567A (ja) * | 2016-01-21 | 2017-07-27 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および撮像装置 |
JP2017143189A (ja) | 2016-02-10 | 2017-08-17 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像素子 |
US9912883B1 (en) | 2016-05-10 | 2018-03-06 | Apple Inc. | Image sensor with calibrated column analog-to-digital converters |
US10658419B2 (en) | 2016-09-23 | 2020-05-19 | Apple Inc. | Stacked backside illuminated SPAD array |
CN110235024B (zh) | 2017-01-25 | 2022-10-28 | 苹果公司 | 具有调制灵敏度的spad检测器 |
US10656251B1 (en) | 2017-01-25 | 2020-05-19 | Apple Inc. | Signal acquisition in a SPAD detector |
US10962628B1 (en) | 2017-01-26 | 2021-03-30 | Apple Inc. | Spatial temporal weighting in a SPAD detector |
US10622538B2 (en) | 2017-07-18 | 2020-04-14 | Apple Inc. | Techniques for providing a haptic output and sensing a haptic input using a piezoelectric body |
US10440301B2 (en) | 2017-09-08 | 2019-10-08 | Apple Inc. | Image capture device, pixel, and method providing improved phase detection auto-focus performance |
US10559614B2 (en) * | 2018-03-09 | 2020-02-11 | Semiconductor Components Industries, Llc | Dual conversion gain circuitry with buried channels |
US10923523B2 (en) * | 2018-04-16 | 2021-02-16 | Facebook Technologies, Llc | Multi-photodiode pixel cell |
US10848693B2 (en) | 2018-07-18 | 2020-11-24 | Apple Inc. | Image flare detection using asymmetric pixels |
US11019294B2 (en) | 2018-07-18 | 2021-05-25 | Apple Inc. | Seamless readout mode transitions in image sensors |
US11233966B1 (en) | 2018-11-29 | 2022-01-25 | Apple Inc. | Breakdown voltage monitoring for avalanche diodes |
US11563910B2 (en) | 2020-08-04 | 2023-01-24 | Apple Inc. | Image capture devices having phase detection auto-focus pixels |
US11546532B1 (en) | 2021-03-16 | 2023-01-03 | Apple Inc. | Dynamic correlated double sampling for noise rejection in image sensors |
WO2023033191A1 (ja) * | 2021-09-03 | 2023-03-09 | 株式会社 Rosnes | 撮像装置 |
US12069384B2 (en) | 2021-09-23 | 2024-08-20 | Apple Inc. | Image capture devices having phase detection auto-focus pixels |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3874135B2 (ja) | 1997-12-05 | 2007-01-31 | 株式会社ニコン | 固体撮像素子 |
US7800675B2 (en) * | 2004-08-25 | 2010-09-21 | Aptina Imaging Corporation | Method of operating a storage gate pixel |
JP2006311515A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-11-09 | Konica Minolta Holdings Inc | 固体撮像装置 |
JP2007053217A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Renesas Technology Corp | 固体撮像素子 |
JP5568880B2 (ja) | 2008-04-03 | 2014-08-13 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および電子機器 |
JP5219724B2 (ja) * | 2008-10-09 | 2013-06-26 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
JP5213632B2 (ja) * | 2008-10-09 | 2013-06-19 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
US20110019045A1 (en) * | 2009-07-26 | 2011-01-27 | Chi-Shao Lin | Method and apparatus for simultaneous electronic shutter action frame storage and correlated double sampling in image sensor |
-
2010
- 2010-12-15 JP JP2010279507A patent/JP5673063B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-12-06 US US13/312,430 patent/US9054009B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-05-04 US US14/703,213 patent/US9749557B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9054009B2 (en) | 2015-06-09 |
JP2012129797A (ja) | 2012-07-05 |
US9749557B2 (en) | 2017-08-29 |
US20150237272A1 (en) | 2015-08-20 |
US20120153125A1 (en) | 2012-06-21 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140425 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |