JP5224942B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 26
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 23
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 22
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 19
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 19
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 9
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 9
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 208000009989 Posterior Leukoencephalopathy Syndrome Diseases 0.000 description 2
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000622137 Homo sapiens P-selectin Proteins 0.000 description 1
- 102100023472 P-selectin Human genes 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/616—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise involving a correlated sampling function, e.g. correlated double sampling [CDS] or triple sampling
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/67—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/67—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
- H04N25/671—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction
- H04N25/677—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction for reducing the column or line fixed pattern noise
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N3/00—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages
- H04N3/10—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical
- H04N3/14—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices
- H04N3/15—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices for picture signal generation
- H04N3/155—Control of the image-sensor operation, e.g. image processing within the image-sensor
- H04N3/1568—Control of the image-sensor operation, e.g. image processing within the image-sensor for disturbance correction or prevention within the image-sensor, e.g. biasing, blooming, smearing
Description
図1〜図5は、それぞれ、第1の実施例を構成するM行N列の画素アレイのブロック図、一画素の等価回路図、共通出力手段の詳細図、駆動手段の出力バッファ段の詳細図および駆動タイミング図である。
図7、図8を用いて第2の実施例を説明する。
図9を用いて第3の実施例を説明する。
Tfsw_X=(VDD×Csw_X)/Iswv_X (2)
で表される。Iswv_Xを一定とすると、オーバーラップ容量変動の影響でX番目の制御信号線200に付加される容量Csw_Xも変動し、その結果Tfsw_Xが変化する。そこでモニタ回路400を用いて、制御信号線200の電位をモニタし、その変動分を可変定電流源にフィードバックする。そしてIswv_XをTfsw_Xが一定になるよう調整すれば、Csw_Xの変動の影響が抑制された出力バッファ段100を構成することが可能となる。
2 画素アレイ
5 信号保持手段
6 選択手段
7 共通出力手段
8 増幅手段
9 駆動手段
100 駆動手段の出力段
101 駆動手段の出力段の定電流源
102 P型のMOSトランジスタ
103 N型のMOSトランジスタ
300 デジタルアナログ変換器
400 モニタ回路
Claims (7)
- 各々が、画素の出力ノードからの信号を入力ノードに受ける、複数の信号保持手段と、
各々が、所定数の信号保持手段の出力ノードからの信号を入力ノードに受ける、複数の共通出力手段と、
各々が各信号保持手段に対応して設けられ、該信号保持手段の出力ノードから前記共通出力手段の入力ノードへ信号を転送する、複数の選択手段と、を有する固体撮像装置であって、
前記共通出力手段の出力ノードと入力ノードとを接続するフィードバック経路を有し、
前記フィードバック経路を介して前記共通出力手段の出力ノードの信号を前記共通出力手段の入力ノードに供給した状態で、前記選択手段を導通させることにより、前記信号保持手段において前記画素からの出力信号のクランプ動作を行ない、
前記クランプ動作を行なう際に、
前記選択手段を非導通状態から導通状態とするために前記選択手段へ供給する駆動パルスの振幅の時間変化率に比べて、導通状態から非導通状態とするために前記選択手段へ供給する駆動パルスの振幅の時間変化率が小さいことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記共通出力手段は増幅手段を有し、
前記増幅手段は、
前記クランプ動作を行なう際の基準レベルを出力するモードと、
前記信号保持手段を入力容量とし、該信号保持手段の容量値と、前記フィードバック経路と並列に設けられた電気経路に配された帰還容量の容量値との比で増幅率が決定される増幅モードと、を切り替えて動作可能であることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記画素は行列状に配されて画素アレイを構成し、前記共通出力手段は複数の画素列毎又は画素行ごとに共有されていることを特徴とする請求項1又は2のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記選択手段に駆動パルスを供給する駆動手段を有し、
該駆動手段は、前記駆動パルスの元となる制御信号を増幅して出力する出力バッファ段を有し、該出力バッファ段は、
前記制御信号がゲートに供給されるP型MOSトランジスタ及びN型MOSトランジスタを有し、
前記P型MOSトランジスタ及びN型MOSトランジスタのドレインどうしが接続されており、前記P型MOSトランジスタのソースに電源電圧が供給され、前記N型MOSトランジスタのソースは定電流源を介して接地されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記選択手段に駆動パルスを供給する駆動手段を有し、
該駆動手段は、
出力段にランプ波形発生回路を有し、該ランプ波形発生回路に制御信号を入力することにより発生するランプ波形により、前記駆動パルスを導通状態から非導通状態とするために前記選択手段へ供給する駆動パルスの振幅の時間変化率を制御することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。 - 前記駆動パルスの時間変化率をモニタするモニタ手段を有し、前記モニタ手段は前記駆動パルスの時間変化率を一定に保つように、
前記定電流源へ前記モニタ結果をフィードバックし該定電流源の電流値を変化させることを特徴とする請求項4に記載の固体撮像装置。 - 前記駆動パルスが導通状態から非導通状態へ遷移する期間の長さToffが、30ns≦Toff≦1μsであることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008171731A JP5224942B2 (ja) | 2008-06-30 | 2008-06-30 | 固体撮像装置 |
US12/474,805 US8553118B2 (en) | 2008-06-30 | 2009-05-29 | Solid-state imaging apparatus |
EP09162809.9A EP2141908B1 (en) | 2008-06-30 | 2009-06-16 | Solid-state imaging apparatus |
CN200910151316XA CN101621637B (zh) | 2008-06-30 | 2009-06-30 | 固态成像装置 |
US14/020,409 US9337222B2 (en) | 2008-06-30 | 2013-09-06 | Solid-state imaging apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008171731A JP5224942B2 (ja) | 2008-06-30 | 2008-06-30 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010011426A JP2010011426A (ja) | 2010-01-14 |
JP5224942B2 true JP5224942B2 (ja) | 2013-07-03 |
Family
ID=41339028
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008171731A Expired - Fee Related JP5224942B2 (ja) | 2008-06-30 | 2008-06-30 | 固体撮像装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8553118B2 (ja) |
EP (1) | EP2141908B1 (ja) |
JP (1) | JP5224942B2 (ja) |
CN (1) | CN101621637B (ja) |
Families Citing this family (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5224942B2 (ja) * | 2008-06-30 | 2013-07-03 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
