JP6750876B2 - 固体撮像装置及びその駆動方法 - Google Patents

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Description

本発明は、固体撮像装置及びその駆動方法に関する。
近年、CMOSイメージセンサにおいて、グローバル電子シャッタの機能を有するものが提案されている。グローバル電子シャッタとは、複数の画素の間で露光期間が一致するような撮像動作を電気的に制御することである。グローバル電子シャッタを用いることには、動きの速い被写体を撮影する場合でも被写体像がゆがみにくいという利点がある。
特許文献1には、グローバル電子シャッタ機能を備えた固体撮像装置において、光電変換部から保持部への電荷の転送を露光期間中に複数回行う構成とすることにより、画素サイズの拡大を抑えつつ画素の飽和電荷量を増加することが記載されている。
特開2015−177349号公報
しかしながら、露光期間中に光電変換部から保持部に複数回の電荷の転送を行う構成とした場合に画質が低下することがあった。特許文献1ではこのような点は考慮されていなかった。
本発明の目的は、露光期間中に光電変換部から保持部に複数回の電荷の転送を行う構成とした場合の画質の低下を抑制しうる固体撮像装置及びその駆動方法を提供することにある。
本発明の一観点によれば、光電変換により電荷を生成する光電変換部と、前記光電変換部で生成された電荷を保持する保持部と、前記光電変換部から前記保持部へ電荷を転送する転送手段と、を有し、前記保持部が保持する電荷に基づく信号を出力する複数の画素と、前記複数の画素に接続され、前記複数の画素から前記信号が出力される出力線と、1回の露光期間の間に前記光電変換部で生成された電荷を、1以上の範囲で可変の回数の転送動作により前記保持部へ転送するように前記転送手段を制御する転送制御部と、前記信号を増幅する増幅手段と、前記増幅手段の増幅率を、前記転送動作の回数が第1の回数のときに第1のゲインに制御し、前記転送動作の回数が前記第1の回数よりも少ない第2の回数のときに前記第1のゲインよりも大きい第2のゲインに制御する制御部とを有する固体撮像装置が提供される。
また、本発明の他の一観点によれば、光電変換により電荷を生成する光電変換部と、前記光電変換部で生成された電荷を保持する保持部と、前記光電変換部から前記保持部へ電荷を転送する転送手段と、を有し、前記保持部が保持する電荷に基づく信号を出力する複数の画素と、前記複数の画素に接続され、前記複数の画素から前記信号が出力される出力線と、前記信号を増幅する増幅手段と、を有する固体撮像装置の駆動方法であって、1回の露光期間の間に前記光電変換部で生成された電荷を、1以上の範囲で可変の回数の転送動作により前記保持部に転送し、前記増幅手段の増幅率を、前記転送動作の回数が第1の回数のときに第1のゲインに制御し、前記転送動作の回数が前記第1の回数よりも少ない第2の回数のときに前記第1のゲインよりも大きい第2のゲインに制御する固体撮像装置の駆動方法が提供される。
本発明によれば、露光期間中に光電変換部から保持部に複数回の電荷の転送を行う構成とした場合の画質の低下を効果的に抑制することができる。
本発明の第1実施形態による固体撮像装置の概略構成を示すブロック図である。 本発明の第1実施形態による固体撮像装置の画素の構成例を示す回路図である。 本発明の第1実施形態による固体撮像装置の信号処理部の構成例を示すブロック図である。 本発明の第1実施形態による固体撮像装置の駆動方法を示すタイミング図である。 本発明の第1実施形態による固体撮像装置の駆動方法における転送回数と増幅率の設定例を示す図である。 本発明の第1実施形態による固体撮像装置の駆動方法における転送回数と増幅率の他の設定例を示す図である。 転送回数が2回の場合の固体撮像装置の駆動例を示すタイミング図である。 図7の駆動例における転送回数と増幅率の設定例を示す図である。 本発明の第2実施形態による固体撮像装置の駆動方法を示すタイミング図である。 本発明の第2実施形態による固体撮像装置の駆動方法における転送回数と増幅率の設定例を示す図である。 本発明の第3実施形態による固体撮像装置の駆動方法を示すタイミング図である。 本発明の第4実施形態による固体撮像装置の画素の構成例を示す回路図である。 本発明の第4実施形態による固体撮像装置の駆動方法を示す図である。 本発明の第5実施形態による撮像システムの概略構成を示すブロック図である。 本発明の第6実施形態による撮像システム及び移動体の構成例を示す図である。
[第1実施形態]
本発明の第1実施形態による固体撮像装置及びその駆動方法について、図1乃至図6を用いて説明する。
図1は、本実施形態による固体撮像装置の概略構成を示すブロック図である。図2は、本実施形態による固体撮像装置の画素の構成例を示す回路図である。図3は、本実施形態による固体撮像装置の列信号処理部の構成例を示すブロック図である。図4は、本実施形態による固体撮像装置の駆動方法を示すタイミング図である。図5及び図6は、本実施形態による固体撮像装置の駆動方法における転送回数と増幅率の設定例を示す図である。
はじめに、本実施形態による固体撮像装置の構造について、図1乃至図3を用いて説明する。
本実施形態による固体撮像装置100は、図1に示すように、画素アレイ10と、画素駆動部20と、信号処理部30と、水平走査部50と、信号出力部60と、駆動信号生成部70とを有している。
画素アレイ10は、複数の行及び複数の列に渡って配された複数の画素12を含む。それぞれの画素12は、入射光をその光量に応じた電荷に変換する光電変換部を含み、入射光量に応じた画素信号を出力する。
画素アレイ10の各行には、行方向に延在する画素駆動信号線14が配されている。それぞれの行の画素駆動信号線14は、対応する行に属する画素12に共通の信号線をなしている。画素駆動信号線14は、画素駆動部20に接続されている。画素アレイ10の各列には、列方向に延在する画素出力線16が配されている。それぞれの列の画素出力線16は、対応する列に属する画素12に共通の信号線をなしている。画素出力線16は、信号処理部30に接続されている。
画素駆動部20は、画素駆動信号線14を介して供給する駆動信号によって、画素12の光電変換動作、電荷の転送動作、読み出し動作を制御する制御部である。画素駆動信号線14は、図1には1本の信号線で示しているが、実際には複数の駆動信号線を含む。画素駆動部20により選択された行の画素12は、画素出力線16に同時に画素信号を出力する。
信号処理部30は、画素アレイ10の列毎に設けられた複数の列信号処理部32を有する。それぞれの列信号処理部32は、対応する列の画素出力線16に接続されている。列信号処理部32は、画素出力線16を介して画素12から読み出された画素信号に対して所定の信号処理を実施する回路部である。列信号処理部32は、少なくとも画素信号を増幅する機能を有し、必要に応じてA/D(アナログ/デジタル)変換等のその他の機能を有してもよい。
水平走査部50は、信号処理部30において処理された画素信号を列毎に順次、信号出力部60に転送するためのものである。水平走査部50は、各列の列信号処理部32に順次、選択信号を供給する。これにより、列信号処理部32で処理された画素信号が、列毎に順次、共通出力線52へと出力される。水平走査部50は、デコーダやシフトレジスタで構成される。
信号出力部60は、画素12から読み出された画素信号を固体撮像装置の外部に出力するための回路である。信号出力部60は、信号処理部30の出力信号を増幅する機能を備えていてもよい。信号処理部30がA/D変換器を含む構成では、画素信号は、デジタル信号として信号処理部30から出力され、信号出力部60へと転送される。この場合、信号出力部60は、デジタル信号処理機能を備えていてもよい。信号出力部60が備えうるデジタル信号処理機能としては、デジタルゲイン処理やオフセット加算処理などが挙げられる。また、信号出力部60の出力構成として、例えば、単一の端子から電圧出力を行う方式や、差動の2端子を持つLVDS(Low Voltage Differential Signaling)方式の出力手段を有してもよい。信号出力部60で処理された画素信号は、固体撮像装置100の外部へと出力される。
駆動信号生成部70は、画素駆動部20、信号処理部30、水平走査部50に、これらの駆動や設定を制御するための制御信号を供給する。例えば、駆動信号生成部70は、画素駆動部20や信号処理部30に供給する信号の出力タイミングや画素信号の増幅率を設定する。駆動信号生成部70は、画素駆動部20とともに、光電変換部から保持部に電荷を転送する転送手段を制御する転送制御部を構成する。
図2は、画素12の構成例である。それぞれの画素12は、光電変換部PD、転送トランジスタM1,M2,M4、リセットトランジスタM3、増幅トランジスタM5、選択トランジスタM6を含む。
光電変換部PDは、例えばフォトダイオードである。光電変換部PDのフォトダイオードは、アノードが接地電圧線GNDに接続され、カソードが転送トランジスタM1のソース及び転送トランジスタM4のソースに接続されている。転送トランジスタM4は、オーバーフロートランジスタと呼ばれることもある。転送トランジスタM1のドレインは、転送トランジスタM2のソースに接続されている。転送トランジスタM1と転送トランジスタM2との間の接続ノードは、容量成分を含み、電荷の保持部C1としての機能を備える。
転送トランジスタM2のドレインは、リセットトランジスタM3のソース及び増幅トランジスタM5のゲートに接続されている。転送トランジスタM2のドレイン、リセットトランジスタM3のソース及び増幅トランジスタM5のゲートの接続ノードであるノードVFDは、容量成分を含み、電荷の保持部C2としての機能を備える。ノードVFDは、フローティングディフュージョンと呼ばれることもある。ノードVFDは、増幅トランジスタM5により構成される増幅部の入力ノードとして機能する。
リセットトランジスタM3のドレイン、転送トランジスタM4のドレイン及び増幅トランジスタM5のドレインは、電源電圧線VDDに接続されている。増幅トランジスタM5のソースは、選択トランジスタM6のドレインに接続されている。選択トランジスタM6のソースは、画素出力線16に接続されている。
保持部C1,C2を構成する容量は、特に限定されるものではなく、例えば、P型半導体とN型半導体との間のPN接合容量、誘電体を金属で挟んだ構造のMIM容量、MOS容量、配線容量等の寄生容量などを適用可能である。
図2の画素構成の場合、画素アレイ10に配されたそれぞれの画素駆動信号線14は、信号線TX1,TX2,RES,OFD,SELを含む。信号線TX1は、対応する行に属する画素12の転送トランジスタM1のゲートにそれぞれ接続されている。信号線TX2は、対応する行に属する画素12の転送トランジスタM2のゲートにそれぞれ接続されている。信号線RESは、対応する行に属する画素12のリセットトランジスタM3のゲートにそれぞれ接続されている。信号線OFDは、対応する行に属する画素12の転送トランジスタM4のゲートにそれぞれ接続されている。信号線SELは、対応する行に属する画素12の選択トランジスタM6のゲートにそれぞれ接続されている。電源電圧線VDD及び接地電圧線GNDは、図2に示すような行方向に延在する信号線や、列方向に延在する信号線などにより構成される、各画素12に共通に接続された配線である。
信号線TX1には、画素駆動部20から、転送トランジスタM1を制御するための駆動パルスである駆動信号PTX1が出力される。信号線TX2には、画素駆動部20から、転送トランジスタM2を制御するための駆動パルスである駆動信号PTX2が出力される。信号線RESには、画素駆動部20から、リセットトランジスタM3を制御するための駆動パルスである駆動信号PRESが出力される。信号線OFDには、画素駆動部20から、転送トランジスタM4を制御するための駆動パルスである駆動信号POFDが出力される。信号線SELには、画素駆動部20から、選択トランジスタM6を制御するための駆動パルスである駆動信号PSELが出力される。各トランジスタがN型トランジスタで構成される場合、画素駆動部20からハイレベルの駆動信号が供給されると対応するトランジスタがオンとなり、画素駆動部20からローレベルの駆動信号が供給されると対応するトランジスタがオフとなる。
光電変換部PDは、入射光をその光量に応じた量の電荷に変換(光電変換)するとともに、生じた電荷を蓄積する。転送トランジスタM4は、光電変換部PDを電源電圧線VDDの電位にリセットする。転送トランジスタM1は、光電変換部PDの電荷を保持部C1に転送する。保持部C1は、入射光によって生じた電荷を光電変換部PDとは別の場所で保持する。転送トランジスタM2は、保持部C1の電荷を保持部C2に転送する。保持部C2は、保持部C1から転送された電荷を保持するとともに、ノードVFDを、その容量と転送された電荷の量とに応じた電圧に設定する。リセットトランジスタM3は、ノードVFDを電源電圧線VDDの電位にリセットする。選択トランジスタM6は、画素出力線16に信号を出力する画素12を選択する。増幅トランジスタM5は、ドレインに電源電圧が供給され、ソースに選択トランジスタM6を介して電流源(図示せず)からバイアス電流が供給される構成となっており、ゲートを入力ノードとする増幅部(ソースフォロワ回路)を構成する。これにより増幅トランジスタM5は、入射光によって生じた電荷に基づく信号を、選択トランジスタM6を介して画素出力線16に出力する。なお、光電変換部PDのリセットは、不図示の別の電位で行ってもよいし、転送トランジスタM1,M2をオンにした状態でリセットトランジスタM3を介して行ってもよい。
図3は、列信号処理部32の構成例である。列信号処理部32は、増幅部34と、A/D変換器36とを含む。増幅部34は、画素出力線16を介して画素12から出力された画素信号を増幅する。A/D変換器36は、増幅部34から出力された増幅された画素信号をアナログ信号からデジタル信号に変換する。なお、列信号処理部32の構成はこれに限定されるものではなく、増幅部34のみの構成やA/D変換器36のみの構成であってもよいし、相関二重サンプリング機能を更に備えていてもよい。
次に、本実施形態による固体撮像装置の駆動方法について、図4乃至図6を用いて説明する。なお、各トランジスタは駆動信号がハイレベルのときにオン状態になり、駆動信号がローレベルのときにオフ状態になるものとする。
本実施形態による固体撮像装置の駆動方法では、図4に示すように、1フレーム期間内に、期間T1と、期間T1よりも後の期間T2と、期間T2よりも後の期間T3とが含まれる。期間T1は、光電変換部PDのリセット期間である。期間T2は、光電変換部PDの露光期間である。期間T3は、画素信号の読み出し期間である。期間T2は、期間T4と、期間T5とを含む。期間T4は、光電変換部PDにおける信号電荷の蓄積期間である。期間T5は、光電変換部PDから保持部C1への信号電荷の転送期間である。期間T4及び期間T5の動作は、期間T2の間に、1回実行されるか、または、必要に応じて複数回、繰り返し実行される。期間T3は、期間T6を含む。期間T6は、1行の画素12から画素信号の読み出しを実行する期間である。画素アレイ10がn行で構成される場合、1行目からn行目のそれぞれに対して順次、期間T6の動作が実行される。
まず、期間T1において、画素駆動部20からリセットの対象となる総ての行の信号線OFDに供給される駆動信号POFDがハイレベルとなり、総ての画素12の転送トランジスタM4がオンになる。これにより、光電変換部PDは、転送トランジスタM4を介して電源電圧線VDDに接続され、電源電圧に応じた電位にリセットされる。
期間T1の経過後、駆動信号POFDがローレベルになると、総ての画素12の転送トランジスタM4がオフ状になり、光電変換部PDのリセットが解除される。これにより、総ての画素12の光電変換部PDでは、光電変換によって入射光量に応じた電荷が生成され、蓄積される。つまり、1回の露光期間が開始される。駆動信号POFDがハイレベルからローレベルへと遷移するタイミングは、期間T1の終了時刻であるとともに、期間T2の開始時刻でもある。
期間T2の間、総ての行の信号線TX1に供給される駆動信号PTX1を少なくとも1回、ローレベルからハイレベルへと遷移する。駆動信号PTX1がローレベルで転送トランジスタM1がオフの期間が期間T4であり、駆動信号PTX1がハイレベルで転送トランジスタM1がオンの期間が期間T5である。期間T5では、それまでに光電変換部PDに蓄積されていた電荷が保持部C1へと転送される。
期間T2は、少なくとも1回の期間T5を含む。期間T5の前には期間T4を実行してもよく、複数回の期間T5を実行する場合は期間T5の間に期間T4を実行する。最後の期間T5において駆動信号PTX1をハイレベルからローレベルへと遷移するタイミングが、期間T2の終了時刻となる。この結果、期間T2の間に光電変換部PDで生じた電荷は、光電変換部PDから保持部C1へと転送され、保持部C1において保持されることになる。
本実施形態では、期間T2の間に計5回、期間T4及び期間T5を繰り返し実行する例を示す。ただし、期間T2の間に期間T4及び期間T5を繰り返し実行する回数は、5回に限定されるものではない。また、期間T5の間隔、すなわち期間T4は、必ずしも均等である必要はない。また、期間T5を複数回実行する場合、期間T5は、必ずしも均等である必要はない。また、期間T5の後に、再び期間T4の動作を行う前に、光電変換部PDをリセットする動作(期間T1の動作)を行ってもよい。最初に光電変換部PDのリセットが解除されてから、保持部C1に保持された電荷を読み出すまでが、1回の露光期間として定義される。すなわち、1回の露光期間の中に、光電変換部PDがリセットされることがあってもよい。
期間T2が終了後、期間T3が実行される。期間T3では、行毎に順次、各画素12の保持部C1に保持されている電荷に基づく信号の画素出力線16への読み出し(期間T6)を実行する。最終行(n行目)の画素12からの画素信号の読み出しが終了すると、期間T3が終了する。
期間T6における各行の読み出し動作は、図4に示すように、リセット期間と、読み出し期間と、信号処理期間と、水平転送期間とを含む。
リセット期間及び読み出し期間では、読み出し対象の行の信号線SELに供給される駆動信号PSELをハイレベルとし、当該行の画素12の選択トランジスタM6をオンにする。これにより、当該行の画素12が選択され、選択された画素12から画素出力線16への画素信号の読み出しが可能な状態となる。
リセット期間において、読み出し対象の行の信号線RESに供給される駆動信号PRESがハイレベルになると、リセットトランジスタM3がオンになる。これにより、VFDノードはリセットトランジスタM3を介して電源電圧線VDDに接続され、電源電圧に応じた電位(リセット電位)にリセットされる。
続く読み出し期間において、まず、リセットトランジスタM3がオフした後、画素出力線16には、VFDノードのリセット電位に応じた基準信号(N信号)が出力される。次に、読み出し対象の行の信号線TX2に供給される駆動信号PTX2がハイレベルになると、転送トランジスタM2がオンになる。これにより、保持部C1に保持されていた電荷が保持部C2へと転送され、VFDノードは、保持部C2の容量による電荷電圧変換により、保持部C2へ転送された電荷の量に応じた電位となる。転送トランジスタM2がオフになった後、画素出力線16には、保持部C1から保持部C2に転送された電荷の量に応じた画素信号(S信号)が出力される。
信号処理期間では、画素出力線16を介して信号処理部30に出力されたN信号及びS信号に対して、増幅処理、A/D変換処理等の所定の信号処理が実行される。水平転送期間では、各列の列信号処理部32で処理されたN信号及びS信号を、水平走査部50からの制御信号に従って列毎に順次、共通出力線52を介して信号出力部60へと転送する。
このようにして、複数の画素12の間で光電変換部PDの光電変換動作と蓄積の期間(期間T2)が一致するような撮像動作、いわゆる、グローバル電子シャッタ動作を行うことができる。
本実施形態による固体撮像装置の駆動方法では、露光期間(期間T2)中に、転送トランジスタM1を複数回(ここでは5回)オンにして光電変換部PDから保持部C1に断続的に電荷の転送を行っている。1回の露光期間中に転送トランジスタM1をオンにする回数は、被写体の明るさなどの撮像条件に応じて変更される。換言すると、1回の露光期間の間に光電変換部PDで生成された電荷を、1以上の範囲で可変の回数の転送動作により保持部C1へ転送する。光電変換部PDから保持部C1に断続的に複数回の電荷の転送を行っていることの1つの理由は、画素サイズの拡大を抑制しつつ画素12の飽和電荷量を確保するためである。
光電変換部PDから保持部C1へ1回で電荷を転送するためには、光電変換部PDの飽和電荷量と保持部C1の飽和電荷量とがほぼ同じである必要がある。この場合、画素12の飽和電荷量を増やすためには光電変換部PDの飽和電荷量と保持部C1の飽和電荷量とを共に大きくしなければならず、画素サイズの拡大を避けることはできない。
光電変換部PDから保持部C1への電荷の転送を複数回に分けて行う構成とすることにより、光電変換部PDの飽和電荷量を増やすことなく、画素12の飽和電荷量を確保することができる。例えば、光電変換部PDの飽和電荷量をQP、保持部C1の飽和電荷量をQM、光電変換部PDから保持部C1への転送回数をNとすると、飽和電荷量QPはQM/N程度とすることができ、画素サイズの拡大を抑制することができる。
一例として、保持部C1の飽和電荷量QMが光電変換部PDの飽和電荷量QPのM倍である(光電変換部PDから飽和電荷量QP相当の電荷をM回転送することで保持部C1が飽和電荷量QMに達する)場合を想定する。この場合、画素12の最大飽和電荷量は、保持部C1の飽和電荷量QMとなり、光電変換部PDがM回飽和したときの電荷量と等価であるといえる。つまり、光電変換部PDから飽和電荷量QP相当の電荷をM回転送する構成とすることで、画素12を最大飽和電荷量で使用することができる。画素12を最大飽和電荷量で使用するときの電荷の転送回数は、光電変換部PDの飽和電荷量QPに対する保持部C1の飽和電荷量QMの比率(QM/QP)に対応している。また、後段の回路は、画素12の最大飽和電荷量、つまり、保持部C1の飽和電荷量QMに対応した信号を扱えるダイナミックレンジを持つ。
光電変換部PDから保持部C1への電荷の転送を一定の間隔でN回行う場合、期間T2は、以下の式(1)のように表される。
T2=(T4+T5)×N …(1)
N=Mのとき、画素12を最大飽和電荷量で使用することができる。非常に明るい被写体の場合、各転送動作において、光電変換部PDの飽和電荷量QPの電荷が転送されうる。この場合でも、信号レベルは後段の回路のダイナミックレンジに含まれる。一方で、暗いシーンを撮像する場合に同様にM回の電荷転送を行うと、1回に転送される電荷の量は光電変換部PDの飽和電荷量QPより少ない。つまり、1回の露光期間に保持部C1の飽和電荷量QMよりも少ない量の電荷しか生じない。この場合には、転送回数NをMより小さくすることで、転送時に生じるノイズや消費電力の増大を抑えることができる。扱う電荷の量が少なくなるため、後段の回路のダイナミックレンジには出力される信号レベルに対して余裕が生じる。そこで、転送回数が少ない場合には、増幅部の増幅率Gを大きくすることができる。本実施形態の駆動方法のように画素信号を信号処理部30で増幅する場合、光電変換部PDから保持部C1への電荷の転送回数Nと信号処理部30における増幅率Gとの関係は、以下に説明するようにして規定することができる。
図5は、飽和電荷量QMが飽和電荷量QPの5倍(M=5)であるときの、ノードVFDの電圧振幅と信号処理部30の出力振幅との関係を示している。電圧振幅を考えるにあたり、電圧VBをノードVFDの電圧振幅及び信号処理部30の出力振幅の基準と仮定している。なお、ここでは説明の簡略化のため、増幅トランジスタM5を含む画素12の増幅部の増幅率は1であるものと仮定する。また、図5において、VS[V]は、信号処理部30の出力レンジ、すなわち最大出力振幅を想定している。
ノードVFDの電圧振幅の最大値(飽和電荷量QMに対応)をVM[V]とすると、例えば、N=1のときのノードVFDの電圧振幅はVM×(1/5)[V]となり、N=2のときのノードVFDの電圧振幅はVM×(2/5)[V]となる。
そこで、本実施形態による固体撮像装置の駆動方法では、光電変換部PDから保持部C1への電荷の転送回数Nの設定に応じて、信号処理部30の増幅率Gの設定を変更する。例えば、転送回数Nが5のときに信号処理部30の増幅率Gを1、転送回数Nが2のときに信号処理部30の増幅率Gを5/2、転送回数Nが1のときに信号処理部30の増幅率Gを5とする。すなわち、転送回数に応じた画素12の飽和電荷量に対応する信号レベルが、信号処理部30の出力レンジに含まれるように、転送回数NがMよりも少ないほど、増幅率Gを大きくする。このようにすることで、転送回数Nによらず信号処理部30の出力振幅の最大値はVM[V]となり、信号処理部30を最大出力振幅VS[V]の近傍で使用することができる。
なお、転送回数NがM未満のとき、必ずしも出力振幅の最大値がVM[V]になるように信号処理部30の増幅率Gを設定する必要はない。例えば、転送回数Nが1のときに信号処理部30の増幅率Gを2として、信号処理部30の出力振幅の最大値がVM×2/5[V]となるようにしてもよい。
光電変換部PDから保持部C1への転送回数Nと信号処理部30の増幅率Gとの関係は、撮影の状況、固体撮像装置を構成するブロック間の信号処理の関係等に応じて、固体撮像装置のモードとして多様に設定することができる。例えば、画素12を最大飽和電荷量で使用したい場合には、転送回数Nを5(=M)、増幅率Gを1に設定する。期間T2を短縮することで撮影を高速化しつつ、信号処理部30を最大出力振幅VS[V]の近傍で使用したい場合には、転送回数Nを1、増幅率Gを5に設定する。画素12を最大飽和電荷量で使用しつつ、信号処理部30の出力振幅を信号出力部60や固体撮像装置外の装置の入出力レンジに応じてVM[V]よりも小さい範囲、例えばVM/2[V]で使用したい場合は、転送回数Nを5、増幅率Gを1/2に設定する。
図6は、露光期間(期間T2)を2分の1に短縮した場合におけるVFDノードの電圧振幅と信号処理部30の出力振幅との関係を示している。光電変換部PDから保持部C1への転送回数Nは5回としている。この例では、光電変換部PDから保持部C1への転送回数Nは5回であるが露光期間(期間T2)は2分の1であるため、ノードVFDの電圧振幅はVM×1/2[V]となる。この場合、信号処理部30の増幅率Gを2とすることで、信号処理部30を最大出力振幅VS[V]の近傍の出力振幅VM[V]で使用することができる。すなわち、本駆動例は、転送回数がM回以上であり、保持部に蓄積される電荷に基づく信号が画素12の最大飽和電荷量に対応する信号レベルよりも小さい場合に、転送回数が多いほど増幅率Gを大きく設定する例である。
図6の例は、飽和電荷量ではなく、単位時間あたりの光電変換部PDから保持部C1への電荷の転送回数を多く設定することに着目した例で、蓄積期間の分散化に有効である。
例えば、露光期間における電荷の転送周期よりも短い周期で被写体の明暗が変化、つまり光量が変化する場合、露光期間中に1回だけ電荷の転送を行う構成では、常に明るい或いは常に暗いという蓄積結果になり、被写体を正しく撮像できないことがある。
これに対し、露光期間における電荷の転送を複数回行う構成であれば、蓄積期間が時間的に分散されることになる。時間の分散化の効果は、単位時間あたりの電荷の転送回数が多いほど大きくなる。つまり、単位時間あたりの電荷の転送回数を多く設定することで、明るい状態での電荷の蓄積と暗い状態での電荷の蓄積とを実行することができ、それらの平均値が蓄積結果となることで、明暗の変化する被写体についてより正確な撮像が可能となる。
その反面、露光期間に電荷の転送を複数回行うために転送トランジスタM1を複数回オンにすることで、転送トランジスタM1の動作に伴うノイズ成分が増加することが懸念される。しかしながら、本実施形態による固体撮像装置の駆動方法では、後段の信号処理部30の増幅率Gを大きくすることで、転送トランジスタM1を複数回オンにすることによるノイズ増加の影響を、全体のノイズに対して相対的に低減することができる。つまり、画質の低下を抑えるための手段の一例として、露光期間T2を短縮して転送トランジスタM1オンにする周期を相対的に短くしつつ、増幅率Gを大きくするという設定が可能である。
本実施形態において説明した種々の駆動モードは、駆動信号生成部70において任意に設定する構成としてもよいし、前フレームの出力データ等を参照し駆動信号生成部70において自動的に転送回数Nや増幅率Gを設定する構成としてもよい。また、増幅処理は、信号処理部30において実施する構成のみならず、信号出力部60で実施する構成や、固体撮像装置の外部の信号処理部(図示せず)で実施する構成としてもよい。或いは、これら増幅部の任意の組み合わせによって所望の増幅率Gを得るようにしてもよい。
