JP7286309B2

JP7286309B2 - 光電変換装置、光電変換システムおよび信号処理装置

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Description

本発明は、光電変換装置、光電変換システムおよび信号処理装置に関する。

光電変換装置において、画素領域の解像度よりも低解像度の低解像度画像を用いて被写体の動きを検出する場合がある。低解像度画像は、画素領域に配された画素を複数のブロックに分割し、各ブロックに含まれる画素から出力される信号の画素値の平均値やメジアン値を用いて生成される。特許文献１には、ブロックに含まれる画素から出力される信号の画素値を合計することによって、画素値の平均値を求めることが示されている。

特開２０１８－４２１３９号公報

低解像度画像を得るためにブロックごとに画素値を平均化すると、得られた低解像度画像は、通常の撮像を行った画像と比較してコントラストが低下するため、被写体の濃淡差が小さい場合、被写体の動きが検出しにくくなる。また、ブロックを構成する画素の数が多くなると、被写体が小さい場合、被写体が撮像されている画素から出力される信号が、被写体の背景を撮像する画素から出力される信号の平均値に埋もれてしまい、被写体の動きを検出しにくくなる。

本発明は、低解像度画像のコントラストの低下を抑制する技術を提供することを目的とする。

上記課題に鑑みて、本発明の実施形態に係る光電変換装置は、それぞれ光電変換素子を含む複数の画素と、複数の画素のそれぞれから画像を生成するための信号を出力するための出力部と、複数の画素のうち所定の画素群ごとに含まれる画素から出力される信号の最大値および最小値を検出するための検出部と、複数の画素から出力される信号を、出力部または検出部において選択的に処理させるための切替部と、を含み、検出部および切替部が、複数の画素のそれぞれの画素ごとに配され、切替部は、光電変換素子と出力部とを接続する経路の間、かつ、光電変換素子と検出部とを接続する経路の間に配されることを特徴とする。

本発明によれば、低解像度画像のコントラストの低下を抑制する技術を提供することができる。

本発明の実施形態に係る光電変換装置の構成例を示す図。図１の光電変換装置の画素および検出部の構成例を示す図。図１の光電変換装置の比較部の構成例を示す図。図１の光電変換装置のから出力される信号を用いた被写体の検出法を説明する図。

以下、本発明に係る光電変換装置の具体的な実施形態を、添付図面を参照して説明する。以下の説明および図面において、複数の図面に渡って共通の構成については共通の符号を付している。そのため、複数の図面を相互に参照して共通する構成を説明し、共通の符号を付した構成については適宜説明を省略する。

図１～４を参照して、本発明の実施形態における光電変換装置の構成について説明する。図１は、本実施形態の光電変換装置１００の構成例を示す図である。光電変換装置１００は、それぞれ光電変換素子を含む複数の画素１１０を含む画素部１５１と、複数の画素のそれぞれから画像を生成するための信号を出力するための出力部１４０と、を含む。画素部１５１および出力部１４０は、例えば、ＣＭＯＳプロセスなどを用いて、シリコンなどの半導体の基板１２０、１２１の上に形成されうる。複数の画素１１０を含む画素部１５１は、基板１２０（第１基板）に配される。また、本実施形態において、出力部１４０は、基板１２０とは別の基板１２１（第２基板）に配される。基板１２０と基板１２１との少なくとも一部が、互いに重なり積層されている。

