JP6856983B2 - 光電変換装置及びカメラ - Google Patents
光電変換装置及びカメラ Download PDFInfo
- Publication number
- JP6856983B2 JP6856983B2 JP2016131041A JP2016131041A JP6856983B2 JP 6856983 B2 JP6856983 B2 JP 6856983B2 JP 2016131041 A JP2016131041 A JP 2016131041A JP 2016131041 A JP2016131041 A JP 2016131041A JP 6856983 B2 JP6856983 B2 JP 6856983B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive portion
- substrate
- photoelectric conversion
- conductive
- electrically connected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 72
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 61
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 23
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 21
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 15
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 15
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 22
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
- H04N25/772—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising A/D, V/T, V/F, I/T or I/F converters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/1461—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements characterised by the photosensitive area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/64—Constructional details of receivers, e.g. cabinets or dust covers
Description
Claims (10)
- 第1基板の第1面と第2基板の第2面とが接するように前記第1基板と前記第2基板とが重なった光電変換装置であって、
前記第1基板は、
光電変換素子と、
前記第1面を成す第1導電部と、
前記第1面に最も近い導電パタンに含まれ、前記第1導電部に電気的に接続された第2導電部と、
前記第1面に2番目に近い導電パタンに含まれ、前記光電変換素子で生じた信号が伝達される第3導電部と、
前記第1導電部と前記第2導電部とを互いに接続する第1プラグと、
前記第2導電部と前記第3導電部とを互いに接続し、前記第1プラグよりも小さな径を有する第2プラグと、を有し、
前記第2基板は、
前記第2面を成し、前記第1導電部に電気的に接続された第4導電部と、
前記第4導電部に電気的に接続され、前記光電変換素子で生じた信号を処理するための回路と、を有し、
前記第1基板の前記第1面に対する平面視において、前記第1導電部の面積は、前記第2導電部の面積よりも小さく、前記第3導電部のうち前記第2導電部に重なる部分の面積よりも大きいことを特徴とする光電変換装置。 - 前記第1基板の前記第1面に対する平面視において、前記第2導電部の面積は、前記第3導電部の面積よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。
- 前記第1基板は、
フローティングディフュージョンと、
前記光電変換素子から前記フローティングディフュージョンへ信号を転送する転送トランジスタと、
前記フローティングディフュージョンに転送された信号を増幅する増幅トランジスタと、を更に有し、
前記第1導電部、前記第2導電部及び前記第3導電部は、前記増幅トランジスタの出力ノードと同一の電気ノードを構成することを特徴とする請求項1又は2に記載の光電変換装置。 - 前記第1基板の前記第1面に対する平面視において、前記第1導電部、第2導電部及び第3導電部のそれぞれが前記フローティングディフュージョンに重なることを特徴とする請求項3に記載の光電変換装置。
- 前記第1基板は、前記第2導電部と前記第3導電部とを互いに接続する複数のプラグを更に有することを特徴とする請求項3又は4に記載の光電変換装置。
- 前記第1基板は、
フローティングディフュージョンと、
前記光電変換素子から前記フローティングディフュージョンへ信号を転送する転送トランジスタと、
前記第1面に最も近い導電パタンに含まれ、前記転送トランジスタのゲートに電気的に接続された第5導電部と、
前記第1面の一部を構成し、前記第5導電部に電気的に接続された第6導電部と、を更に有し、
前記第2基板は、
前記転送トランジスタを駆動する信号を生成する駆動回路と、
前記第2面の一部を構成し、前記第6導電部に電気的に接続された第7導電部と、
前記第2面に最も近い導電パタンに含まれ、前記第7導電部に電気的に接続され、前記駆動回路からの信号が伝達される第8導電部と、を更に有し、
互いに電気的に接続された前記第6導電部と前記第7導電部とによって接続部が構成され、
前記第5導電部と前記第8導電部とは、複数の前記接続部によって互いに電気的に接続されることを特徴とする請求項1又は2に記載の光電変換装置。 - 前記第1基板は、前記フローティングディフュージョンの電圧をリセットするリセットトランジスタを更に有する特徴とする請求項3乃至6の何れか1項に記載の光電変換装置。
- 前記第1基板は、前記光電変換素子と、前記第1導電部と、前記第2導電部と、前記第3導電部とを含む単位セルを複数、備え、
前記第2基板は、前記第2面に最も近い導電パタンに含まれ、複数の単位セルのそれぞれの前記第3導電部に電気的に接続された信号線を更に有することを特徴とする請求項1乃至7の何れか1項に記載の光電変換装置。 - 前記第2基板のうち前記第2面に最も近い導電パタンは、複数の接地線をさらに有し、
前記第2基板のうち前記第2面に2番目に近い導電パタンは、前記複数の接地線のそれぞれに電気的に接続された第9導電部を更に有することを特徴とする請求項1乃至8の何れか1項に記載の光電変換装置。 - 請求項1乃至9の何れか1項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置によって得られた信号を処理する信号処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016131041A JP6856983B2 (ja) | 2016-06-30 | 2016-06-30 | 光電変換装置及びカメラ |
US15/620,972 US10051223B2 (en) | 2016-06-30 | 2017-06-13 | Photoelectric conversion apparatus and camera |
US16/016,793 US10778920B2 (en) | 2016-06-30 | 2018-06-25 | Photoelectric conversion apparatus and camera |
US16/990,292 US11637981B2 (en) | 2016-06-30 | 2020-08-11 | Photoelectric conversion apparatus and camera |
JP2021041641A JP7191145B2 (ja) | 2016-06-30 | 2021-03-15 | 光電変換装置、積層用基板及びカメラ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016131041A JP6856983B2 (ja) | 2016-06-30 | 2016-06-30 | 光電変換装置及びカメラ |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021041641A Division JP7191145B2 (ja) | 2016-06-30 | 2021-03-15 | 光電変換装置、積層用基板及びカメラ |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018006561A JP2018006561A (ja) | 2018-01-11 |
JP2018006561A5 JP2018006561A5 (ja) | 2019-07-04 |
JP6856983B2 true JP6856983B2 (ja) | 2021-04-14 |
Family
ID=60808071
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016131041A Active JP6856983B2 (ja) | 2016-06-30 | 2016-06-30 | 光電変換装置及びカメラ |