なお、光電変換部PDと保持部C1の飽和電荷量の比率、電荷の転送回数Nと信号処理部30の増幅率Gとの組み合わせは、本実施形態で示した例に限定されるものではない。また、本実施形態では、転送トランジスタM1をオンにする回数に着目して説明したが、転送トランジスタM2を複数回オンにできる構成にすることによっても、同様の効果を得ることができる。ただし、この場合はグローバル電子シャッタ動作ではなく、ローリング電子シャッタ動作の場合に効果が得られるので、保持部C1や転送トランジスタM1,M4は画素12の構成上なくてもよい。
このように、本実施形態によれば、画素の飽和電荷量や電荷の転送回数によって変化するノードVFDの信号レベルに連動して増幅部の増幅率を調整するので、撮像状況に合致した最適なモードで良質の画像を撮影することができる。
[第2実施形態]
本発明の第2実施形態による固体撮像装置及びその駆動方法について、図7乃至図10を用いて説明する。第1実施形態による固体撮像装置と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。
図7は、転送回数が2回の場合の固体撮像装置の駆動例を示すタイミング図である。図8は、図7の駆動例における転送回数と増幅率の設定例を示す図である。図9は、本実施形態による固体撮像装置の駆動方法を示すタイミング図である。図10は、本実施形態による固体撮像装置の駆動方法における転送回数と増幅率の設定例を示す図である。
本実施形態では、図1乃至図3に示す第1実施形態による固体撮像装置の他の駆動方法を説明する。本実施形態では、蓄積時間の分散化をより効果的に実現しうるによる固体撮像装置の駆動方法を示す。
ここでは説明の簡略化のため、光電変換部PDの飽和電荷量QPと保持部C1の飽和電荷量QMとの比が1:2である場合を想定する。保持部C1の飽和電荷量QMは、第1実施形態の図4及び図5で説明した場合と同じ値であるものとする。この場合、N=M=2を満たす場合に、画素12を最大飽和電荷量で使用することができる。
図7は、光電変換部PDから保持部C1への信号電荷の転送回数が2回である場合の1フレーム期間内の動作を示すタイミング図である。本駆動例は、期間T2の間に期間T4及び期間T5を繰り返し実行する回数が2回である他は、図4のタイミング図と同様である。
図8は、図7の駆動例の場合の信号処理部30における増幅率Gの設定例を示している。図7の駆動例の場合、転送回数Nが1のときに信号処理部30における増幅率Gを2、転送回数Nが2のときに信号処理部30における増幅率Gを1にすることで、信号処理部30を最大出力振幅VS[V]の近傍で使用することができる。
本実施形態による固体撮像装置の駆動方法では、図7の駆動例を基本として、それぞれの期間T4を、必要に応じて更に複数の蓄積期間に分割する。例えば図9に示すように、最初の期間T4を、期間T7と、期間T5と、期間T8とに分割し、次の期間T4を、期間T9と、期間T5と、期間T10とに分割する。期間T7,T8,T9,T10は、元の期間T4と同様、光電変換部PDにおける信号電荷の蓄積期間である。期間T5は、光電変換部PDから保持部C1への信号電荷の転送期間である。つまり、期間T2内における光電変換部PDから保持部C1への信号電荷の転送回数は、4回となる。
期間T7,T8は、T4=T7+T5+T8の関係を満たす範囲で任意に設定することができる。同様に、期間T9,T10は、T4=T9+T5+T10の関係を満たす範囲で任意に設定することができる。すなわち、期間T7,T8,T9,T10は、駆動信号PTX1のタイミングを制御することにより、互いに異なる長さに自由に設定することが可能である。これにより、これら蓄積期間(期間T4,T7,T8,T9,T10)を不均一にすることができ、被写体の周期的な光量変化の影響を、より受けにくくすることができる。したがって、第1実施形態で説明した蓄積期間の分散化を更に効果的に実施することができる。
本実施形態において図7の駆動例を基本としているのは、光電変換部PDにおける信号電荷の蓄積期間(期間T7,T8,T9,T10)が期間T4を越えないようにするためである。このようにすることで、期間T2の分割態様によらず、画素12を最大飽和電荷量で使用することが可能となる。なお、図7の駆動例を基本にする代わりに、期間T2の全体を、期間T4の長さを越えない複数の蓄積期間で分割するようにしてもよい。
図10は、図9の駆動例における信号処理部30における増幅率Gの設定例を示している。本実施形態においても第1実施形態の場合と同様、光電変換部PDから保持部C1への信号電荷の転送回数(蓄積期間)に応じて信号処理部30における増幅率Gを適宜設定することで、信号処理部30を最大出力振幅VS[V]の近傍で使用することができる。
なお、図10において、転送回数が1回の場合とは、期間T2中、期間T7の後の期間T5のみにおいて光電変換部PDから保持部C1への信号電荷の転送を行う場合である。転送回数が2回の場合とは、期間T2中、期間T7及び期間T8の後の期間T5において光電変換部PDから保持部C1への信号電荷の転送を行う場合である。転送回数が3回の場合とは、期間T2中、期間T7、期間T8及び期間T9の後の期間T5において光電変換部PDから保持部C1への信号電荷の転送を行う場合である。転送回数が4回の場合とは、期間T2中、期間T7、期間T8、期間T9及び期間T10の後の期間T5において光電変換部PDから保持部C1への信号電荷の転送を行う場合である。
図9の駆動例では期間T2内の2つの期間T4をそれぞれ2つの蓄積期間に分割しているが、期間T4を分割する態様はこれに限定されるものではない。例えば、期間T4は、3つ以上の蓄積期間に分割してもよい。また、必ずしも総ての期間T4を複数の蓄積期間に分割する必要はなく、一部の期間T4のみを分割するようにしてもよい。また、期間T2は、3つ以上の期間T4を含んでもよい。
光電変換部PDから保持部C1への信号電荷の転送を行う間隔や回数は、フレーム毎(露光期間毎)或いは行毎に変化する構成としてもよい。この場合、1フレームの間隔や1行の間隔と同じ周期で光量が変化する被写体に対しても、蓄積期間の分散化の効果が得られる。
このように、本実施形態によれば、画素の飽和電荷量や電荷の転送回数によって変化するノードVFDの信号レベルに連動して増幅部の増幅率を調整するので、撮像状況に合致した最適なモードで良質の画像を撮影することができる。また、電荷の転送間隔をランダムに設定することで、蓄積期間の分散化の効果を高めより良質の画像を取得することができる。
[第3実施形態]
本発明の第3実施形態による固体撮像装置及びその駆動方法について、図11を用いて説明する。第1及び第2実施形態による固体撮像装置と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。
図11は、本実施形態による固体撮像装置の駆動方法を示すタイミング図である。
本実施形態では、図1乃至図3に示す第1実施形態による固体撮像装置の他の駆動方法を説明する。本実施形態では、蓄積時間の分散化を行う際の蓄積時間の制御を、転送トランジスタM4を用いて行う方法を示す。
ここでは第1実施形態への適用例として、光電変換部PDの飽和電荷量QPと保持部C1の飽和電荷量QMとの比が1:5である場合を想定する。保持部C1の飽和電荷量QMは、第1実施形態の図4及び図5で説明した場合と同じ値であるものとする。
図11は、光電変換部PDから保持部C1への信号電荷の転送回数が5回である場合の1フレーム期間内の動作を示すタイミング図である。図4に示す第1実施形態の駆動方法と異なる点は、連続する2つの転送動作(期間T5)の間(転送トランジスタM1がオフである期間T4)に、転送トランジスタM4をオンにする期間T13を含むことである。
転送トランジスタM4がオンの期間中、光電変換部PDはリセット状態となり、光電変換部PDで生成された電荷は電源電圧線VDDに排出される。したがって、期間T13を含む期間T4内における正味の蓄積期間は、転送トランジスタM4がオフになるタイミングから、次に転送トランジスタM1がオンになるタイミング(期間T4の終了)までの期間である。例えば図11の例では、2番目の期間T4内における正味の蓄積期間は期間T11となり、4番目の期間T4内における正味の蓄積期間は期間T12となる。したがって、期間T2の全体における正味の蓄積時間T2′は、以下の式(2)のように表すことができる。
T2′=T4×3+T11+T12+T5×5 …(2)
すなわち、本実施形態では、転送トランジスタM1のオンにする回数Nに加えて、期間T4内に転送トランジスタM4をオンにする期間を設定することによって蓄積期間を制御し、ノードVFDの電圧振幅を決定する。第1実施形態と同じ電圧振幅を使用する場合は、式(2)において、蓄積時間T2′が期間T2と等しくなるように、期間T4、期間T11、期間T12を適宜調整すればよい。
なお、転送トランジスタM4をオンにする回数や間隔、光電変換部PDのリセット期間T13の長さは、図11の例に限定されるものではなく、適宜変更が可能である。
このように、本実施形態によれば、画素の飽和電荷量や電荷の転送回数によって変化するノードVFDの信号レベルに連動して増幅部の増幅率を調整するので、撮像状況に合致した最適なモードで良質の画像を撮影することができる。また、電荷の転送間隔をランダムに設定することで、蓄積期間の分散化の効果を高めより良質の画像を取得することができる。
[第4実施形態]
本発明の第4実施形態による固体撮像装置及びその駆動方法について、図12及び図13を用いて説明する。第1乃至第3実施形態による固体撮像装置と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。
図12は、本実施形態による固体撮像装置の画素の構成例を示す回路図である。図13は、本実施形態による固体撮像装置の駆動方法を示す図である。
本実施形態による固体撮像装置は、画素12の回路構成が異なるほかは、第1実施形態による固体撮像装置と同様である。本実施形態による固体撮像装置の画素12は、図12に示すように、ノードVFDに保持部接続トランジスタM7を介して保持部C3が接続されている点で、第1実施形態による固体撮像装置とは異なっている。
ノードVFDに保持部接続トランジスタM7を介して保持部C3を接続することで、ノードVFDに接続される容量の容量値を切り替えることができる。すなわち、保持部接続トランジスタM7がオフ状態のとき、ノードVFDに接続される容量値は、保持部C2の容量となる。保持部接続トランジスタM7がオン状態のとき、ノードVFDに接続される容量値は、保持部C2の容量と保持部C3の容量との合成容量となる。保持部接続トランジスタM7は、増幅手段の入力ノードの容量値を切り替えるためのスイッチである。
ノードVFDに接続される容量の容量値を切り替えることにより、ノードVFDに転送される電荷の量に応じたノードVFDの電位の変化率、すなわち増幅トランジスタM5のゲートを入力ノードとする増幅部の増幅率を切り替えることができる。この意味で、ノードVFDに接続された保持部接続トランジスタM7及び保持部C3は、増幅手段であるといえる。保持部接続トランジスタM7は、そのゲートに接続された信号線SEL2に画素駆動部20から供給される駆動信号によって制御することができる。
本実施形態では、ノードVFDに接続可能に構成された付加的な保持部は保持部C3のみであるが、更に他の保持部を接続できる構成としてもよい。また、設定によって保持部の接続を複数切替える構成としてもよい。また、保持部接続トランジスタM7は、フレーム毎に設定してもよいし、各フレーム内でパルス動作によって接続或いは切替え動作を行ってもよい。例えば、読み出し期間T3内に全行同時に接続或いは切替え動作を行う構成や、選択された行だけ接続或いは切替え動作を行う構成とすることができる。
次に、本実施形態による固体撮像装置の動作について、図13を用いて説明する。ここでは説明の簡略化のため、光電変換部PDの飽和電荷量QPと保持部C1の飽和電荷量QMとの比が1:2である場合を想定する。
転送トランジスタM1を1回オンにしたときに光電変換部PDから保持部C1に転送される最大の電荷量がQM1であり、転送トランジスタM1を2回オンにしたときに光電変換部PDから保持部C1に転送される最大の電荷量がQM2であるものとする。転送トランジスタM2をオンにして保持部C1に保持されている電荷をノードVFDに読み出すと、ノードVFDは、保持部C1が保持していた電荷の量とノードVFDの容量との比に応じた電圧となる。例えば、保持部接続トランジスタM7がオフであり、保持部C1が電荷量QM2を保持していた場合、保持部C2の容量値をCFD1とすると、ノードVFDの電圧振幅は簡易的にQM2/CFD1[V]と表すことができる。
このとき、例えば図13に示すように、ノードVFDの電圧振幅が増幅トランジスタM5の入力レンジVSF[V]を超えてしまうことがある。このような場合、保持部接続トランジスタM7をオンにしてノードVFDに保持部C3(容量値CFD2)を付加し、ノードVFDの電圧振幅をQM2/(CFD1+CFD2)[V]に制限する。このようにすることで、ノードVFDの電圧振幅を増幅トランジスタM5の入力レンジVSF[V]以下に抑えることができる。
なお、上記の例では、保持部C2の容量値CFD1と保持部C3の容量値CFD2とが同じ容量値である場合を示したが、容量値CFD1と容量値CFD2とは必ずしも同じである必要はない。また、上記の例では、説明の簡略化のため、電荷量QM2が電荷量QM1の2倍である場合を示したが、光電変換部PDから保持部C1へ転送される電荷の量は、例えば第2実施形態に示したように、転送回数のみならず、蓄積期間の長さによっても変化する。ノードVFDに接続する容量の容量値は、蓄積期間の設定をも考慮して適宜選択することができる。
本実施形態では、転送トランジスタM1のオン回数により変化する電荷量に応じてノードVFDの容量値を制御することによって、増幅トランジスタM5以降の入出力振幅範囲に併せて出力信号の電圧振幅を調整することができる。飽和電荷量(電荷量QM2)が必要ない場合は、転送トランジスタM1のオン回数を1回とし、保持部C2のみを使用すればよい。さらに電圧振幅を抑えたい場合には、保持部C3を接続すればよい。
このように、本実施形態によれば、画素の飽和電荷量や電荷の転送回数によって変化するノードVFDの信号レベルに連動して増幅部の増幅率を調整するので、撮像状況に合致した最適なモードで良質の画像を撮影することができる。
[第5実施形態]
本発明の第5実施形態による撮像システムについて、図14を用いて説明する。図1乃至図13に示す第1乃至第4実施形態による固体撮像装置と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。
図14は、本実施形態による撮像システムの構成を示すブロック図である。
上記第1乃至第4実施形態で述べた固体撮像装置は、種々の撮像システムに適用可能である。適用可能な撮像システムとしては、例えば、デジタルスチルカメラ、デジタルカムコーダー、監視カメラなどが挙げられる。図14に、上述の実施形態に記載の固体撮像装置を適用したデジタルスチルカメラの例を示す。
図14に例示した撮像システム200は、固体撮像装置100、被写体の光学像を固体撮像装置100に結像させるレンズ202、レンズ202を通過する光量を可変にするための絞り204、レンズ202の保護のためのバリア206を有する。レンズ202及び絞り204は、固体撮像装置100に光を集光する光学系である。固体撮像装置100は、第1乃至第4実施形態で説明した固体撮像装置100である。
撮像システム200は、また、固体撮像装置100より出力される出力信号の処理を行う信号処理部208を有する。信号処理部208は、必要に応じて各種の補正、圧縮を行って信号を出力する動作を行う。信号処理部208は、固体撮像装置100より出力される出力信号に対してAD変換処理を実施する機能を備えていてもよい。この場合、固体撮像装置100の列信号処理部32は、必ずしもAD変換回路を有する必要はない。
撮像システム200は、更に、画像データを一時的に記憶するためのバッファメモリ部210、外部コンピュータ等と通信するための外部インターフェース部(外部I/F部)212を有する。更に撮像システム200は、撮像データの記録又は読み出しを行うための半導体メモリ等の記録媒体214、記録媒体214に記録又は読み出しを行うための記録媒体制御インターフェース部(記録媒体制御I/F部)216を有する。なお、記録媒体214は、撮像システム200に内蔵されていてもよく、着脱可能であってもよい。
更に撮像システム200は、各種演算とデジタルスチルカメラ全体を制御する全体制御・演算部218、固体撮像装置100と信号処理部208に各種タイミング信号を出力するタイミング発生部220を有する。ここで、タイミング信号などは外部から入力されてもよく、撮像システム200は、少なくとも固体撮像装置100と、固体撮像装置100から出力された出力信号を処理する信号処理部208とを有すればよい。全体制御・演算部218及びタイミング発生部220は、固体撮像装置100の駆動信号生成部70等の機能の一部又は全部(例えば、転送制御部やクリップレベル制御部の機能)を実施するように構成してもよい。
固体撮像装置100は、画像用信号を信号処理部208に出力する。信号処理部208は、固体撮像装置100から出力される画像用信号に対して所定の信号処理を実施し、画像データを出力する。また、信号処理部208は、画像用信号を用いて、画像を生成する。
第1乃至第4実施形態による固体撮像装置100を用いて撮像システムを構成することにより、より良質の画像が取得可能な撮像システムを実現することができる。
[第6実施形態]
本発明の第6実施形態による撮像システム及び移動体について、図15を用いて説明する。図15は、本実施形態による撮像システム及び移動体の構成を示す図である。
図15(a)は、車戴カメラに関する撮像システムの一例を示したものである。撮像システム300は、撮像装置310を有する。撮像装置310は、上記第1乃至第4実施形態のいずれかに記載の固体撮像装置である。撮像システム300は、撮像装置310により取得された複数の画像データに対し、画像処理を行う画像処理部312と、撮像システム300により取得された複数の画像データから視差(視差画像の位相差)の算出を行う視差算出部314を有する。また、撮像システム300は、算出された視差に基づいて対象物までの距離を算出する距離計測部316と、算出された距離に基づいて衝突可能性があるか否かを判定する衝突判定部318と、を有する。ここで、視差算出部314や距離計測部316は、対象物までの距離情報を取得する距離情報取得手段の一例である。すなわち、距離情報とは、視差、デフォーカス量、対象物までの距離等に関する情報である。衝突判定部318はこれらの距離情報のいずれかを用いて、衝突可能性を判定してもよい。距離情報取得手段は、専用に設計されたハードウェアによって実現されてもよいし、ソフトウェアモジュールによって実現されてもよい。また、FPGA(Field Programmable Gate Array)やASIC(Application Specific Integrated circuit)等によって実現されてもよいし、これらの組合せによって実現されてもよい。