複数の画素１１０は、図１に示されるように、行方向（図１において横方向）および列方向（図１において縦方向）にアレイ状に配列されうる。列方向に並ぶ画素１１０は、共通の垂直信号線１１１に接続される。画素１１０から出力された信号は、列ごとに配されたゲイン段アンプ１０２およびランプ電圧と比較するためのコンパレータ１０３で構成される列回路によって、アナログデジタル変換される。アナログデジタル変換された信号は、例えば、少なくとも８ｂｉｔ以上の諧調のデジタルデータとして出力されうる。また、画素１１０は、パルス信号出力回路１０６によって、行ごとに共通の画素制御線１０１を介して駆動が制御される。パルス信号出力回路１０６は、タイミングジェネレータ１０９で制御された垂直デコーダ回路１０７によって、行方向に読み出し順が制御される。ゲイン段アンプ１０２およびコンパレータ１０３から出力され、デジタル化された信号は、フレームメモリ群１０４に保持される。フレームメモリ群１０４に保持された信号は、信号の補正や並び替えなどの処理を行うデジタルフロントエンド１０５によって順次読み出され、ＬＶＤＳ出力回路１０８を介して出力端子ＯＵＴから外部に出力される。上述の出力部１４０は、ゲイン段アンプ１０２、コンパレータ１０３、フレームメモリ群１０４、デジタルフロントエンド１０５、および、ＬＶＤＳ出力回路１０８を含む。

パルス信号出力回路１０６、垂直デコーダ回路１０７、タイミングジェネレータ１０９は、基板１２０に配されている。一方、ゲイン段アンプ１０２、コンパレータ１０３、フレームメモリ群１０４、デジタルフロントエンド１０５、ＬＶＤＳ出力回路１０８は、基板１２１に配されている。基板１２０と基板１２１とを積層させることによって、光電変換装置１００を構成するＩＣチップの面積を縮小することが可能となる。また、画素１１０を含む画素部１５１と、ゲイン段アンプ１０２、コンパレータ１０３とを別の基板１２０、１２１に配する。これによって、基板ごとに、それぞれの構成に適した製造プロセス（プロセスルールなど）を用いることが可能となり、効率的にＩＣチップの面積が縮小できる。本実施形態では、基板１２０と基板１２１とを積層した構成を示すが、チップの面積に制約が無い場合、上述の各構成が、同一の基板に設けられてもよい。

次に、本実施形態における、複数の画素１１０が配された画素領域の解像度よりも低解像度の低解像度画像を生成するための構成について説明する。図２は、低解像度画像を得るために、複数の画素１１０のうち所定の画素群ごとに含まれる画素１１０ａ～１１０ｃから出力される信号の最大値および最小値を検出するための検出部２００（２００ａ～２００ｃ）の構成例を示す図である。ここでは、複数の画素１１０のうち３つの画素１１０ａ～１１０ｃを１つの画素群として説明するが、低解像度画像を得るための画素群に含まれる画素の数はこれに限られることはない。また、画素１１０のうち特定の画素の説明を行う場合、画素１１０「ａ」のように参照番号に添え字する。他の構成についても同様である。

画素１１０は、光電変換素子２１０、転送トランジスタ２１１、リセットトランジスタ２１２、増幅トランジスタ２１３、選択トランジスタ２１４を含む。光電変換素子２１０として、例えば、フォトダイオードが用いられる。転送トランジスタ２１１のゲート電極には、画素制御線１０１のうち転送制御線２０１が接続されている。リセットトランジスタ２１２のゲート電極には、画素制御線１０１のうちリセット制御線２０２が接続されている。選択トランジスタ２１４のゲート電極には、画素制御線１０１のうち選択制御線２０３が接続されている。

転送トランジスタ２１１のゲート電圧がＬｏレベルのとき、光電変換素子２１０に入射する光に応じた電荷が蓄積される。また、転送トランジスタ２１１のゲート電圧がＨｉレベルになることによって、蓄積された電荷が、フローティングディフュージョン領域に転送される。

転送された電荷の信号は、増幅トランジスタ２１３において電圧に変換される。電圧に変換された信号は、切替部２０５によって、信号読出用の負荷トランジスタ２０６、または、信号の最大値および最小値を検出するための負荷トランジスタ２１５に接続され、出力部１４０または検出部２００に選択的に供給される。

選択トランジスタ２１４によって選択された行の画素１１０から出力された信号は、切替部２０５によって負荷トランジスタ２０６が選択された場合、垂直信号線１１１へ出力され、出力部１４０に転送される。一方、切替部２０５によって負荷トランジスタ２０６が選択された場合、画素１１０から出力された信号は検出部２００に転送され、画素群に含まれる画素１１０ａ～１１０ｃが出力する信号の最大値および最小値が検出される。

本実施形態において、切替部２０５は、図２に示されるように、複数の画素１１０から出力される信号を出力部１４０または検出部２００に選択的に供給するためのスイッチとして示されているが、これに限られることはない。例えば、選択トランジスタ２１４の出力が、垂直信号線１１１および検出部２００の両方に接続されていてもよい。この場合、切替部２０５は、複数の画素１１０から出力される信号を、出力部１４０または検出部２００において選択的に処理されるように動作する。例えば、複数の画素１１０のそれぞれから画像を生成するための信号を出力する場合、切替部２０５は、出力部１４０をアクティブ状態にし、検出部２００を非アクティブ状態にしてもよい。同様に、低解像度画像を得る場合、切替部２０５は、出力部１４０を非アクティブ状態にし、検出部２００をアクティブ状態にしてもよい。切替部２０５は、適当なタイミングで、出力部１４０または検出部２００から、それぞれで処理された信号が出力されるように構成されていればよい。

検出部２００は、最大値検出用増幅器２１６、最大値検出用増幅トランジスタ２１７、最大値検出用スイッチ２１８、最小値検出用増幅器２２０、最小値検出用増幅トランジスタ２２１、最小値検出用スイッチ２２２を含む。図２において、画素１１０のうち１行×３列分の画素１１０ａ～１１０ｃを１つの画素群とし、切替部２０５ａ～２０５ｃは、それぞれ負荷トランジスタ２１５ａ～２１５ｃを選択する。これによって、検出部２００ａ～２００ｃは、画素群に含まれる画素１１０ａ～１１０ｃが出力した信号のうち最大値および最小値を検出する。

本実施形態において、複数の画素１１０のうち１行×３列分の画素１１０ａ～１１０ｃを１つの画素群としたが、例えば、複数の画素１１０のうち１００行×１００列の画素１１０を一つの画素群としてもよい。また、検出部２００は、出力部１４０が配された基板１２１に配されうる。また、切替部２０５も、基板１２１に配されうる。基板１２１に配された出力部１４０、検出部２００および切替部２０５は、複数の画素１１０から出力される信号を処理するための信号処理装置１５０として機能する。画素１１０は、比較的、大きなパターンが多い。一方、信号処理装置１５０として機能する出力部１４０、検出部２００は、処理能力を高めるために、画素１１０よりも微細なプロセスルールを必要とする場合がある。このため、画素１１０が配される基板１２０と出力部１４０、検出部２００が配される基板１２１とを別の基板とすることによって、効率的にＩＣチップの面積が縮小できる。

画素部に含まれる画素１１０ａ～１１０ｃの信号のうち最大値（即ちボトム出力。）を検出する場合、最大値検出用スイッチ２１８を導通させ、最大値検出用増幅トランジスタ２１７を共通の最大値検出用負荷トランジスタ２０８で動作させることで出力端子２０９から最大値を取り出すことができる。同様に、画素部に含まれる画素１１０ａ～１１０ｃの信号のうち最小値（即ちピーク出力。）を検出する場合、最小値検出用スイッチ２２２を導通させ、最小値検出用増幅トランジスタ２２１を共通の最小値検出用負荷トランジスタ２２３で動作させることで出力端子２１９から最小値を取り出すことができる。

以上のように、切替部２０５によって、垂直信号線１１１に接続して画像を生成するために信号を読み出す経路と、検出部２００に接続して画素群に含まれる画素１１０から出力された信号の最大値及び最小値を取り出す経路と、を切り替えることが可能となる。被写体の動きを検出する状態では、検出部２００を使用して画素１１０から出力される信号の最大値および最小値を検出（ピークボトム検出）し、動きを検出した後に、撮像を行い、信号を読み出す駆動に切り替える。

図３は、図２に示される検出部２００によって検出された信号の最大値および最小値の差が所定の値以上であるか否かを比較する比較部３００の構成例を示す図である。比較部３００は、基板１２１に配されていてもよい。つまり、光電変換装置１００（信号処理装置１５０）が、比較部３００を含んでいてもよい。比較部３００は、差動増幅器３０１、コンパレータ３０２、入力端子３０３、３０４を含む。入力端子３０３および入力端子３０４は、それぞれ図２に示される出力端子２０９および出力端子２０９に接続されている。画素群に含まれる画素１１０ａ～１１０ｃから出力された信号の最大値および最小値の間の差信号に対して、差動増幅器３０１は電圧ＶＲＥＦを基準として増幅する。次いで、コンパレータ３０２において定電圧源（不図示）から供給される基準電圧３０５との比較を行い、比較値出力３０６からＨｉ／Ｌｏの２値のデジタルデータが出力される。

差信号が所定の値以上である場合、つまり、十分な差信号出力が得られていれば比較値出力３０６からＨｉレベルの論理出力が出力される。一方、差信号が所定の値未満である場合、つまり、十分な差信号出力が得られていなければ比較値出力３０６からＬｏレベルの論理出力が出力される。この出力された比較結果によって、被写体が十分なコントラスト信号が得られているか否かが分かる。

次に、検出部２００によって検出された画素群ごとの信号の最大値および最小値に基づいて被写体を検出するための信号処理について説明する。被写体を検出数ための信号処理を行う信号処理部は、例えば、基板１２１に設けられていてもよいし、基板１２０、１２１とは別の基板に設けられ、基板１２０、１２１と積層されていてもよい。つまり、光電変換装置１００（信号処理装置１５０）が、被写体を検出するための信号処理部を含んでいてもよい。また、被写体を検出するための信号処理部が、光電変換装置１００とは別に配され、光電変換装置１００と共に光電変換システムを構成していてもよい。

図４（ａ）は、画素群ごとの比較結果を複数の画素１１０全体に展開し、比較結果の信号（コントラスト信号）でマッピングしたものである。簡略化のため、複数の画素１１０全体を４行×４列の画素群に分割する例を図４（ａ）に示すが、配される画素１１０の数に応じてより多くの画素群に分割しても良い。マップ４０１は、時刻ｔ１におけるコントラスト信号の画素群ごとのブロックマップであり、マップ４０２は、時刻ｔ２におけるコントラスト信号の画素群ごとのブロックマップである。時刻ｔ２は、時刻ｔ１よりも後の時刻であり、時刻ｔ１と時刻ｔ２との間隔は、例えば、１フレームの期間である。図４（ｂ）に示されるマップ４０３は、時刻ｔ１におけるコントラスト信号のマップ４０１と時刻ｔ２におけるコントラスト信号のマップ４０２との差分を取ったものである。

コントラスト信号の差分を示すマップ４０３は、上述の信号処理部によって得ることができる。信号処理部は、マップ４０３において、前後のフレーム間で差分が得られていれば被写体が動いていることを検出できたことになる。

例えば、まず、被写体の動作を検出する期間（第１期間）において、切替部２０５が検出部２００に複数の画素１１０から出力される信号の処理を行わせることによって、検出部２００は、所定の画素群ごとに信号の最大値および最小値を検出する。次いで、検出された信号の最大値および最小値に基づいて、信号処理部は、被写体の検出を行う。より具体的には、信号処理部は、コントラスト信号の差分を示すマップ４０３に示されるように、所定の画素群ごとに比較部３００の比較結果が前後のフレーム間で変化したことに応じて、被写体が検出されたと判定する。信号処理部が被写体を検出したことに応じて、光電変換装置１００は、被写体の撮像を行い、画像を生成するための期間（第２期間）に移行する。画像を生成するための期間において、切替部２０５が出力部１４０に複数の画素１１０から出力される信号の処理を行わせることによって、出力部１４０は、複数の画素１１０のそれぞれから画像を生成するための信号を出力する。これによって、ユーザは、複数の画素１１０が配された画素領域の解像度に応じた詳細な画像（例えば、動画像）を取得することができる。

また、上述の被写体の動きを検出する際に、それぞれのフレームにおいて同時に画素群ごとに含まれる画素１１０から出力される信号の平均値を取得し、平均値のマップの差分を用いる動作を組み合わせてもよい。例えば、光電変換装置１００が、画素群ごとに含まれる画素１１０から出力される信号の平均値を取得するための平均値取得部を含んでいてもよい。また、例えば、光電変換装置１００とは別に平均値取得部が配され、上述の信号処理部と同様に光電変換システムを構成していてもよい。そして、被写体の動作を検出する期間において、信号処理部は、検出された信号の最大値および最小値、および、平均値取得部が取得した平均値に基づいて被写体を検出する。

平均値取得部が取得した平均値を用いて被写体を検出することによって、被写体が中間光量で動いている状況でも動き検出が可能となる。そのため、本実施形態の光電変換装置１００（光電変換システム）において、さらに高精度に被写体が動いていることが検出できるようになる。つまり、十分なコントラスト信号が得られないような差分変化ない状況でも画素信号からフローティングディフュージョン容量の加算平均値出力信号を読み出すことで、動作状態を検出する精度が向上できる。

以上、説明したように、画素群ごとに含まれる画素１１０から出力された信号の最大値（即ちボトム出力。）および最小値（即ちピーク出力。）の検出（ピークボトム検出）を行い、信号値の最大値と最小値との差分で被写体のコントラストを検出できるため、低解像度画像を用いた被写体の動き検出の精度を向上することができる。さらに、それぞれの画素群において、ピークボトム検出の比較結果として、２値の論理判定値が得られる。一方、画素群ごとに含まれる画素１１０から出力される信号の平均値を取得する場合、画素群のそれぞれの平均値は、例えば、８ｂｉｔ以上の諧調のデジタルデータとなる。つまり、被写体の動作を検出する際に、画素群に含まれる画素１１０から出力される信号の最大値および最小値を検出する。次いで、検出された信号の最大値および最小値の差が所定の値以上であるか否かを比較することによって、コントラスト信号のマップのデータ量を１／１００以下に削減することができる。

以上、本発明に係る実施形態を示したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、上述した実施形態は適宜変更、組み合わせが可能である。従って、本発明の範囲を公にするために以下の請求項を添付する。

１００：光電変換装置、１１０：画素、１４０：出力部、２００：検出部、２０５：切替部

Claims

それぞれ光電変換素子を含む複数の画素と、
前記複数の画素のそれぞれから画像を生成するための信号を出力するための出力部と、
前記複数の画素のうち所定の画素群ごとに含まれる画素から出力される信号の最大値および最小値を検出するための検出部と、
前記複数の画素から出力される信号を、前記出力部または前記検出部において選択的に処理させるための切替部と、
を含み、
前記検出部および前記切替部が、前記複数の画素のそれぞれの画素ごとに配され、
前記切替部は、前記光電変換素子と前記出力部とを接続する経路の間、かつ、前記光電変換素子と前記検出部とを接続する経路の間に配されることを特徴とする光電変換装置。
前記複数の画素から出力される信号を前記出力部に供給するための垂直信号線をさらに含み、
前記切替部は、前記光電変換素子と前記検出部とを、または、前記光電変換素子と前記垂直信号線とを、選択的に接続することを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
前記切替部が、前記複数の画素から出力される信号を、前記出力部または前記検出部に選択的に供給するためのスイッチを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の光電変換装置。
前記複数の画素が、第１基板に配され、
前記出力部が、前記第１基板とは異なる第２基板に配され、
前記第１基板と前記第２基板との少なくとも一部が、互いに積層されていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の光電変換装置。
前記検出部が、前記第２基板に配されていることを特徴とする請求項４に記載の光電変換装置。
前記光電変換装置は、前記検出部によって検出された前記信号の最大値および最小値の差が所定の値以上であるか否かを比較する比較部をさらに含むことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の光電変換装置。
前記光電変換装置は、前記検出部によって検出された前記信号の最大値および最小値に基づいて被写体を検出するための信号処理部をさらに含むことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の光電変換装置。
前記光電変換装置は、前記比較部の比較結果に基づいて被写体を検出するための信号処理部をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の光電変換装置。
それぞれ光電変換素子を含む複数の画素と、
前記複数の画素のそれぞれから画像を生成するための信号を出力するための出力部と、
前記複数の画素のうち所定の画素群ごとに含まれる画素から出力される信号の最大値および最小値を検出するための検出部と、
前記複数の画素から出力される信号を、前記出力部または前記検出部において選択的に処理させるための切替部と、
を含む光電変換装置であって、
前記検出部および前記切替部が、前記複数の画素のそれぞれの画素ごとに配され、
前記光電変換装置は、前記検出部によって検出された前記信号の最大値および最小値の差が所定の値以上であるか否かを比較する比較部と、前記比較部の比較結果に基づいて被写体を検出するための信号処理部と、をさらに含み、
第１期間において、
前記切替部が前記検出部に前記複数の画素から出力される信号の処理を行わせることによって、前記検出部は、前記所定の画素群ごとに前記信号の最大値および最小値を検出し、
前記信号の最大値および最小値に基づいて、前記信号処理部は、被写体の検出を行い、
前記信号処理部が被写体を検出したことに応じて、前記光電変換装置は、第２期間に移行し、
前記第２期間において、
前記切替部が前記出力部に前記複数の画素から出力される信号の処理を行わせることによって、前記出力部は、前記複数の画素のそれぞれから画像を生成するための信号を出力することを特徴とする光電変換装置。
それぞれ光電変換素子を含む複数の画素と、
前記複数の画素のそれぞれから画像を生成するための信号を出力するための出力部と、
前記複数の画素のうち所定の画素群ごとに含まれる画素から出力される信号の最大値および最小値を検出するための検出部と、
前記複数の画素から出力される信号を、前記出力部または前記検出部において選択的に処理させるための切替部と、
を含む光電変換装置であって、
前記検出部および前記切替部が、前記複数の画素のそれぞれの画素ごとに配され、
前記光電変換装置は、前記検出部によって検出された前記信号の最大値および最小値に基づいて被写体を検出するための信号処理部をさらに含み、
第１期間において、
前記切替部が前記検出部に前記複数の画素から出力される信号の処理を行わせることによって、前記検出部は、前記所定の画素群ごとに前記信号の最大値および最小値を検出し、
前記信号の最大値および最小値に基づいて、前記信号処理部は、被写体の検出を行い、
前記信号処理部が被写体を検出したことに応じて、前記光電変換装置は、第２期間に移行し、
前記第２期間において、
前記切替部が前記出力部に前記複数の画素から出力される信号の処理を行わせることによって、前記出力部は、前記複数の画素のそれぞれから画像を生成するための信号を出力することを特徴とする光電変換装置。
それぞれ光電変換素子を含む複数の画素と、
前記複数の画素のそれぞれから画像を生成するための信号を出力するための出力部と、
前記複数の画素のうち所定の画素群ごとに含まれる画素から出力される信号の最大値および最小値を検出するための検出部と、
前記複数の画素から出力される信号を、前記出力部または前記検出部において選択的に処理させるための切替部と、
を含む光電変換装置であって、
前記検出部および前記切替部が、前記複数の画素のそれぞれの画素ごとに配され、
前記光電変換装置は、前記検出部によって検出された前記信号の最大値および最小値の差が所定の値以上であるか否かを比較する比較部と、前記比較部の比較結果に基づいて被写体を検出するための信号処理部と、をさらに含み、
第１期間において、
前記切替部が前記検出部に前記複数の画素から出力される信号の処理を行わせることによって、前記検出部は、前記所定の画素群ごとに前記信号の最大値および最小値を検出し、
前記信号処理部は、前記所定の画素群ごとに前記比較部の比較結果がフレーム間で変化したことに応じて、被写体の検出を行い、
前記信号処理部が被写体を検出したことに応じて、前記光電変換装置は、第２期間に移行し、
前記第２期間において、
前記切替部が前記出力部に前記複数の画素から出力される信号の処理を行わせることによって、前記出力部は、前記複数の画素のそれぞれから画像を生成するための信号を出力することを特徴とする光電変換装置。
前記光電変換装置が、前記複数の画素のうち前記所定の画素群ごとに含まれる画素から出力される信号の平均値を取得するための平均値取得部をさらに含み、
前記第１期間において、前記信号処理部は、前記信号の最大値および最小値、および、前記平均値取得部が取得した前記平均値に基づいて被写体を検出することを特徴とする請求項９乃至１１の何れか１項に記載の光電変換装置。
請求項１乃至５の何れか１項に記載の光電変換装置と、
前記検出部によって検出された前記信号の最大値および最小値に基づいて被写体を検出するための信号処理部と、
を含むことを特徴とする光電変換システム。
請求項６に記載の光電変換装置と、
前記比較部の比較結果に基づいて被写体を検出する信号処理部と、
を含むことを特徴とする光電変換システム。
第１期間において、
前記切替部が前記検出部に前記複数の画素から出力される信号の処理を行わせることによって、前記検出部は、前記所定の画素群ごとに前記信号の最大値および最小値を検出し、
前記信号の最大値および最小値に基づいて、前記信号処理部は、被写体の検出を行い、
前記信号処理部が被写体を検出したことに応じて、前記光電変換システムは、第２期間に移行し、
前記第２期間において、
前記切替部が前記出力部に前記複数の画素から出力される信号の処理を行わせることによって、前記出力部は、前記複数の画素のそれぞれから画像を生成するための信号を出力することを特徴とする請求項１３または１４に記載の光電変換システム。
第１期間において、
前記切替部が前記検出部に前記複数の画素から出力される信号の処理を行わせることによって、前記検出部は、前記所定の画素群ごとに前記信号の最大値および最小値を検出し、
前記信号処理部は、前記所定の画素群ごとに前記比較部の比較結果がフレーム間で変化したことに応じて、被写体の検出を行い、
前記信号処理部が被写体を検出したことに応じて、前記光電変換システムは、第２期間に移行し、
前記第２期間において、
前記切替部が前記出力部に前記複数の画素から出力される信号の処理を行わせることによって、前記出力部は、前記複数の画素のそれぞれから画像を生成するための信号を出力することを特徴とする請求項１４に記載の光電変換システム。
前記光電変換システムが、前記複数の画素のうち前記所定の画素群ごとに含まれる画素から出力される信号の平均値を取得するための平均値取得部をさらに含み、
前記第１期間において、前記信号処理部は、前記信号の最大値および最小値、および、前記平均値取得部が取得した前記平均値に基づいて被写体を検出することを特徴とする請求項１５または１６に記載の光電変換システム。
それぞれ光電変換素子を含む複数の画素から出力される信号を処理するための信号処理装置であって、
前記信号処理装置が、
前記複数の画素のそれぞれから画像を生成するための信号を出力するための出力部と、
前記複数の画素のうち所定の画素群ごとに含まれる画素から出力される信号の最大値および最小値を検出するための検出部と、
前記複数の画素から出力される信号を、前記出力部または前記検出部において選択的に処理させるための切替部と、
を含み、
前記検出部および前記切替部が、前記複数の画素のそれぞれの画素ごとに配され、
前記切替部は、前記光電変換素子と前記出力部とを接続する経路の間、かつ、前記光電変換素子と前記検出部とを接続する経路の間に配されることを特徴とする信号処理装置。