JP5224942B2 - 固体撮像装置 - Google Patents

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Description

本発明は、固体撮像装置に関するものである。
近年、デジタルカメラやスキャナ向けにMOS型固体撮像装置が広く普及している。この1つの理由が高いS/N(信号対ノイズ比)を実現できるようになった点である。高いS/Nを実現させるための1つの手段として、画素マトリクスアレイの画素列毎の読み出し回路に増幅器などの後段回路への出力手段を設けることが有用である。画素列毎の増幅器で増幅することにより後段の回路の増幅率を小さく抑えることができるため、信号の増幅に伴って、後段で発生するノイズまでも大幅に増幅してしまうことがなくなる。その結果S/Nを高くすることができる。
特許文献1では、画素列毎に設ける増幅器を複数列で共有することにより回路素子数を削減しチップ面積を縮小している。上述の例では2列の画素で1つの増幅回路を共有している。
回路動作は以下のとおりである。まず、増幅器を共有する複数のサンプリングスイッチをON状態にし、画素からのリセット信号を、クランプ容量(信号保持手段)にて差動増幅器の参照電圧VREFを基準にクランプする。次に複数の画素列のサンプリングスイッチを同時にOFF状態とする。次に、1画素列ごとにサンプリングスイッチをON状態とすることで画素からの光信号を読み出し、光信号とリセット信号の差分信号を増幅器から出力する。
特開2003−228457号公報
しかしながら、上記動作において、サンプリングスイッチであるトランジスタをOFF状態にする際に、チャージインジェクションやクロックフィードスルーによってサンプリングスイッチの両端のノードの電位が変動する。ノードの電位変動は、信号保持手段において信号を保持する際にオフセット成分として信号に重畳される場合がある。
各サンプリングスイッチを制御する駆動パルスの波形は、制御配線のレイアウトの非対称性による配線抵抗と寄生容量の違いにより異なる。またサンプリングスイッチであるトランジスタは、各電極領域間における寄生容量や閾値がばらつく。チャージインジェクションやフィードスルーによる電位変動の程度は、トランジスタの駆動パルスの波形とトランジスタの寄生容量により変化する。またチャージインジェクションおよびフィードスルーによるノードの電位の変動は、トランジスタをOFF状態とするときのタイミングとパルス波形により異なる。
複数のトランジスタの出力ノードが後段の回路に共通に接続され、トランジスタ間でOFF状態へ遷移するタイミングが異なるもしくはOFF状態への遷移時のパルス波形が異なると、チャージインジェクションおよびフィードスルーによる電荷分配が各トランジスタで異なる。各トランジスタで上述の電荷分配が異なると、信号保持手段毎に上述のオフセット成分が異なることになる。このオフセット成分のばらつきは固定パターンノイズとなり画質を著しく悪化させる。また信号に対するオフセット成分のばらつきは信号保持手段の容量値が小さいほど影響は大きい。
以上述べたように、所定数の信号保持手段毎に増幅器などの出力手段の共通化を行なうために設けた複数のサンプリングスイッチにより、信号保持手段で保持した信号に重畳するオフセット成分がばらつくという新たな課題が生じることを本発明者らは見出した。
本発明はこのような課題に鑑みてなされ、例えば、出力手段を所定数の信号保持手段ごとに共有化した固体撮像装置において、高い画質を得ることを目的とするものである。
上記課題に鑑み、本発明は、画素の出力ノードからの信号が、入力ノードへ供給される複数の信号保持手段と、所定数の信号保持手段の出力ノードからの信号が、入力ノードへ供給される複数の共通出力手段と、各信号保持手段に対応して設けられ、該信号保持手段の出力ノードから前記共通出力手段の入力ノードへ信号を転送する選択手段と、を有する固体撮像装置であって、前記共通出力手段の出力ノードと入力ノードとを接続するフィードバック経路を有し、前記フィードバック経路を介して前記共通出力手段の出力ノードの信号を前記共通出力手段の入力ノードに供給した状態で、前記選択手段を導通させることにより、前記信号保持手段において前記画素出力信号のクランプ動作を行ない、前記クランプ動作を行なう際に、前記選択手段を非導通状態から導通状態とするために前記選択手段へ供給する駆動パルスの振幅の時間変化率に比べて、導通状態から非導通状態とするために前記選択手段へ供給する駆動パルスの振幅の時間変化率が小さいことを特徴とする。
本発明により、例えば、信号保持手段ごとの出力のばらつきを小さく抑えることが可能となる。
以下、発明の実施の形態について図面を用いて説明する。
(実施例1)
図1〜図5は、それぞれ、第1の実施例を構成するM行N列の画素アレイのブロック図、一画素の等価回路図、共通出力手段の詳細図、駆動手段の出力バッファ段の詳細図および駆動タイミング図である。
図1において、1は画素、2は画素がM行N列の行列状に配列された画素アレイ、3は画素列毎に設けられた定電流源、4は画素列毎の共通出力線である。定電流源3は共通出力線4ごとに設けられているともいえる。
5は共通出力線を伝達した信号を保持する信号保持手段である。画素の出力ノードからの信号が信号保持手段の入力ノードへ供給される。
6は各信号保持手段で保持された信号を後述の共通出力手段へ選択して出力する選択手段である。選択手段6は各信号保持手段に対応して設けられ、信号保持手段の出力ノードから共通出力手段の入力ノードへの信号の転送を行なう。
7は所定数の信号保持手段ごとに設けられた共通出力手段である。所定数の信号保持手段の信号を、順次、後段へ出力する。共通出力手段は信号保持手段と後段の回路との間のインピーダンス変換もしくは信号保持手段から後段の回路へ伝達する際に信号の増幅を行なう。
5〜7を含んで増幅手段8が構成される。本実施例の固体撮像装置は、増幅手段8を複数有する構成となっている。
9は選択手段の駆動を制御する駆動パルスを供給する駆動手段、100は駆動パルスの元となる制御信号を増幅して出力する出力段、200は制御信号線である。増幅手段8は、所定数の画素列(ここではL列)に1つずつ設けられており合計で(N/L)個設けられている。各々がL個の信号保持手段5とL個の選択手段6および1個の共通出力手段7を含んで構成される。
図2は画素1の等価回路図である。10は光電変換素子として機能するフォトダイオードである。11は光電変換素子10で発生した信号電荷を転送する転送手段である。たとえばMOSトランジスタを用いることができる。15は転送手段11を介して光電変換素子の信号電荷が転送されるフローティングディフュージョン(以後、FD)領域である。FD領域は後述の画素増幅部の入力ノードと電気的に接続されている。12はFD領域に基準電圧を供給しFD領域の電位をリセットするリセット手段である。たとえばMOSトランジスタを用いることができる。13は画素増幅部を構成する増幅トランジスタである。図1の定電流源3とともにソースフォロア回路を構成する。画素増幅部の入力ノードは増幅トランジスタのゲートであり、このゲートとFD領域が電気的に接続されている。
14は所定の画素行の信号を選択して共通出力線4に出力するための画素選択手段である。例えばMOSトランジスタを用いることができる。16は画素の出力ノードである。ここで転送手段11、リセット手段12、画素選択手段14を制御する信号を、それぞれPTX、PRES、PSELとする。
図3は、図1の増幅手段8を詳細に説明したものである。選択手段6としてMOSトランジスタを用いている。また、共通出力手段7は、差動増幅器71、及び差動増幅器の一方の入力ノード(反転入力端子)と出力ノードとの間の電気経路に配された帰還容量72を含む。更に、73は帰還容量と並列に配された帰還スイッチを含む。帰還スイッチ73は差動増幅手段の入力、出力ノードとを接続するフィードバック経路に配されている。74は差動増幅器の入力ノード、75は差動増幅器の出力ノードである。差動増幅器の入力、出力ノードが共通出力手段の入力、出力ノードとして機能する。
また差動増幅手段の入力ノード、出力ノードが共通出力手段の入力、出力ノードとして機能している。帰還スイッチとしては例えばMOSトランジスタを用いることができる。差動増幅器の他方の入力ノード(非反転入力端子)には基準レベル(VREF)が供給されている。
これら構成要件により共通出力手段はスイッチトキャパシタアンプを構成している。なお、選択手段6はチャージインジェクション現象を説明するためにMOSトランジスタの断面を示している。
L個の選択手段6を制御する駆動パルスを、PSW_1、PSW_2・・・PSW_Lとする。これらの駆動パルスは、駆動手段9から制御信号線200を介して供給される。帰還スイッチ73を制御する信号をPC0Rとする。以後、スイッチの開閉動作のうち、開動作によってスイッチが導通状態になる状態をON動作、閉動作によって非導通状態になる状態をOFF動作とする。
共通出力手段7のスイッチトキャパシタアンプは、PC0RがON状態の時には1倍増幅率モードになり、正転入力端子に入力されたVREFを出力する。また、PC0RがOFF状態の時には、信号保持手段5と帰還容量72の容量比で増幅率の決まる増幅モードとなる。信号保持手段が入力容量として機能し、増幅モードでの増幅率は、信号保持手段5の容量値をCC、帰還容量72の容量値をCFとすると、CC/CFとなる。スイッチとキャパシタアンプによって構成される増幅手段は、これらの動作モードを切り替えて動作可能な構成となっている。
選択手段6を構成するMOSトランジスタにおいて、51は信号保持手段の入力ノード、52は信号保持手段の出力ノードである。61はゲート、62、63はソース、ドレイン領域、64は選択手段6がONしているときにゲート61の下にゲート絶縁膜を介して形成されるチャネル領域である。本実施例ではN型のMOSトランジスタを例に説明する。65はゲート61とチャネル64の間に形成されるゲート容量、66、67はゲート61とソース62、ドレイン63の間に形成されるオーバーラップ容量を模式的に示したものである。
図4は、図1の駆動手段9の出力バッファ段100を詳細に示したものである。制御信号がゲートにP型のMOSトランジスタ102及びN型のMOSトランジスタ103を有する。P型のMOSトランジスタ102及びN型のMOSトランジスタ103のドレインどうしが接続されている。P型のMOSトランジスタのソースには電源電圧が供給され、N型のMOSトランジスタのソースは定電流源101を介して接地されている。201は制御信号線200に付加される容量を模式的に示したものである。
ここでX番目の駆動パルスPSW_X(Xは1からLの整数)に着目する。X番目の制御信号線200に付加される容量をCsw_X、X番目の駆動手段の出力バッファ段の定電流源101を流れる電流をIsw_Xとする。PSW_XがON状態からOFF状態に遷移する時間Tfsw_Xは、Isw_Xに反比例し、Csw_Xに比例する関係となる。したがってこれらを変化させることにより遷移時間を制御することができる。ここで、ON状態からOFF状態に遷移する時間とは駆動手段の出力ノードで波形観測したとき、VDD(パルス波形の最大値)が90%から10%まで変化するまでの時間を指す。
ここで駆動パルスの振幅の時間変化率をOFF状態からON状態に遷移する時の方が、ON状態からOFF状態に遷移する時よりも小さくするには、図4に示すように、P型MOSトランジスタのソースに直接電源電圧を供給するような回路構成とする。もしくは、電源とP型のMOSトランジスタのソースとの間に定電流源101よりも駆動力の大きな定電流源を設ければよい。
次に図5の駆動タイミング図を説明する。本実施例では、M行N列の画素アレイを構成しているが、ここでは1行分の動作を説明するために画素選択手段であるMOSトランジスタ14はON状態であるとする。また各スイッチはHighアクティブ(ON状態でON状態)である。
まず時刻t1にリセット信号PRESがON状態からOFF状態に遷移する。この動作により、FD領域の電位を基準電位にリセットした後フローティングとして、基準電位に基づく信号をソースフォロア回路を介して共通出力線4へ出力する。この時、スイッチトキャパシタアンプの帰還スイッチ73にはON状態の駆動パルスが供給されており、差動増幅器71の出力ノードには正転入力レベルVREFが1倍増幅率モードで出力されている。
t1〜t2において、まず駆動パルスPSW_1〜PSW_Lには、OFF状態からON状態へ遷移するパルスが供給される。次にON状態からOFF状態に遷移するパルス波形が供給される。これにより、信号保持容量5の画素出力ノードと接続された端子(入力ノード)はFD領域の電位に基づくリセットレベルとなり、入力ノードと反対側のノードの端子(出力ノード)はVREFレベルとなる。この動作により画素出力信号のリセットレベルをVREFレベルでクランプする。好適には、L個の選択手段6にそれぞれ供給されているPSW_1、PSW_2〜PSW_Lは同じパルス波形の駆動パルスが供給される。
ここで制御信号PSWがON状態からOFF状態に遷移するときに、オーバーラップ容量66に保持されていた電荷がクロックフィードスルー電荷として働く。加えて、ゲート下のチャネル64で発生した電荷の約半分がチャージインジェクション電荷として働く。これらにより、選択手段6の信号保持容量5の出力ノードに接続するノードの電位が変動する。その結果、信号保持容量5にオフセット電圧が発生する。同様に選択手段6の信号保持容量5の反対側のノードでもクロックフィードスルー電荷とチャージインジェクション電荷が発生する。
信号保持容量5に書き込まれるオフセットの原因となる電荷量は、選択手段6のサイズで決まる。例えば選択手段6で発生するクロックフィードスルーとチャージインジェクションの最大電荷量をQsw_maxとすると、信号保持容量5に書き込まれる最大オフセット電圧Voff_maxは、Qsw_maxを信号保持容量5の容量値CCで除算したものとなる。信号保持容量に書き込まれたオフセット量は、スイッチトキャパシタアンプで更にCC/CF倍される。
ここで、選択手段6がON状態からOFF状態に遷移する過程で、Qsw_maxを打ち消すようにローインピーダンスである差動増幅器71の出力ノードから電荷が供給される。この電荷量は選択手段6がON状態からOFF状態へと遷移する期間中の制御方法により異ならせることができる。
本実施例では、図4で説明したように駆動手段の出力段の定電流源101と制御信号線200に付加される容量とを適宜設計することで、選択手段6がON状態からOFF状態へと遷移する期間を確保する。これにより、差動増幅器71の出力ノードから十分な電荷を供給する。その結果、信号保持容量5に書き込まれるオフセット電圧を低減することができる。
選択手段6がON状態からOFF状態へと遷移する期間の長さToffは、30ns≦Toff≦1μsが適当である。30ns以下では、差動増幅器71の出力ノードからの電荷の供給が充分ではなく、オフセット電圧の影響が相対的に大きくなるためである。また、1μs以上では、読み出し速度に対する影響が大きくなるためである。
一方、OFF状態からON状態へ遷移する時間は、オフセット電圧とは無関係である。OFF状態からON状態へ遷移する時間を長くすると回路動作は遅くなる。このためOFF状態からON状態へのパルス遷移はできるだけ短い時間で行なうことが好ましい。
以上より、OFF状態からON状態へ遷移する時間はできるだけ短くし、ON状態からOFF状態へ遷移する時間はオフセット電圧が充分小さくなるように長く設定する必要がある。つまり、OFF状態からON状態へ遷移するときの駆動パルスの振幅の時間変化率に比べて、ON状態からOFF状態へ遷移するときの駆動パルスの振幅の時間変化率を小さくする。図5にそのパルス波形を示す。t1〜t2において、ON時のパルスの立ちあがりに比べてOFF時のパルスの立ち下がりが緩やかな変化となっている。
上述したような時間変化率を達成するための回路構成は、図4の回路を用いる方法のほか、配線容量の電荷を定電流で引き抜く回路、スイッチトキャパシタを用いた回路で構成することもできる。
次に時刻t2にPC0RをON状態からOFF状態に遷移させ、共通出力手段7のスイッチトキャパシタアンプを増幅モードとする。
続いて、時刻t3に転送手段11を制御する信号PTXをON状態、時刻t4にOFF状態とし、光電変換素子10に蓄積された電荷をFD領域15に転送する。これにより信号電荷に応じた光信号レベルをソースフォロアを介して共通出力線4へ出力する。
その後、PSW_1〜PSW_LとPC0Rとを交互にON状態、OFF状態を繰り返すことで、M行N列に配列された画素アレイ2の1行分の画素出力を共通出力手段7の後段へ順次読み出す。
以上、M行N列に配列された画素に対して、増幅手段8をL列に1つずつ合計(N/L)個設けた例を説明したが、本実施例はこれに限るものではない。例えば行数は一行のみでも良い。またさらに多くの増幅手段を設けても良い。
図6は図1の第1の変形例である。21は画素1がL行、N列に配列された画素アレイ、41は画素出力線である。図1の画素アレイ2とは異なり、一画素に対して一つの画素出力線41が設けられており、各々の画素出力線41に定電流源3が接続されている。増幅手段8は複数の画素行で共有しているが、このようなケースにも本実施例は適用することができる。
図10は第2の変形例である。本変形例は、1行N列に配列された1次元状の画素アレイに適用した例である。増幅手段8は複数の画素列で共有している。複数の画素で増幅手段を共有することにより、リニアセンサのチップ面積を小さくすることができる。駆動タイミングは図5の駆動パルス波形がそのまま適用できる。このような構成においても本実施例は適用可能である。
本実施例により、クロックフィードスルーおよびチャージインジェクションによる電荷起因のオフセットを低減することで、信号保持手段5の容量値を小さくしても固定パターンノイズの少ない固体撮像装置を実現することが可能となる。
(実施例2)
図7、図8を用いて第2の実施例を説明する。
図7は、駆動回路がランプ波形発生回路として機能するデジタルアナログ変換器を用いる場合の回路図である。図8は図7の回路の入力波形と出力波形を示している。
図7、図8において300はDigital Analog Converter(以降、DAC)、DA_I0、DA_I1、DA_I2、DA_I3はDAC300を制御する制御信号である。DAC300は、例として4bit分解能のものを示している。DA_I0〜DA_I3の4つの入力ノードからの制御信号によってPSW_X信号を発生させる。DA_I0〜DA_I3には、周波数、パルス幅の異なる駆動パルスが供給される。一例として図8に示す波形を入力することで、ON状態からOFF状態まで16段階でランプダウンする波形を出力することができる。またOFF状態からON状態への遷移は、DACを介さずに通常のインバータを介して出力することにより、上述の時間変化率の関係を実現することができる。
本実施例の構成により、駆動パルスの波形を任意の波形とすることができる。また、DAC300に制御信号配線の負荷に対して十分駆動能力を持たせることができるので、出力に付加される容量の影響を受けずにランプ波形を出力することが可能となる。
本実施例によれば、実施例1の効果に加えて、任意の制御波形を容易に作成することが可能となり、ON状態からOFF状態への遷移の時間的変化率を容易に設定可能となる。
(実施例3)
図9を用いて第3の実施例を説明する。
本実施例は、選択手段の駆動回路からの出力をモニタし、モニタした結果を定電流源にフィードバックして定電流源の動作電流を変更可能とした例である。
図9において401は可変定電流源、400は制御信号線200の電位をモニタし、モニタした結果から可変定電流源401の電流値Iswv_Xを調整するモニタ回路である。モニタ回路から可変定電流源401へのフィードバック経路(不図示)が設けられている。
図3で示したように選択手段6にN型MOSトランジスタを用いた場合、画素出力によって選択手段を構成するMOSトランジスタのソース62に入力された電圧が変化した場合、オーバーラップ容量66の容量値も変動する。画素数が多い場合、オーバーラップ容量66の変動により、制御信号配線200に付加される容量201が変動し、これが信号に影響を及ぼす場合がある。ここでX番目の制御信号PSW_X(Xは、1からLの整数)に着目する。X番目の制御信号線200に付加される容量値をCsw_X、X番目の制御信号供給手段の出力段定電流源101で決定される電流をIswv_Xとすると、PSW_XがON状態からOFF状態に遷移する時間Tfsw_Xは次式で表される。
Tfsw_X=(VDD×Csw_X)/Iswv_X (2)
で表される。Iswv_Xを一定とすると、オーバーラップ容量変動の影響でX番目の制御信号線200に付加される容量Csw_Xも変動し、その結果Tfsw_Xが変化する。そこでモニタ回路400を用いて、制御信号線200の電位をモニタし、その変動分を可変定電流源にフィードバックする。そしてIswv_XをTfsw_Xが一定になるよう調整すれば、Csw_Xの変動の影響が抑制された出力バッファ段100を構成することが可能となる。
本実施例によれば、実施例1の効果に加えて、さらに、Csw_Xの変動の影響が抑制することが可能となり、信号に対する影響を抑制することが可能となる。
以上、具体的な実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。例えば、図5においてPSW_1〜PSW_Lのパルス波形は、全て、ON状態からOFF状態への変化率が小さくなっているが、少なくともt1〜t2期間に供給されるパルスにおいて、そのような波形となっていれば良い。t1〜t2期間に供給されるパルスは言い換えると、信号保持手段5にクランプ動作のための基準信号を供給する期間である。また信号電荷が電子の場合について説明したが、ホールとしても良い。この場合には、信号保持手段における電位の変化が逆となるが、適宜、選択手段、差動増幅手段の極性を変更すればよい。また画素構成に関しても複数の光電変換素子で増幅部などを共通する構成としても良い。
また、各実施例においてはON状態からOFF状態、それぞれのパルス値のみを供給した。その他には例えば中間電位のパルスを生成し、その中間電位で一定期間保持することによって、OFF状態からON状態に遷移する時の方が、ON状態からOFF状態に遷移する時よりも時間変化率を小さくしてもよい。
実施例1の固体撮像装置を説明するためのブロック図である。 実施例1の固体撮像装置の一画素の等価回路図である。 実施例1の増幅手段を説明するための図である。 実施例1の駆動手段の出力段を説明するための図である。 実施例1の固体撮像装置の駆動パルス図である。 実施例1の第1変形例を説明するための図である。 実施例2の駆動手段の出力段を説明するための図である。 実施例2の駆動手段のパルス波形を説明するための図である。 実施例3の駆動手段の出力段を説明するための図である。 実施例1の第2変形例を説明するための図である。
符号の説明
1 画素
2 画素アレイ
5 信号保持手段
6 選択手段
7 共通出力手段
8 増幅手段
9 駆動手段
100 駆動手段の出力段
101 駆動手段の出力段の定電流源
102 P型のMOSトランジスタ
103 N型のMOSトランジスタ
300 デジタルアナログ変換器
400 モニタ回路

Claims (7)

  1. 各々が、画素の出力ノードからの信号を入力ノードに受ける、複数の信号保持手段と、
    各々が、所定数の信号保持手段の出力ノードからの信号を入力ノードに受ける、複数の共通出力手段と、
    各々が各信号保持手段に対応して設けられ、該信号保持手段の出力ノードから前記共通出力手段の入力ノードへ信号を転送する、複数の選択手段と、を有する固体撮像装置であって、
    前記共通出力手段の出力ノードと入力ノードとを接続するフィードバック経路を有し、
    前記フィードバック経路を介して前記共通出力手段の出力ノードの信号を前記共通出力手段の入力ノードに供給した状態で、前記選択手段を導通させることにより、前記信号保持手段において前記画素からの出力信号のクランプ動作を行ない、
    前記クランプ動作を行なう際に、
    前記選択手段を非導通状態から導通状態とするために前記選択手段へ供給する駆動パルスの振幅の時間変化率に比べて、導通状態から非導通状態とするために前記選択手段へ供給する駆動パルスの振幅の時間変化率が小さいことを特徴とする固体撮像装置。
  2. 前記共通出力手段は増幅手段を有し、
    前記増幅手段は、
    前記クランプ動作を行なう際の基準レベルを出力するモードと、
    前記信号保持手段を入力容量とし、該信号保持手段の容量値と、前記フィードバック経路と並列に設けられた電気経路に配された帰還容量の容量値との比で増幅率が決定される増幅モードと、を切り替えて動作可能であることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
  3. 前記画素は行列状に配されて画素アレイを構成し、前記共通出力手段は複数の画素列毎又は画素行ごとに共有されていることを特徴とする請求項1又は2のいずれかに記載の固体撮像装置。
  4. 前記選択手段に駆動パルスを供給する駆動手段を有し、
    該駆動手段は、前記駆動パルスの元となる制御信号を増幅して出力する出力バッファ段を有し、該出力バッファ段は、
    前記制御信号がゲートに供給されるP型MOSトランジスタ及びN型MOSトランジスタを有し、
    前記P型MOSトランジスタ及びN型MOSトランジスタのドレインどうしが接続されており、前記P型MOSトランジスタのソースに電源電圧が供給され、前記N型MOSトランジスタのソースは定電流源を介して接地されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