撮像システム300は車両情報取得装置320と接続されており、車速、ヨーレート、舵角などの車両情報を取得することができる。また、撮像システム300は、衝突判定部318での判定結果に基づいて、車両に対して制動力を発生させる制御信号を出力する制御装置である制御ECU330が接続されている。また、撮像システム300は、衝突判定部318での判定結果に基づいて、ドライバーへ警報を発する警報装置340とも接続されている。例えば、衝突判定部318の判定結果として衝突可能性が高い場合、制御ECU330はブレーキをかける、アクセルを戻す、エンジン出力を抑制するなどして衝突を回避、被害を軽減する車両制御を行う。警報装置340は音等の警報を鳴らす、カーナビゲーションシステムなどの画面に警報情報を表示する、シートベルトやステアリングに振動を与えるなどしてユーザに警告を行う。
本実施形態では、車両の周囲、例えば前方又は後方を撮像システム300で撮像する。図15(b)に、車両前方(撮像範囲350)を撮像する場合の撮像システムを示した。車両情報取得装置320が、上述の第1乃至第4の実施形態に記載した動作を行うように撮像システム300ないしは撮像装置310に指示を送る。撮像装置310の動作は、第1乃至第4の実施形態と同じなので、ここでは説明を省略する。このような構成により、測距の精度をより向上させることができる。
上記では、他の車両と衝突しないように制御する例を説明したが、他の車両に追従して自動運転する制御や、車線からはみ出さないように自動運転する制御などにも適用可能である。さらに、撮像システムは、自車両等の車両に限らず、例えば、船舶、航空機あるいは産業用ロボットなどの移動体(移動装置)に適用することができる。加えて、移動体に限らず、高度道路交通システム(ITS)等、広く物体認識を利用する機器に適用することができる。
[変形実施形態]
本発明は、上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、いずれかの実施形態の一部の構成を他の実施形態に追加した例や、他の実施形態の一部の構成と置換した例も、本発明の実施形態である。
また、上記実施形態では、固体撮像装置をグローバル電子シャッタ駆動する場合について述べたが、本発明は固体撮像装置をローリング電子シャッタ駆動する場合においても同様に適用可能である。
また、上記実施形態では、画素12のトランジスタをN型トランジスタにより構成する場合を想定して説明を行ったが、画素12のトランジスタをP型トランジスタにより構成するようにしてもよい。この場合、上記説明における各駆動信号の信号レベルは逆になる。
また、画素12の回路構成は、図2や図12に示したものに限定されるものではなく、適宜変更が可能である。例えば、第1,第2,第4実施形態の固体撮像装置において、転送トランジスタM4は必ずしも設ける必要はなく、リセットトランジスタM3、転送トランジスタM2,M1を介して光電変換部PDのリセットを行うようにしてもよい。
また、第5及び第6実施形態に示した撮像システムは、本発明の固体撮像装置を適用しうる撮像システム例を示したものであり、本発明の固体撮像装置を適用可能な撮像システムは図14及び図15に示した構成に限定されるものではない。
なお、上記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
10…画素アレイ
12…画素
14…画素駆動信号線
16…画素出力線
20…画素駆動部
30…信号処理部
32…列信号処理部
50…水平走査部
52…共通出力線
60…信号出力部
70…駆動信号生成部

Claims (19)

  1. 光電変換により電荷を生成する光電変換部と、前記光電変換部で生成された電荷を保持する保持部と、前記光電変換部から前記保持部へ電荷を転送する転送手段と、を有し、前記保持部が保持する電荷に基づく信号を出力する複数の画素と、
    前記複数の画素に接続され、前記複数の画素から前記信号が出力される出力線と、
    1回の露光期間の間に前記光電変換部で生成された電荷を、1以上の範囲で可変の回数の転送動作により前記保持部へ転送するように前記転送手段を制御する転送制御部と、
    前記信号を増幅する増幅手段と
    記増幅手段の増幅率を、前記転送動作の回数が第1の回数のときに第1のゲインに制御し、前記転送動作の回数が前記第1の回数よりも少ない第2の回数のときに前記第1のゲインよりも大きい第2のゲインに制御する制御部と
    を有することを特徴とする固体撮像装置。
  2. 前記制御部は、前記回数に応じた前記画素の飽和電荷量に対応する信号レベルが、前記増幅手段の入力レンジ又は出力レンジに含まれるように、前記増幅率を制御する
    ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
  3. 前記回数は、前記光電変換部の飽和電荷量に対する前記保持部の飽和電荷量の比率に対応している
    ことを特徴とする請求項2記載の固体撮像装置。
  4. 前記制御部は、前記回数が少ないほど、前記増幅率を大きくする
    ことを特徴とする請求項2記載の固体撮像装置。
  5. 前記制御部は、前記回数が前記光電変換部の飽和電荷量に対する前記保持部の飽和電荷量の比率に対応する回数又はそれ以上であり、前記信号が前記画素の最大飽和電荷量に対応する信号レベルよりも小さい場合に、前記回数が多いほど、前記増幅率を大きくする
    ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
  6. 前記露光期間における前記転送動作の間の電荷の蓄積期間が不均一である
    ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
  7. 前記制御部は、前記転送動作のタイミングにより、前記蓄積期間が不均一になるように制御する
    ことを特徴とする請求項6記載の固体撮像装置。
  8. 前記画素は、前記光電変換部の電荷をリセットするリセット手段を更に有し、
    前記制御部は、連続する2つの前記転送動作の間に、前記リセット手段により前記光電変換部をリセットすることにより、蓄積期間が不均一になるように制御する
    ことを特徴とする請求項6記載の固体撮像装置。
  9. 前記複数の画素は、複数の行に渡って配されており、
    行毎に、前記蓄積期間のタイミングが異なっている
    ことを特徴とする請求項6乃至8のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
  10. 前記露光期間毎に、前記蓄積期間のタイミングが異なっている
    ことを特徴とする請求項6乃至9のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
  11. 前記制御部は、前の露光期間における前記信号の信号レベルに基づいて前記回数及び前記増幅率を設定する
    ことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
  12. 前記増幅手段は、前記出力線に出力された前記信号を増幅する
    ことを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
  13. 前記複数の画素のそれぞれが、前記増幅手段と、前記保持部の電荷を前記増幅手段の入力ノードに転送する第2の転送手段と、を含む
    ことを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
  14. 前記制御部は、前記増幅手段の前記入力ノードの容量値を切り替えることにより、前記増幅手段の前記増幅率を制御する
    ことを特徴とする請求項13記載の固体撮像装置。
  15. 前記複数の画素のそれぞれが、前記増幅手段の前記入力ノードの前記容量値を切り替えるためのスイッチを含み、
    前記回数が第1の値の場合に前記制御部は前記スイッチをオンにし、前記回数が前記第1の値より少ない第2の値の場合に前記制御部は前記スイッチをオフにする
    ことを特徴とする請求項14に記載の固体撮像装置。
  16. 光電変換により電荷を生成する光電変換部と、前記光電変換部で生成された電荷を保持する保持部と、前記光電変換部から前記保持部へ電荷を転送する転送手段と、を有し、前記保持部が保持する電荷に基づく信号を出力する複数の画素と、前記複数の画素に接続され、前記複数の画素から前記信号が出力される出力線と、前記信号を増幅する増幅手段と、を有する固体撮像装置の駆動方法であって、
    1回の露光期間の間に前記光電変換部で生成された電荷を、1以上の範囲で可変の回数の転送動作により前記保持部に転送し、
    前記増幅手段の増幅率を、前記転送動作の回数が第1の回数のときに第1のゲインに制御し、前記転送動作の回数が前記第1の回数よりも少ない第2の回数のときに前記第1のゲインよりも大きい第2のゲインに制御する
    ことを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。
  17. 複数の前記画素において前記露光期間が同じである
    ことを特徴とする請求項16記載の固体撮像装置の駆動方法。
  18. 請求項1乃至15のいずれか1項に記載の固体撮像装置と、
    前記固体撮像装置の前記画素から出力される前記信号を処理する信号処理部と
    を有することを特徴とする撮像システム。
  19. 移動体であって、
    請求項1乃至15のいずれか1項に記載の固体撮像装置と、
    前記固体撮像装置からの信号に基づく視差画像から、対象物までの距離情報を取得する距離情報取得手段と、
    前記距離情報に基づいて前記移動体を制御する制御手段と
    を有することを特徴とする移動体。
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US15/712,611 US10504949B2 (en) 2016-10-07 2017-09-22 Solid-state imaging device, method of driving solid-state imaging device, imaging system, and movable object
EP17193966.3A EP3306914B1 (en) 2016-10-07 2017-09-29 Solid-state imaging device, method of driving solid-state imaging device, imaging system, and movable object
CN201710912842.8A CN107920214B (zh) 2016-10-07 2017-09-30 固态成像设备、其驱动方法、成像系统和可移动物体
US16/673,134 US20200066772A1 (en) 2016-10-07 2019-11-04 Solid-state imaging device, method of driving solid-state imaging device, imaging system, and movable object

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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1949666B1 (en) 2005-11-01 2013-07-17 Magna Mirrors of America, Inc. Interior rearview mirror with display
JP6946046B2 (ja) 2017-04-28 2021-10-06 キヤノン株式会社 光電変換装置及びその駆動方法
JP6755405B2 (ja) * 2017-08-18 2020-09-16 富士フイルム株式会社 撮像装置、撮像装置の制御方法、及び撮像装置の制御プログラム
JP6704893B2 (ja) 2017-11-30 2020-06-03 キヤノン株式会社 固体撮像装置、撮像システム、および固体撮像装置の駆動方法
JP7059031B2 (ja) * 2018-02-09 2022-04-25 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システム、移動体
KR20200135851A (ko) 2018-03-28 2020-12-03 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 갈륨 화합물계 반도체 기판 연마용 조성물
US10834354B2 (en) 2018-06-25 2020-11-10 Canon Kabushiki Kaisha Imaging device, imaging system, movable object, and signal processing device
JP7299680B2 (ja) 2018-08-23 2023-06-28 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム
JP7152912B2 (ja) * 2018-09-06 2022-10-13 キヤノン株式会社 光電変換装置及び撮像システム
JP7187269B2 (ja) * 2018-11-05 2022-12-12 キヤノン株式会社 撮像装置およびその制御方法
US10791286B2 (en) 2018-12-13 2020-09-29 Facebook Technologies, Llc Differentiated imaging using camera assembly with augmented pixels
US10855896B1 (en) 2018-12-13 2020-12-01 Facebook Technologies, Llc Depth determination using time-of-flight and camera assembly with augmented pixels
US10791282B2 (en) * 2018-12-13 2020-09-29 Fenwick & West LLP High dynamic range camera assembly with augmented pixels
JP2020108061A (ja) * 2018-12-28 2020-07-09 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム
JP7303682B2 (ja) 2019-07-19 2023-07-05 キヤノン株式会社 光電変換装置及び撮像システム
JP7374639B2 (ja) 2019-07-19 2023-11-07 キヤノン株式会社 光電変換装置及び撮像システム
US10902623B1 (en) 2019-11-19 2021-01-26 Facebook Technologies, Llc Three-dimensional imaging with spatial and temporal coding for depth camera assembly
US11194160B1 (en) 2020-01-21 2021-12-07 Facebook Technologies, Llc High frame rate reconstruction with N-tap camera sensor
JP7171649B2 (ja) 2020-05-15 2022-11-15 キヤノン株式会社 撮像装置および撮像システム
CN112820746A (zh) * 2020-10-30 2021-05-18 天津大学 无图像拖尾的栅上双电极型传输管cmos图像传感器
JP2022119635A (ja) 2021-02-04 2022-08-17 キヤノン株式会社 光電変換装置および電子機器
CN114866708A (zh) 2021-02-04 2022-08-05 佳能株式会社 光电转换装置、a/d转换器和装备
WO2023162483A1 (ja) * 2022-02-25 2023-08-31 キヤノン株式会社 撮像装置及びその制御方法

Family Cites Families (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08186241A (ja) 1995-01-06 1996-07-16 Canon Inc 撮像素子と固体撮像装置
TW421962B (en) 1997-09-29 2001-02-11 Canon Kk Image sensing device using mos type image sensing elements
JPH11261046A (ja) 1998-03-12 1999-09-24 Canon Inc 固体撮像装置
JP3571909B2 (ja) 1998-03-19 2004-09-29 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
US7324144B1 (en) 1999-10-05 2008-01-29 Canon Kabushiki Kaisha Solid image pickup device, image pickup system and method of driving solid image pickup device
JP3467013B2 (ja) 1999-12-06 2003-11-17 キヤノン株式会社 固体撮像装置
EP1341377B1 (en) 2002-02-27 2018-04-11 Canon Kabushiki Kaisha Signal processing device for image pickup apparatus
JP3728260B2 (ja) 2002-02-27 2005-12-21 キヤノン株式会社 光電変換装置及び撮像装置
US7605415B2 (en) 2004-06-07 2009-10-20 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup device comprising photoelectric conversation unit, floating diffusion region and guard ring
JP4455435B2 (ja) 2004-08-04 2010-04-21 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び同固体撮像装置を用いたカメラ
JP4756839B2 (ja) 2004-09-01 2011-08-24 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びカメラ
JP2006101479A (ja) 2004-09-02 2006-04-13 Canon Inc 固体撮像装置及びそれを用いたカメラ
JP2006197392A (ja) 2005-01-14 2006-07-27 Canon Inc 固体撮像装置、カメラ、及び固体撮像装置の駆動方法
JP4416668B2 (ja) 2005-01-14 2010-02-17 キヤノン株式会社 固体撮像装置、その制御方法及びカメラ
JP4459064B2 (ja) 2005-01-14 2010-04-28 キヤノン株式会社 固体撮像装置、その制御方法及びカメラ
JP4459099B2 (ja) 2005-03-18 2010-04-28 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びカメラ
JP4794877B2 (ja) 2005-03-18 2011-10-19 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びカメラ
JP4459098B2 (ja) 2005-03-18 2010-04-28 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びカメラ
JP4677258B2 (ja) 2005-03-18 2011-04-27 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びカメラ
JP2007181088A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置及びカメラシステム
JP4487944B2 (ja) * 2006-02-09 2010-06-23 ソニー株式会社 固体撮像装置
JP4185949B2 (ja) 2006-08-08 2008-11-26 キヤノン株式会社 光電変換装置及び撮像装置
JP5043388B2 (ja) 2006-09-07 2012-10-10 キヤノン株式会社 固体撮像装置および撮像システム
JP5173171B2 (ja) 2006-09-07 2013-03-27 キヤノン株式会社 光電変換装置、撮像装置及び信号読出方法
JP4928199B2 (ja) 2006-09-07 2012-05-09 キヤノン株式会社 信号検出装置、信号検出装置の信号読み出し方法及び信号検出装置を用いた撮像システム
JP4054839B1 (ja) 2007-03-02 2008-03-05 キヤノン株式会社 光電変換装置およびそれを用いた撮像システム
EP2037667B1 (en) 2007-09-14 2017-08-23 Canon Kabushiki Kaisha Image sensing apparatus and imaging system
JP5142696B2 (ja) 2007-12-20 2013-02-13 キヤノン株式会社 光電変換装置、及び光電変換装置を用いた撮像システム
JP5142749B2 (ja) 2008-02-14 2013-02-13 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像装置の制御方法及び撮像システム
JP5328207B2 (ja) 2008-04-01 2013-10-30 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP5568880B2 (ja) * 2008-04-03 2014-08-13 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および電子機器
JP5224942B2 (ja) 2008-06-30 2013-07-03 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP5161676B2 (ja) 2008-07-07 2013-03-13 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム
JP5288955B2 (ja) 2008-09-09 2013-09-11 キヤノン株式会社 固体撮像装置、撮像システム、および固体撮像装置の駆動方法
JP5264379B2 (ja) 2008-09-12 2013-08-14 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システム及び撮像装置の動作方法
JP5219724B2 (ja) * 2008-10-09 2013-06-26 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP5478905B2 (ja) 2009-01-30 2014-04-23 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP5558857B2 (ja) 2009-03-09 2014-07-23 キヤノン株式会社 光電変換装置およびそれを用いた撮像システム
JP5529613B2 (ja) 2009-04-17 2014-06-25 キヤノン株式会社 光電変換装置及び撮像システム
JP5679653B2 (ja) 2009-12-09 2015-03-04 キヤノン株式会社 光電変換装置およびそれを用いた撮像システム
JP5780711B2 (ja) 2010-04-06 2015-09-16 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP5751766B2 (ja) 2010-07-07 2015-07-22 キヤノン株式会社 固体撮像装置および撮像システム
TWI505453B (zh) 2011-07-12 2015-10-21 Sony Corp 固態成像裝置,用於驅動其之方法,用於製造其之方法,及電子裝置
JP5762199B2 (ja) 2011-07-28 2015-08-12 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP5901186B2 (ja) 2011-09-05 2016-04-06 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びその駆動方法
JP5858695B2 (ja) 2011-09-08 2016-02-10 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法
JP5806566B2 (ja) 2011-09-15 2015-11-10 キヤノン株式会社 A/d変換器および固体撮像装置
JP5484422B2 (ja) 2011-10-07 2014-05-07 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP5930651B2 (ja) 2011-10-07 2016-06-08 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP5901212B2 (ja) 2011-10-07 2016-04-06 キヤノン株式会社 光電変換システム
JP6019568B2 (ja) * 2011-11-28 2016-11-02 ソニー株式会社 画像処理装置および方法、記録媒体、並びに、プログラム
JP5956755B2 (ja) 2012-01-06 2016-07-27 キヤノン株式会社 固体撮像装置および撮像システム
JP6057602B2 (ja) 2012-08-10 2017-01-11 キヤノン株式会社 固体撮像装置
US8773562B1 (en) * 2013-01-31 2014-07-08 Apple Inc. Vertically stacked image sensor
US9106851B2 (en) 2013-03-12 2015-08-11 Tower Semiconductor Ltd. Single-exposure high dynamic range CMOS image sensor pixel with internal charge amplifier
EP3028622A4 (en) * 2013-08-01 2017-03-22 Olympus Corporation Imaging device
JP6351288B2 (ja) 2014-02-17 2018-07-04 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び撮像システム
JP5968350B2 (ja) * 2014-03-14 2016-08-10 キヤノン株式会社 撮像装置、および、撮像システム
JP6376785B2 (ja) * 2014-03-14 2018-08-22 キヤノン株式会社 撮像装置、および、撮像システム
JP6541347B2 (ja) 2014-03-27 2019-07-10 キヤノン株式会社 固体撮像装置および撮像システム
JP6548391B2 (ja) 2014-03-31 2019-07-24 キヤノン株式会社 光電変換装置および撮像システム
JP6720510B2 (ja) * 2015-01-09 2020-07-08 株式会社リコー 移動体システム
JP2016152374A (ja) 2015-02-19 2016-08-22 キヤノン株式会社 光電変換装置
US9900539B2 (en) 2015-09-10 2018-02-20 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state image pickup element, and image pickup system
US9942503B2 (en) * 2016-02-23 2018-04-10 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensors having high-efficiency charge storage capabilities

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