JP2021041641A Active JP7191145B2 (ja) | 2016-06-30 | 2021-03-15 | 光電変換装置、積層用基板及びカメラ |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021041641A Active JP7191145B2 (ja) | 2016-06-30 | 2021-03-15 | 光電変換装置、積層用基板及びカメラ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10051223B2 (ja) |
JP (2) | JP6856983B2 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6856983B2 (ja) * | 2016-06-30 | 2021-04-14 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びカメラ |
JP6946046B2 (ja) | 2017-04-28 | 2021-10-06 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びその駆動方法 |
JP6704893B2 (ja) | 2017-11-30 | 2020-06-03 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、撮像システム、および固体撮像装置の駆動方法 |
JP7353729B2 (ja) | 2018-02-09 | 2023-10-02 | キヤノン株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法 |
JP7100492B2 (ja) | 2018-05-14 | 2022-07-13 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及びその駆動方法 |
US10834354B2 (en) | 2018-06-25 | 2020-11-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging device, imaging system, movable object, and signal processing device |
JP7245074B2 (ja) | 2019-02-26 | 2023-03-23 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、撮像システム及び移動体 |
JP7374639B2 (ja) | 2019-07-19 | 2023-11-07 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像システム |
JP7303682B2 (ja) | 2019-07-19 | 2023-07-05 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像システム |
JP2021129136A (ja) | 2020-02-10 | 2021-09-02 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
JP7171649B2 (ja) | 2020-05-15 | 2022-11-15 | キヤノン株式会社 | 撮像装置および撮像システム |
JP2021190823A (ja) | 2020-05-29 | 2021-12-13 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム、移動体および撮像装置の駆動方法 |
JP2022069136A (ja) | 2020-10-23 | 2022-05-11 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム及び撮像装置の駆動方法 |
JP2022069132A (ja) | 2020-10-23 | 2022-05-11 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム及び撮像装置の駆動方法 |
TW202329439A (zh) * | 2021-12-10 | 2023-07-16 | 日商索尼半導體解決方案公司 | 光檢測裝置及電子機器 |
Family Cites Families (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6556658B2 (en) * | 2001-09-17 | 2003-04-29 | International Business Machines Corporation | Method for adding redundant vias on VLSI chips |
JP2008009277A (ja) | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Canon Inc | 電圧電流変換方法、電圧電流変換回路、及びアクティブマトリクス型表示装置 |
EP2037667B1 (en) | 2007-09-14 | 2017-08-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing apparatus and imaging system |
JP5223343B2 (ja) * | 2008-01-10 | 2013-06-26 | 株式会社ニコン | 固体撮像素子 |
JP5142749B2 (ja) | 2008-02-14 | 2013-02-13 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像装置の制御方法及び撮像システム |
JP5224942B2 (ja) | 2008-06-30 | 2013-07-03 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
JP5264379B2 (ja) | 2008-09-12 | 2013-08-14 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム及び撮像装置の動作方法 |
JP5529613B2 (ja) | 2009-04-17 | 2014-06-25 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像システム |
JP2011204797A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Sony Corp | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
JP5709418B2 (ja) * | 2010-06-30 | 2015-04-30 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
JP5693060B2 (ja) | 2010-06-30 | 2015-04-01 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、及び撮像システム |
JP2012015274A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Canon Inc | 固体撮像装置、及び固体撮像装置の製造方法。 |
JP5696513B2 (ja) * | 2011-02-08 | 2015-04-08 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
CN103503122B (zh) | 2011-05-24 | 2016-05-18 | 索尼公司 | 半导体装置 |
JP5970747B2 (ja) * | 2011-05-24 | 2016-08-17 | ソニー株式会社 | 半導体装置 |
JP5919653B2 (ja) * | 2011-06-09 | 2016-05-18 | ソニー株式会社 | 半導体装置 |
JP5803398B2 (ja) * | 2011-08-04 | 2015-11-04 | ソニー株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、電子機器 |
JP6091550B2 (ja) * | 2011-08-02 | 2017-03-08 | キヤノン株式会社 | 撮像素子及び撮像装置 |
JP5806566B2 (ja) | 2011-09-15 | 2015-11-10 | キヤノン株式会社 | A/d変換器および固体撮像装置 |
JP5484422B2 (ja) | 2011-10-07 | 2014-05-07 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
JP5994274B2 (ja) * | 2012-02-14 | 2016-09-21 | ソニー株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、電子機器 |
JP2013211380A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Olympus Corp | ウェハ積層体および半導体装置 |