JP5225145B2 (ja) * | 2009-02-23 | 2013-07-03 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
JP5322696B2 (ja) * | 2009-02-25 | 2013-10-23 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
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JP5762199B2 (ja) | 2011-07-28 | 2015-08-12 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
JP5901186B2 (ja) | 2011-09-05 | 2016-04-06 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
JP5858695B2 (ja) * | 2011-09-08 | 2016-02-10 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法 |
JP5801665B2 (ja) | 2011-09-15 | 2015-10-28 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、a/d変換器およびその制御方法 |
JP5806566B2 (ja) | 2011-09-15 | 2015-11-10 | キヤノン株式会社 | A/d変換器および固体撮像装置 |
JP5901212B2 (ja) | 2011-10-07 | 2016-04-06 | キヤノン株式会社 | 光電変換システム |
JP5930651B2 (ja) | 2011-10-07 | 2016-06-08 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
JP5484422B2 (ja) | 2011-10-07 | 2014-05-07 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
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JP6057602B2 (ja) | 2012-08-10 | 2017-01-11 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2014120858A (ja) | 2012-12-14 | 2014-06-30 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
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JP6351288B2 (ja) | 2014-02-17 | 2018-07-04 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び撮像システム |
JP6341688B2 (ja) | 2014-02-25 | 2018-06-13 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び撮像システム |
JP6595750B2 (ja) | 2014-03-14 | 2019-10-23 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び撮像システム |
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JP6541347B2 (ja) | 2014-03-27 | 2019-07-10 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
JP6548391B2 (ja) | 2014-03-31 | 2019-07-24 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置および撮像システム |
JP6218799B2 (ja) * | 2015-01-05 | 2017-10-25 | キヤノン株式会社 | 撮像素子及び撮像装置 |
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JP6674224B2 (ja) | 2015-10-22 | 2020-04-01 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
JP6856983B2 (ja) | 2016-06-30 | 2021-04-14 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びカメラ |
JP6677594B2 (ja) | 2016-06-30 | 2020-04-08 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
JP6740067B2 (ja) * | 2016-09-16 | 2020-08-12 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
JP6750876B2 (ja) | 2016-10-07 | 2020-09-02 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
JP2018082261A (ja) | 2016-11-15 | 2018-05-24 | キヤノン株式会社 | 撮像素子 |
JP6946046B2 (ja) | 2017-04-28 | 2021-10-06 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びその駆動方法 |
JP7057635B2 (ja) | 2017-08-15 | 2022-04-20 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、カメラおよび輸送機器 |
JP7046551B2 (ja) | 2017-10-03 | 2022-04-04 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び撮像システム |
JP6704893B2 (ja) | 2017-11-30 | 2020-06-03 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、撮像システム、および固体撮像装置の駆動方法 |
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JP7286309B2 (ja) | 2018-12-18 | 2023-06-05 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、光電変換システムおよび信号処理装置 |
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JP7358079B2 (ja) | 2019-06-10 | 2023-10-10 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システムおよび半導体チップ |
JP7303682B2 (ja) | 2019-07-19 | 2023-07-05 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像システム |
JP7374639B2 (ja) | 2019-07-19 | 2023-11-07 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像システム |
JP7451139B2 (ja) | 2019-10-30 | 2024-03-18 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像システム |
JP7171649B2 (ja) | 2020-05-15 | 2022-11-15 | キヤノン株式会社 | 撮像装置および撮像システム |
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JP5311954B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2013-10-09 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の駆動方法 |
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JP6057602B2 (ja) * | 2012-08-10 | 2017-01-11 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
-
2008
- 2008-06-30 JP JP2008171731A patent/JP5224942B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-05-29 US US12/474,805 patent/US8553118B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-06-16 EP EP09162809.9A patent/EP2141908B1/en not_active Not-in-force
- 2009-06-30 CN CN200910151316XA patent/CN101621637B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-09-06 US US14/020,409 patent/US9337222B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2141908B1 (en) | 2014-12-31 |
CN101621637A (zh) | 2010-01-06 |
US9337222B2 (en) | 2016-05-10 |
CN101621637B (zh) | 2011-07-20 |
US20090322922A1 (en) | 2009-12-31 |
EP2141908A2 (en) | 2010-01-06 |
US20140008522A1 (en) | 2014-01-09 |
JP2010011426A (ja) | 2010-01-14 |
US8553118B2 (en) | 2013-10-08 |
EP2141908A3 (en) | 2013-02-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
RD01 | Notification of change of attorney |
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|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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