  5. 前記選択手段に駆動パルスを供給する駆動手段を有し、
    該駆動手段は、
    出力段にランプ波形発生回路を有し、該ランプ波形発生回路に制御信号を入力することにより発生するランプ波形により、前記駆動パルスを導通状態から非導通状態とするために前記選択手段へ供給する駆動パルスの振幅の時間変化率を制御することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
  6. 前記駆動パルスの時間変化率をモニタするモニタ手段を有し、前記モニタ手段は前記駆動パルスの時間変化率を一定に保つように、
    前記定電流源へ前記モニタ結果をフィードバックし該定電流源の電流値を変化させることを特徴とする請求項4に記載の固体撮像装置。
  7. 前記駆動パルスが導通状態から非導通状態へ遷移する期間の長さToffが、30ns≦Toff≦1μsであることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
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Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5224942B2 (ja) * 2008-06-30 2013-07-03 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP5225145B2 (ja) * 2009-02-23 2013-07-03 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP5322696B2 (ja) * 2009-02-25 2013-10-23 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びその駆動方法
JP5495701B2 (ja) * 2009-10-07 2014-05-21 キヤノン株式会社 固体撮像装置
US9103724B2 (en) 2010-11-30 2015-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising photosensor comprising oxide semiconductor, method for driving the semiconductor device, method for driving the photosensor, and electronic device
JP5808162B2 (ja) 2011-06-23 2015-11-10 キヤノン株式会社 撮像素子、撮像装置及び撮像素子の駆動方法
JP5762199B2 (ja) 2011-07-28 2015-08-12 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP5901186B2 (ja) 2011-09-05 2016-04-06 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びその駆動方法
JP5858695B2 (ja) * 2011-09-08 2016-02-10 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法
JP5801665B2 (ja) 2011-09-15 2015-10-28 キヤノン株式会社 固体撮像装置、a/d変換器およびその制御方法
JP5806566B2 (ja) 2011-09-15 2015-11-10 キヤノン株式会社 A/d変換器および固体撮像装置
JP5901212B2 (ja) 2011-10-07 2016-04-06 キヤノン株式会社 光電変換システム
JP5930651B2 (ja) 2011-10-07 2016-06-08 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP5484422B2 (ja) 2011-10-07 2014-05-07 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP6060500B2 (ja) * 2012-03-01 2017-01-18 株式会社ニコン 撮像素子
JP2013200187A (ja) * 2012-03-23 2013-10-03 Toshiba Corp 非冷却型赤外線撮像装置
JP6057602B2 (ja) 2012-08-10 2017-01-11 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP2014120858A (ja) 2012-12-14 2014-06-30 Canon Inc 固体撮像装置
EP3007434B1 (en) * 2013-05-31 2021-11-03 Nikon Corporation Electronic device and control program
KR20150018723A (ko) * 2013-08-09 2015-02-24 에스케이하이닉스 주식회사 버퍼 회로
JP6274898B2 (ja) * 2014-02-17 2018-02-07 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びカメラ
JP6351288B2 (ja) 2014-02-17 2018-07-04 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び撮像システム
JP6341688B2 (ja) 2014-02-25 2018-06-13 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び撮像システム
JP6595750B2 (ja) 2014-03-14 2019-10-23 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び撮像システム
US9484134B2 (en) * 2014-03-26 2016-11-01 Mediatek Inc. Feedthrough signal transmission circuit and method utilizing permanently on buffer and switchable normal buffer
JP6541347B2 (ja) 2014-03-27 2019-07-10 キヤノン株式会社 固体撮像装置および撮像システム
JP6548391B2 (ja) 2014-03-31 2019-07-24 キヤノン株式会社 光電変換装置および撮像システム
JP6218799B2 (ja) * 2015-01-05 2017-10-25 キヤノン株式会社 撮像素子及び撮像装置
US10003761B2 (en) 2015-09-10 2018-06-19 Canon Kabushiki Kaisha Imaging device having multiple analog-digital conversion circuits that perform multiple ad conversions for a singular one of a pixel signal
US9900539B2 (en) 2015-09-10 2018-02-20 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state image pickup element, and image pickup system
JP6674224B2 (ja) 2015-10-22 2020-04-01 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP6856983B2 (ja) 2016-06-30 2021-04-14 キヤノン株式会社 光電変換装置及びカメラ
JP6677594B2 (ja) 2016-06-30 2020-04-08 キヤノン株式会社 光電変換装置
JP6740067B2 (ja) * 2016-09-16 2020-08-12 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びその駆動方法
JP6750876B2 (ja) 2016-10-07 2020-09-02 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びその駆動方法
JP2018082261A (ja) 2016-11-15 2018-05-24 キヤノン株式会社 撮像素子
JP6946046B2 (ja) 2017-04-28 2021-10-06 キヤノン株式会社 光電変換装置及びその駆動方法
JP7057635B2 (ja) 2017-08-15 2022-04-20 キヤノン株式会社 撮像装置、カメラおよび輸送機器
JP7046551B2 (ja) 2017-10-03 2022-04-04 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び撮像システム
JP6704893B2 (ja) 2017-11-30 2020-06-03 キヤノン株式会社 固体撮像装置、撮像システム、および固体撮像装置の駆動方法
US10462397B1 (en) * 2018-05-17 2019-10-29 Sony Semiconductor Solutions Corporation Sample-and-hold circuit with feedback and noise integration
JP7286309B2 (ja) 2018-12-18 2023-06-05 キヤノン株式会社 光電変換装置、光電変換システムおよび信号処理装置
JP6694090B1 (ja) * 2019-03-01 2020-05-13 力晶積成電子製造股▲ふん▼有限公司Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation Da変換回路、不良ビット数検出回路及び不揮発性半導体記憶装置
JP7358079B2 (ja) 2019-06-10 2023-10-10 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システムおよび半導体チップ
JP7303682B2 (ja) 2019-07-19 2023-07-05 キヤノン株式会社 光電変換装置及び撮像システム
JP7374639B2 (ja) 2019-07-19 2023-11-07 キヤノン株式会社 光電変換装置及び撮像システム
JP7451139B2 (ja) 2019-10-30 2024-03-18 キヤノン株式会社 光電変換装置及び撮像システム
JP7171649B2 (ja) 2020-05-15 2022-11-15 キヤノン株式会社 撮像装置および撮像システム

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2699023B1 (fr) * 1992-12-09 1995-02-24 Texas Instruments France Circuit à retard commandé.
US6885396B1 (en) * 1998-03-09 2005-04-26 Micron Technology, Inc. Readout circuit with gain and analog-to-digital a conversion for image sensor
US6222175B1 (en) * 1998-03-10 2001-04-24 Photobit Corporation Charge-domain analog readout for an image sensor
JP2000346950A (ja) * 1999-06-07 2000-12-15 Toshiba Corp 放射線検出器
US6873364B1 (en) * 2000-06-08 2005-03-29 Micron Technology, Inc. Low-power signal chain for image sensors
JP3667214B2 (ja) * 2000-08-25 2005-07-06 キヤノン株式会社 固体撮像装置およびその駆動方法
US7279668B2 (en) * 2001-10-16 2007-10-09 Micron Technology, Inc. Sequential read-out method and system that employs a single amplifier for multiple columns
WO2004102805A1 (ja) * 2003-05-13 2004-11-25 Fujitsu Limited 遅延回路
US7388608B2 (en) * 2004-03-11 2008-06-17 Micron Technology, Inc. Sample and hold circuit and active pixel sensor array sampling system utilizing same
JP2005303746A (ja) * 2004-04-13 2005-10-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 撮像装置
JP2006101479A (ja) * 2004-09-02 2006-04-13 Canon Inc 固体撮像装置及びそれを用いたカメラ
JP4208892B2 (ja) * 2006-05-01 2009-01-14 キヤノン株式会社 固体撮像装置
US7746400B2 (en) 2007-07-31 2010-06-29 Aptina Imaging Corporation Method, apparatus, and system providing multi-column shared readout for imagers
JP5004775B2 (ja) * 2007-12-04 2012-08-22 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム
JP5224942B2 (ja) * 2008-06-30 2013-07-03 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP5311954B2 (ja) * 2008-09-30 2013-10-09 キヤノン株式会社 固体撮像装置の駆動方法
KR101688600B1 (ko) * 2010-04-14 2016-12-23 삼성전자 주식회사 피드백 클램프블록을 구비하는 샘플링회로, 영상신호증폭회로 및 상기 영상신호증폭회로를 구비하는 이미지센서
JP6057602B2 (ja) * 2012-08-10 2017-01-11 キヤノン株式会社 固体撮像装置

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