US9412725B2 (en) * | 2012-04-27 | 2016-08-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and apparatus for image sensor packaging |
US8710607B2 (en) * | 2012-07-12 | 2014-04-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and apparatus for image sensor packaging |
JP2014022561A (ja) * | 2012-07-18 | 2014-02-03 | Sony Corp | 固体撮像装置、及び、電子機器 |
JP6083977B2 (ja) * | 2012-08-23 | 2017-02-22 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置および撮像装置 |
JP2014107448A (ja) * | 2012-11-28 | 2014-06-09 | Nikon Corp | 積層半導体装置の製造方法および積層半導体製造装置 |
JP5682638B2 (ja) * | 2013-01-15 | 2015-03-11 | 株式会社ニコン | 撮像素子 |
JP6045382B2 (ja) * | 2013-02-13 | 2016-12-14 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2013118409A (ja) * | 2013-03-06 | 2013-06-13 | Nikon Corp | 固体撮像素子 |
JP6218428B2 (ja) * | 2013-05-08 | 2017-10-25 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置 |
KR102136845B1 (ko) * | 2013-09-16 | 2020-07-23 | 삼성전자 주식회사 | 적층형 이미지 센서 및 그 제조방법 |
JP6355457B2 (ja) | 2014-07-03 | 2018-07-11 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及びその駆動方法 |
JP6389685B2 (ja) | 2014-07-30 | 2018-09-12 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、および、撮像システム |
JP6351423B2 (ja) | 2014-07-31 | 2018-07-04 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
US9774801B2 (en) * | 2014-12-05 | 2017-09-26 | Qualcomm Incorporated | Solid state image sensor with enhanced charge capacity and dynamic range |
JP6539157B2 (ja) | 2015-09-01 | 2019-07-03 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
US9900539B2 (en) | 2015-09-10 | 2018-02-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pickup element, and image pickup system |
JP2017117828A (ja) | 2015-12-21 | 2017-06-29 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および電子装置 |
JP6856983B2 (ja) | 2016-06-30 | 2021-04-14 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びカメラ |
-
2016
- 2016-06-30 JP JP2016131041A patent/JP6856983B2/ja active Active
-
2017
- 2017-06-13 US US15/620,972 patent/US10051223B2/en active Active
-
2018
- 2018-06-25 US US16/016,793 patent/US10778920B2/en active Active
-
2020
- 2020-08-11 US US16/990,292 patent/US11637981B2/en active Active
-
2021
- 2021-03-15 JP JP2021041641A patent/JP7191145B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10778920B2 (en) | 2020-09-15 |
US20200374481A1 (en) | 2020-11-26 |
JP7191145B2 (ja) | 2022-12-16 |
JP2018006561A (ja) | 2018-01-11 |
US10051223B2 (en) | 2018-08-14 |
US20180309950A1 (en) | 2018-10-25 |
US20180007305A1 (en) | 2018-01-04 |
JP2021108377A (ja) | 2021-07-29 |
US11637981B2 (en) | 2023-04-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6856983B2 (ja) | 光電変換装置及びカメラ | |
US20210028205A1 (en) | Solid-state imaging device and electronic apparatus | |
KR102545845B1 (ko) | 반도체 장치 및 전자 기기 | |
US8519459B2 (en) | Solid-state imaging device and electronic equipment | |
US20210143204A1 (en) | Image sensor and electronic apparatus including the same | |
CN102005461B (zh) | 固体摄像器件、固体摄像器件制造方法和电子装置 | |
US10319774B2 (en) | Image capturing device | |
JP6174902B2 (ja) | 固体撮像装置及びカメラ | |
JP6188281B2 (ja) | 光電変換装置 | |
KR102060843B1 (ko) | 고체 촬상 소자 및 전자 기기 | |
US7940328B2 (en) | Solid state imaging device having wirings with lateral extensions | |
US11271022B2 (en) | Imaging device, method of manufacturing the same, and camera | |
JP2018056580A (ja) | 固体撮像装置およびカメラ | |
TW202010142A (zh) | 固體攝像元件 | |
KR102590053B1 (ko) | 반도체 장치 및 전자 기기 | |
JP2015204381A (ja) | 固体撮像装置及びカメラ | |
KR100671139B1 (ko) | 고체 촬상 소자 | |
JP2014167982A (ja) | 半導体光検出装置 | |
JP7384210B2 (ja) | 撮像素子および撮像装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190528 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190528 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200519 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200629 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200828 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20210103 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210113 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210219 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210319 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6856983 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |